JP2007199455A - Pattern correction apparatus - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To quickly and surely harden an application material applied to a defect part of a pattern. <P>SOLUTION: A pattern correction apparatus is provided with: a stage 1 forming aperture parts 10 of a prescribed shape on its upper surface to horizontally hold a TFT liquid crystal substrate 7 on which a pattern is formed; an observing optical system 2 arranged on the upper part of the stage 1 and horizontally and vertically moving in a three-dimensional direction to perform the enlarged observation of a defect part of the pattern of the TFT liquid crystal substrate 7; and heating means 6A, 6B arranged in the aperture parts 10 of the stage 1, raised from stand-by positions and brought into face-contact with the rear face of the TFT liquid crystal substrate 7 to heat and harden a correction material applied to the defect part of the pattern. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、基板に形成されたパターンの欠陥部に修正材を塗布して修正するパターン修正装置に関し、詳しくは、パターンの欠陥部に塗布された修正材を短時間に確実に硬化させることが可能なパターン修正装置に係るものである。   The present invention relates to a pattern correction apparatus that applies a correction material to a defect portion of a pattern formed on a substrate to correct the defect. Specifically, the correction material applied to the defect portion of the pattern can be reliably cured in a short time. It relates to a possible pattern correction device.

従来のパターン修正装置は、基板を載置してX軸方向及びY軸方向に移動可能なXYテーブルと、上記基板に形成された凹凸のパターンを観察する観察光学系と、上記基板の凹凸パターンの欠陥部の位置で上下動して該欠陥部に修正材を充填する塗布針と、欠陥部に充填された修正材を硬化させるためのレーザ発振器とを備え、観察光学系で欠陥部を観察しながら、先端部に修正材を付着させた塗布針を上下動させて上記欠陥部に修正材を充填し、レーザ発振器を連続発振させてこの連続発振レーザを欠陥部に充填された修正材に照射し、修正材を焼成して硬化させるようになっている(例えば、特許文献1参照)。
特開2005−310396号公報
A conventional pattern correction apparatus includes an XY table on which a substrate can be placed and moved in the X-axis direction and the Y-axis direction, an observation optical system for observing the uneven pattern formed on the substrate, and the uneven pattern on the substrate The coating needle that moves up and down at the position of the defective portion and fills the defective portion with the correction material, and a laser oscillator for curing the correction material filled in the defective portion, and observe the defective portion with the observation optical system While moving the applicator needle with the correction material attached to the tip portion up and down, the defect portion is filled with the correction material, the laser oscillator is continuously oscillated, and the continuous oscillation laser is filled into the correction material filled in the defect portion. Irradiation is performed, and the correction material is baked and cured (for example, see Patent Document 1).
JP 2005-310396 A

しかし、このような従来のパターン修正装置においては、修正材の焼成に連続発振レーザを使用しているため、熱エネルギーを局所的に集中させることができて5秒程度の短時間の焼成が可能であるものの、熱エネルギーを修正材に均一に作用させることができない。そのため、修正材の表面しか硬化されず、硬化不良が発生することがあった。   However, in such a conventional pattern correction apparatus, since a continuous wave laser is used for baking the correction material, the heat energy can be concentrated locally and baking can be performed in a short time of about 5 seconds. However, the heat energy cannot be applied uniformly to the correction material. For this reason, only the surface of the correction material is cured, and a curing failure may occur.

上記修正材の焼成方法としては、上記連続発振レーザを修正材に照射して加熱する方法以外に、赤外線ランプを用いて赤外線を照射して加熱する方法や熱風を吹きつけて加熱する方法がある。しかし、赤外線ランプによる加熱方法は、熱の伝達効率が悪いため焼成時間が60秒以上と長く、パターンの修正処理に長時間を要するという問題がある。また、熱風による加熱方法は、焼成時間が20秒程度と上記連続発振レーザ及び赤外線ランプによる加熱方法の略中間であるが、熱風を基板に吹きつけるため埃が舞って基板に異物が付着し易いという問題がある。   As a method for firing the correction material, there is a method of irradiating the correction material with the continuous wave laser and heating it, and a method of irradiating and heating infrared rays using an infrared lamp, or a method of heating by blowing hot air. . However, the heating method using an infrared lamp has a problem that the baking time is as long as 60 seconds or more due to poor heat transfer efficiency, and the pattern correction process requires a long time. In addition, the heating method using hot air has a firing time of about 20 seconds, which is approximately the middle of the heating method using the continuous wave laser and the infrared lamp. However, since hot air is blown on the substrate, dust is scattered and foreign substances are likely to adhere to the substrate. There is a problem.

そこで、本発明は、このような問題点に対処し、パターンの欠陥部に塗布された修正材を短時間に確実に硬化させることが可能なパターン修正装置を提供することを目的とする。   In view of the above, an object of the present invention is to provide a pattern correction apparatus that can deal with such problems and can reliably cure a correction material applied to a defective portion of a pattern in a short time.

上記目的を達成するために、本発明によるパターン修正装置は、上面に所定形状の開口部を設け、パターンが形成された基板を水平に保持するステージと、前記ステージの上方に配設され、水平・垂直の三次元方向に移動して前記ステージに保持された基板のパターンの欠陥部を拡大観察する観察光学系と、前記ステージの開口部内に配設され、待機位置から上昇して前記ステージに保持された基板の裏面に面接触し、前記パターンの欠陥部に塗布された修正材を加熱して硬化させる加熱手段と、を備えたものである。   In order to achieve the above object, a pattern correction apparatus according to the present invention includes an opening having a predetermined shape on an upper surface, a stage that holds a substrate on which a pattern is formed horizontally, a stage disposed above the stage, and a horizontal An observation optical system that moves in a vertical three-dimensional direction and observes the defect portion of the pattern of the substrate held on the stage in an enlarged manner, and is arranged in the opening of the stage, and rises from a standby position to the stage. And a heating unit that makes surface contact with the back surface of the held substrate and heats and cures the correction material applied to the defective portion of the pattern.

