JP2002023171A - Liquid crystal display device and manufacturing method therefor - Google Patents

Liquid crystal display device and manufacturing method therefor

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JP2002023171A JP2000209706A JP2000209706A JP2002023171A JP 2002023171 A JP2002023171 A JP 2002023171A JP 2000209706 A JP2000209706 A JP 2000209706A JP 2000209706 A JP2000209706 A JP 2000209706A JP 2002023171 A JP2002023171 A JP 2002023171A
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Koichi Matsumoto
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide the liquid crystal display device of the satisfactory characteristic of the angle of visibility, which prevents the delay of a response due to the influence of a data line or a gate electrode and the drop of panel transmissivity in a low application voltage area and whose opening rate can be enlarged. SOLUTION: The liquid crystal display device of an IPS system, a gate electrode 2 and a common electrode 3, and TFT, a data like and a pixel electrode 7 and a passivation film 8 through an interlayer insulating film are formed on a first transparent substrate 1 where TFT is formed. Liquid crystal 17 sandwiched by the first transparent substrate and a confronted second transparent substrate is rotated in a face which is almost parallel to the substrate by voltage applied between the pixel electrode and the common electrode, which are alternately formed in parallel. A partition 9a constituted of an insulating body is formed on the passivation film so that it is overlapped with the common electrode. Thus, liquid crystal in a pixel area is parted from liquid crystal oriented in a different direction by a DC voltage applied to the gate electrode or the data line and the response of liquid crystal and the characteristic of the angle of visibility are improved.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置及び
その製造方法に関し、特に、TFT基板に形成した画素
電極と共通電極との間に印加する電圧によって基板に略
平行な面内で液晶を駆動するIPS(In-Plane Switchi
ng)方式の液晶表示装置及びその製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a liquid crystal display device in which a liquid crystal is applied in a plane substantially parallel to a substrate by a voltage applied between a pixel electrode formed on a TFT substrate and a common electrode. Driving IPS (In-Plane Switchi
The present invention relates to a liquid crystal display device of the ng) type and a manufacturing method thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術】薄膜トランジスタ(以下、TFTと略記
する)を画素のスイッチング素子として用いるアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置は、高品位の画質を有し、
省スペースのデスクトップコンピュータのモニター等と
して幅広く用いられている。一般に、液晶表示装置の動
作モードには、配向した液晶分子のダイレクタの方向を
透明基板に対して垂直な方向に回転させるツイステッド
・ネマティック(Twisted Nematic:TN)方式と、透
明基板に対して平行な方向に回転させるIPS方式とが
ある。
2. Description of the Related Art An active matrix type liquid crystal display device using a thin film transistor (hereinafter abbreviated as TFT) as a switching element of a pixel has high quality image quality.
It is widely used as a monitor for space-saving desktop computers. Generally, an operation mode of a liquid crystal display device includes a twisted nematic (TN) method in which a director of aligned liquid crystal molecules is rotated in a direction perpendicular to a transparent substrate, and a liquid crystal display device in a direction parallel to the transparent substrate. There is an IPS system that rotates in the direction.

【0003】IPS方式の液晶表示装置は、TFTを形
成する第1の透明基板上に櫛歯が互いに平行な画素電極
と共通電極とを交互に形成し、これらの間に電圧を印加
して基板面に平行な電界を形成することにより、液晶の
ダイレクタの向きを変化させ、これによって透過光量を
制御するものである。従って、この表示方式ではダイレ
クタが基板面内で回転するため、TN方式の場合のよう
にダイレクタの方向から見たときと基板法線方向から見
込んだときで透過光量と印加電圧との関係が大きく異な
ってしまうといった問題は発生せず、非常に広い視角か
ら見て、良好な画像を得ることができる。
In the IPS type liquid crystal display device, a pixel electrode and a common electrode whose comb teeth are parallel to each other are alternately formed on a first transparent substrate on which a TFT is formed, and a voltage is applied between the electrodes to form a substrate. By forming an electric field parallel to the plane, the direction of the director of the liquid crystal is changed, thereby controlling the amount of transmitted light. Therefore, in this display method, since the director rotates in the substrate plane, there is a large relationship between the amount of transmitted light and the applied voltage when viewed from the direction of the director and when viewed from the normal direction of the substrate as in the case of the TN method. There is no problem that they differ from each other, and a good image can be obtained from a very wide viewing angle.

【0004】このようなIPS方式では、液晶層をホモ
ジニアス配向とし、互いに偏光軸が直交する2枚の偏光
板でこれをはさみ、一方の偏光軸を液晶分子の配向方向
に等しくとることにより、電圧無印加状態で黒表示と
し、画素電極と共通電極との間の電圧印加により液晶分
子を電界の向きにツイスト変形させて白表示とするもの
が一般的であり、この方法は黒表示時の輝度を安定して
低くすることができることから広く用いられている。
In such an IPS system, the liquid crystal layer is made to have a homogeneous alignment, sandwiched between two polarizing plates whose polarization axes are orthogonal to each other, and one of the polarization axes is made equal to the alignment direction of the liquid crystal molecules. In general, black display is performed when no voltage is applied, and liquid crystal molecules are twist-deformed in the direction of an electric field by applying a voltage between the pixel electrode and the common electrode to obtain white display. Is widely used because it can be stably reduced.

【0005】ここで、従来の液晶表示装置の構造につい
て、図21を参照して説明する。図21は、従来のIP
S液晶表示装置の構造を示す図であり、(a)は平面
図、(b)は(a)のA−A′線における断面図であ
る。従来の液晶表示装置は、TFTが形成される第1の
透明基板1とカラーフィルター(Color filter:CF)
が形成される第2の透明基板11とその間に狭持される
液晶17とで構成され、第1の透明基板1には、ゲート
電極2、データ線6が略直交して形成され、これらの交
差部にマトリクス状にTFT5が配置され、各画素には
互いに平行な画素電極7及び共通電極3が交互に形成さ
れている。また、第2の透明基板11上には、余分な光
を遮光するためのブラックマトリクス12とRGB3色
のカラー表示を行うための色層13とこれらを覆う平坦
化膜14とが形成されている。
Here, a structure of a conventional liquid crystal display device will be described with reference to FIG. FIG. 21 shows a conventional IP
It is a figure which shows the structure of S liquid crystal display device, (a) is a top view, (b) is sectional drawing in the AA 'line of (a). A conventional liquid crystal display device includes a first transparent substrate 1 on which a TFT is formed and a color filter (CF).
Are formed and a liquid crystal 17 sandwiched between them. On the first transparent substrate 1, a gate electrode 2 and a data line 6 are formed substantially orthogonally. The TFTs 5 are arranged in a matrix at the intersections, and pixel electrodes 7 and common electrodes 3 which are mutually parallel are alternately formed in each pixel. On the second transparent substrate 11, a black matrix 12 for shielding extraneous light, a color layer 13 for displaying RGB three colors, and a flattening film 14 covering these are formed. .

【0006】そして、これらの第1の透明基板1及び第
2の透明基板11の表面には配向膜18が塗布され、両
基板の間には画素電極7の長手方向に所定の角度をもっ
てホモジニアス配向された液晶17が狭持されている。
また、両基板の外側には、偏光板16a、16bが貼付
され、両偏光板の偏光軸は互いに直交し、一方の偏光軸
は液晶の配向方向に平行に設定される。そして、TFT
5を介して画素電極7に電位を書き込み、画素電極7と
共通電極3との間に横電界を与えることにより、液晶1
7を基板に平行な面内でツイスト変形させて表示を制御
している。
An orientation film 18 is applied to the surfaces of the first transparent substrate 1 and the second transparent substrate 11, and a homogeneous orientation is provided between the two substrates at a predetermined angle in the longitudinal direction of the pixel electrode 7. The held liquid crystal 17 is held.
Polarizing plates 16a and 16b are attached to the outside of both substrates, and the polarizing axes of both polarizing plates are orthogonal to each other, and one of the polarizing axes is set parallel to the orientation direction of the liquid crystal. And TFT
By writing a potential to the pixel electrode 7 through the pixel electrode 5 and applying a horizontal electric field between the pixel electrode 7 and the common electrode 3, the liquid crystal 1
7 is twist-deformed in a plane parallel to the substrate to control the display.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の液
晶表示装置では、ゲート電極2及びデータ線6に大きな
電圧が印加されているために、液晶17には画素電極7
と共通電極3との間の電界のみならず、ゲート線2と共
通電極3、及び、データ線6と共通電極3との間の電界
も作用してしまい、液晶17の応答の遅延や配向方向の
乱れが生じてしまうという問題がある。
However, in the conventional liquid crystal display device, since a large voltage is applied to the gate electrode 2 and the data line 6, the liquid crystal 17 has a pixel electrode 7
Not only the electric field between the gate electrode 2 and the common electrode 3, but also the electric field between the gate line 2 and the common electrode 3 and between the data line 6 and the common electrode 3. There is a problem that the disturbance occurs.

【0008】この問題について、図22乃至25を参照
して説明する。図22はゲート電極2、データ線6及び
共通電極3に印加される電圧を示すタイミングチャート
であり、図23及び図24は、データ線6又はゲート電
極2近傍の白表示における液晶17の配向状態を示す図
である。また、図25は、セルギャップ内の電位分布及
び液晶17に作用する電界を示す図である。
This problem will be described with reference to FIGS. FIG. 22 is a timing chart showing the voltages applied to the gate electrode 2, the data line 6, and the common electrode 3. FIGS. 23 and 24 show the alignment state of the liquid crystal 17 in the white display near the data line 6 or the gate electrode 2. FIG. FIG. 25 is a diagram showing a potential distribution in the cell gap and an electric field acting on the liquid crystal 17.

【0009】まず、図22に示すように、画素内の共通
電極3には、4.5V程度のDC電圧(Vcom)が印加
されており、この電圧とデータ線6を介して画素電極7
に印加される電圧(Vd)との差によって液晶を電界の
方向に回転させているが、このデータ線6には共通電極
3の電位よりも高い6.5V程度のDC電圧が常に印加
されている。また、ゲート電極2には所定の周期で−1
0V程度のlowレベルから20V程度のhighレベ
ルに立ち上がるパルス電圧(Vg)が印加されている。
従って、共通電極3は、画素電極7の他に、データ線6
及びゲート電極2に印加される電圧、特にDC電圧の影
響を常に受けることになる。
First, as shown in FIG. 22, a DC voltage (Vcom) of about 4.5 V is applied to the common electrode 3 in the pixel, and this voltage is applied to the pixel electrode 7 via the data line 6.
The liquid crystal is rotated in the direction of the electric field by the difference from the voltage (Vd) applied to the data line 6, but a DC voltage of about 6.5 V higher than the potential of the common electrode 3 is always applied to the data line 6. I have. Further, -1 is applied to the gate electrode 2 at a predetermined cycle.
A pulse voltage (Vg) that rises from a low level of about 0 V to a high level of about 20 V is applied.
Therefore, the common electrode 3 has a data line 6 in addition to the pixel electrode 7.
And the voltage applied to the gate electrode 2, especially the DC voltage.

【0010】このデータ線6とゲート電極2のDC電位
の影響について、液晶の配向状態を模式的に示す図23
及び図24を参照して説明すると、データ線6の基準電
位と共通電極3との間には前述したように2V程度の電
位差がある。ここで、電界強度は電圧に比例し、電極間
の距離に反比例するが、データ線6と共通電極3の間の
領域は表示に寄与しないブラックマトリクスで遮蔽され
た領域であるため、開口率を確保するためにはその間隔
は、画素電極7と共通電極3との間隔(5〜10μm)
より狭く、通常2μm程度に設定されている。従って、
データ線6と共通電極3との間には、電圧は小さいが間
隔が小さいために大きな電界が発生することになる。
With respect to the influence of the DC potential of the data line 6 and the gate electrode 2, FIG.
Referring to FIG. 24, there is a potential difference of about 2 V between the reference potential of the data line 6 and the common electrode 3 as described above. Here, the electric field strength is proportional to the voltage and inversely proportional to the distance between the electrodes. However, since the area between the data line 6 and the common electrode 3 is an area shielded by a black matrix that does not contribute to display, the aperture ratio is reduced. In order to ensure the distance, the distance between the pixel electrode 7 and the common electrode 3 (5 to 10 μm)
It is narrower and is usually set to about 2 μm. Therefore,
A small electric field is generated between the data line 6 and the common electrode 3, but a large electric field is generated due to a small interval.

