JP2007190596A - Method for manufacturing base body, flexible circuit substrate, electrooptical device and electronic equipment - Google Patents

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Kazunari Umetsu
一成 梅津
Yasunobu Kuroki
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a base body by which acceptable number is improved while keeping the quality of divided pieces even when the material of the base body is a resin material in a method for cutting and dividing the base body by using a laser beam. <P>SOLUTION: The method for manufacturing a substrate 4 as the base body is a method for manufacturing the substrate 4 composed of a resin material and provided with a stage where a changed quality part 7 of the material is formed by irradiating the base body 4 with the laser beam 5 and a stage where the divided pieces Q are formed by adding stress F to this base body 4 from the outside. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、基体の製造方法、フレキシブル回路基板、および、電気光学装置、並びに、電子機器に関する。   The present invention relates to a substrate manufacturing method, a flexible circuit board, an electro-optical device, and an electronic apparatus.

近年、表示デバイスなどにフレキシブル性を求める必要性が高まり、基板にフィルムなどの樹脂材料を用いる傾向が増えている。また、フレキシブル回路基板に樹脂材料を用いることは、久しい。この場合、マザー基板もしくはリールテープからフレキシブル回路基板を固片に切り出す方法として、高品質で高精度な製造方法が求められている。そこで、合成樹脂フィルムや、架橋樹脂シートなどの樹脂材料からなる基板を切断して分割する方法に、レーザ光を照射させて、切断・分割する方法があった。   In recent years, there has been an increasing need for flexibility in display devices and the like, and there is an increasing tendency to use resin materials such as films for substrates. Moreover, it has been a long time to use a resin material for the flexible circuit board. In this case, a high-quality and high-precision manufacturing method is required as a method of cutting a flexible circuit board into a single piece from a mother board or reel tape. Therefore, as a method of cutting and dividing a substrate made of a resin material such as a synthetic resin film or a crosslinked resin sheet, there is a method of cutting and dividing by irradiating a laser beam.

例えば特許文献1に開示されているように、合成樹脂フィルムの基板を切断・分割する方法では、その切断予定ラインに沿ってレーザ光を照射させて、切断・分割して分割片を形成する方法が提案されていた。また、例えば特許文献2に開示されているように、架橋樹脂シートの基板を切断・分割して分割片を形成する方法でも、同様な提案がされていた。   For example, as disclosed in Patent Document 1, in a method of cutting / dividing a synthetic resin film substrate, a method of forming a divided piece by cutting / dividing by irradiating a laser beam along the planned cutting line Has been proposed. Further, as disclosed in, for example, Patent Document 2, a similar proposal has been made for a method of cutting and dividing a cross-linked resin sheet substrate to form divided pieces.

特開平5−69169号公報Japanese Patent Laid-Open No. 5-69169 特開平10−151676号公報JP-A-10-151676

ところが、特許文献1および特許文献2の方法では、合成樹脂フィルムや、架橋樹脂シートなどの基板上にレーザ光を照射させて分割・切断する方法なので、基板を切断するためにはある程度の切断幅(切り代)が必要であった。このため、切断幅が多く必要になると、一枚の基板から分割片を取り出すときの取り個数を減らすことにもなり、分割片の取り個数を増やすことには限度があった。さらに、特許文献2の方法では、炭酸ガスレーザを励起して発生させたレーザ光を基板に照射させて基板を切断する方法なので、デブリと呼ばれる加工クズが発生することがあった。そして、この発生した加工クズが分割片の切断部分付近に付着することによる品質の劣化や、加工クズがレーザ加工装置に付着して堆積することにより、レーザ加工装置のメンテナンス(加工クズの定期的な回収)が必要であった。   However, in the methods of Patent Document 1 and Patent Document 2, since a method of dividing and cutting a substrate such as a synthetic resin film or a crosslinked resin sheet by irradiating a laser beam, a certain cutting width is required to cut the substrate. (Cutting allowance) was necessary. For this reason, when a large cutting width is required, the number of pieces to be taken out when a piece is taken out from a single substrate is reduced, and there is a limit to increasing the number of pieces taken up. Furthermore, in the method of Patent Document 2, since the substrate is cut by irradiating the substrate with laser light generated by exciting a carbon dioxide laser, processing debris called debris may occur. Then, the generated processing scrap adheres to the vicinity of the cut portion of the split piece, and the quality deteriorates or the processing scrap adheres to and accumulates on the laser processing apparatus. Recovery) was necessary.

本発明の目的は、レーザ光を用いて基体を切断・分割する方法において、基体の材料が樹脂材料であっても、分割片の品質を維持しながら、取り個数も向上させることが可能な基体の製造方法を提供することである。   An object of the present invention is a method of cutting and dividing a substrate using a laser beam, which can improve the number of pieces while maintaining the quality of divided pieces even if the substrate material is a resin material. It is to provide a manufacturing method.

本発明の基体の製造方法は、樹脂材料からなる基体の製造方法であって、前記基体にレーザ光を照射させて、材料変質部を形成する工程と、前記基体に応力を加えて、分割片を形成する工程と、を備えていることを特徴とする。   The substrate manufacturing method of the present invention is a method for manufacturing a substrate made of a resin material, the step of irradiating the substrate with a laser beam to form a material-modified part, and applying stress to the substrate to divide the piece. And a step of forming the structure.