このような構成により、上面に所定形状の開口部を設けたステージでパターンを形成した基板を水平に保持し、ステージの上方に配設された観察光学系で水平・垂直の三次元方向に移動してステージに保持された基板のパターンの欠陥部を拡大観察し、ステージの開口部内に配設された加熱手段を待機位置から上昇してステージに保持された基板の裏面に面接触し、パターンの欠陥部に塗布された修正材を加熱して硬化させる。   With such a configuration, a substrate on which a pattern is formed is held horizontally by a stage having an opening of a predetermined shape on the upper surface, and is moved in a horizontal / vertical three-dimensional direction by an observation optical system disposed above the stage. Then, the defect portion of the pattern of the substrate held on the stage is enlarged and observed, and the heating means disposed in the opening of the stage is lifted from the standby position and brought into surface contact with the back surface of the substrate held on the stage. The correction material applied to the defective part is heated and cured.

また、前記ステージは、一方向に長く形成された単位ステージを上面が同一平面をなすように所定間隔で複数個並べて隣接する単位ステージ間を開口部とし、該単位ステージの並び方向に前記基板を移動可能な構造とし、前記加熱手段は、前記隣接する単位ステージ間の開口部内にそれぞれ配設され、前記単位ステージの長手方向に水平に移動し、前記パターンの欠陥部の位置で上昇する構造としたものである。これにより、一方向に長く形成された単位ステージを上面が同一平面をなすように所定間隔で複数並べ、隣接する単位ステージ間を開口部としたステージで基板を保持すると共に、単位ステージの並び方向に基板を移動させ、隣接する単位ステージ間の開口部内にそれぞれ配設された加熱手段を観察光学系の水平方向に移動に同期して単位ステージの長手方向に水平に移動し、パターンの欠陥部の位置で上昇させる。   In addition, the stage includes a plurality of unit stages that are long in one direction arranged at a predetermined interval so that the upper surface forms the same plane, and an opening is formed between adjacent unit stages, and the substrate is arranged in the unit stage alignment direction. The structure is movable, and the heating means is disposed in the opening between the adjacent unit stages, moves horizontally in the longitudinal direction of the unit stage, and rises at the position of the defective portion of the pattern. It is a thing. Thereby, a plurality of unit stages formed long in one direction are arranged at predetermined intervals so that the upper surface forms the same plane, the substrate is held by a stage having an opening between adjacent unit stages, and the unit stage arrangement direction The substrate is moved, and the heating means respectively disposed in the openings between the adjacent unit stages are moved horizontally in the longitudinal direction of the unit stage in synchronization with the movement of the observation optical system in the horizontal direction. Raise at the position.

さらに、前記ステージは、その上面に気体を吸引する複数個の吸引孔を形成し、前記基板を吸着して保持可能としたものである。これにより、上面に気体を吸引する複数個の吸引孔を形成しステージで基板を吸着して保持する。   Further, the stage is formed with a plurality of suction holes for sucking gas on the upper surface thereof so that the substrate can be sucked and held. Thus, a plurality of suction holes for sucking gas are formed on the upper surface, and the substrate is sucked and held on the stage.

そして、前記ステージは、その上面に気体を噴射する多数個の噴射孔と、気体を吸引する複数個の吸引孔とを形成し、前記気体の噴射と吸引とをバランスさせて前記基板を所定のエアギャップを介して前記ステージの上面に保持可能としたものである。これにより、上面に気体を噴射する多数個の噴射孔と、気体を吸引する複数個の吸引孔とを形成したステージで気体の噴射と吸引とをバランスさせて基板を所定のエアギャップを介してステージの上面に保持する。   The stage has a plurality of injection holes for injecting gas and a plurality of suction holes for inhaling gas on the upper surface thereof, and the injection and suction of the gas are balanced to make the substrate a predetermined It can be held on the upper surface of the stage through an air gap. Accordingly, gas injection and suction are balanced on a stage in which a plurality of injection holes for injecting gas on the upper surface and a plurality of suction holes for inhaling gas are formed, and the substrate is placed through a predetermined air gap. Hold on top of stage.

請求項1に係るパターン修正装置の発明によれば、加熱手段を基板の裏面に面接触させて、基板の裏面からパターンの欠陥部に塗布された修正材を加熱して硬化させることができる。したがって、パターンの欠陥部に塗布された修正材に対する熱伝達効率が高くなり、修正材を短時間に確実に硬化させることができる。   According to the invention of the pattern correction apparatus according to the first aspect, the heating means can be brought into surface contact with the back surface of the substrate, and the correction material applied to the defective portion of the pattern can be heated and cured from the back surface of the substrate. Therefore, the heat transfer efficiency with respect to the correction material applied to the defective portion of the pattern is increased, and the correction material can be reliably cured in a short time.

また、請求項2に係る発明によれば、加熱手段が観察光学系の水平移動に同期して移動し、パターン欠陥部の位置で上昇して基板に面接触するので、パターンの欠陥部に塗布された修正材を確実に加熱することができる。さらに、基板を単位ステージの並び方向に移動可能な構造としたので、上記欠陥部の位置が単位ステージ上にあっても欠陥部に塗布された修正材を加熱する際には基板を移動して欠陥部を加熱手段上まで動かすことができる。したがって、基板上の如何なる部分の欠陥も修正することができる。   According to the invention of claim 2, since the heating means moves in synchronization with the horizontal movement of the observation optical system and rises at the position of the pattern defect portion and comes into surface contact with the substrate, it is applied to the defect portion of the pattern. It is possible to reliably heat the corrected material. Furthermore, since the substrate is structured to be movable in the direction in which the unit stages are arranged, the substrate is moved when heating the correction material applied to the defective portion even if the position of the defective portion is on the unit stage. The defective part can be moved onto the heating means. Therefore, any part of the defect on the substrate can be corrected.

さらに、請求項3に係る発明によれば、基板を吸着保持できるので、加熱手段を基板の裏面に面接触させる際に加熱手段を基板に密着させることができる。したがって、パターンの欠陥部に塗布された修正材に対する熱伝達効率をより高くすることができ、修正材をより短時間に確実に硬化させることができる。   Further, according to the invention of claim 3, since the substrate can be sucked and held, the heating means can be brought into close contact with the substrate when the heating means is brought into surface contact with the back surface of the substrate. Therefore, the heat transfer efficiency with respect to the correction material applied to the defective portion of the pattern can be further increased, and the correction material can be reliably cured in a shorter time.