【0011】この様子を、図23で説明すると、データ
線6と共通電極3との間にある液晶は、常に両電極間に
生じる電界によって初期配向方向とは異なる方向に回転
しており、一方、画素内(共通電極3と画素電極7との
間)の液晶は、白表示状態において両電極間の電界方向
に回転するが、電圧がOFFとなる黒表示状態において
は初期配向方向に戻るため、共通電極3を境にして図の
左右の領域で液晶が異なる方向に配向しようとする。
Referring to FIG. 23, the liquid crystal between the data line 6 and the common electrode 3 is always rotated in a direction different from the initial alignment direction by an electric field generated between the electrodes. The liquid crystal in the pixel (between the common electrode 3 and the pixel electrode 7) rotates in the direction of the electric field between the two electrodes in the white display state, but returns to the initial alignment direction in the black display state where the voltage is OFF. The liquid crystal tends to be oriented in different directions in the left and right regions of the drawing with the common electrode 3 as a boundary.

【0012】ここで、一般的な液晶の動作について説明
すると、液晶は電圧のON又はOFF状態において、各
々の液晶分子が互いに独立して回転するものではなく、
互いの分子が弾性特性に基づいて影響を及ぼしあい、一
つの液晶分子の回転につられるように他の液晶分子が回
転して液晶分子の集団がツイスト変形するものである。
すなわち、電圧のON/OFFに際し、広がり、ねじ
れ、曲がりのそれぞれの歪みに対して弾性定数K11、
K22、K33に応じた弾性力が作用して変形する。
Here, the operation of a general liquid crystal will be described. In the liquid crystal, when the voltage is ON or OFF, each liquid crystal molecule does not rotate independently of each other.
Mutual molecules exert influence on each other on the basis of elastic properties, and other liquid crystal molecules rotate as one liquid crystal molecule rotates, whereby a group of liquid crystal molecules is twist-deformed.
That is, when the voltage is turned on / off, the elastic constants K11,
The elastic force corresponding to K22 and K33 acts to deform.

【0013】このような弾性特性のある液晶の動作を、
図23のデータ線6近傍で考えるとデータ線6と共通電
極3間の液晶はDC電圧によってその電界方向に回転
し、常に一定方向を向いているが、共通電極3と画素電
極7の間に電圧が印加される白表示状態において、これ
らの電極間の液晶は電界方向(図では時計回り方向)に
回転し、これらの電極間に電圧が印加されていない黒表
示状態に戻る際に、反時計回り方向に回転する。従っ
て、電圧ON/OFFのいずれの場合であっても、共通
電極3と画素電極7の間の液晶がデータ線6近傍の液晶
の向きと異なる方向に回転しようとすると、液晶の弾性
力によってその動きが阻害されて応答が遅くなってしま
う。この問題は、特に電圧OFFの黒表示において大き
く現れる。
The operation of a liquid crystal having such an elastic characteristic is described as follows.
Considering the vicinity of the data line 6 in FIG. 23, the liquid crystal between the data line 6 and the common electrode 3 rotates in the direction of the electric field by the DC voltage and always faces in a certain direction. In a white display state where a voltage is applied, the liquid crystal between these electrodes rotates in the direction of an electric field (clockwise in the figure), and when returning to a black display state where no voltage is applied between these electrodes, Rotate clockwise. Therefore, in either case of the voltage ON / OFF, if the liquid crystal between the common electrode 3 and the pixel electrode 7 tries to rotate in a direction different from the direction of the liquid crystal near the data line 6, the elastic force of the liquid crystal causes the rotation. The response is slowed down by the movement being hindered. This problem appears particularly in black display with the voltage OFF.

【0014】同様に、ゲート電極2近傍について考察す
ると、ゲート電極2と共通電極3との間隔は、データ線
6の場合よりも大きい8μm程度に設定されているが、
ゲート電極2のlowレベルと共通電極3との間には、
前述したように15V程度の大きな電位差があるため
に、ゲート電極2と共通電極3との間にある液晶は、大
きな電位差により生じる強い電界によって回転してしま
う。
Similarly, considering the vicinity of the gate electrode 2, the distance between the gate electrode 2 and the common electrode 3 is set to about 8 μm, which is larger than that of the data line 6.
Between the low level of the gate electrode 2 and the common electrode 3,
As described above, since there is a large potential difference of about 15 V, the liquid crystal between the gate electrode 2 and the common electrode 3 is rotated by a strong electric field generated by the large potential difference.

【0015】この液晶の動作を、同様に図24を参照し
て説明すると、ゲート電極2と共通電極3間の液晶はD
C電圧によって常にその電界方向(図の上下方向)に回
転しており、櫛歯電極間の電圧ON/OFFのいずれの
場合であっても、共通電極3と画素電極7の間の液晶が
ゲート電極2近傍の液晶の向きと異なる方向に回転しよ
うとすると、液晶の弾性力によって、その動きが阻害さ
れて応答が遅くなってしまう。
The operation of the liquid crystal will be described with reference to FIG. 24. The liquid crystal between the gate electrode 2 and the common electrode 3 is D
The liquid crystal between the common electrode 3 and the pixel electrode 7 has a gate which always rotates in the direction of the electric field (vertical direction in the figure) due to the C voltage. If an attempt is made to rotate the liquid crystal in a direction different from the direction of the liquid crystal in the vicinity of the electrode 2, the movement is hindered by the elastic force of the liquid crystal, resulting in a slow response.

【0016】このようなデータ線6又はゲート電極2の
影響は、画素電極7と共通電極3との間の電界が弱い部
分において顕著に現れる。すなわち、図25に示すよう
に、櫛歯電極間の電界は対向するCF基板に近づくに従
って小さくなり、CF基板に近い液晶分子ほどデータ線
6又はゲート電極2の影響を受けて応答が遅くなり、ま
た、液晶の閾値電圧が大きくなって印加電圧が低い領域
のパネル透過率が低下してしまう。また、データ線6又
はゲート電極2と共通電極3との間の電界によって画素
周辺部の液晶の配向方向が乱れてしまい、黒表示に戻る
際の応答のみならず白表示時においても色づきが生じる
等の問題を引き起こしてしまう。
Such an effect of the data line 6 or the gate electrode 2 appears remarkably in a portion where the electric field between the pixel electrode 7 and the common electrode 3 is weak. That is, as shown in FIG. 25, the electric field between the comb-tooth electrodes becomes smaller as approaching the opposing CF substrate, and the liquid crystal molecules closer to the CF substrate are affected by the data line 6 or the gate electrode 2 and the response becomes slower. Further, the threshold voltage of the liquid crystal becomes large, and the panel transmittance in a region where the applied voltage is low is reduced. Further, the orientation of the liquid crystal around the pixel is disturbed by the electric field between the data line 6 or the gate electrode 2 and the common electrode 3, and coloring occurs not only in response to returning to black display but also in white display. And other problems.

【0017】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであって、その主たる目的は、データ線又はゲート電
極の影響による応答の遅延や低印加電圧領域でのパネル
透過率の低下を防止し、更に、開口率を大きくすること
ができる視角特性の良好な液晶表示装置を提供すること
にある。
The present invention has been made in view of the above problems, and a main object of the present invention is to prevent a response delay due to the influence of a data line or a gate electrode and a decrease in panel transmittance in a low applied voltage region. It is still another object of the present invention to provide a liquid crystal display device having good viewing angle characteristics, which can increase the aperture ratio.

【0018】[0018]

【問題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、一対の対向する基板と前記一対の基板間
に狭持された液晶とを有し、一側の基板には、互いに略
直交する複数のゲート線及び複数のデータ線と、前記ゲ
ート線と前記データ線との交点近傍に配設された薄膜ト
ランジスタと、前記ゲート線と前記データ線と囲まれた
領域に互いに平行かつ交互に配設されて画素領域を形成
する画素電極及び共通電極とを少なくとも備え、前記画
素電極と前記共通電極との間に印加する電圧によって、
前記液晶を前記基板に略平行な面内で回転させるIPS
方式の液晶表示装置において、前記一対の基板の少なく
とも一方に、前記画素領域の内外の前記液晶を少なくと
も一部において分断する仕切りが形成されているもので
ある。
In order to achieve the above object, the present invention comprises a pair of opposed substrates and a liquid crystal sandwiched between the pair of substrates. A plurality of gate lines and a plurality of data lines substantially orthogonal to each other; a thin film transistor disposed near an intersection of the gate line and the data line; At least a pixel electrode and a common electrode which are arranged in a pixel region to form a pixel region, and a voltage applied between the pixel electrode and the common electrode,
IPS for rotating the liquid crystal in a plane substantially parallel to the substrate
In a liquid crystal display device of a system, at least one of the pair of substrates is formed with a partition for dividing the liquid crystal inside and outside the pixel region at least in part.

【0019】本発明においては、前記基板の法線方向か
ら見て、前記仕切りが前記共通電極と重なるように形成
されていることが好ましい。
In the present invention, it is preferable that the partition is formed so as to overlap with the common electrode when viewed from a normal direction of the substrate.

【0020】また、本発明においては、前記仕切りが、
前記画素領域を取り囲むように連続して形成されている
構成とすることができる。
Further, in the present invention, the partition is:
It may be configured to be continuously formed so as to surround the pixel region.

【0021】本発明の製造方法は、一側の基板にゲート
電極と共通電極とを形成する工程と、前記ゲート電極及
び前記共通電極上に第1の絶縁膜を堆積する工程と、前
記第1の絶縁膜上に薄膜トランジスタとデータ線と画素
電極とを形成する工程と、前記データ線及び前記画素電
極上に第2の絶縁膜を堆積する工程とを少なくとも有
し、前記画素電極と前記共通電極との間に印加する電圧
によって、前記一側の基板と対向する基板との間に狭持
した液晶を前記基板に略平行な面内で回転させるIPS
方式の液晶表示装置の製造方法において、前記第2の絶
縁膜の上に、前記基板の法線方向から見て、前記共通電
極と重なるように絶縁体からなる仕切りを形成する工程
を含むものである。
The manufacturing method according to the present invention includes a step of forming a gate electrode and a common electrode on one substrate, a step of depositing a first insulating film on the gate electrode and the common electrode, Forming at least a thin film transistor, a data line, and a pixel electrode on the insulating film, and a step of depositing a second insulating film on the data line and the pixel electrode, wherein the pixel electrode and the common electrode IPS that rotates the liquid crystal held between the one substrate and the opposing substrate in a plane substantially parallel to the substrate by a voltage applied between the substrates.
In the method for manufacturing a liquid crystal display device of the system, a step of forming a partition made of an insulator on the second insulating film so as to overlap with the common electrode when viewed from a normal direction of the substrate is included.

【0022】また、本発明の製造方法は、一側の基板に
ゲート電極と共通電極とを形成する工程と、前記ゲート
電極及び前記共通電極上に第1の絶縁膜を堆積する工程
と、前記第1の絶縁膜上に薄膜トランジスタとデータ線
と画素電極とを形成する工程と、前記データ線及び前記
画素電極上にRGBの色層を形成する工程と、前記色層
の上に平坦化膜を堆積する工程とを少なくとも有し、前
記画素電極と前記共通電極との間に印加する電圧によっ
て、前記一側の基板と対向する基板との間に狭持した液
晶を前記基板に略平行な面内で回転させるIPS方式の
液晶表示装置の製造方法において、前記色層の形成に際
し、前記ゲート電極と前記データ線とで囲まれる領域に
RGBのいずれか一色の前記色層を形成すると共に、前
記基板の法線方向から見て、前記共通電極と重なるよう
に前記一色の色層と異なる色の色層材料を配設して仕切
りを形成する工程を含むものである。
The manufacturing method according to the present invention further comprises a step of forming a gate electrode and a common electrode on one substrate, a step of depositing a first insulating film on the gate electrode and the common electrode, Forming a thin film transistor, a data line, and a pixel electrode on the first insulating film; forming an RGB color layer on the data line and the pixel electrode; and forming a flattening film on the color layer. And a liquid crystal sandwiched between the one side substrate and the opposing substrate by a voltage applied between the pixel electrode and the common electrode, the surface being substantially parallel to the substrate. In the method of manufacturing an IPS-type liquid crystal display device rotated inside, in forming the color layer, the color layer of any one of RGB is formed in a region surrounded by the gate electrode and the data line; Normal direction of substrate Look al, is intended to include the step of forming the partition by disposing the color of the color layer is different from color of layer material so as to overlap with the common electrode.