この発明によれば、基体が樹脂材料であっても、基体にレーザ光を照射させることで基体に材料変質部を形成することができる。そこで、基体に外部から応力を加えることで、材料変質部に沿って基体を切断・分割するから、切断幅を必要としないで分割片を形成することができる。したがって、取り個数を向上させることができる。しかも、切断・分割時に異物が発生しない製造方法なので、異物付着による品質の低下を防止することが可能である。   According to the present invention, even if the substrate is a resin material, the material altered portion can be formed on the substrate by irradiating the substrate with laser light. Therefore, by applying stress to the base from the outside, the base is cut and divided along the material-affected portion, so that the divided pieces can be formed without requiring a cutting width. Therefore, the number of picks can be improved. In addition, since it is a manufacturing method in which foreign matter does not occur during cutting and division, it is possible to prevent quality deterioration due to foreign matter adhesion.

本発明の基体の製造方法は、前記基体は、レーザ光に対して透過性を有する樹脂材料からなる材料で構成されており、前記材料変質部を形成する工程では、前記基体に前記レーザ光を集光素子で集光して照射させて、前記材料変質部を形成することが望ましい。   In the method for manufacturing a substrate according to the present invention, the substrate is made of a material made of a resin material that is transparent to laser light. In the step of forming the material altered portion, the laser beam is applied to the substrate. It is desirable that the material altered portion is formed by condensing and irradiating with a condensing element.

この発明によれば、基体にレーザ光を集光素子で集光して照射させると、基体がレーザ光を透過することができる樹脂材料であるから、基体がレーザ光を吸収することができるので、基体の所定の位置に材料変質部を形成することが簡単にできる。   According to this invention, when the laser beam is condensed and irradiated on the substrate by the light condensing element, the substrate can absorb the laser beam because the substrate is a resin material that can transmit the laser beam. Thus, it is possible to easily form the material altered portion at a predetermined position of the substrate.

本発明の基体の製造方法は、前記材料変質部を形成する工程では、前記レーザ光は、YAGレーザであり、前記YAGレーザの基本波を照射させて、前記材料変質部を形成することが望ましい。   In the method of manufacturing a substrate according to the present invention, in the step of forming the material altered portion, the laser beam is preferably a YAG laser, and the material altered portion is preferably formed by irradiating a fundamental wave of the YAG laser. .

この発明によれば、YAGレーザの基本波を基体に照射させると、YAGレーザの基本波が、樹脂材料に対して透過性を有している波長であるので、基体の所定の位置に材料変質部を形成することが簡単にできる。   According to the present invention, when the fundamental wave of the YAG laser is irradiated onto the substrate, the fundamental wave of the YAG laser has a wavelength that is transparent to the resin material. The part can be formed easily.

本発明の基体の製造方法は、前記材料変質部を形成する工程では、前記レーザ光を回折光学素子により複数のビームに分岐させ、前記複数のビームを照射させて、前記材料変質部を形成することが望ましい。   In the method of manufacturing a substrate according to the present invention, in the step of forming the material altered portion, the laser beam is branched into a plurality of beams by a diffractive optical element, and the plurality of beams are irradiated to form the material altered portion. It is desirable.

この発明によれば、レーザ光を回折光学素子により複数のビームに分岐させることで、ビームが分割されるから、分割されたビームを基体に照射することによって、基体に材料変質部を複数形成できる。   According to the present invention, the laser beam is split into a plurality of beams by the diffractive optical element, so that the beams are split. Therefore, a plurality of material-affected portions can be formed on the base by irradiating the base with the split beams. .

本発明の基体の製造方法は、前記分割片を形成する工程では、前記基体に曲げ応力または引っ張り応力のうち、いずれかの応力を加えて、前記分割片を形成することが望ましい。   In the substrate manufacturing method of the present invention, in the step of forming the divided pieces, it is desirable that the divided pieces are formed by applying any one of bending stress and tensile stress to the substrate.

この発明によれば、基体に応力を加えるだけで基体を切断・分割することができるので、分割片を簡単に形成することができる。   According to the present invention, since the base can be cut and divided only by applying stress to the base, the divided pieces can be easily formed.

本発明のフレキシブル回路基板は、前述に記載の基体の製造方法を用いて形成されていることを特徴とするフレキシブル回路基板。   The flexible circuit board of the present invention is formed using the above-described substrate manufacturing method.

この発明によれば、効率的に形成されているので、より安価なフレキシブル回路基板を提供することができる。   According to this invention, since it is formed efficiently, a cheaper flexible circuit board can be provided.

本発明の電気光学装置は、前述に記載のフレキシブル回路基板を備えていることを特徴とする。   An electro-optical device according to the present invention includes the flexible circuit board described above.

この発明によれば、より安価なフレキシブル回路基板を備えているので、より安価な電気光学装置を提供することができる。   According to the present invention, since a cheaper flexible circuit board is provided, a cheaper electro-optical device can be provided.

本発明の電子機器は、前述に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする。   An electronic apparatus according to the present invention includes the electro-optical device described above.

この発明によれば、より安価な電気光学装置を備えているので、より安価な電子機器を提供することができる。   According to the present invention, since a cheaper electro-optical device is provided, a cheaper electronic device can be provided.