そして、請求項4に係る発明によれば、基板を所定のエアギャップを介してステージの上面に保持することができるので、ステージ上面を基板が移動する際に基板とステージとが擦れて基板に傷を付けるおそれがない。また、パターンの欠陥部に塗布された修正材を硬化させる際には、吸引のみとすれば基板をステージに吸着することができ、修正材に対する熱伝達効率をより高くすることができ、修正材をより短時間に確実に硬化させることができる。   According to the fourth aspect of the invention, since the substrate can be held on the upper surface of the stage through a predetermined air gap, the substrate and the stage rub against the substrate when the substrate moves on the upper surface of the stage. There is no risk of scratching. Moreover, when curing the correction material applied to the defective part of the pattern, if only suction is used, the substrate can be adsorbed to the stage, and the heat transfer efficiency to the correction material can be further increased. Can be reliably cured in a shorter time.

以下、本発明の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。
図1は本発明によるパターン修正装置の実施形態を示す正面図である。このパターン修正装置は、基板に形成されたパターンの欠陥部に修正材を塗布して修正するもので、ステージ1と、観察光学系2と、照明光学系3と、レーザ光学系4と、塗布装置5と、加熱手段6A,6Bとを備えている。以下、基板が例えばTFT液晶基板7の場合について説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a front view showing an embodiment of a pattern correction apparatus according to the present invention. This pattern correction apparatus corrects by applying a correction material to a defective portion of a pattern formed on a substrate. The pattern correction apparatus is a stage 1, an observation optical system 2, an illumination optical system 3, a laser optical system 4, and a coating. A device 5 and heating means 6A and 6B are provided. Hereinafter, a case where the substrate is, for example, the TFT liquid crystal substrate 7 will be described.

上記ステージ1は、TFT液晶基板7を水平に保持するものであり、一方向に長く形成された単位ステージ8を上面が同一平面をなすように所定間隔で複数平行に並べて形成されている。そして、上記単位ステージ8の並び方向に直交する方向の両側端部には、図2に示すように、上記単位ステージ8の並び方向に長いサイドステージ9が配設されており、該サイドステージ9と上記隣接する単位ステージ8とに囲まれて開口部10が形成されている。さらに、サイドステージ9の側方には、図2に示すように、例えば、多数個の搬送ローラ11が並べられており、図1において矢印A,Bで示す方向に上記TFT液晶基板7を移動可能な構造となっている。この場合、上記搬送ローラ11は、外力の作用により下方に弾性的に沈むように形成されている。なお、上記サイドステージ9は無くてもよく、この場合、隣接する単位ステージ8間が開口部10となる。   The stage 1 holds the TFT liquid crystal substrate 7 horizontally, and is formed by arranging a plurality of unit stages 8 formed long in one direction in parallel at a predetermined interval so that the upper surface forms the same plane. As shown in FIG. 2, side stages 9 that are long in the direction in which the unit stages 8 are arranged are arranged at both ends in the direction orthogonal to the direction in which the unit stages 8 are arranged. And an opening 10 surrounded by the adjacent unit stages 8. Further, as shown in FIG. 2, for example, a large number of conveying rollers 11 are arranged on the side of the side stage 9, and the TFT liquid crystal substrate 7 is moved in the directions indicated by arrows A and B in FIG. It has a possible structure. In this case, the transport roller 11 is formed so as to elastically sink downward by the action of an external force. The side stage 9 may be omitted, and in this case, the opening 10 is formed between the adjacent unit stages 8.

上記単位ステージ8及びサイドステージ9は、図2に示すように、その上面に気体を噴射する多数個の噴射孔12と、気体を吸引する複数個の吸引孔13とを形成し、上記気体の噴射と吸引とをバランスさせてTFT液晶基板7を所定のエアギャップを介してステージ1の上面に保持できるようになっている。そして、各単位ステージ8及びサイドステージ9は、図3に示すように、基板支持体14と、供給管15と、排気管16とを備えている。   As shown in FIG. 2, the unit stage 8 and the side stage 9 are formed with a plurality of injection holes 12 for injecting gas and a plurality of suction holes 13 for inhaling gas on the upper surface thereof. The TFT liquid crystal substrate 7 can be held on the upper surface of the stage 1 through a predetermined air gap by balancing the jetting and the suction. Each unit stage 8 and side stage 9 includes a substrate support 14, a supply pipe 15, and an exhaust pipe 16, as shown in FIG.

上記基板支持体14は、上部を開放した直方体状の箱体17の内部に、上下方向に連続した多数の微細な空孔を有する直方体状の焼結体18を上記箱体17の内部に中空部19が形成されるように該箱体17の上部を塞いで設けたものであり、該焼結体18の多数の空孔を上記噴射孔12とし、上記焼結体18に上下方向に貫通する孔を穿設して上記吸引孔13としている。この場合、単位ステージ8には、図2に示すように焼結体18の長手方向に沿って多数の吸引孔13が例えば三列に形成されている。   The substrate support 14 includes a rectangular parallelepiped sintered body 18 having a large number of fine pores continuous in the vertical direction inside a rectangular parallelepiped box 17 having an open top. The upper portion of the box body 17 is closed so that a portion 19 is formed. A large number of holes in the sintered body 18 are used as the injection holes 12 and penetrates the sintered body 18 in the vertical direction. The suction hole 13 is formed by making a hole to be formed. In this case, the unit stage 8 has a large number of suction holes 13 formed in, for example, three rows along the longitudinal direction of the sintered body 18 as shown in FIG.

上記基板支持体14の箱体17の底部には、少なくとも一本の供給管15が設けられている。この供給管15は、多数の噴射孔12に圧縮気体、例えばクリーンエアを供給するものであり、一端部が上記箱体17の中空部19に接続され、他端部が図示省略の送気ブロワに接続されている。   At least one supply pipe 15 is provided at the bottom of the box 17 of the substrate support 14. The supply pipe 15 supplies compressed gas, for example, clean air, to the numerous injection holes 12, one end of which is connected to the hollow portion 19 of the box body 17, and the other end of which is not shown. It is connected to the.

上記基板支持体14の焼結体18に穿設した吸引孔13には、一本の排気管16が接続されている。この排気管16は、多数の吸引孔13を通して吸引された気体を排気するものであり、一端部側が上記吸引孔13の数に合わせて枝管16aとして枝分かれし、それぞれその末端部が吸引孔13内側に嵌着されており、他端部が図示省略の吸気ブロワに接続されている。   A single exhaust pipe 16 is connected to the suction hole 13 formed in the sintered body 18 of the substrate support 14. The exhaust pipe 16 exhausts the gas sucked through the numerous suction holes 13, and one end portion branches as a branch pipe 16 a in accordance with the number of the suction holes 13, and the respective end portions thereof are suction holes 13. The other end is connected to an intake blower (not shown).