【0023】また、本発明の製造方法は、一側の基板に
ゲート電極と共通電極とを形成する工程と、前記ゲート
電極及び前記共通電極上に第1の絶縁膜を堆積する工程
と、前記第1の絶縁膜上に薄膜トランジスタとデータ線
と画素電極とを形成する工程と、前記データ線及び前記
画素電極上に第2の絶縁膜を堆積する工程とを少なくと
も有し、前記画素電極と前記共通電極との間に印加する
電圧によって、前記一側の基板と対向する基板との間に
狭持した液晶を前記基板に略平行な面内で回転させるI
PS方式の液晶表示装置の製造方法において、前記第2
の絶縁膜形成後、前記基板の法線方向から見て、前記共
通電極と重なる領域に前記共通電極まで貫通する溝を形
成する工程と、前記溝の内部及び上部に導電体からなる
仕切りを形成する工程とを含むものである。
The manufacturing method of the present invention further comprises a step of forming a gate electrode and a common electrode on one substrate, a step of depositing a first insulating film on the gate electrode and the common electrode, Forming at least a thin film transistor, a data line, and a pixel electrode on a first insulating film; and depositing a second insulating film on the data line and the pixel electrode. A voltage applied between the substrate and the common electrode causes the liquid crystal held between the one substrate and the opposing substrate to rotate in a plane substantially parallel to the substrate.
In the method for manufacturing a liquid crystal display device of a PS system,
Forming an insulating film, forming a groove penetrating to the common electrode in a region overlapping with the common electrode when viewed from the normal direction of the substrate, and forming a partition made of a conductor inside and at an upper portion of the groove. And the step of performing.

【0024】[0024]

【発明の実施の形態】本発明に係る液晶表示装置は、そ
の好ましい一実施の形態において、TFTが形成される
第1の透明基板にゲート電極2及び共通電極3と、層間
絶縁膜を介してTFT、データ線6及び画素電極7と、
パッシベーション膜8と形成し、互いに平行かつ交互に
形成された画素電極と共通電極との間に印加する電圧に
よって、第1の透明基板と対向する第2の透明基板との
間に狭持した液晶17を基板に略平行な面内で回転させ
るIPS方式の液晶表示装置において、パッシベーショ
ン膜上に共通電極と相重なるように絶縁体からなる仕切
り9aを形成し、この仕切りによって画素領域内の液晶
とゲート電極又はデータ線に印加されるDC電圧によっ
て異なる方向に配向された液晶とを分断し、液晶の応答
及び視角特性の改善を図る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In a preferred embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention, a gate electrode 2 and a common electrode 3 are provided on a first transparent substrate on which a TFT is formed via an interlayer insulating film. A TFT, a data line 6, and a pixel electrode 7,
A liquid crystal formed between the first transparent substrate and the opposing second transparent substrate by a voltage applied between the pixel electrode and the common electrode which are formed with the passivation film 8 and are formed in parallel and alternately with each other. In a liquid crystal display device of the IPS type in which the liquid crystal 17 is rotated in a plane substantially parallel to the substrate, a partition 9a made of an insulator is formed on the passivation film so as to overlap with the common electrode, and the partition allows the liquid crystal in the pixel region to be separated from the common electrode. A liquid crystal which is oriented in different directions by a DC voltage applied to a gate electrode or a data line is separated from each other to improve the response and viewing angle characteristics of the liquid crystal.

【0025】[0025]

【実施例】上記した本発明の実施の形態についてさらに
詳細に説明すべく、本発明の実施例について図面を参照
して説明する。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention;

【0026】[実施例1]まず、本発明の第1の実施例
に係るIPS方式の液晶表示装置について、図1乃至図
9を参照して説明する。図1は、第1の実施例に係る液
晶表示装置の構造を示す図であり、(a)は平面図、
(b)は(a)のA−A′線における断面図である。ま
た、図2乃至図7は、本実施例の液晶表示装置の製造方
法を示す図であり、(a)は平面図、(b)は(a)の
B−B′線、C−C′線、D−D′線、ゲート端子及び
ドレイン端子における断面図である。又、図8及び図9
は、本実施例の効果を説明するための図であり、図8は
印加電圧とパネル透過率との相関を、図9は印加電圧と
応答との相関を示す図である。
[Embodiment 1] First, an IPS mode liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1A and 1B are diagrams showing a structure of a liquid crystal display device according to a first embodiment, wherein FIG. 1A is a plan view,
(B) is a sectional view taken along line AA 'of (a). 2 to 7 are views showing a method of manufacturing the liquid crystal display device of the present embodiment, wherein (a) is a plan view, (b) is a line BB 'of (a), and CC'. It is sectional drawing in the line, DD 'line, a gate terminal, and a drain terminal. 8 and 9
FIG. 8 is a diagram for explaining the effect of the present embodiment, FIG. 8 is a diagram showing the correlation between the applied voltage and the panel transmittance, and FIG. 9 is a diagram showing the correlation between the applied voltage and the response.

【0027】図1を参照して、本実施例のIPS液晶表
示装置の構成について説明すると、本実施例の液晶表示
装置はTFTを形成する第1の透明基板1とCFを形成
する第2の透明基板11とその間に狭持される液晶17
とから構成され、第1の透明基板1側には、ゲート電極
2、データ線6が略直交して形成され、これらの交差部
にマトリクス状にTFT5が配置され1画素が形成され
ている。また、各画素には互いに平行かつ交互に画素電
極7と共通電極3とが形成されており、画素電極7はT
FTのソース電極に接続され、共通電極3はゲート電極
2に平行に延在する共通電極配線に接続されている。そ
して、これらの電極を覆うようにパッシベーション膜8
が形成され、更に画素周辺の共通電極3の上層には液晶
層を分断するための絶縁体からなる仕切り9aが形成さ
れている。
Referring to FIG. 1, the structure of the IPS liquid crystal display device of the present embodiment will be described. The liquid crystal display device of the present embodiment has a first transparent substrate 1 for forming a TFT and a second transparent substrate for forming a CF. Transparent substrate 11 and liquid crystal 17 sandwiched therebetween
On the first transparent substrate 1 side, a gate electrode 2 and a data line 6 are formed substantially orthogonally, and TFTs 5 are arranged in a matrix at intersections thereof to form one pixel. Each pixel has a pixel electrode 7 and a common electrode 3 formed in parallel and alternately with each other.
The common electrode 3 is connected to a source electrode of the FT, and the common electrode 3 is connected to a common electrode wiring extending in parallel with the gate electrode 2. Then, a passivation film 8 is formed so as to cover these electrodes.
Are formed, and a partition 9a made of an insulator for dividing the liquid crystal layer is formed on the common electrode 3 around the pixel.

【0028】一方、第2の透明基板11上には、ゲート
電極2、データ線6上およびこれらと画素表示部との間
の余分な光を遮光するためのブラックマトリクス12、
RGB3色のカラー表示を行うための色層13、さらに
色層13を覆うように平坦化膜14が形成されている。
On the other hand, on the second transparent substrate 11, a black matrix 12 for shielding extra light on the gate electrode 2, the data line 6 and between these and the pixel display section is provided.
A color layer 13 for performing color display of three colors RGB is formed, and a flattening film 14 is formed so as to cover the color layer 13.

【0029】そして、これらの第1の透明基板1及び第
2の透明基板11の表面には配向膜18が塗布され、両
基板の間にはデータ線6と所定の角度をなすようにホモ
ジニアス配向された液晶17が狭持されている。また、
両基板の外側には、偏光板16a、16bが貼付され、
両偏光板の偏光軸は互いに直交し、一方の偏光軸は液晶
17の配向方向に平行になるように設定される。そし
て、全ての共通電極3には、共通電極配線を通じて一定
の共通電位が供給されており、TFT5を介して画素電
極7に電位を書き込み、画素電極7と共通電極3との間
に横電界を与えることにより、液晶17を基板に平行な
面内でツイスト変形させて表示を制御している。
An alignment film 18 is applied to the surfaces of the first transparent substrate 1 and the second transparent substrate 11, and a homogeneous alignment is formed between the two substrates so as to form a predetermined angle with the data line 6. The held liquid crystal 17 is held. Also,
Polarizing plates 16a and 16b are attached to the outside of both substrates,
The polarization axes of both polarizers are orthogonal to each other, and one polarization axis is set to be parallel to the orientation direction of the liquid crystal 17. A constant common potential is supplied to all the common electrodes 3 through the common electrode wiring. A potential is written to the pixel electrode 7 via the TFT 5, and a horizontal electric field is generated between the pixel electrode 7 and the common electrode 3. By giving, the liquid crystal 17 is twist-deformed in a plane parallel to the substrate to control the display.

【0030】次に、このような液晶表示装置の仕切り9
aが形成されるTFT側基板の製造方法について、図2
乃至図7を参照して説明する。まず、図2に示すよう
に、第1の透明基板1上にCr等の金属をスパッタ法等
により堆積した後、レジストを塗布し、公知のフォトリ
ソグラフィー技術を用いて露光、現像を行い、所定の形
状のレジストパターンを形成する。そして、このレジス
トパターンをマスクとして露出したCrをウェットエッ
チングで除去し、ゲート電極2と共通電極3とを形成す
る。
Next, the partition 9 of such a liquid crystal display device will be described.
FIG. 2 shows a method of manufacturing a TFT-side substrate on which a is formed.
This will be described with reference to FIGS. First, as shown in FIG. 2, after depositing a metal such as Cr on the first transparent substrate 1 by a sputtering method or the like, a resist is applied, and exposure and development are performed using a known photolithography technique, and a predetermined Is formed. Then, using the resist pattern as a mask, the exposed Cr is removed by wet etching to form a gate electrode 2 and a common electrode 3.

【0031】次に、図3に示すように、シリコン酸化膜
4a等の絶縁膜をCVD法等を用いて堆積した後、シリ
コン窒化膜4b、非晶質シリコン(a−Si5a)及び
n型非晶質シリコン(n+a−Si5b)をプラズマC
VD法等を用いて連続して成膜し、その上に形成したレ
ジストパターンをマスクとしてドライエッチングを行
い、露出したa−Si5a及びn+a−Si5bを除去
してTFT5を形成する。
Next, as shown in FIG. 3, after an insulating film such as a silicon oxide film 4a is deposited by a CVD method or the like, a silicon nitride film 4b, amorphous silicon (a-Si5a) and an n-type Crystalline silicon (n + a-Si5b)
The TFT 5 is formed by continuously forming a film by using the VD method or the like, performing dry etching using the resist pattern formed thereon as a mask, and removing the exposed a-Si 5a and n + a-Si 5b.

【0032】次に、図4に示すように、Cr等の金属を
スパッタ法等を用いて堆積した後、所定の形状のレジス
トパターンを形成し、このレジストパターンをマスクと
してウェット及びドライエッチングを行い、データ線
6、ソース/ドレイン電極、画素電極7を形成する。そ
の後、このCrからなるソース/ドレイン電極をマスク
としてチャネルドライエッチングを行い、TFT5領域
の露出したn+a−Si5bを除去する。
Next, as shown in FIG. 4, after depositing a metal such as Cr by a sputtering method or the like, a resist pattern having a predetermined shape is formed, and wet and dry etching is performed using the resist pattern as a mask. , Data lines 6, source / drain electrodes, and pixel electrodes 7 are formed. Thereafter, channel dry etching is performed using the source / drain electrodes made of Cr as a mask to remove the exposed n + a-Si 5b in the TFT 5 region.