以下、本発明の基体の製造方法について実施形態を挙げ、添付図面に沿って詳細に説明する。なお、本発明の特徴的な製造方法について説明する前に、基体、材料変質部の形成方法、について説明する。
<基体>
Hereinafter, embodiments of the method for producing a substrate of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Before describing the characteristic manufacturing method of the present invention, a method for forming a substrate and a material altered portion will be described.
<Substrate>

本発明に用いうる基体は、その材料に樹脂材料(主に、高分子材料)を用いることができる。例えばポリイミド、ペット、ポリカーボネート、アクリルなど各種の樹脂材料を用いることができる。また、これら樹脂材料を用いた基板の表面に、半導体膜、金属膜、誘電体膜、有機膜などの下地膜が形成されたものを基板として用いてもよい。なお、ここでは、樹脂材料として下地膜を備えていないポリイミドを用いた。
<材料変質部の形成方法>
The substrate that can be used in the present invention can use a resin material (mainly a polymer material) as its material. For example, various resin materials such as polyimide, pet, polycarbonate, and acrylic can be used. Further, a substrate in which a base film such as a semiconductor film, a metal film, a dielectric film, or an organic film is formed on the surface of a substrate using these resin materials may be used as the substrate. Here, polyimide not provided with a base film was used as the resin material.
<Formation method of material alteration part>

レーザ光を照射して基体に材料変質部を形成する方法について説明する。   A method for forming a material altered portion on a substrate by irradiating laser light will be described.

図1は、レーザ光による改質層としての材料変質部の形成方法を説明するための説明図である。   FIG. 1 is an explanatory diagram for explaining a method for forming a material-affected portion as a modified layer by laser light.

図1において、基体としての基板4の内部にレーザ光5を集光して照射させて、スキャン方向X(分割方向)に、レーザ光5をスキャンする。レーザ光5は集光素子としてのレンズ6で集光されるから、基板4の内部に焦点を合わせることができる。スキャン方向X(分割方向)に、レーザ光5をスキャンさせると、基板4の内部に材料変質部7を形成できる。なお、レーザ光5のスキャン方向Xにおける移動速度は、100mm/secである。基板4の厚さは約200μmである。   In FIG. 1, a laser beam 5 is condensed and irradiated inside a substrate 4 as a base, and the laser beam 5 is scanned in a scanning direction X (dividing direction). Since the laser beam 5 is condensed by the lens 6 as a condensing element, the laser beam 5 can be focused inside the substrate 4. When the laser beam 5 is scanned in the scanning direction X (division direction), the material-affected portion 7 can be formed inside the substrate 4. The moving speed of the laser beam 5 in the scanning direction X is 100 mm / sec. The thickness of the substrate 4 is about 200 μm.

また、レーザ光5を1回スキャンさせるだけでは、改質層としての材料変質部7のできる量が数十μmであるので、基板4の深さ方向全域に材料変質部7を形成するためには、レーザ光5を何回かスキャン方向X(分割方向)にスキャンさせる必要がある。そして、レーザ光5をスキャンさせるごとに、集光素子としてのレンズ6の焦点位置を基板4の下面から上面に向かって上昇させる。ここで、基板4の下面から上面に向けてレーザ光5の焦点位置を上昇させるのは、先に形成された材料変質部7によってレーザ光5が散乱してしまい、基板4の深さ方向全域にわたって材料変質部7を形成することができなくなることを避けるためである。   Further, since the amount of the material altered portion 7 as the modified layer can be several tens of μm only by scanning the laser beam 5 once, in order to form the material altered portion 7 in the entire depth direction of the substrate 4. Needs to scan the laser beam 5 several times in the scanning direction X (division direction). Then, each time the laser beam 5 is scanned, the focal position of the lens 6 as a condensing element is raised from the lower surface to the upper surface of the substrate 4. Here, the reason why the focal position of the laser beam 5 is raised from the lower surface to the upper surface of the substrate 4 is that the laser beam 5 is scattered by the previously formed material alteration portion 7, and the entire region in the depth direction of the substrate 4. This is to prevent the material altered portion 7 from being unable to be formed.

(実施形態)
本実施形態では、樹脂材料の基体にレーザ光を照射させて、基体の内部に材料変質部を形成し、応力を外部から加えて基体を切断・分割して分割片を形成する製造方法について説明する。
(Embodiment)
In the present embodiment, a manufacturing method is described in which a resin material base is irradiated with laser light to form a material-modified portion inside the base, and stress is applied from the outside to cut and split the base to form divided pieces. To do.

図2は、本実施形態における基体を切断・分割して分割片を形成する製造方法を示す図であり、同図(a)は、材料変質部の形成過程を示す図であり、同図(b)は、応力を加える状態を示す図であり、同図(c)は、分割片を示す図である。   FIG. 2 is a diagram showing a manufacturing method for cutting and dividing the base body in this embodiment to form divided pieces, and FIG. 2 (a) is a diagram showing a process of forming a material altered portion. (b) is a figure which shows the state which applies stress, The figure (c) is a figure which shows a division | segmentation piece.

図2(a)に示すように、基体としての基板4は、その材料が樹脂材料であり、ポリイミドである。   As shown in FIG. 2A, the material of the substrate 4 as a base is a resin material, which is polyimide.

レーザ光5は、集光素子としてのレンズ6で集光され、集光素子としてのレンズ6で集光されたレーザ光5を基板4の下面側に焦点位置が合うように照射する。なお、照射されたレーザ光5は、基板4の深さ方向全域で焦点位置が合うように配置されている。そして、集光点を徐々に基板4の上面側に移動させながらレーザ光5を照射していく。そして、多光子吸収という現象を利用することにより、基板4の深さ方向全域に改質層としての材料変質部7を形成する。   The laser light 5 is condensed by a lens 6 as a condensing element, and the laser light 5 condensed by the lens 6 as a condensing element is irradiated to the lower surface side of the substrate 4 so that the focal point is in focus. The irradiated laser beam 5 is arranged so that the focal position is aligned over the entire depth direction of the substrate 4. Then, the laser beam 5 is irradiated while gradually moving the condensing point to the upper surface side of the substrate 4. Then, by utilizing the phenomenon of multiphoton absorption, the material-modified part 7 as a modified layer is formed in the entire depth direction of the substrate 4.