上記ステージ1の上方には、図1に示すように、観察光学系2が設けられている。この観察光学系2は、TFT液晶基板7に形成されたパターンを撮像し、例えば配線パターンの断線等の欠陥部を検出するものであり、パターンを撮像して観察する観察用CCDカメラ20を有し、二つのハーフミラー21a、21bと結像レンズ22とを光学系機構部23内に配設し、該光学系機構部23の下端部に設けられ、TFT液晶基板7面に平行方向に移動可能とされたレンズホルダー24に低倍率から高倍率の五つの対物レンズ25a,25b,25c,25d,25eを着脱可能状態に保持させて備えている。   An observation optical system 2 is provided above the stage 1 as shown in FIG. This observation optical system 2 captures an image of a pattern formed on the TFT liquid crystal substrate 7 and detects, for example, a defective portion such as a disconnection of a wiring pattern, and has an observation CCD camera 20 that images and observes the pattern. Then, the two half mirrors 21a and 21b and the imaging lens 22 are disposed in the optical system mechanism unit 23, provided at the lower end of the optical system mechanism unit 23, and moved in a direction parallel to the surface of the TFT liquid crystal substrate 7. The lens holder 24 which is made possible is provided with five objective lenses 25a, 25b, 25c, 25d and 25e having a low magnification to a high magnification in a detachable state.

ここで、ハーフミラー21aは、観察光学系23の光路と後述のレーザ光学系45の光路とを同一光路に重ね合わせるためのものであり、ハーフミラー21bは、観察光学系23の光路と後述の照明光学系3の光路とを同一光路に重ね合わせるためのものである。   Here, the half mirror 21a is for superimposing the optical path of the observation optical system 23 and the optical path of a laser optical system 45 described later on the same optical path, and the half mirror 21b is the optical path of the observation optical system 23 and described later. This is for superimposing the optical path of the illumination optical system 3 on the same optical path.

また、結像レンズ22は、対物レンズ25a〜25eのいずれか一つと協働してTFT液晶基板7に形成された配線パターンやその欠陥部の像を観察用CCDカメラ20の受光面に結像させるためのものであり、対物レンズ25a〜25eは、配線パターンの像を拡大するためのもので、五つの対物レンズ25a〜25eにより対物レンズ群を構成している。そして、上記対物レンズ群の各対物レンズ25a〜25eは、図示省略の制御手段に制御されて駆動するモータ26A,26Bによりレンズホルダー24をX,Y軸(図2参照)方向に移動して選択され、選択された対物レンズ25a〜25eの光軸と上記観察光学系2の光路の光軸とを一致させると共に異なる倍率の画像が取得できるようになっている。   The imaging lens 22 forms an image of the wiring pattern formed on the TFT liquid crystal substrate 7 and its defective portion on the light receiving surface of the observation CCD camera 20 in cooperation with any one of the objective lenses 25a to 25e. The objective lenses 25a to 25e are for enlarging the wiring pattern image, and the five objective lenses 25a to 25e constitute an objective lens group. The objective lenses 25a to 25e in the objective lens group are selected by moving the lens holder 24 in the X and Y axis directions (see FIG. 2) by motors 26A and 26B driven by control means (not shown). Thus, the optical axes of the selected objective lenses 25a to 25e and the optical axis of the optical path of the observation optical system 2 are made to coincide with each other, and images with different magnifications can be acquired.

なお、このX,Y軸方向への移動手段は、上記モータ26A,26Bの他に該モータ26A,26Bの回転動作をレンズホルダー24の直進動作に変換するボールネジ27(図1参照)と、図示省略のガイドレールを備えて構成する。また、後述の塗布装置5を外側面に備えた対物レンズ25eは、他の対物レンズ25a〜25dと同焦点のものであり、対物レンズ25eの作動距離を他の対物レンズ25a〜25dの作動距離より長いものとしているため、ディスペンサノズル28が対物レンズ25eの下面とTFT液晶基板7面との間で自由に移動できる間隔が確保されている。   In addition to the motors 26A and 26B, the moving means in the X and Y axis directions include a ball screw 27 (see FIG. 1) for converting the rotational operation of the motors 26A and 26B into the linear motion of the lens holder 24, and It is configured with an omitted guide rail. An objective lens 25e having a coating device 5 to be described later on the outer surface has the same focal point as the other objective lenses 25a to 25d, and the working distance of the objective lens 25e is the working distance of the other objective lenses 25a to 25d. Since the length is longer, an interval is provided in which the dispenser nozzle 28 can freely move between the lower surface of the objective lens 25e and the surface of the TFT liquid crystal substrate 7.

上記対物レンズ25a〜25eを使用して欠陥部を観察するときには、各対物レンズ25a〜25eの結像面がTFT液晶基板7面に一致するようにZ軸移動手段を制御手段により制御して上記光学系機構部23を上下動させる。この場合、当然ながら対物レンズ25eの結像面の位置と、その他の対物レンズ25a〜25dの結像面のZ軸方向の位置関係は、対物レンズ25eの結像面をTFT液晶基板7の表面に一致させたとき、その他の対物レンズ25a〜25dが基板に接触しない位置となっている。   When observing a defective portion using the objective lenses 25a to 25e, the Z-axis moving means is controlled by the control means so that the image planes of the objective lenses 25a to 25e coincide with the surface of the TFT liquid crystal substrate 7. The optical system mechanism unit 23 is moved up and down. In this case, as a matter of course, the positional relationship in the Z-axis direction between the image forming surface of the objective lens 25e and the image forming surfaces of the other objective lenses 25a to 25d is the same as the surface of the TFT liquid crystal substrate 7. The other objective lenses 25a to 25d are in positions where they do not come into contact with the substrate.