【0033】次に、図5に示すように、シリコン窒化膜
等からなるパッシベーション膜8をプラズマCVD法等
を用いて堆積し、その上に形成したレジストパターンを
マスクとして、ゲート端子及びドレイン端子のパッシベ
ーション膜8、シリコン窒化膜4b及びシリコン酸化膜
4aをウェット又はドライエッチングにより除去し、ゲ
ート端子及びドレイン端子の金属膜を露出させる。
Next, as shown in FIG. 5, a passivation film 8 made of a silicon nitride film or the like is deposited by a plasma CVD method or the like, and the resist pattern formed thereon is used as a mask to form a gate terminal and a drain terminal. The passivation film 8, the silicon nitride film 4b, and the silicon oxide film 4a are removed by wet or dry etching to expose the gate terminal and drain terminal metal films.

【0034】そして、図6に示すように、ITO(Indi
um Thin Oxide)をスパッタ法等を用いて堆積した後、
所定のレジストパターンを形成し、これをマスクとして
露出したITOをウェットエッチングにより除去し、ゲ
ート端子及びドレイン端子の露出した金属膜上にITO
からなる電極端子10を形成する。その後、所定の条件
でアニールを行う。
Then, as shown in FIG.
um Thin Oxide) using a sputtering method, etc.
A predetermined resist pattern is formed, and using the mask as a mask, the exposed ITO is removed by wet etching, and ITO is exposed on the exposed metal film of the gate terminal and the drain terminal.
Is formed. After that, annealing is performed under predetermined conditions.

【0035】従来のTFT基板の製造方法では、次に配
向膜18を塗布するが、本実施例では、更に、液晶17
を画素領域とゲート電極2及びデータ線6近傍の領域と
で分断する仕切り9aを共通電極3に対応する位置に形
成することを特徴としている。すなわち、図7に示すよ
うに、レジスト、ポリイミド等の感光性の樹脂からなる
絶縁体を基板全面に所定の膜厚で堆積し、共通電極3の
所定の領域のみをフォトマスクによって遮光して露光、
現像を行い、共通電極3上層に仕切り9aを形成する。
そして、この仕切り9aを焼成により固化した後、TF
T側基板とCF側基板に配向膜18を塗布し、両基板を
張り合わせてその間隙に液晶17を注入する。
In the conventional method of manufacturing a TFT substrate, an alignment film 18 is applied next.
Is formed at a position corresponding to the common electrode 3 to partition the pixel region from a region near the gate electrode 2 and the data line 6. That is, as shown in FIG. 7, an insulator made of a photosensitive resin such as a resist or polyimide is deposited on the entire surface of the substrate to a predetermined thickness, and only a predetermined region of the common electrode 3 is exposed to light by using a photomask to shield light. ,
Development is performed to form a partition 9 a on the common electrode 3.
After the partition 9a is solidified by firing, TF
An alignment film 18 is applied to the T-side substrate and the CF-side substrate, the two substrates are adhered to each other, and a liquid crystal 17 is injected into a gap therebetween.

【0036】ここで、TFT基板に設ける仕切り9a
は、画素領域とゲート電極2及びデータ線6近傍の領域
とを分断するために設けるため、仕切り9aの高さは両
基板間のセルギャップと等しく、すなわち、仕切り9a
に塗布した配向膜18が第2の透明基板11側の配向膜
18に当接するように設定することが好ましい。また、
本実施例では、仕切り9a同士の間に隙間を形成してい
るが、この隙間は液晶17を注入する際に画素内にも液
晶17が入り込みやすくするためのものであり、その間
隔は液晶17の粘度等に応じて適宜、最適な値に設定す
ることができる。
Here, the partition 9a provided on the TFT substrate
Is provided to separate the pixel region from the region near the gate electrode 2 and the data line 6, the height of the partition 9a is equal to the cell gap between the two substrates, that is, the partition 9a
It is preferable that the alignment film 18 applied to the second transparent substrate 11 is set in contact with the alignment film 18 on the second transparent substrate 11 side. Also,
In the present embodiment, a gap is formed between the partitions 9a. This gap is to make it easier for the liquid crystal 17 to enter the pixel when the liquid crystal 17 is injected. It can be appropriately set to an optimum value according to the viscosity of the resin.

【0037】このように、本実施例の液晶表示装置で
は、共通電極3上層に仕切り9aが形成され、この仕切
り9aによって画素領域内部の液晶17と、データ線6
及びゲート電極2近傍の液晶17とが分断されるため、
データ線6及びゲート電極2に印加されるDC電圧と共
通電極3との間の電界によって、その領域の液晶が画素
内部の液晶と異なる方向に回転した場合であっても、画
素内部の液晶は共通電極3と画素電極7との間の電界の
みによって配向方向が制御される。
As described above, in the liquid crystal display device of the present embodiment, the partition 9a is formed in the upper layer of the common electrode 3, and the liquid crystal 17 in the pixel region and the data line 6 are formed by the partition 9a.
And the liquid crystal 17 near the gate electrode 2 is separated.
Even when the liquid crystal in that region rotates in a different direction from the liquid crystal inside the pixel due to the electric field between the DC voltage applied to the data line 6 and the gate electrode 2 and the common electrode 3, the liquid crystal inside the pixel remains The alignment direction is controlled only by the electric field between the common electrode 3 and the pixel electrode 7.

【0038】すなわち、図23及び図24に示す従来構
造の液晶表示装置では、画素内の液晶が画素電極7と共
通電極3との間の電界によって回転しようとした場合
に、データ線6及びゲート電極2近傍の配向方向が異な
る液晶との間の弾性力によってその回転が阻害されてい
たが、本実施例では、共通電極3上層に仕切り9aが形
成されているため、データ線6及びゲート電極2近傍の
液晶の弾性力が画素内の液晶に働くことがなく、画素内
の液晶を速やかに回転させることができる。
That is, in the liquid crystal display device having the conventional structure shown in FIGS. 23 and 24, when the liquid crystal in the pixel tries to rotate by the electric field between the pixel electrode 7 and the common electrode 3, the data line 6 and the gate The rotation was hindered by the elastic force between the liquid crystal having different orientations in the vicinity of the electrode 2. In this embodiment, since the partition 9a is formed in the upper layer of the common electrode 3, the data line 6 and the gate electrode are formed. The elastic force of the liquid crystal in the vicinity of 2 does not act on the liquid crystal in the pixel, and the liquid crystal in the pixel can be quickly rotated.

【0039】この効果を図8及び図9を参照して説明す
ると、パネル透過率に関しては、図8に示すように、従
来(図の実線及び白抜き四角)は液晶の回転が阻害され
るため、高い印加電圧でパネル透過率がピークとなって
いたが、本実施例の構成(図の一点鎖線及び黒四角)で
は、データ線6及びゲート電極2近傍の液晶の配向方向
に画素領域の液晶が引きずられることがないため、液晶
の閾値電圧Vthを下げることができ、パネル透過率のピ
ークを低電圧側にシフトさせることができる。
This effect will be described with reference to FIGS. 8 and 9. As for the panel transmittance, as shown in FIG. 8, the conventional liquid crystal panel (solid line and open square) inhibits the rotation of the liquid crystal. The panel transmittance peaked at a high applied voltage. However, in the configuration of the present embodiment (the dashed line and the black square in the drawing), the liquid crystal in the pixel region was aligned in the alignment direction of the liquid crystal near the data line 6 and the gate electrode 2. Is not dragged, the threshold voltage Vth of the liquid crystal can be lowered, and the peak of the panel transmittance can be shifted to the lower voltage side.

【0040】また、応答時間に関しては、図9に示すよ
うに、従来(図の実線及び白抜き四角)は全体的に応答
時間が長く、特に低電圧側ではデータ線6及びゲート電
極2の影響を受けて応答時間が大きくなっていたが、本
実施例の構成(図の一点鎖線黒四角)では、仕切り9a
によってデータ線6及びゲート電極2近傍の液晶の影響
を受けないため、全ての印加電圧領域において液晶を迅
速に回転させることができ、応答の改善を図ることがで
きる。
As for the response time, as shown in FIG. 9, the conventional one (solid line and open square in the figure) generally has a long response time, and especially on the low voltage side, the influence of the data line 6 and the gate electrode 2 is large. The response time has increased in response to this, however, in the configuration of the present embodiment (indicated by the dashed-dotted black line in the figure), the partition 9a
As a result, the liquid crystal in the vicinity of the data line 6 and the gate electrode 2 is not affected, so that the liquid crystal can be quickly rotated in all the applied voltage regions, and the response can be improved.

【0041】また、従来はデータ線6及びゲート電極2
の影響を緩和するために、両電極と共通電極3との間
隔、及び、画素領域周囲の共通電極3の幅を大きくしな
ければならなかったが、本実施例では、仕切り9aによ
ってデータ線6及びゲート電極2の影響が抑制されるた
め、データ線6及びゲート電極2と共通電極3との間
隔、及び、共通電極3の幅を狭くすることができ、遮光
領域を減らし開口率を向上させることができる。
Conventionally, the data line 6 and the gate electrode 2
In order to alleviate the effect of the above, the distance between the two electrodes and the common electrode 3 and the width of the common electrode 3 around the pixel area had to be increased. In addition, since the influence of the gate electrode 2 is suppressed, the distance between the data line 6 and the gate electrode 2 and the common electrode 3 and the width of the common electrode 3 can be reduced, so that the light shielding area is reduced and the aperture ratio is improved. be able to.

【0042】また、仕切り9aによって画素内部の液晶
17はデータ線6及びゲート電極2と共通電極3との間
の電界方向に回転することはないため、共通電極3近傍
における液晶の配向方向の乱れを防止することができ、
白表示時に共通電極3近傍で色づきが生じる等の問題が
発生することもなく、視角特性の良好な液晶表示装置を
得ることができる。
The liquid crystal 17 inside the pixel does not rotate in the direction of the electric field between the data line 6 and the gate electrode 2 and the common electrode 3 due to the partition 9a, so that the alignment direction of the liquid crystal near the common electrode 3 is disturbed. Can be prevented,
A liquid crystal display device having good viewing angle characteristics can be obtained without causing a problem such as coloring in the vicinity of the common electrode 3 during white display.

【0043】更に、仕切り9aは均一な膜厚に塗布され
た樹脂により形成されているため、その高さは液晶表示
装置面内で均一であり、仕切り9aが第2の透明基板に
当接するように両基板を張り合わせることによって基板
間のセルギャップを均一かつ正確に制御することができ
るという効果も得られる。
Further, since the partition 9a is formed of a resin applied to a uniform film thickness, its height is uniform in the plane of the liquid crystal display device so that the partition 9a comes into contact with the second transparent substrate. By laminating the two substrates together, it is possible to obtain an effect that the cell gap between the substrates can be controlled uniformly and accurately.

【0044】なお、本実施例では、仕切り9aを共通電
極3上に形成する例について記載したが、本発明は上記
実施例に限定されるものではなく、仕切り9aは配向方
向の異なる液晶同士を分断するものであれば良く、例え
ば、データ線6又はゲート電極2と共通電極3との間の
領域、又は、画素内部の領域に形成しても良く、また、
仕切り9aを第2の透明基板11側に形成してもよい。
更に、例えば画素電極が屈曲点を有する形状をなし、画
素内で液晶17を複数の方向に配向するマルチドメイン
構造では、仕切り9aを画素内に設けることによってド
メイン間の配向方向を独立に制御することもできる。
In the present embodiment, an example in which the partition 9a is formed on the common electrode 3 has been described. However, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and the partition 9a is used to separate liquid crystals having different alignment directions. Any structure may be used as long as it is divided, for example, it may be formed in a region between the data line 6 or the gate electrode 2 and the common electrode 3 or in a region inside the pixel.
The partition 9a may be formed on the second transparent substrate 11 side.
Further, for example, in a multi-domain structure in which the pixel electrode has a shape having a bending point and the liquid crystal 17 is oriented in a plurality of directions in the pixel, the partition 9a is provided in the pixel to independently control the orientation direction between domains. You can also.

【0045】[実施例2]次に、本発明の第2の実施例
に係るIPS方式の液晶表示装置について、図10を参
照して説明する。図10は、第2の実施例に係る液晶表
示装置の構造を示す図であり、(a)は平面図、(b)
は(a)のA−A′線における断面図である。なお、本
実施例は、仕切りの形状が前記した第1の実施例と相違
しているものであり、他の部分の構造等については第1
の実施例と同様である。
Embodiment 2 Next, an IPS type liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIGS. 10A and 10B are diagrams showing the structure of the liquid crystal display device according to the second embodiment, where FIG. 10A is a plan view and FIG.
FIG. 3A is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. In this embodiment, the shape of the partition is different from that of the first embodiment, and the structure of the other parts is the same as that of the first embodiment.
This is the same as the embodiment.