なお、レーザ光5の詳細な条件は以下のとおりである。使用するレーザ光源は、半導体レーザを励起するものである。レーザ媒質:Nd:YAG。レーザ波長:1064nm。レーザ光スポット断面積:3.14×10-8cm2。発振形態:Qスイッチパルス。繰り返し周波数:100KHz。パルス幅:30ns。出力:20μJ/パルス。レーザ光品質:TEM00。偏光特性:直線偏光(C)。集光用レンズ倍率:50倍。NA:0.55。レーザ光波長に対する透過率:60%(D)。移動速度:100mm/secである。 The detailed conditions of the laser beam 5 are as follows. The laser light source used excites the semiconductor laser. Laser medium: Nd: YAG. Laser wavelength: 1064 nm. Laser light spot cross section: 3.14 × 10 −8 cm 2 . Oscillation form: Q switch pulse. Repeat frequency: 100 KHz. Pulse width: 30 ns. Output: 20 μJ / pulse. Laser light quality: TEM 00 . Polarization characteristics: linearly polarized light (C). Condenser lens magnification: 50 times. NA: 0.55. Transmittance with respect to laser light wavelength: 60% (D). Movement speed: 100 mm / sec.

また、使用するYAGレーザのレーザ波長は、1064nmにこだわることはなく、例えば第2高調波を用いてもよい。第2高調波のレーザ波長は、532nmである。   The laser wavelength of the YAG laser used does not stick to 1064 nm, and for example, the second harmonic may be used. The laser wavelength of the second harmonic is 532 nm.

図2(b)に示すように、基板4の上面側から基板4に対して応力Fを加える。基板4の外部から応力Fを加える方法としては、例えば切断予定ラインに沿って基板4に曲げや、せん断応力を加えることである。また、基板4に温度差を与えることによって熱応力を発生させることもできる。なお、基板4の厚さがより薄いような場合には、材料変質部7を形成することにより、基板4は、材料変質部7に沿って自然に割れることがある。   As shown in FIG. 2B, stress F is applied to the substrate 4 from the upper surface side of the substrate 4. As a method of applying the stress F from the outside of the substrate 4, for example, bending or applying a shear stress to the substrate 4 along a planned cutting line. Further, thermal stress can be generated by giving a temperature difference to the substrate 4. In addition, when the thickness of the board | substrate 4 is thinner, the board | substrate 4 may break naturally along the material alteration part 7 by forming the material alteration part 7. FIG.

図2(c)に示すように、基板4を分割して分割片Qを形成する。材料変質部7を有する基板4に対して外部から応力Fを加えると、分割片Qを簡単に形成することができる。   As shown in FIG. 2C, the substrate 4 is divided to form divided pieces Q. When the stress F is applied from the outside to the substrate 4 having the material altered portion 7, the divided pieces Q can be easily formed.

なお、レーザ光5を基板4に照射して基板4の切断予定ラインに沿って材料変質部7を形成してから基板4を切断・分割するので、切断時の切りくずを発生させることがない。例えば炭酸ガスレーザで切断するときのような、デブリと呼ばれる加工クズが発生することはない。そして、レーザ光5を集光素子としてのレンズ6で集光させてから基板4に照射して切断・分割する方法なので、炭酸ガスレーザで切断するときのような分割に必要な切断幅を必要としない。切断幅が必要なくなるので、一枚の基板4から分割片Qの取り個数を増加させることができる。結果的に、材料の節約をすることができるので、生産性を向上することができる。   In addition, since the substrate 4 is cut and divided after the laser beam 5 is irradiated onto the substrate 4 to form the material alteration portion 7 along the planned cutting line of the substrate 4, chips are not generated during cutting. . For example, there is no processing debris called debris that occurs when cutting with a carbon dioxide laser. Then, since the laser beam 5 is condensed by the lens 6 as a condensing element and then irradiated to the substrate 4 to cut and divide, the cutting width necessary for division as when cutting with a carbon dioxide gas laser is required. do not do. Since the cutting width is not necessary, the number of division pieces Q taken from one substrate 4 can be increased. As a result, the material can be saved, so that productivity can be improved.

図3は、本実施形態におけるテープ状基板を切断・分割して配線基板を形成する製造方法を示す図である。   FIG. 3 is a view showing a manufacturing method for forming a wiring board by cutting and dividing the tape-like board in the present embodiment.

図3に示すように、基板4は、複数のスプロケットホール12、複数のリード20、半導体チップ30、などで概略構成されている。基板4は、テープ状であり、その端部には複数のスプロケットホール12が形成されている。なお、基板4の厚みは、その材質により決まることが多いが、特に限定されるものではない。   As shown in FIG. 3, the substrate 4 is roughly configured by a plurality of sprocket holes 12, a plurality of leads 20, a semiconductor chip 30, and the like. The substrate 4 is in the form of a tape, and a plurality of sprocket holes 12 are formed at the end thereof. The thickness of the substrate 4 is often determined by its material, but is not particularly limited.

基板4は、複数のリード20を有しており、リード20の材料は、銅(Cu)、クローム(Cr)、チタン(Ti)、ニッケル(Ni)、チタンタングステン(Ti−W)、金(Au)、アルミニウム(Al)、ニッケルバナジウム(NiV)、タングステン(W)のうちのいずれかを積層して、あるいはいずれかの一層で形成してもよい。例えば、スパッタリング等によってリード20を形成してもよいし、無電解メッキでリード20を形成するアディティブ法を適用してもよい。   The substrate 4 has a plurality of leads 20, and the material of the leads 20 is copper (Cu), chrome (Cr), titanium (Ti), nickel (Ni), titanium tungsten (Ti-W), gold ( Any one of Au), aluminum (Al), nickel vanadium (NiV), and tungsten (W) may be laminated or formed in any one layer. For example, the lead 20 may be formed by sputtering or the like, or an additive method for forming the lead 20 by electroless plating may be applied.