上記観察光学系2の光路と一部が共通して照明光学系3が設けられている。この照明光学系3は、TFT液晶基板7面を照明して上記観察用CCDカメラ20によるパターンの撮像を可能にするものであり、光学系機構部23の分岐部分に例えば光ファイバーで外部から導入された照明光を内側に反射する反射ミラー29と、上記観察用CCDカメラ20による観察領域内を均一に照明するためのフィールドレンズ30とを備え、ハーフミラー21bから対物レンズ(図1においては、対物レンズ25e)を通ってTFT液晶基板7面に至るまでの光路が観察光学系2の光路と共通となっている。   An illumination optical system 3 is provided in common with the optical path of the observation optical system 2. The illumination optical system 3 illuminates the surface of the TFT liquid crystal substrate 7 and enables the pattern CCD camera 20 to take an image of the pattern. A reflection mirror 29 for reflecting the illumination light inward and a field lens 30 for uniformly illuminating the observation region by the observation CCD camera 20, and the objective lens (in FIG. 1, the objective lens in FIG. 1) The optical path from the lens 25e) to the surface of the TFT liquid crystal substrate 7 is the same as the optical path of the observation optical system 2.

上記観察光学系2の光路と一部が共通してレーザ光学系4が設けられている。このレーザ光学系4は、例えばTFT液晶基板7の配線パターン上に形成された保護膜にコンタクトホールを形成するためのものであり、波長が例えば532nm又は355nmのパルスレーザ光源31を光学系機構部23の上端部に有し、スリット32を光学系機構部23内に配設し、ハーフミラー21aから対物レンズ(図1においては、対物レンズ25e)を通ってカラーフィルタ基板7面に至るまでの光路が観察光学系2の光路と共通となっている。   A laser optical system 4 is provided in common with the optical path of the observation optical system 2. The laser optical system 4 is for forming a contact hole in a protective film formed on the wiring pattern of the TFT liquid crystal substrate 7, for example, and a pulse laser light source 31 having a wavelength of, for example, 532 nm or 355 nm is used as an optical system mechanism unit. 23, the slit 32 is disposed in the optical system mechanism unit 23, and extends from the half mirror 21a through the objective lens (object lens 25e in FIG. 1) to the color filter substrate 7 surface. The optical path is the same as the optical path of the observation optical system 2.

上記対物レンズ25eの外側面には、塗布装置5が着脱可能状態に設けられている。この塗布装置5は、上記欠陥部に修正材を適量吐出するものであり、図1に示すように修正材を貯留する容器33と、該容器33に取付けられて修正材を適量吐出するディスペンサノズル28とを備えている。なお、ディスペンサノズル28の先端部は、上記対物レンズ25eの光軸上にてその焦点位置近傍に位置するようにされている。   A coating device 5 is detachably provided on the outer surface of the objective lens 25e. The coating device 5 discharges an appropriate amount of correction material to the defective portion, and as shown in FIG. 1, a container 33 for storing the correction material, and a dispenser nozzle attached to the container 33 and discharging an appropriate amount of correction material. 28. The tip of the dispenser nozzle 28 is positioned near the focal position on the optical axis of the objective lens 25e.

上記容器33には図示省略の配管チューブを介してエアが供給可能となっており、容器33内に導入されたエアの正圧により例えばAgペーストの修正材を容器33のディスペンサノズル28から配線パターンの欠陥部に適量吐出させることができるようになっている。   Air can be supplied to the container 33 through a piping tube (not shown). For example, a correction material for Ag paste is supplied from the dispenser nozzle 28 of the container 33 to the wiring pattern by the positive pressure of the air introduced into the container 33. An appropriate amount can be discharged to the defective portion.

上記ステージ1にて隣接する単位ステージ8間の開口部10内には、加熱手段6A,6Bがそれぞれ配設されている。この加熱手段6A,6Bは、待機位置から上昇してTFT液晶基板7の裏面に面接触し、パターンの欠陥部に塗布された修正材を加熱して硬化させるものであり、例えば、ホットプレートである。そして、観察光学系2が水平移動する際に、そのY軸方向への移動に同期してY軸方向(単位ステージ8の長手方向)に水平に移動し、パターンの欠陥部の位置で上昇する構造となっている。具体的には、加熱手段6A,6Bは、例えば上記開口部10内にY軸方向に敷かれたレール上をベルトに引っ張られて移動し、例えばモータとギアとを組み合わせた昇降機構で昇降するように構成され、TFT液晶基板7の裏面に接触したことを検出するセンサーと、待機位置を検出するセンサーとを備えている。   In the opening 10 between the unit stages 8 adjacent to each other in the stage 1, heating means 6A and 6B are disposed, respectively. These heating means 6A and 6B are raised from the standby position and come into surface contact with the back surface of the TFT liquid crystal substrate 7 to heat and cure the correction material applied to the defective portion of the pattern. is there. When the observation optical system 2 moves horizontally, it moves horizontally in the Y-axis direction (longitudinal direction of the unit stage 8) in synchronization with the movement in the Y-axis direction, and rises at the position of the defective portion of the pattern. It has a structure. Specifically, the heating means 6A and 6B move by being pulled by a belt on a rail laid in the Y-axis direction in the opening 10, for example, and moved up and down by a lifting mechanism that combines a motor and a gear, for example. The sensor is configured as described above, and includes a sensor that detects contact with the back surface of the TFT liquid crystal substrate 7 and a sensor that detects a standby position.

次に、このように構成されたパターン修正装置の動作について説明する。
先ず、TFT液晶基板7がステージ1上に載置され、ステージ1の上面に形成された噴射孔12からの気体の噴射と、吸引孔13への気体の吸引とのバランスにより、TFT液晶基板7が所定のエアギャップを介してステージ1の上面に保持される。そして、図示省略のスイッチの操作によりパターン修正装置が起動されると、図示省略の照明灯が点灯してTFT液晶基板7面が照明される。
Next, the operation of the pattern correction apparatus configured as described above will be described.
First, the TFT liquid crystal substrate 7 is placed on the stage 1, and the TFT liquid crystal substrate 7 is balanced by the balance between the gas injection from the injection holes 12 formed on the upper surface of the stage 1 and the gas suction into the suction holes 13. Is held on the upper surface of the stage 1 through a predetermined air gap. When the pattern correction device is activated by operating a switch (not shown), an illumination lamp (not shown) is turned on to illuminate the surface of the TFT liquid crystal substrate 7.