【0046】すなわち、前記した第1の実施例では、第
1の透明基板1に設ける仕切り9aは、液晶17の注入
を容易にするために所定の間隔で隙間ができるように形
成していたが、本実施例では、仕切り9aを共通電極3
上層に一筆書きで連続して形成することを特徴としてい
る。このように仕切り9aを連続して形成することによ
って、画素領域内部の液晶と、データ線6及びゲート電
極2近傍の液晶とが完全に分断されるため、データ線6
及びゲート電極2に印加されるDC電圧と共通電極3と
の間の電界によってその領域の液晶が画素内部の液晶と
異なる方向に配向している場合であっても、画素内部の
液晶は画素電極7と共通電極3との間の電界のみによっ
て配向方向を制御することができる。
That is, in the above-described first embodiment, the partition 9a provided on the first transparent substrate 1 is formed such that gaps are formed at predetermined intervals to facilitate injection of the liquid crystal 17. In this embodiment, the partition 9a is connected to the common electrode 3
It is characterized by being formed continuously in a single stroke on the upper layer. By continuously forming the partitions 9a in this manner, the liquid crystal in the pixel region and the liquid crystal in the vicinity of the data line 6 and the gate electrode 2 are completely separated from each other.
Even if the liquid crystal in that region is oriented in a different direction from the liquid crystal inside the pixel due to the electric field between the DC voltage applied to the gate electrode 2 and the common electrode 3, the liquid crystal inside the pixel The alignment direction can be controlled only by the electric field between 7 and the common electrode 3.

【0047】特に、白表示状態から電極間に電圧が印加
されない黒表示状態に戻る場合には、データ線6及びゲ
ート電極2近傍の液晶との間の弾性力に影響されること
なく、速やかに配向方向を初期配向方向に回転させるこ
とができ、また、共通電極3近傍における液晶の配向方
向の乱れを防止することができるため、白表示時に共通
電極3近傍で色づきが生じることもなく、前記した第1
の実施例よりも更に応答が速く、視角特性の良好な液晶
表示装置を得ることができる。
In particular, when returning from the white display state to the black display state in which no voltage is applied between the electrodes, the display is quickly affected by the elastic force between the data line 6 and the liquid crystal near the gate electrode 2. Since the alignment direction can be rotated in the initial alignment direction, and the alignment direction of the liquid crystal in the vicinity of the common electrode 3 can be prevented from being disturbed, no coloring occurs near the common electrode 3 during white display. The first
It is possible to obtain a liquid crystal display device having a quicker response and better viewing angle characteristics than the embodiment.

【0048】また、データ線6及びゲート電極2と共通
電極3との間隔、及び、共通電極3の幅を狭くすること
により開口率を向上させることができ、仕切り9aを第
2の透明基板11に当接するように張り合わせることに
よって基板間のセルギャップを均一かつ正確に制御する
ことができるのは、前記した第1の実施例と同様であ
る。
The aperture ratio can be improved by reducing the distance between the data line 6 and the gate electrode 2 and the common electrode 3 and the width of the common electrode 3, and the partition 9 a can be formed on the second transparent substrate 11. As in the first embodiment, the cell gap between the substrates can be uniformly and accurately controlled by affixing them so as to abut.

【0049】なお、本実施例では、仕切り9aを共通電
極3上層に連続して形成しているため、真空注入法を用
いて仕切り9aの内部に液晶17を注入することは困難
であるが、滴下注入法を用いることによって仕切り9a
の内外に均一に液晶17を注入することができる。ま
た、上記効果は多少低減するが、仕切り9aの高さをセ
ルギャップよりもやや低くすることによっても液晶の注
入を容易にすることができる。
In this embodiment, since the partition 9a is formed continuously on the upper layer of the common electrode 3, it is difficult to inject the liquid crystal 17 into the partition 9a by using a vacuum injection method. Partition 9a by using the drop-injection method
The liquid crystal 17 can be uniformly injected into and out of the device. In addition, although the above effect is somewhat reduced, the liquid crystal can be easily injected by setting the height of the partition 9a slightly lower than the cell gap.

【0050】[実施例3]次に、本発明の第3の実施例
に係るIPS方式の液晶表示装置について、図11乃至
図13を参照して説明する。図11乃至図13は、第3
の実施例に係る液晶表示装置の構造を示す図であり、図
11及び図13の(a)は平面図、(b)は(a)のA
−A′線における断面図、また、図12は図11(a)
に隣接する画素の断面図である。なお、本実施例では、
前記した第1及び第2の実施例と異なり、第1の透明基
板側に色層を設け、この色層を用いて仕切りを形成する
ことを特徴としている。
Embodiment 3 Next, an IPS type liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 11 to FIG.
13A and 13B are diagrams showing the structure of the liquid crystal display device according to the embodiment of the present invention, wherein FIG. 11A and FIG. 13A are plan views, and FIG.
FIG. 12 is a sectional view taken along the line A-A ′, and FIG.
3 is a sectional view of a pixel adjacent to FIG. In this embodiment,
Unlike the first and second embodiments, a color layer is provided on the first transparent substrate side, and a partition is formed using the color layer.

【0051】本実施例のIPS液晶表示装置の概略の製
造方法について説明すると、まず、前記した実施例と同
様に、第1の透明基板1上にゲート電極2と共通電極3
とを形成した後、層間絶縁膜4を介してデータ線6及び
画素電極7を形成する。次に、本実施例では、RGB3
色の色層(R)13a、色層(G)13b、色層(B)
13cを隣り合う画素に順次形成していくが、その際、
各々の画素の色層と異なる色の色層を仕切り9bとして
形成していく。
The method of manufacturing the IPS liquid crystal display device according to this embodiment will be briefly described. First, similarly to the above-described embodiment, the gate electrode 2 and the common electrode 3 are formed on the first transparent substrate 1.
Are formed, the data line 6 and the pixel electrode 7 are formed via the interlayer insulating film 4. Next, in the present embodiment, RGB3
Color layer (R) 13a, color layer (G) 13b, color layer (B)
13c is sequentially formed on adjacent pixels.
A color layer different in color from the color layer of each pixel is formed as the partition 9b.

【0052】例えば、図11(b)には、RGB3色の
色層のうち、色層(R)13aが形成される画素の断面
を記載しているが、この場合は、まず、色層(R)13
aをゲート電極2とデータ線6とで囲まれる領域に形成
し、次に、色層(G)13bを隣接する画素に形成する
と共に、色層(R)13a上の共通電極2に対応する部
分にも堆積する。その後、色層(B)13cを反対側に
隣接する画素に形成すると共に、色層(R)13a上の
色層(G)13bを堆積した部分に更に堆積する。する
と、色層(R)13a上には色層(G)13bと色層
(B)13cとからなる仕切り9bが形成される。
For example, FIG. 11B shows a cross section of a pixel on which the color layer (R) 13a is formed among three color layers of RGB. In this case, first, the color layer ( R) 13
a is formed in a region surrounded by the gate electrode 2 and the data line 6, and then the color layer (G) 13b is formed in an adjacent pixel and corresponds to the common electrode 2 on the color layer (R) 13a. It is also deposited on parts. After that, the color layer (B) 13c is formed on the adjacent pixel on the opposite side, and is further deposited on the portion where the color layer (G) 13b is deposited on the color layer (R) 13a. Then, a partition 9b including the color layer (G) 13b and the color layer (B) 13c is formed on the color layer (R) 13a.

【0053】その後、色層13と仕切り9bとを覆うよ
うに平坦化膜14を堆積し、配向膜18を塗布して第1
の透明基板1を形成する。一方、第2の透明基板11側
には配向膜18のみを形成し、両基板の間に液晶17を
狭持する。なお、図11乃至図13にはブラックマトリ
クス12を記載していないが、ブラックマトリクス12
は第1の透明基板1又は第2の透明基板11のどちらに
形成しても良く、第1の透明基板1に形成する場合は、
データ線6と色層13との間の層に、第2の透明基板1
1に形成する場合は、配向膜18の下層に形成すればよ
い。
Thereafter, a flattening film 14 is deposited so as to cover the color layer 13 and the partition 9b, and an orientation film 18 is applied to form a first film.
Is formed. On the other hand, only the alignment film 18 is formed on the second transparent substrate 11 side, and the liquid crystal 17 is held between the two substrates. Although the black matrix 12 is not shown in FIGS.
May be formed on either the first transparent substrate 1 or the second transparent substrate 11, and when formed on the first transparent substrate 1,
A second transparent substrate 1 is provided on a layer between the data line 6 and the color layer 13.
When it is formed to be 1, it may be formed below the alignment film 18.

【0054】このように、色層13を第1の透明基板1
に形成する構造の液晶表示装置において、画素に形成す
る色層13とは異なる色の色層を重ねて堆積し、それを
仕切り9bとして用いることによって、工程を新たに追
加することなく仕切り9cを形成することができ、第1
及び第2の実施例に比べて工程の削減を図ることができ
る。なお、色層(G)13bが形成される画素は図12
(a)に示すようになり、色層(B)13cが形成され
る画素は図12(b)に示すような構造となる。
As described above, the color layer 13 is formed on the first transparent substrate 1.
In the liquid crystal display device having the structure formed in the above, a color layer different in color from the color layer 13 formed in the pixel is stacked and deposited, and this is used as the partition 9b, so that the partition 9c can be formed without newly adding a process. Can be formed first
Also, the number of steps can be reduced as compared with the second embodiment. The pixel on which the color layer (G) 13b is formed is shown in FIG.
As shown in FIG. 12A, the pixel on which the color layer (B) 13c is formed has a structure as shown in FIG.

【0055】更に、このような構造の液晶表示装置で
は、色層13と共にブラックマトリクス12を第1の透
明基板1側に形成することによって、色層13及びブラ
ックマトリクス12とゲート電極2、データ線6及び共
通電極3との位置関係をより正確に保つことができ、設
計マージンを小さくすることができるため、前記した第
1及び第2の実施例よりも、更に開口率をより大きくす
ることができる。
Further, in the liquid crystal display device having such a structure, by forming the black matrix 12 together with the color layer 13 on the first transparent substrate 1, the color layer 13 and the black matrix 12, the gate electrode 2, the data line 6 and the common electrode 3 can be maintained more accurately, and the design margin can be reduced. Therefore, the aperture ratio can be further increased as compared with the first and second embodiments. it can.

【0056】また、図13に示すように、色層13の上
に平坦化膜14を堆積し、その上に色層13又はブラッ
クマトリクス12を堆積して仕切り9bを形成すること
もでき、この場合は工程を削減することはできないが、
絶縁体の場合に比べて高い仕切りを容易に形成すること
ができる。なお、仕切り9bは、図に示すように所定の
間隔で断片的に形成しても第2の実施例のように連続し
て形成しても良く、また、仕切り9bの高さはセルギャ
ップと同程度でもそれより低くてもよいことは前記した
第1及び第2の実施例と同様である。
As shown in FIG. 13, a partition 9b can be formed by depositing a flattening film 14 on the color layer 13 and depositing the color layer 13 or the black matrix 12 thereon. If the process can not be reduced,
Higher partitions can be easily formed than in the case of an insulator. The partitions 9b may be formed in pieces at predetermined intervals as shown in the figure or may be formed continuously as in the second embodiment, and the height of the partitions 9b is different from the cell gap. As with the first and second embodiments, the same or lower values may be used.