基板4には複数の半導体チップ30が搭載されている。半導体チップ30には集積回路が形成されており、半導体チップ30の平面形状は一般的には矩形状であるが、これに限定されるものではない。   A plurality of semiconductor chips 30 are mounted on the substrate 4. An integrated circuit is formed on the semiconductor chip 30, and the planar shape of the semiconductor chip 30 is generally rectangular, but is not limited thereto.

基板4の構成は、以上のようであって、以下に基板4から配線基板10を取り出す製造方法について説明する。   The configuration of the substrate 4 is as described above, and a manufacturing method for taking out the wiring substrate 10 from the substrate 4 will be described below.

図3において、基板4の切断予定ラインLに沿って材料変質部7を形成し、外部から応力を基板4に加えて基板4を切断・分割することによって、配線基板10を得る。ここで、切断予定ラインLに沿って材料変質部7を形成する方法や、切断・分割方法は、図2に示す製造方法による。そして、基板4を切断・分割することによって、配線基板10が得られる。得られた配線基板10は、複数のリード20と、半導体チップ30とを備えている。   In FIG. 3, the material altered portion 7 is formed along the planned cutting line L of the substrate 4, and the substrate 4 is cut and divided by applying stress to the substrate 4 from the outside to obtain the wiring substrate 10. Here, the method for forming the material altered portion 7 along the planned cutting line L and the cutting / dividing method are based on the manufacturing method shown in FIG. Then, the wiring board 10 is obtained by cutting and dividing the board 4. The obtained wiring board 10 includes a plurality of leads 20 and a semiconductor chip 30.

図4は、本実施形態におけるテープ状基板の搬送方法を説明するための説明図である。   FIG. 4 is an explanatory diagram for explaining a method of transporting the tape-shaped substrate in the present embodiment.

図4に示すように、リールR1、R2、R3、R4が、4箇所に配置されており、これらリールR1、R2、R3、R4が、テープ状の基板4を支持している。そして、スプロケットホール12(図3参照)にスプロケット(図示省略)をはめ合わせて、テープ状の基板4をリール・トゥ・リールにより矢印の方向に搬送することができる。   As shown in FIG. 4, reels R 1, R 2, R 3, R 4 are arranged at four locations, and these reels R 1, R 2, R 3, R 4 support the tape-like substrate 4. Then, the sprocket (not shown) is fitted to the sprocket hole 12 (see FIG. 3), and the tape-like substrate 4 can be conveyed in the direction of the arrow by reel-to-reel.

ここで、図2および図3に示す方法で、基板4から一つ目の配線基板10を取り出すことができたら、基板4を矢印の方向に搬送させる。そして、二つ目の配線基板10を取り出すための準備ができる。次に、二つ目の配線基板10を取り出すことができたら、基板4を矢印の方向に搬送させる。そして、三つ目の配線基板10を取り出すための準備ができる。このように配線基板10の取り出し作業を複数回繰り返すことによって、基板4から複数の配線基板10を取り出すことができる。   Here, if the first wiring substrate 10 can be taken out from the substrate 4 by the method shown in FIGS. 2 and 3, the substrate 4 is transported in the direction of the arrow. Then, preparations for taking out the second wiring board 10 can be made. Next, when the second wiring board 10 can be taken out, the board 4 is transported in the direction of the arrow. And the preparation for taking out the 3rd wiring board 10 is completed. As described above, the wiring board 10 can be taken out from the board 4 by repeating the work of taking out the wiring board 10 a plurality of times.

図5は、本実施形態における電気光学装置を示す図である。   FIG. 5 is a diagram illustrating the electro-optical device according to the present embodiment.

図5に示すように、電気光学装置としての液晶表示装置100は、半導体チップ30を備えた配線基板10、回路基板101とで概略構成されている。回路基板101には、上述した配線基板10が電気的に接続されている。配線基板10は、電気光学装置としての液晶表示装置100に用いられ、電気光学装置としての液晶表示装置100は、例えば、液晶表示装置、プラズマディスプレイ装置、エレクトロルミネセンスディスプレイ装置などであって、電気光学物質(液晶・放電ガス・発光材料など)を有する。また、配線基板10のその他の用途としては、インクジェットヘッド、腕時計、NOTE―PC、PDA(Personal Digital Assistants)、電子ペーパなどを構成する部品の一つとして好適に用いられる。   As shown in FIG. 5, a liquid crystal display device 100 as an electro-optical device is roughly configured by a wiring substrate 10 provided with a semiconductor chip 30 and a circuit substrate 101. The above-described wiring board 10 is electrically connected to the circuit board 101. The wiring substrate 10 is used in a liquid crystal display device 100 as an electro-optical device, and the liquid crystal display device 100 as an electro-optical device is, for example, a liquid crystal display device, a plasma display device, an electroluminescence display device, etc. It has optical substances (liquid crystal, discharge gas, luminescent material, etc.). Further, as other uses of the wiring board 10, it is suitably used as one of components constituting an inkjet head, a wristwatch, NOTE-PC, a PDA (Personal Digital Assistants), electronic paper, and the like.

図6は、本実施形態における電子機器を示す図である。   FIG. 6 is a diagram illustrating an electronic apparatus according to the present embodiment.