次に、モータ26Bが駆動してレンズホルダー24がX軸方向に移動され、低倍率の対物レンズ25a〜25cのうちいずれか一つが選択される。また、該選択された対物レンズ25a〜25cの光軸と観察光学系2の光路の光軸とを一致させるために、必要に応じてモータ26Aによってレンズホルダー24がY軸方向に移動される。同時に、予め計測して記憶されたパターンの欠陥部の位置座標データに基づいて観察光学系2がX軸、Y軸方向に移動され、上記選択された対物レンズ25a〜25cの視野内に欠陥部が収まるようにされる。このとき、300℃〜350℃程度に加熱された加熱手段6A,6Bが隣接する単位ステージ8間を観察光学系2のY軸方向への移動に同期してY軸方向へ水平移動する。   Next, the motor 26B is driven to move the lens holder 24 in the X-axis direction, and any one of the low-magnification objective lenses 25a to 25c is selected. Further, in order to make the optical axis of the selected objective lenses 25a to 25c coincide with the optical axis of the optical path of the observation optical system 2, the lens holder 24 is moved in the Y-axis direction by the motor 26A as necessary. At the same time, the observation optical system 2 is moved in the X-axis and Y-axis directions based on the position coordinate data of the defect portion of the pattern measured and stored in advance, and the defect portion is in the visual field of the selected objective lenses 25a to 25c. Is made to fit. At this time, the heating means 6A and 6B heated to about 300 ° C. to 350 ° C. move horizontally between the adjacent unit stages 8 in the Y axis direction in synchronization with the movement of the observation optical system 2 in the Y axis direction.

次に、観察用CCDカメラ20で配線パターンを撮像し、その撮像画像に基づいて画像処理しながら、同時に光学系機構部23を上下動させて画像が鮮明になるように選択された対物レンズ25a〜25cの結像面の位置を調整する。   Next, the objective lens 25a is selected so that the wiring pattern is picked up by the observation CCD camera 20, the image processing is performed based on the picked-up image, and simultaneously the optical system mechanism unit 23 is moved up and down to make the image clear. Adjust the position of the image plane of ˜25c.

このようにして、欠陥部が検出されると、該欠陥部の画像が観察用CCDカメラ20の観察領域中央に位置付けられる。なお、このとき、欠陥部は、上記選択された対物レンズ25a〜25cの光軸と一致することになる。   When a defective portion is detected in this way, the image of the defective portion is positioned at the center of the observation area of the observation CCD camera 20. At this time, the defective portion coincides with the optical axis of the selected objective lenses 25a to 25c.

上記欠陥部が観察用CCDカメラ20の観察領域中央に位置付けられると、モータ26Bが駆動され、レンズホルダー24を移動して高倍率の例えば対物レンズ25dが選択される。同時に、観察用CCDカメラ20で撮像した画像により上述と同様にして焦点調整がなされる。さらに、観察光学系2を移動して、欠陥部が観察用CCDカメラ20の観察領域中央に位置付けられる。   When the defective portion is positioned at the center of the observation area of the observation CCD camera 20, the motor 26B is driven to move the lens holder 24 and select, for example, the objective lens 25d having a high magnification. At the same time, focus adjustment is performed in the same manner as described above using the image captured by the observation CCD camera 20. Furthermore, the observation optical system 2 is moved so that the defect portion is positioned at the center of the observation area of the observation CCD camera 20.

以下、図4及び図5を参照してパターン修正動作を説明する。
先ず、図4(a)又は図5(a)に示すように、TFT液晶基板7の例えば配線パターン34上の欠陥部35を挟んで両側の配線パターン34の保護膜36上にコンタクトホール38A,38B(図5(b)参照)を形成する位置が設定される。この位置設定は、例えば、制御用コンピュータのモニター画面上で配線パターン34上の所定の2点P1,P2をクリックして、それぞれの位置座標を記憶することによって行なう。
Hereinafter, the pattern correction operation will be described with reference to FIGS.
First, as shown in FIG. 4A or FIG. 5A, contact holes 38A and 38A are formed on the protective film 36 of the wiring pattern 34 on both sides of the TFT liquid crystal substrate 7 with, for example, the defect portion 35 on the wiring pattern 34 interposed therebetween. A position for forming 38B (see FIG. 5B) is set. This position setting is performed, for example, by clicking predetermined two points P1 and P2 on the wiring pattern 34 on the monitor screen of the control computer and storing the respective position coordinates.

次に、点P1,P2の位置座標を読み出して観察光学系2をX,Y軸方向に移動し、対物レンズ25dの光軸を点P1,P2上に順次位置付ける。そして、観察光学系2が点P1,P2にそれぞれ位置づけられた状態で、図1に示すパルスレーザ光源31からパルスレーザ37(図4(b)参照)を発射して点P1,P2に照射する。このとき、パルスレーザ37は、スリット32によりトリミングされて整形され、保護膜36表面から配線パターン34の表面に達するコンタクトホール38A,38Bを形成する。   Next, the position coordinates of the points P1 and P2 are read, the observation optical system 2 is moved in the X and Y axis directions, and the optical axis of the objective lens 25d is sequentially positioned on the points P1 and P2. Then, with the observation optical system 2 positioned at points P1 and P2, respectively, the pulse laser light source 31 shown in FIG. 1 emits a pulse laser 37 (see FIG. 4B) and irradiates the points P1 and P2. . At this time, the pulse laser 37 is trimmed and shaped by the slit 32 to form contact holes 38A and 38B reaching the surface of the wiring pattern 34 from the surface of the protective film 36.