【0057】[実施例4]次に、本発明の第4の実施例
に係るIPS方式の液晶表示装置について、図14乃至
図20を参照して説明する。図14は、第4の実施例に
係る液晶表示装置の構造を示す図であり、(a)は平面
図、(b)は(a)のA−A′線における断面図であ
る。また、図15乃至図20は、本実施例の液晶表示装
置の製造方法を示す図であり、(a)は平面図、(b)
は(a)のB−B′線、C−C′線、D−D′線、ゲー
ト端子及びドレイン端子における断面図である。なお、
本実施例は、前記した第1乃至第3の実施例と異なり、
仕切りを導電体で形成することを特徴としている。
Fourth Embodiment Next, an IPS type liquid crystal display device according to a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIGS. 14A and 14B are diagrams showing the structure of the liquid crystal display device according to the fourth embodiment, wherein FIG. 14A is a plan view, and FIG. 14B is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 15 to 20 are views showing a method of manufacturing the liquid crystal display device of the present embodiment, wherein (a) is a plan view and (b)
FIG. 3A is a cross-sectional view taken along line BB ′, line CC ′, line DD ′, and a gate terminal and a drain terminal in FIG. In addition,
This embodiment is different from the first to third embodiments described above.
The partition is formed of a conductor.

【0058】図14を参照して、本実施例のIPS液晶
表示装置の構成について説明すると、この液晶表示装置
はTFTを形成する第1の透明基板1とCFを形成する
第2の透明基板11とその間に狭持される液晶17とか
ら構成され、第1の透明基板1側には、ゲート電極2、
データ線6、TFT5が配置されて1画素が形成され、
各画素には画素電極7及び共通電極3が形成されてい
る。そして、共通電極3上には導電体からなる仕切り9
cが形成されている。
Referring to FIG. 14, the structure of the IPS liquid crystal display device of the present embodiment will be described. This liquid crystal display device has a first transparent substrate 1 on which a TFT is formed and a second transparent substrate 11 on which a CF is formed. And a liquid crystal 17 sandwiched between them. The first transparent substrate 1 has a gate electrode 2,
The data line 6 and the TFT 5 are arranged to form one pixel,
Each pixel is provided with a pixel electrode 7 and a common electrode 3. Then, a partition 9 made of a conductor is provided on the common electrode 3.
c is formed.

【0059】一方、第2の透明基板11上には、余分な
光を遮光するためのブラックマトリクス12、色層13
及び平坦化膜14が形成され、また、両基板には配向膜
18が塗布され、その間にデータ線6と所定の角度をな
すようにホモジニアス配向された液晶17が狭持されて
いる。また、両基板の外側には、偏光板16a、16b
が貼付され、両偏光板の偏光軸は互いに直交し、一方の
偏光軸は液晶17の配向方向に平行になるように設定さ
れる。
On the other hand, on the second transparent substrate 11, a black matrix 12 for shielding extra light and a color layer 13 are provided.
Further, an alignment film 18 is applied to both substrates, and a liquid crystal 17 which is homogeneously aligned so as to form a predetermined angle with the data line 6 is sandwiched between the substrates. Polarizing plates 16a and 16b are provided outside the two substrates.
Are attached so that the polarizing axes of both polarizing plates are orthogonal to each other, and one of the polarizing axes is set to be parallel to the alignment direction of the liquid crystal 17.

【0060】次に、このような液晶表示装置のTFT側
基板の製造方法について、図15乃至図20を参照して
説明する。まず、前記した第1の実施例と同様に、第1
の透明基板1上にCr等の金属をスパッタ法等により堆
積した後、その上に形成したレジストパターンをマスク
としてウェットエッチングを行い、ゲート電極2及び共
通電極3を形成する(図15参照)。
Next, a method of manufacturing the TFT-side substrate of such a liquid crystal display device will be described with reference to FIGS. First, as in the first embodiment, the first
After a metal such as Cr is deposited on the transparent substrate 1 by sputtering or the like, wet etching is performed using the resist pattern formed thereon as a mask to form the gate electrode 2 and the common electrode 3 (see FIG. 15).

【0061】次に、図16に示すように、シリコン酸化
膜4a等のゲート絶縁膜をCVD法等を用いて堆積した
後、シリコン窒化膜4b、a−Si5a及びn+a−S
i5bをプラズマCVD法等を用いて連続して成膜し、
レジストパターンをマスクとしてドライエッチングを行
い、露出したa−Si5a及びn+a−Si5bをエッ
チングしてTFT5を形成する。
Next, as shown in FIG. 16, after a gate insulating film such as a silicon oxide film 4a is deposited by a CVD method or the like, a silicon nitride film 4b, a-Si 5a and n + a-S
i5b is continuously formed using a plasma CVD method or the like,
Dry etching is performed using the resist pattern as a mask, and the exposed a-Si 5a and n + a-Si 5b are etched to form a TFT 5.

【0062】その後、図17に示すように、Cr等の金
属をスパッタ法等を用いて堆積した後、レジストパター
ンをマスクとしてウェット及びドライエッチングを行
い、データ線6、ソース/ドレイン電極、画素電極3を
形成する。その後、このCrからなるソース/ドレイン
電極をマスクとしてチャネルドライエッチングを行い、
TFT5領域の露出したn+a−Si5bを除去する。
Thereafter, as shown in FIG. 17, after depositing a metal such as Cr by a sputtering method or the like, wet and dry etching is performed using a resist pattern as a mask to form a data line 6, a source / drain electrode, and a pixel electrode. Form 3 Thereafter, channel dry etching is performed using the source / drain electrodes made of Cr as a mask,
The exposed n + a-Si 5b in the TFT 5 region is removed.

【0063】次に、シリコン窒化膜等からなるパッシベ
ーション膜8をプラズマCVD法等を用いて堆積し、レ
ジストパターンをマスクとして、パッシベーション膜
8、シリコン窒化膜5b及びシリコン酸化膜5aをウェ
ット及びドライエッチングにより除去するが、本実施例
では、図18に示すように、ゲート端子及びドレイン端
子に加えて、共通電極3上の仕切り9cを形成する領域
のパッシベーション膜8、シリコン窒化膜5b及びシリ
コン酸化膜5aも除去する。
Next, a passivation film 8 made of a silicon nitride film or the like is deposited by a plasma CVD method or the like, and the passivation film 8, the silicon nitride film 5b and the silicon oxide film 5a are wet- and dry-etched using the resist pattern as a mask. In this embodiment, as shown in FIG. 18, in addition to the gate terminal and the drain terminal, the passivation film 8, the silicon nitride film 5b, and the silicon oxide film in the region where the partition 9c is formed on the common electrode 3 are formed. 5a is also removed.

【0064】そして、図19に示すように、ITOをス
パッタ法等を用いて堆積した後、レジストパターンをマ
スクとして露出したITOをウェットエッチングにより
除去し、ゲート端子及びドレイン端子の露出した金属膜
上にITOからなる電極端子10を形成し、その後、所
定の条件でアニールを行う。
Then, as shown in FIG. 19, after depositing ITO by sputtering or the like, the exposed ITO is removed by wet etching using the resist pattern as a mask, and the gate terminal and the drain terminal are exposed on the exposed metal film. Then, an electrode terminal 10 made of ITO is formed, and then annealing is performed under predetermined conditions.

【0065】次に、本実施例では、Cr等の導電体を所
定の膜厚で基板全面に堆積し、レジストパターンをマス
クとして露出したCrをウェット又はドライエッチング
により除去することにより導電体からなる仕切り9cを
共通電極3上の所定の領域に形成する(図20参照)。
そして、第1の透明基板1と第2の透明基板11に配向
膜18を塗布し、両基板を張り合わせてその間隙に液晶
17を注入する。
Next, in this embodiment, a conductor such as Cr is deposited on the entire surface of the substrate with a predetermined film thickness, and the exposed Cr is removed by wet or dry etching using the resist pattern as a mask to form the conductor. The partition 9c is formed in a predetermined area on the common electrode 3 (see FIG. 20).
Then, an orientation film 18 is applied to the first transparent substrate 1 and the second transparent substrate 11, the two substrates are adhered to each other, and a liquid crystal 17 is injected into a gap therebetween.

【0066】このように、本実施例の液晶表示装置で
は、共通電極3上にCr等の導電体からなる仕切り9c
が形成され、この仕切り9cによって画素領域内部の液
晶と、データ線6及びゲート電極2近傍の液晶とが分断
されるため、データ線6及びゲート電極2近傍の液晶が
画素内部と異なる方向に配向されている場合であって
も、画素内部の液晶が影響を受けることはなく、かつ、
仕切り9cは共通電極3と同電位に保たれているため、
データ線6及びゲート電極2と共通電極3との間に生じ
る電界が画素内部に入り込むことを防止することがで
き、画素内部の液晶は画素電極7と共通電極3との間の
電界のみによって正確に制御することができる。
As described above, in the liquid crystal display device of this embodiment, the partition 9 c made of a conductor such as Cr is formed on the common electrode 3.
Is formed, and the liquid crystal in the pixel region is separated from the liquid crystal in the vicinity of the data line 6 and the gate electrode 2 by the partition 9c, so that the liquid crystal in the vicinity of the data line 6 and the gate electrode 2 is oriented in a different direction from the inside of the pixel. The liquid crystal inside the pixel is not affected, and
Since the partition 9c is kept at the same potential as the common electrode 3,
The electric field generated between the data line 6 and the gate electrode 2 and the common electrode 3 can be prevented from entering the inside of the pixel, and the liquid crystal inside the pixel can be accurately adjusted only by the electric field between the pixel electrode 7 and the common electrode 3. Can be controlled.

【0067】この効果を図8及び図9を参照して説明す
ると、パネル透過率に関しては、図8に示すように、従
来(図の実線及び白抜き四角)は6V程度の高い印加電
圧でパネル透過率がピークとなっていたが、本実施例の
構成(図の破線及び白抜き三角)では、データ線6及び
ゲート電極2近傍の液晶の配向方向に画素領域の液晶が
引きずられることがなく、かつ、データ線6及びゲート
電極2の電界の影響も受けないため、液晶の閾値電圧V
thを小さくすることができ、パネル透過率のピークを第
1の実施例よりも更に低電圧側にシフトさせることがで
きる。
This effect will be described with reference to FIGS. 8 and 9. As for the panel transmittance, as shown in FIG. 8, the conventional panel (solid line and open square) shows a panel with a high applied voltage of about 6 V. Although the transmittance was at a peak, the liquid crystal in the pixel region was not dragged in the alignment direction of the liquid crystal in the vicinity of the data line 6 and the gate electrode 2 in the configuration of the present embodiment (dashed line and open triangle). In addition, since it is not affected by the electric field of the data line 6 and the gate electrode 2, the threshold voltage V
th can be reduced, and the peak of the panel transmittance can be further shifted to a lower voltage side than in the first embodiment.

【0068】また、応答時間に関しては、図9に示すよ
うに、従来(図の実線及び白抜き四角)は全体的に応答
が遅く、特に低電圧側ではデータ線6及びゲート電極2
の影響を受けて応答時間が大きくなっていたが、本実施
例の構成(図の破線白抜き三角)では、低電圧領域から
高電圧領域に至る全ての印加電圧領域で液晶を迅速に回
転させることができ、第1の実施例よりも更に応答の改
善を図ることができる。
Regarding the response time, as shown in FIG. 9, the conventional (solid line and open square) in FIG. 9 has a slow response as a whole, and in particular, the data line 6 and the gate electrode 2 on the low voltage side.
, The response time is increased due to the influence of the above. However, in the configuration of the present embodiment (the broken triangle in the figure), the liquid crystal is rapidly rotated in all the applied voltage regions from the low voltage region to the high voltage region. Therefore, the response can be further improved as compared with the first embodiment.

【0069】この効果は、画素電極7と共通電極3の間
隔に比べてセルギャップが広い場合や、これらの電極間
に電圧が印加されない黒表示状態において顕著に現れ
る。すなわち、前記した第1乃至第3の実施例では、仕
切り9a、9bを形成することによって、画素領域とデ
ータ線6及びゲート電極2近傍の液晶を分断し、弾性特
性に基づく液晶の応答の遅延を改善することはできる
が、仕切り9a、9bが絶縁体で形成されているため、
電界が小さい第2の透明基板11側や電圧が印加されな
い黒表示状態においては、データ線6及びゲート電極2
のDC電圧による電界の影響を受けていた。しかしなが
ら、本実施例では、仕切り9cを導電体で形成すること
によって、このDC電圧による電界を遮断することがで
きるため、応答や視角特性の改善を図ることができる。
This effect is remarkable in the case where the cell gap is wider than the distance between the pixel electrode 7 and the common electrode 3 and in the black display state where no voltage is applied between these electrodes. That is, in the above-described first to third embodiments, the partitions 9a and 9b are formed to separate the pixel region from the liquid crystal in the vicinity of the data line 6 and the gate electrode 2, thereby delaying the response of the liquid crystal based on the elastic characteristic. Can be improved, but since the partitions 9a and 9b are formed of an insulator,
On the side of the second transparent substrate 11 where the electric field is small or in the black display state where no voltage is applied, the data line 6 and the gate electrode 2
Was affected by the electric field due to the DC voltage. However, in this embodiment, the electric field due to the DC voltage can be cut off by forming the partition 9c with a conductor, so that the response and the viewing angle characteristics can be improved.