図6に示すように、本実施形態の電子機器としての携帯電話200は、上述した液晶表示装置100を表示手段として搭載している。携帯電話200は、表示部201を備えている。このように本発明に係る電子機器としての携帯電話200は、簡単に切断・分割することが可能な電気光学装置としての液晶表示装置100を備えることができるので、生産効率の良好な電子機器としての携帯電話200を提供できる。また、電子機器としては、携帯電話200にこだわることはなく、例えばプリンタ、腕時計、NOTE―PC、PDA、電子ペーパ、と呼ばれる携帯型情報機器、携帯端末機器、パーソナルコンピュータ、ワードプロセッサ、デジタルスチルカメラ、車載用モニタ、モニタ直視型のデジタルビデオレコーダ、カーナビゲーション装置、電子手帳、ワークステーション、テレビ電話機、POS端末機等々の画像表示手段として好適に用いることができる。このようにすれば、電気光学装置としての液晶表示装置100の用途は広がり、いろいろな電子機器を提供できる。   As shown in FIG. 6, a mobile phone 200 as an electronic apparatus according to the present embodiment includes the above-described liquid crystal display device 100 as a display unit. The mobile phone 200 includes a display unit 201. As described above, the mobile phone 200 as an electronic apparatus according to the present invention can include the liquid crystal display device 100 as an electro-optical device that can be easily cut and divided. Mobile phone 200 can be provided. The electronic device is not particular about the mobile phone 200. For example, a portable information device called a printer, a wristwatch, a NOTE-PC, a PDA, and an electronic paper, a portable terminal device, a personal computer, a word processor, a digital still camera, It can be suitably used as an image display means for a vehicle-mounted monitor, a monitor direct-view digital video recorder, a car navigation device, an electronic notebook, a workstation, a video phone, a POS terminal, and the like. By doing so, the use of the liquid crystal display device 100 as an electro-optical device is expanded, and various electronic devices can be provided.

以上のような実施形態では、以下の効果が得られる。   In the embodiment as described above, the following effects can be obtained.

(1)基体としての基板4が樹脂材料であっても、基板4にレーザ光5を照射させることで基板4に材料変質部7を形成することができる。そこで、基板4に外部から応力Fを加えることで、材料変質部7に沿って基板4を切断・分割することができるから、切断幅を必要としないで分割片Qを形成することができる。切断幅がなくなれば、取り個数を向上させることができる。しかも、切断・分割時に異物が発生しない製造方法なので、異物付着による品質の低下を防止することが可能である。
(2)基板4にレーザ光5を集光素子としてのレンズ6で集光して照射させると、基板4がレーザ光5を透過することができる樹脂材料であるから、基板4がレーザ光5を吸収することができるので、基板4の所定の位置に材料変質部7を形成することが簡単にできる。
(3)YAGレーザの基本波を基板4に照射させると、YAGレーザの基本波が、樹脂材料に対して透過性を有している波長なので、基体4の所定の位置に材料変質部7を形成することが簡単にできる。
(4)レーザ光5を回折光学素子6により複数のビームに分岐させることで、ビームが分割されるから、分割されたビームを基体4に照射することによって、基体4に材料変質部7を複数形成できる。材料変質部7を複数形成できれば、短時間で基体4を切断・分割して、分割片Qを形成できる。
(5)基体4に応力Fを加えるだけで基体4を切断・分割することができるので、分割片Qを簡単に形成することができる。
(6)品質を維持しながら、かつ、効率的に切断・分割することができるので、より安価なフレキシブル回路基板としての配線基板10を提供することができる。
(7)より安価なフレキシブル回路基板としての配線基板10を備えているので、より安価な電気光学装置としての液晶表示装置100を提供することができる。
(8)より安価な電気光学装置としての液晶表示装置100を備えているので、より安価な電子機器としての携帯電話200を提供することができる。
(1) Even if the substrate 4 as a base is a resin material, the material-modified part 7 can be formed on the substrate 4 by irradiating the substrate 4 with the laser beam 5. Therefore, by applying the stress F to the substrate 4 from the outside, the substrate 4 can be cut / divided along the material altered portion 7, so that the divided pieces Q can be formed without requiring a cutting width. If the cutting width is eliminated, the number of cuts can be improved. In addition, since it is a manufacturing method in which foreign matter does not occur during cutting and division, it is possible to prevent quality deterioration due to foreign matter adhesion.
(2) Since the substrate 4 is a resin material capable of transmitting the laser beam 5 when the substrate 4 is irradiated with the laser beam 5 condensed by the lens 6 as a condensing element, the substrate 4 is the laser beam 5. Therefore, it is possible to easily form the material altered portion 7 at a predetermined position of the substrate 4.
(3) When the substrate 4 is irradiated with the fundamental wave of the YAG laser, the fundamental wave of the YAG laser has a wavelength that is transmissive to the resin material. Easy to form.
(4) The laser beam 5 is split into a plurality of beams by the diffractive optical element 6, so that the beams are split. By irradiating the base 4 with the split beams, a plurality of material altered portions 7 are formed on the base 4. Can be formed. If a plurality of material-affected portions 7 can be formed, the base 4 can be cut and divided in a short time to form the divided pieces Q.
(5) Since the base body 4 can be cut and divided simply by applying the stress F to the base body 4, the divided pieces Q can be easily formed.
(6) Since it can be cut and divided efficiently while maintaining quality, it is possible to provide the wiring board 10 as a more inexpensive flexible circuit board.
(7) Since the wiring board 10 as a cheaper flexible circuit board is provided, the liquid crystal display device 100 as a cheaper electro-optical device can be provided.
(8) Since the liquid crystal display device 100 as a cheaper electro-optical device is provided, the mobile phone 200 as a cheaper electronic device can be provided.