こうしてコンタクトホール38A,38Bが形成されると、再度、点P1の位置座標が読み出され、観察光学系2を移動して対物レンズ25dの光軸が点P1に位置付けられる。そして、この状態で、上述と同様にしてモータ26Bを駆動してレンズホルダー24を移動し、例えば上記対物レンズ25dと同倍率であり塗布装置5を外側面に備えた対物レンズ25eが選択される。この場合、上記対物レンズ25eの結像面は、他の対物レンズ25a〜25dの結像面よりも上方に位置するようにされているので、上記対物レンズ25eが選択されたときには、光学系機構部23を下方に移動させ、対物レンズ25eを下降させる。そして、観察用CCDカメラ20によるコンタクトホール38Aの撮像画像の先鋭度を測りながら対物レンズ25eの結像面をTFT液晶基板7面に一致させるように焦点調整する。これにより、上記塗布装置5のディスペンサノズル28の先端部28aがコンタクトホール38Aに位置付けられることになる。   When the contact holes 38A and 38B are thus formed, the position coordinates of the point P1 are read again, the observation optical system 2 is moved, and the optical axis of the objective lens 25d is positioned at the point P1. In this state, the motor 26B is driven to move the lens holder 24 in the same manner as described above, and for example, the objective lens 25e having the same magnification as the objective lens 25d and having the coating device 5 on the outer surface is selected. . In this case, since the imaging surface of the objective lens 25e is positioned above the imaging surfaces of the other objective lenses 25a to 25d, the optical system mechanism is selected when the objective lens 25e is selected. The part 23 is moved downward to lower the objective lens 25e. Then, the focus adjustment is performed so that the imaging surface of the objective lens 25e coincides with the surface of the TFT liquid crystal substrate 7 while measuring the sharpness of the captured image of the contact hole 38A by the observation CCD camera 20. Thereby, the front-end | tip part 28a of the dispenser nozzle 28 of the said coating device 5 is positioned in the contact hole 38A.

次に、図4(c)又は図5(c)に示すように、上記塗布装置5のディスペンサノズル28の先端部28bから修正材としてのAgペースト39が吐出されてコンタクトホール38Aに充填される。さらに、ディスペンサノズル28からAgペースト39を吐出しながら点P1,P2の位置座標に基づいて観察光学系2が同図に示す矢印C方向に移動され、図4(d)又は図5(d)に示すように、Agペースト39のラインがコンタクトホール38Aからコンタクトホール38Bまで引かれる。そして、点P2の位置で観察光学系2の移動が停止され、コンタクトホール38BにAgペースト39が充填される。これにより、図5(d)に示すように、欠陥部35がAgペースト39によって接続されることとなる。   Next, as shown in FIG. 4C or FIG. 5C, an Ag paste 39 as a correction material is discharged from the tip 28b of the dispenser nozzle 28 of the coating device 5 to fill the contact hole 38A. . Further, while the Ag paste 39 is being discharged from the dispenser nozzle 28, the observation optical system 2 is moved in the direction of the arrow C shown in FIG. 4 (d) or FIG. 5 (d) based on the position coordinates of the points P1 and P2. As shown in FIG. 4, a line of Ag paste 39 is drawn from the contact hole 38A to the contact hole 38B. Then, the movement of the observation optical system 2 is stopped at the position of the point P2, and the Ag paste 39 is filled in the contact hole 38B. As a result, as shown in FIG. 5D, the defective portion 35 is connected by the Ag paste 39.

欠陥部35に対するAgペースト39の塗布が終了すると、観察光学系2のX軸方向の位置が観察光学系2の駆動機構に設けられたエンコーダによって読み取られ、該位置データと予め記憶された加熱手段6A,6Bの中心位置のX軸方向の位置データとが比較され、最も距離の近い例えば加熱手段6Aが選択される。そして、図2に示す搬送ローラ11が駆動されて、図6(a)に示すように、上記選択された加熱手段6Aの加熱領域AR内に欠陥部35が位置付けられるようにTFT液晶基板7が例えば矢印A方向に移動される。なお、欠陥部35の位置がいずれかの加熱手段6A,6Bの加熱領域AR内にある場合には、TFT液晶基板7はその場に止まり移動されない。   When the application of the Ag paste 39 to the defective portion 35 is completed, the position of the observation optical system 2 in the X-axis direction is read by an encoder provided in the drive mechanism of the observation optical system 2, and the position data and pre-stored heating means The position data in the X-axis direction of the center positions of 6A and 6B are compared, and for example, the heating means 6A having the shortest distance is selected. Then, the transport roller 11 shown in FIG. 2 is driven, and as shown in FIG. 6A, the TFT liquid crystal substrate 7 is positioned so that the defective portion 35 is positioned in the heating area AR of the selected heating means 6A. For example, it is moved in the direction of arrow A. When the position of the defect portion 35 is in the heating area AR of any one of the heating means 6A and 6B, the TFT liquid crystal substrate 7 stops on the spot and is not moved.

選択された加熱手段6Aの加熱領域AR内に欠陥部35が位置付けられると、ステージ1の気体の噴射が止められ、TFT液晶基板7は、図6(b)に示すように矢印D方向に吸着されてステージ1に固定される。さらに、加熱手段6Aが待機位置から上昇してTFT液晶基板7の裏面に面接触する。そして、300℃程度の熱が約10秒間付与されて、図4(d)又は図5(d)に示す欠陥部35上に塗布されたAgペースト39が焼成される。このようにして、パターンの欠陥部35の修正が終了する。   When the defective portion 35 is positioned in the heating area AR of the selected heating means 6A, the gas injection of the stage 1 is stopped, and the TFT liquid crystal substrate 7 is adsorbed in the direction of arrow D as shown in FIG. And fixed to the stage 1. Further, the heating means 6A rises from the standby position and comes into surface contact with the back surface of the TFT liquid crystal substrate 7. Then, heat of about 300 ° C. is applied for about 10 seconds, and the Ag paste 39 applied on the defective portion 35 shown in FIG. 4D or FIG. 5D is baked. In this way, the correction of the defective portion 35 of the pattern is completed.

なお、本発明のパターン修正装置は、TFT液晶基板7の配線パターン34の欠陥部35の修正に用いられるものに限られず、基板に形成されたパターンの欠陥部を修正するものであれば如何なる装置にも適用することができる。   The pattern correcting device of the present invention is not limited to the one used for correcting the defective portion 35 of the wiring pattern 34 of the TFT liquid crystal substrate 7, and any device can be used as long as it corrects the defective portion of the pattern formed on the substrate. It can also be applied to.