【0070】また、導電体からなる仕切り9cを形成す
ることによって、ゲート電極2及びデータ線6と共通電
極3との間隔を一層狭くすることができるため、前記し
た第1乃至第3の実施例よりも開口率を大きくすること
もできる。更に、仕切り9cを遮光材として用いること
もでき、ブラックマトリクス12と共に光の漏れを防止
することができる。
By forming the partition 9c made of a conductor, the distance between the gate electrode 2 and the data line 6 and the common electrode 3 can be further reduced. It is also possible to increase the aperture ratio. Furthermore, the partition 9c can be used as a light-shielding material, and light leakage can be prevented together with the black matrix 12.

【0071】なお、本実施例では、仕切り9cを第1の
透明基板1側にCrを用いて形成し、その仕切り9cを
共通電極3に接続する例について記載したが、本発明は
上記実施例に限定されるものではなく、例えば、仕切り
9cは、Ti、タングステン、ITO等の他の金属を用
いて形成してもよい。また、仕切り9cは共通電極3に
接続しなくてもよく、その場合は第2の透明基板11側
に形成することもできる。
In this embodiment, an example is described in which the partition 9c is formed on the first transparent substrate 1 using Cr and the partition 9c is connected to the common electrode 3. However, the present invention is not limited to this embodiment. However, for example, the partition 9c may be formed using another metal such as Ti, tungsten, and ITO. Further, the partition 9c does not need to be connected to the common electrode 3, and in that case, it can be formed on the second transparent substrate 11 side.

【0072】[0072]

【発明の効果】以上説明したように、本発明のIPS液
晶表示装置の構成によれば下記記載の効果を奏する。
As described above, according to the configuration of the IPS liquid crystal display device of the present invention, the following effects can be obtained.

【0073】本発明の第1の効果は、画素領域外周の共
通電極上層に絶縁体、色層又は導電体からなる仕切りを
設け、画素領域内外の液晶を分断することにより、ゲー
ト電極又はデータ線に印加されるDC電圧によって画素
領域と異なる方向に配向された液晶の影響を抑制するこ
とができ、特に、TFT形成基板側から離れた対向基板
側や印加電圧の低い領域においてもパネル透過率を大き
く、応答を速く、かつ、配向方向の乱れを防止すること
ができるということである。
The first effect of the present invention is that a partition made of an insulator, a color layer, or a conductor is provided on an upper layer of a common electrode on the outer periphery of a pixel region to divide liquid crystal inside and outside the pixel region, thereby forming a gate electrode or a data line. The effect of liquid crystal aligned in a direction different from that of the pixel region can be suppressed by the DC voltage applied to the pixel region. That is, the response is large, the response is fast, and the disturbance of the alignment direction can be prevented.

【0074】また、本発明の第2の効果は、ゲート電極
又はデータ線に印加されるDC電圧の影響を受けにくい
ため、ゲート電極又はデータ線と共通電極との間隔、及
び、画素領域周辺の共通電極の幅を狭くすることがで
き、遮光領域を減らして開口率を大きくすることができ
るということである。
The second effect of the present invention is that it is hardly affected by the DC voltage applied to the gate electrode or the data line, so that the distance between the gate electrode or the data line and the common electrode and the area around the pixel region are reduced. This means that the width of the common electrode can be reduced, the light blocking area can be reduced, and the aperture ratio can be increased.

【0075】また、本発明の第3の効果は、仕切りを導
電体で形成し共通電極に接続することによって、ゲート
電極又はデータ線と共通電極との間に生じる電界を遮蔽
し、画素領域内の液晶の配向方向を正確に制御すること
ができ、また、導電体で光を遮蔽することにより光の漏
れを防止することができるということである。
A third effect of the present invention is that the electric field generated between the gate electrode or the data line and the common electrode is shielded by forming the partition with a conductor and connecting the common electrode to the common electrode. That is, the alignment direction of the liquid crystal can be accurately controlled, and leakage of light can be prevented by shielding the light with a conductor.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施例に係る液晶表示装置の構
造を示す図であり、(a)は平面図、(b)は(a)の
A−A′線における断面図である。
FIGS. 1A and 1B are diagrams showing a structure of a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention, wherein FIG. 1A is a plan view and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. .

【図2】本発明の第1の実施例に係る液晶表示装置の製
造方法を示す図であり、(a)は平面図、(b)は断面
図である。
FIGS. 2A and 2B are views showing a method for manufacturing the liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention, wherein FIG. 2A is a plan view and FIG.

【図3】本発明の第1の実施例に係る液晶表示装置の製
造方法を示す図であり、(a)は平面図、(b)は断面
図である。
3A and 3B are diagrams illustrating a method for manufacturing the liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention, wherein FIG. 3A is a plan view and FIG. 3B is a cross-sectional view.

【図4】本発明の第1の実施例に係る液晶表示装置の製
造方法を示す図であり、(a)は平面図、(b)は断面
図である。
4A and 4B are diagrams illustrating a method for manufacturing the liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention, wherein FIG. 4A is a plan view and FIG. 4B is a cross-sectional view.

【図5】本発明の第1の実施例に係る液晶表示装置の製
造方法を示す図であり、(a)は平面図、(b)は断面
図である。
5A and 5B are diagrams showing a method for manufacturing the liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention, wherein FIG. 5A is a plan view and FIG. 5B is a cross-sectional view.

【図6】本発明の第1の実施例に係る液晶表示装置の製
造方法を示す図であり、(a)は平面図、(b)は断面
図である。
6A and 6B are diagrams showing a method for manufacturing the liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention, wherein FIG. 6A is a plan view and FIG. 6B is a cross-sectional view.

【図7】本発明の第1の実施例に係る液晶表示装置の製
造方法を示す図であり、(a)は平面図、(b)は断面
図である。
7A and 7B are diagrams showing a method for manufacturing the liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention, wherein FIG. 7A is a plan view and FIG. 7B is a cross-sectional view.

【図8】本発明の第1の実施例に係る液晶表示装置の効
果を説明する図であり、印加電圧とパネル透過率との相
関を示す図である。
FIG. 8 is a diagram illustrating the effect of the liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention, and is a diagram illustrating a correlation between an applied voltage and panel transmittance.

【図9】本発明の第1の実施例に係る液晶表示装置の効
果を説明する図であり、印加電圧と応答時間との相関を
示す図である。
FIG. 9 is a diagram illustrating the effect of the liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention, and is a diagram illustrating a correlation between an applied voltage and a response time.

【図10】本発明の第2の実施例に係る液晶表示装置の
構造を示す図であり、(a)は平面図、(b)は(a)
のA−A′線における断面図である。
FIGS. 10A and 10B are diagrams showing a structure of a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention, wherein FIG. 10A is a plan view and FIG.
3 is a sectional view taken along line AA ′ of FIG.

【図11】本発明の第3の実施例に係る液晶表示装置の
構造を示す図であり、(a)は平面図、(b)は(a)
のA−A′線における断面図である。
FIGS. 11A and 11B are diagrams showing a structure of a liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention, wherein FIG. 11A is a plan view and FIG.
3 is a sectional view taken along line AA ′ of FIG.

【図12】本発明の第3の実施例に係る液晶表示装置の
構造を示す図であり、図11に隣接する画素の断面図で
ある。
FIG. 12 is a diagram illustrating a structure of a liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention, and is a cross-sectional view of a pixel adjacent to FIG. 11;

【図13】本発明の第3の実施例に係る液晶表示装置の
構造を示す図であり、(a)は平面図、(b)は(a)
のA−A′線における断面図である。
FIGS. 13A and 13B are diagrams showing a structure of a liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention, wherein FIG. 13A is a plan view and FIG.
3 is a sectional view taken along line AA ′ of FIG.

【図14】本発明の第4の実施例に係る液晶表示装置の
構造を示す図であり、(a)は平面図、(b)は(a)
のA−A′線における断面図である。
FIGS. 14A and 14B are diagrams showing a structure of a liquid crystal display device according to a fourth embodiment of the present invention, wherein FIG. 14A is a plan view and FIG.
3 is a sectional view taken along line AA ′ of FIG.

【図15】本発明の第4の実施例に係る液晶表示装置の
製造方法を示す図であり、(a)は平面図、(b)は断
面図である。
15A and 15B are diagrams showing a method for manufacturing a liquid crystal display device according to a fourth embodiment of the present invention, wherein FIG. 15A is a plan view and FIG. 15B is a cross-sectional view.

【図16】本発明の第4の実施例に係る液晶表示装置の
製造方法を示す図であり、(a)は平面図、(b)は断
面図である。
FIGS. 16A and 16B are views showing a method for manufacturing a liquid crystal display device according to a fourth embodiment of the present invention, wherein FIG. 16A is a plan view and FIG.

【図17】本発明の第4の実施例に係る液晶表示装置の
製造方法を示す図であり、(a)は平面図、(b)は断
面図である。
17A and 17B are diagrams showing a method for manufacturing a liquid crystal display device according to a fourth embodiment of the present invention, wherein FIG. 17A is a plan view and FIG. 17B is a cross-sectional view.

【図18】本発明の第4の実施例に係る液晶表示装置の
製造方法を示す図であり、(a)は平面図、(b)は断
面図である。
FIGS. 18A and 18B are diagrams illustrating a method for manufacturing the liquid crystal display device according to the fourth embodiment of the present invention, wherein FIG. 18A is a plan view and FIG.

【図19】本発明の第4の実施例に係る液晶表示装置の
製造方法を示す図であり、(a)は平面図、(b)は断
面図である。
FIGS. 19A and 19B are diagrams showing a method for manufacturing a liquid crystal display device according to a fourth embodiment of the present invention, wherein FIG. 19A is a plan view and FIG.

【図20】本発明の第4の実施例に係る液晶表示装置の
製造方法を示す図であり、(a)は平面図、(b)は断
面図である。
FIGS. 20A and 20B are diagrams showing a method for manufacturing the liquid crystal display device according to the fourth embodiment of the present invention, wherein FIG. 20A is a plan view and FIG.

【図21】従来の液晶表示装置の構造を示す図であり、
(a)は平面図、(b)は(a)のA−A′線における
断面図である。
FIG. 21 is a view showing a structure of a conventional liquid crystal display device;
(A) is a plan view, and (b) is a cross-sectional view taken along line AA 'of (a).

【図22】液晶表示装置に各電極に印加される電圧を示
すタイミングチャートである。
FIG. 22 is a timing chart showing a voltage applied to each electrode of the liquid crystal display device.

【図23】従来の液晶表示装置のデータ線近傍における
液晶の配向状態を示す図である。
FIG. 23 is a diagram showing an alignment state of liquid crystal in the vicinity of a data line of a conventional liquid crystal display device.

【図24】従来の液晶表示装置のゲート電極近傍におけ
る液晶の配向状態を示す図である。
FIG. 24 is a diagram showing an alignment state of liquid crystal near a gate electrode of a conventional liquid crystal display device.