以上、好ましい実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、以下に示すような変形をも含み、本発明の目的を達成できる範囲で、他のいずれの具体的な構造および形状に設定できる。   The present invention has been described above with reference to preferred embodiments. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and includes modifications as described below, as long as the object of the present invention can be achieved. It can be set to any other specific structure and shape.

(変形例1)前述の実施形態で、レーザ光5の集光方法として、基板4の厚さ方向に集光点を移動させながら集光して照射させたが、これに限らない。例えば図7に示すように、発散角の異なる複数のレーザ光5を集光素子としてのレンズ6により集光して照射してもかまわない。このようにすれば、実施形態と同様の効果が得られる他に、材料変質部7の形成にかかる時間を短縮することができるから、加工効率を向上することが可能となる。   (Modification 1) In the above-described embodiment, as a method of condensing the laser light 5, the light is condensed and irradiated while moving the condensing point in the thickness direction of the substrate 4. However, the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. 7, a plurality of laser beams 5 having different divergence angles may be condensed and irradiated by a lens 6 as a condensing element. In this way, the same effects as in the embodiment can be obtained, and the time required for forming the material altered portion 7 can be shortened, so that the processing efficiency can be improved.

(変形例2)前述の実施形態で、レーザ光5の集光方法として、基板4の厚さ方向に集光点を移動させながら集光して照射させたが、これに限らない。例えば図8に示すように、レーザ光5を回折光学素子である集光素子としてのレンズ6により複数のビームに分岐して多点同時に照射してもかまわない。このようにすれば、実施形態と同様の効果が得られる他に、材料変質部7の形成にかかる時間を短縮することができるから、加工効率を向上することが可能となる。   (Modification 2) In the above-described embodiment, as a method of condensing the laser beam 5, the light is condensed and irradiated while moving the condensing point in the thickness direction of the substrate 4. However, the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. 8, the laser beam 5 may be split into a plurality of beams by a lens 6 as a condensing element, which is a diffractive optical element, and irradiated at multiple points simultaneously. In this way, the same effects as in the embodiment can be obtained, and the time required for forming the material altered portion 7 can be shortened, so that the processing efficiency can be improved.

(変形例3)前述の実施形態で、改質層としての材料変質部7は、基板4の深さ方向全域に形成されていることが望ましいが、これに限らない。例えば基板4に小さな応力Fを加えて分割できる程度の深さに形成されていてもよい。このようにしても、基板4を切断・分割して分割片Qを形成することができるから、前述の実施形態と同様の効果が得られる。   (Modification 3) In the above-described embodiment, it is desirable that the material altered portion 7 as the modified layer is formed in the entire region in the depth direction of the substrate 4, but is not limited thereto. For example, the substrate 4 may be formed to a depth that can be divided by applying a small stress F. Even in this case, since the divided piece Q can be formed by cutting and dividing the substrate 4, the same effect as in the above-described embodiment can be obtained.

(変形例4)前述の実施形態で、改質層としての材料変質部7を形成してから基板4に外部から応力Fを加えて、基板4を切断・分割して分割片Qを形成したが、これに限らない。例えば基板4に応力Fを加えながら材料変質部7を形成してもよい。このようにしても、基板4を切断・分割して分割片Qを形成することができるから、前述の実施形態と同様の効果が得られる。   (Modification 4) In the above-described embodiment, after the material alteration portion 7 as a modified layer is formed, a stress F is applied to the substrate 4 from the outside, and the substrate 4 is cut and divided to form divided pieces Q. However, it is not limited to this. For example, the material altered portion 7 may be formed while applying the stress F to the substrate 4. Even in this case, since the divided piece Q can be formed by cutting and dividing the substrate 4, the same effect as in the above-described embodiment can be obtained.

レーザ光による改質層としての材料変質部の形成方法を説明するための説明図。Explanatory drawing for demonstrating the formation method of the material alteration part as a modified layer by a laser beam. 本実施形態における基体を切断・分割して分割片を形成する製造方法を示す図であり、同図(a)は、材料変質部の形成過程を示す図であり、同図(b)は、応力を加える状態を示す図であり、同図(c)は、分割片を示す図。It is a figure which shows the manufacturing method which cut | disconnects and divides | segments the base | substrate in this embodiment, and forms a division | segmentation piece, The figure (a) is a figure which shows the formation process of a material alteration part, The figure (b) It is a figure which shows the state which applies stress, The figure (c) is a figure which shows a division | segmentation piece. 本実施形態におけるテープ状基板を切断・分割して配線基板を形成する製造方法を示す図。The figure which shows the manufacturing method which cuts and divides | segments the tape-shaped board | substrate in this embodiment, and forms a wiring board. テープ状基板の搬送方法を説明するための説明図。Explanatory drawing for demonstrating the conveyance method of a tape-shaped board | substrate. 電気光学装置を示す図。The figure which shows an electro-optical apparatus. 電子機器を示す図。FIG. 9 illustrates an electronic device. 変形例1における発散角の異なる複数のレーザ光を集光素子により集光して照射する例を示す図。The figure which shows the example which condenses and irradiates the several laser beam from which the divergence angle differs in the modification 1 with a condensing element. 変形例2におけるレーザ光を回折光学素子により複数のビームに分岐して多点同時に照射する例を示す図。The figure which shows the example which divides | segments the laser beam in the modification 2 into a several beam with a diffractive optical element, and irradiates multiple points simultaneously.