また、ステージ1は、一方向に長く形成された単位ステージ8を上面が同一平面をなすように所定間隔で複数平行に並べたものに限られず、中央部に開口部10を有して枠状に形成され、パターンを形成した基板の縁部を保持し、加熱手段は、その上面がステージ1の開口部10と略同等の大きさに形成されて待機位置から上昇して基板の裏面に面接触し、欠陥部35に塗布された修正材を加熱して硬化させるようにしてもよい。これにより、全ての欠陥部35に対する修正材の塗布が終了した後に一括して硬化させることができ、パターン修正処理時間をより短縮することができる。   The stage 1 is not limited to the unit stage 8 formed long in one direction and arranged in parallel at a predetermined interval so that the upper surface forms the same plane. The stage 1 has an opening 10 in the center and has a frame shape. The heating means holds the edge of the substrate on which the pattern is formed, and the heating means is formed so that the upper surface thereof is approximately the same size as the opening 10 of the stage 1 and rises from the standby position to face the back surface of the substrate. The correction material that contacts and is applied to the defective portion 35 may be heated and cured. Thereby, after application | coating of the correction material with respect to all the defective parts 35 is complete | finished, it can harden | cure collectively and a pattern correction process time can be shortened more.

さらには、ステージ1は、中央部に開口部10を有して枠状に形成され、パターンを形成した基板の縁部を保持し、加熱手段は、その上面が所定の大きさに形成されて撮像手段の下方に対向して一つ配置され、該撮像手段の移動に同期してステージ1の開口部10内を水平に二次元方向に移動し、パターン欠陥部35の位置で上昇してTFT液晶基板7の裏面に面接触し、欠陥部35に塗布された修正材を加熱して硬化させるようにしてもよい。これにより、加熱手段の加熱面が小さくても欠陥部35に塗布された修正材を確実に加熱することができる。   Furthermore, the stage 1 is formed in a frame shape having an opening 10 at the center, holds the edge of the substrate on which the pattern is formed, and the heating means has an upper surface formed in a predetermined size. One TFT is arranged facing the lower side of the image pickup means, moves in the two-dimensional direction horizontally in the opening 10 of the stage 1 in synchronization with the movement of the image pickup means, rises at the position of the pattern defect portion 35, and is turned on. The correction material applied to the defect portion 35 may be heated and cured by surface contact with the back surface of the liquid crystal substrate 7. Thereby, even if the heating surface of a heating means is small, the correction material apply | coated to the defect part 35 can be heated reliably.

本発明によるパターン修正装置の実施形態を示す正面図である。It is a front view which shows embodiment of the pattern correction apparatus by this invention. 上記実施形態におけるステージ及び加熱手段の一構成例を示す平面図である。It is a top view which shows the example of 1 structure of the stage and heating means in the said embodiment. 図2のO−O線断面図である。It is the OO sectional view taken on the line of FIG. 上記パターン修正装置によるパターン修正について説明する斜視図である。It is a perspective view explaining the pattern correction by the said pattern correction apparatus. 上記パターン修正装置によるパターン修正について説明する縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view explaining the pattern correction by the said pattern correction apparatus. 上記実施形態において、基板の欠陥部が加熱手段上まで移動され、その後加熱手段が上昇して欠陥部を加熱する状態を示す説明図である。In the said embodiment, it is explanatory drawing which shows the state which the defect part of a board | substrate is moved to a heating means, and a heating means raises after that, and heats a defect part.

符号の説明Explanation of symbols

1…ステージ
2…観察光学系
6A,6B…加熱手段
7…TFT液晶基板
8…単位ステージ
12…噴射孔
13…吸引孔
10…開口部
35…欠陥部
39…Agペースト(修正材)

DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Stage 2 ... Observation optical system 6A, 6B ... Heating means 7 ... TFT liquid crystal substrate 8 ... Unit stage 12 ... Injection hole 13 ... Suction hole 10 ... Opening part 35 ... Defect part 39 ... Ag paste (correcting material)

Claims (4)

上面に所定形状の開口部を設け、パターンが形成された基板を水平に保持するステージと、
前記ステージの上方に配設され、水平・垂直の三次元方向に移動して前記ステージに保持された基板のパターンの欠陥部を拡大観察する観察光学系と、
前記ステージの開口部内に配設され、待機位置から上昇して前記ステージに保持された基板の裏面に面接触し、前記パターンの欠陥部に塗布された修正材を加熱して硬化させる加熱手段と、
を備えたことを特徴とするパターン修正装置。
A stage that has an opening of a predetermined shape on the upper surface and holds the substrate on which the pattern is formed horizontally,
An observation optical system that is arranged above the stage and moves in a horizontal and vertical three-dimensional direction and magnifies and observes a defective portion of a pattern of the substrate held on the stage;
A heating means disposed in the opening of the stage, rising from a standby position and in surface contact with the back surface of the substrate held on the stage, and heating and curing the correction material applied to the defective portion of the pattern; ,
A pattern correction apparatus comprising:
前記ステージは、一方向に長く形成された単位ステージを上面が同一平面をなすように所定間隔で複数個並べて隣接する単位ステージ間を開口部とし、該単位ステージの並び方向に前記基板を移動可能な構造とし、
前記加熱手段は、前記隣接する単位ステージ間の開口部内にそれぞれ配設され、前記単位ステージの長手方向に水平に移動し、前記パターンの欠陥部の位置で上昇する構造とした、
ことを特徴とする請求項1記載のパターン修正装置。
A plurality of unit stages that are long in one direction are arranged at predetermined intervals so that the upper surface forms the same plane, and an opening is formed between adjacent unit stages, and the substrate can be moved in the direction in which the unit stages are arranged. Structure,
The heating means is disposed in the opening between the adjacent unit stages, moves horizontally in the longitudinal direction of the unit stage, and rises at the position of the defective portion of the pattern.
The pattern correction apparatus according to claim 1.
前記単位ステージは、その上面に気体を吸引する複数個の吸引孔を形成し、前記基板を吸着して保持可能としたことを特徴とする請求項2記載のパターン修正装置。   The pattern correction apparatus according to claim 2, wherein the unit stage is formed with a plurality of suction holes for sucking a gas on an upper surface thereof so as to suck and hold the substrate. 前記単位ステージは、その上面に気体を噴射する多数個の噴射孔と、気体を吸引する複数個の吸引孔とを形成し、前記気体の噴射と吸引とをバランスさせて前記基板を所定のエアギャップを介して前記ステージの上面に保持可能としたことを特徴とする請求項2記載のパターン修正装置。

The unit stage has a plurality of injection holes for injecting gas on its upper surface and a plurality of suction holes for sucking the gas, and balances the injection and suction of the gas so that the substrate has a predetermined air. The pattern correction apparatus according to claim 2, wherein the pattern correction apparatus can be held on the upper surface of the stage through a gap.

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