【図25】従来の液晶表示装置の等電位面及び電界方向
を示す図である。
FIG. 25 is a diagram showing an equipotential surface and an electric field direction of a conventional liquid crystal display device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 第1の透明基板 2 ゲート電極 3 共通電極 4 層間絶縁膜 4a シリコン酸化膜 4b シリコン窒化膜 5 TFT 5a a−Si 5b n+a−Si 6 データ線 7 画素電極 8 パッシベーション膜 9a、9b、9c 仕切り 10 端子電極 11 第2の透明基板 12 ブラックマトリクス 13 色層 13a 色層(R) 13b 色層(G) 13c 色層(B) 14 平坦化膜 15 導電膜 16a、16b 偏光膜 17 液晶 18 配向膜DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 1st transparent substrate 2 Gate electrode 3 Common electrode 4 Interlayer insulating film 4a Silicon oxide film 4b Silicon nitride film 5 TFT 5a a-Si 5bn + a-Si 6 Data line 7 Pixel electrode 8 Passivation film 9a, 9b, 9c Partition 10 Terminal electrode 11 Second transparent substrate 12 Black matrix 13 Color layer 13a Color layer (R) 13b Color layer (G) 13c Color layer (B) 14 Flattening film 15 Conductive film 16a, 16b Polarizing film 17 Liquid crystal 18 Orientation film

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H089 LA10 MA04X NA14 NA17 NA24 NA60 PA03 QA11 QA14 QA15 RA04 RA18 SA01 TA04 TA09 2H090 KA04 KA18 LA02 LA04 MA02 2H092 GA14 JA26 JA29 JA38 JA42 JA44 JB13 JB23 JB32 JB33 JB38 JB51 JB56 JB63 JB69 KA05 KA07 KA16 KA18 KB14 MA05 MA08 MA13 MA17 MA27 MA35 MA37 MA41 NA04 NA25 NA27 PA03 QA06 QA18 5C094 AA03 AA06 AA10 AA12 AA13 AA43 AA48 BA03 BA43 CA19 CA24 DA13 DB01 DB04 EA04 EA05 EA07 EB02 EC03 ED03 ED14 ED15 FA01 FA02 FB01 FB12 FB14 FB15 GB10  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 2H089 LA10 MA04X NA14 NA17 NA24 NA60 PA03 QA11 QA14 QA15 RA04 RA18 SA01 TA04 TA09 2H090 KA04 KA18 LA02 LA04 MA02 2H092 GA14 JA26 JA29 JA38 JA42 JA44 JB13 JB23 JB32 JB33 JBJ J38 KA05 KA07 KA16 KA18 KB14 MA05 MA08 MA13 MA17 MA27 MA35 MA37 MA41 NA04 NA25 NA27 PA03 QA06 QA18 5C094 AA03 AA06 AA10 AA12 AA13 AA43 AA48 BA03 BA43 CA19 CA24 DA13 DB01 DB04 EA04 EA05 EB07 EB01 EB07 EB07 EB02

Claims (15)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】一対の対向する基板と前記一対の基板間に
狭持された液晶とを有し、一側の基板には、互いに略直
交する複数のゲート線及び複数のデータ線と、前記ゲー
ト線と前記データ線との交点近傍に配設された薄膜トラ
ンジスタと、前記ゲート線と前記データ線と囲まれた領
域に互いに平行かつ交互に配設されて画素領域を形成す
る画素電極及び共通電極とを少なくとも備え、前記画素
電極と前記共通電極との間に印加する電圧によって、前
記液晶を前記基板に略平行な面内で回転させるIPS方
式の液晶表示装置において、 前記一対の基板の少なくとも一方に、前記画素領域の内
外の前記液晶を少なくとも一部において分断する仕切り
が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
1. A substrate having a pair of opposed substrates and a liquid crystal sandwiched between the pair of substrates, wherein one substrate has a plurality of gate lines and a plurality of data lines substantially orthogonal to each other, A thin film transistor disposed near an intersection of a gate line and the data line; a pixel electrode and a common electrode which are disposed in parallel and alternately with each other in a region surrounded by the gate line and the data line to form a pixel region A liquid crystal display device of an IPS system, wherein the liquid crystal is rotated in a plane substantially parallel to the substrate by a voltage applied between the pixel electrode and the common electrode, at least one of the pair of substrates. A partition for dividing at least a part of the liquid crystal inside and outside the pixel region.
【請求項2】前記基板の法線方向から見て、前記仕切り
が前記共通電極と重なるように形成されていることを特
徴とする請求項1記載の液晶表示装置。
2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the partition is formed so as to overlap with the common electrode when viewed from a normal direction of the substrate.
【請求項3】前記仕切りが、前記画素領域を取り囲むよ
うに連続して形成されていることを特徴とする請求項1
又は2に記載の液晶表示装置。
3. The device according to claim 1, wherein the partition is formed continuously so as to surround the pixel region.
Or the liquid crystal display device according to 2.
【請求項4】前記仕切りが、前記一対の基板の双方に当
接するように形成されていることを特徴とする請求項1
乃至3のいずれか一に記載の液晶表示装置。
4. The apparatus according to claim 1, wherein the partition is formed so as to contact both of the pair of substrates.
4. The liquid crystal display device according to any one of items 3 to 3.
【請求項5】前記仕切りが、絶縁体からなることを特徴
とする請求項1乃至4のいずれか一に記載の液晶表示装
置。
5. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the partition is made of an insulator.
【請求項6】前記絶縁体がレジスト又は感光性ポリイミ
ドを含むことを特徴とする請求項5記載の液晶表示装
置。
6. A liquid crystal display device according to claim 5, wherein said insulator contains a resist or a photosensitive polyimide.
【請求項7】前記薄膜トランジスタが形成される前記一
側の基板に複数色の色層が配設され、前記仕切りが前記
色層上層に堆積した色層材料によって形成されているこ
とを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一に記載の液
晶表示装置。
7. The method according to claim 1, wherein a color layer of a plurality of colors is provided on the substrate on the one side where the thin film transistor is formed, and the partition is formed of a color layer material deposited on the color layer. The liquid crystal display device according to claim 1.
【請求項8】前記仕切りを構成する前記色層材料が、複
数色の前記色層材料を含むことを特徴とする請求項7記
載の液晶表示装置。
8. The liquid crystal display device according to claim 7, wherein the color layer material forming the partition includes the color layer materials of a plurality of colors.
【請求項9】前記仕切りが、導電体を含むことを特徴と
する請求項1乃至4のいずれか一に記載の液晶表示装
置。
9. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the partition includes a conductor.
【請求項10】前記仕切りが、前記一側の基板に配設さ
れ、かつ、前記共通電極に接続されていることを特徴と
する請求項9記載の液晶表示装置。
10. The liquid crystal display device according to claim 9, wherein said partition is disposed on said one side substrate and connected to said common electrode.
【請求項11】一側の基板にゲート電極と共通電極とを
形成する工程と、前記ゲート電極及び前記共通電極上に
第1の絶縁膜を堆積する工程と、前記第1の絶縁膜上に
薄膜トランジスタとデータ線と画素電極とを形成する工
程と、前記データ線及び前記画素電極上に第2の絶縁膜
を堆積する工程とを少なくとも有し、前記画素電極と前
記共通電極との間に印加する電圧によって、前記一側の
基板と対向する基板との間に狭持した液晶を前記基板に
略平行な面内で回転させるIPS方式の液晶表示装置の
製造方法において、 前記第2の絶縁膜の上に、前記基板の法線方向から見
て、前記共通電極と重なるように絶縁体からなる仕切り
を形成する工程を含むことを特徴とする液晶表示装置の
製造方法。
11. A step of forming a gate electrode and a common electrode on one substrate, a step of depositing a first insulating film on the gate electrode and the common electrode, and a step of forming a first insulating film on the first insulating film. Forming at least a step of forming a thin film transistor, a data line, and a pixel electrode; and a step of depositing a second insulating film on the data line and the pixel electrode, wherein a voltage is applied between the pixel electrode and the common electrode. A method of manufacturing a liquid crystal display device of an IPS system in which a liquid crystal sandwiched between the one substrate and an opposing substrate is rotated in a plane substantially parallel to the substrate by a voltage applied to the second insulating film. Forming a partition made of an insulator so as to overlap with the common electrode when viewed from the normal direction of the substrate.
【請求項12】一側の基板にゲート電極と共通電極とを
形成する工程と、前記ゲート電極及び前記共通電極上に
第1の絶縁膜を堆積する工程と、前記第1の絶縁膜上に
薄膜トランジスタとデータ線と画素電極とを形成する工
程と、前記データ線及び前記画素電極上にRGBの色層
を形成する工程と、前記色層の上に平坦化膜を堆積する
工程とを少なくとも有し、前記画素電極と前記共通電極
との間に印加する電圧によって、前記一側の基板と対向
する基板との間に狭持した液晶を前記基板に略平行な面
内で回転させるIPS方式の液晶表示装置の製造方法に
おいて、 前記色層の形成に際し、前記ゲート電極と前記データ線
とで囲まれる領域にRGBのいずれか一色の前記色層を
形成すると共に、前記基板の法線方向から見て、前記共
通電極と重なるように前記一色の色層と異なる色の色層
材料を配設して仕切りを形成する工程を含むことを特徴
とする液晶表示装置の製造方法。
12. A step of forming a gate electrode and a common electrode on one substrate, a step of depositing a first insulating film on the gate electrode and the common electrode, and a step of forming a first insulating film on the first insulating film. At least a step of forming a thin film transistor, a data line, and a pixel electrode; a step of forming an RGB color layer on the data line and the pixel electrode; and a step of depositing a planarization film on the color layer. An IPS system in which a liquid crystal sandwiched between the one side substrate and the opposing substrate is rotated in a plane substantially parallel to the substrate by a voltage applied between the pixel electrode and the common electrode. In the method of manufacturing a liquid crystal display device, when forming the color layer, the color layer of any one of RGB is formed in a region surrounded by the gate electrode and the data line, and viewed from a normal direction of the substrate. And the common electrode A method of manufacturing a liquid crystal display device, comprising a step of forming a partition by disposing a color layer material different in color from the one color layer so as to overlap.
【請求項13】一側の基板にゲート電極と共通電極とを
形成する工程と、前記ゲート電極及び前記共通電極上に
第1の絶縁膜を堆積する工程と、前記第1の絶縁膜上に
薄膜トランジスタとデータ線と画素電極とを形成する工
程と、前記データ線及び前記画素電極上に第2の絶縁膜
を堆積する工程とを少なくとも有し、前記画素電極と前
記共通電極との間に印加する電圧によって、前記一側の
基板と対向する基板との間に狭持した液晶を前記基板に
略平行な面内で回転させるIPS方式の液晶表示装置の
製造方法において、 前記第2の絶縁膜形成後、前記基板の法線方向から見
て、前記共通電極と重なる領域に前記共通電極まで貫通
する溝を形成する工程と、前記溝の内部及び上部に導電
体からなる仕切りを形成する工程とを含むことを特徴と
する液晶表示装置の製造方法。
13. A step of forming a gate electrode and a common electrode on one substrate, a step of depositing a first insulating film on the gate electrode and the common electrode, and a step of forming a first insulating film on the first insulating film. Forming at least a step of forming a thin film transistor, a data line, and a pixel electrode; and a step of depositing a second insulating film on the data line and the pixel electrode, wherein a voltage is applied between the pixel electrode and the common electrode. A method of manufacturing a liquid crystal display device of an IPS system in which a liquid crystal sandwiched between the one side substrate and the opposing substrate is rotated in a plane substantially parallel to the substrate by a voltage applied to the second insulating film. After the formation, a step of forming a groove penetrating to the common electrode in a region overlapping with the common electrode as viewed from the normal direction of the substrate, and a step of forming a partition made of a conductor inside and above the groove. It is characterized by including Of manufacturing a liquid crystal display device.
【請求項14】前記仕切りを、所定の間隔で断続的に形
成して隙間を設け、前記隙間を通して画素領域内部に前
記液晶を注入することを特徴とする請求項11乃至13
のいずれか一に記載の液晶表示装置の製造方法。
14. The liquid crystal device according to claim 11, wherein said partition is formed intermittently at a predetermined interval to provide a gap, and said liquid crystal is injected into a pixel region through said gap.
The method for manufacturing a liquid crystal display device according to any one of the above.
【請求項15】前記仕切りを、前記一側の基板と前記対
向する基板とのギャップと略等しい高さで形成すること
を特徴とする請求項11乃至14のいずれか一に記載の
液晶表示装置の製造方法。
15. The liquid crystal display device according to claim 11, wherein the partition is formed at a height substantially equal to a gap between the one substrate and the opposing substrate. Manufacturing method.
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