符号の説明Explanation of symbols

4…基体としての基板、5…レーザ光、6…集光素子としてのレンズ、7…改質層としての材料変質部、10…フレキシブル回路基板としての配線基板、100…電気光学装置としての液晶表示装置、200…電子機器としての携帯電話、F…応力、Q…分割片。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 4 ... Board | substrate as a base | substrate, 5 ... Laser beam, 6 ... Lens as a condensing element, 7 ... Material alteration part as a modification layer, 10 ... Wiring board as a flexible circuit board, 100 ... Liquid crystal as an electro-optical device Display device, 200... Mobile phone as electronic device, F... Stress, Q.

Claims (8)

樹脂材料からなる基体の製造方法であって、
前記基体にレーザ光を照射させて、材料変質部を形成する工程と、
前記基体に応力を加えて、分割片を形成する工程と、
を備えていることを特徴とする基体の製造方法。
A method for producing a substrate made of a resin material,
Irradiating the base with a laser beam to form a material altered portion; and
Applying stress to the substrate to form divided pieces;
A method for producing a substrate, comprising:
請求項1に記載の基体の製造方法において、
前記基体は、レーザ光に対して透過性を有する樹脂材料からなる材料で構成されており、
前記材料変質部を形成する工程では、
前記基体に前記レーザ光を集光素子で集光して照射させて、
前記材料変質部を形成することを特徴とする基体の製造方法。
In the manufacturing method of the base according to claim 1,
The base is made of a material made of a resin material that is transparent to laser light,
In the step of forming the material altered portion,
Condensing the laser beam to the substrate with a condensing element,
A method of manufacturing a substrate, wherein the material-affected portion is formed.
請求項1または請求項2に記載の基体の製造方法において、
前記材料変質部を形成する工程では、
前記レーザ光は、YAGレーザであり、前記YAGレーザの基本波を照射させて、
前記材料変質部を形成することを特徴とする基体の製造方法。
In the manufacturing method of the base | substrate of Claim 1 or Claim 2,
In the step of forming the material altered portion,
The laser beam is a YAG laser and is irradiated with a fundamental wave of the YAG laser.
A method for manufacturing a substrate, comprising forming the material-affected portion.
請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載の基体の製造方法において、
前記材料変質部を形成する工程では、
前記レーザ光を回折光学素子により複数のビームに分岐させ、前記複数のビームを照射させて、
前記材料変質部を形成することを特徴とする基体の製造方法。
In the manufacturing method of the base according to any one of claims 1 to 3,
In the step of forming the material altered portion,
Branching the laser light into a plurality of beams by a diffractive optical element, irradiating the plurality of beams,
A method for manufacturing a substrate, comprising forming the material-affected portion.
請求項1〜請求項4のいずれか一項に記載の基体の製造方法において、
前記分割片を形成する工程では、
前記基体に曲げ応力または引っ張り応力のうち、いずれかの応力を加えて、前記分割片を形成することを特徴とする基体の製造方法。
In the manufacturing method of the base according to any one of claims 1 to 4,
In the step of forming the divided pieces,
A method of manufacturing a substrate, comprising applying the stress to the substrate in any one of bending stress and tensile stress to form the divided pieces.
請求項1〜請求項5のいずれか一項に記載の基体の製造方法を用いて形成されていることを特徴とするフレキシブル回路基板。   A flexible circuit board formed by using the method for manufacturing a substrate according to any one of claims 1 to 5. 請求項6に記載のフレキシブル回路基板を備えていることを特徴とする電気光学装置。   An electro-optical device comprising the flexible circuit board according to claim 6. 請求項7に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。
An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 7.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017107985A (en) * 2015-12-09 2017-06-15 株式会社ディスコ Wafer processing method
CN109473349A (en) * 2017-09-08 2019-03-15 株式会社迪思科 The processing method of chip
KR20190028317A (en) * 2017-09-08 2019-03-18 가부시기가이샤 디스코 Method for processing wafer
KR20190028312A (en) * 2017-09-08 2019-03-18 가부시기가이샤 디스코 Method for processing wafer
KR20190028323A (en) * 2017-09-08 2019-03-18 가부시기가이샤 디스코 Method for processing wafer

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017107985A (en) * 2015-12-09 2017-06-15 株式会社ディスコ Wafer processing method
CN109473349A (en) * 2017-09-08 2019-03-15 株式会社迪思科 The processing method of chip
KR20190028302A (en) * 2017-09-08 2019-03-18 가부시기가이샤 디스코 Processing method of wafer
KR20190028317A (en) * 2017-09-08 2019-03-18 가부시기가이샤 디스코 Method for processing wafer
KR20190028312A (en) * 2017-09-08 2019-03-18 가부시기가이샤 디스코 Method for processing wafer
KR20190028323A (en) * 2017-09-08 2019-03-18 가부시기가이샤 디스코 Method for processing wafer
JP2019050249A (en) * 2017-09-08 2019-03-28 株式会社ディスコ Wafer processing method
JP2019050262A (en) * 2017-09-08 2019-03-28 株式会社ディスコ Wafer processing method
JP7009027B2 (en) 2017-09-08 2022-01-25 株式会社ディスコ Wafer processing method
TWI797156B (en) * 2017-09-08 2023-04-01 日商迪思科股份有限公司 Wafer processing method
KR102581138B1 (en) * 2017-09-08 2023-09-20 가부시기가이샤 디스코 Method for processing wafer
KR102581128B1 (en) * 2017-09-08 2023-09-20 가부시기가이샤 디스코 Method for processing wafer
KR102581129B1 (en) * 2017-09-08 2023-09-20 가부시기가이샤 디스코 Processing method of wafer
CN109473349B (en) * 2017-09-08 2023-10-31 株式会社迪思科 Wafer processing method
KR102631706B1 (en) * 2017-09-08 2024-01-30 가부시기가이샤 디스코 Method for processing wafer

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