JP2007184999A - 電力変換装置 - Google Patents

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Makoto Nakanishi
誠 中西
Masahiro Kinoshita
雅博 木下
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Abstract

【課題】短絡検出用の電流センサを設けることなしに短絡検出できる電力変換装置を得る。
【解決手段】交流電力を直流電力に変換する第1〜第3の半導体スイッチ、各半導体スイッチに並列に接続される第1〜第3の直流コンデンサ、各半導体スイッチと各直流コンデンサの接続点にそれぞれ接続される上下一組の第1〜第3のヒューズからなる第1〜第3の半導体スイッチアームユニットと、交流電力を直流電力に変換する第4〜第6の半導体スイッチ、各半導体スイッチに並列に接続される第4〜第6の直流コンデンサ、各半導体スイッチと各直流コンデンサの接続点にそれぞれ接続される上下一組の第4〜第6のヒューズからなる第4〜第6の半導体スイッチアームユニットとを備える。
【選択図】図1

Description

この発明は、交流電源を所望の電圧、周波数に変換する電力変換装置に関するものである。
図18は、従来の電力変換器の回路図であり、図18において、2bは直流コンデンサ、1cu、1cv、1cwはオン/オフ動作によって交流入力を直流電圧に変換する半導体スイッチ、1iu、1iv、1iwはオン/オフ動作によって直流電圧を交流出力に変換する半導体スイッチ、3u1、3v1、3w1、3x1、3y1、3z1、3u2、3v2、3w2、3x2、3y2、3z2は上記半導体スイッチと直流コンデンサ2bを接続する位置に挿入されるヒューズ、4は上記半導体スイッチの上下アームが同時オンした状態(直流短絡状態)を検出する電流センサ、11は直流コンデンサ2bの電圧を検出する電圧センサである。
図18において、図の左側から供給される電力は、半導体スイッチ1cu、1cv、及び1cwのオン/オフ動作によって、ヒューズ3u1、3v1、3w1、3x1、3y1、及び3z1を通り、直流コンデンサ2bに蓄積される。また、直流コンデンサ2bに蓄積された電力は、半導体スイッチ1iu、1iv、及び1iwのオン/オフ動作によって、ヒューズ3u2、3v2、3w2、3x2、3y2、及び3z2を通り、図18の右側へ出力される。図19に直流短絡時の電流の流れを示す。例えば、半導体スイッチ1cuの上下アームが同時オンした場合、直流コンデンサ2bより、ヒューズ3u1、半導体スイッチ1cu、ヒューズ3x1を介して短絡電流が流れる。この短絡電流を電流センサ4にて検出し、半導体スイッチ全てをオフすることで回路を保護している。
特開平8−214537号公報(第2図)
従来の電力変換装置は以上のように構成されているので、短絡検出用に電流センサを設けているため、経済的でない装置構成であるという問題点があった。
この発明は上記のような課題を解決するためになされたものであり、短絡検出用の電流センサを設けることなしに短絡検出できる電力変換装置を得ることを目的とする。
この発明に係る電力変換装置においては、交流電力を直流電力に変換する第1の半導体スイッチ、この第1の半導体スイッチに並列に接続される第1の直流コンデンサ、第1の半導体スイッチと第1の直流コンデンサの接続点にそれぞれ接続される上下一組の第1のヒューズからなる第1の半導体スイッチアームユニットと、交流電力を直流電力に変換する第2の半導体スイッチ、この第2の半導体スイッチに並列に接続される第2の直流コンデンサ、第2の半導体スイッチと第2の直流コンデンサの接続点にそれぞれ接続される上下一組の第2のヒューズからなる第2の半導体スイッチアームユニットと、交流電力を直流電力に変換する第3の半導体スイッチ、この第3の半導体スイッチに並列に接続される第3の直流コンデンサ、第3の半導体スイッチと第3の直流コンデンサの接続点にそれぞれ接続される上下一組の第3のヒューズからなる第3の半導体スイッチアームユニットと、直流電力を所望の交流電力に変換する第4の半導体スイッチ、この第4の半導体スイッチに並列に接続される第4の直流コンデンサ、第4の半導体スイッチと第4の直流コンデンサの接続点にそれぞれ接続される上下一組の第4のヒューズからなる4の半導体スイッチアームユニットと、直流電力を所望の交流電力に変換する第5の半導体スイッチ、この第5の半導体スイッチに並列に接続される第5の直流コンデンサ、第5の半導体スイッチと第5の直流コンデンサの接続点にそれぞれ接続される上下一組の第5のヒューズからなる第5の半導体スイッチアームユニットと、直流電力を所望の交流電力に変換する第6の半導体スイッチ、この第6の半導体スイッチに並列に接続される第6の直流コンデンサ、第6の半導体スイッチと第6の直流コンデンサの接続点にそれぞれ接続される上下一組の第6のヒューズからなる第6の半導体スイッチアームユニットとを備え、上下一組の第1のヒューズ、上下一組の第2のヒューズ、上下一組の第3のヒューズにおけるそれぞれの半導体スイッチと反対側の上下接続点はそれぞれ1点に接続されており、上下一組の第4のヒューズ、上下一組の第5のヒューズ、上下一組の第6のヒューズにおけるそれぞれの半導体スイッチと反対側の上下接続点はそれぞれ1点に接続されており、第1のヒューズ、第2のヒューズ、第3のヒューズの上側の1点に接続された上側接続点と、上記第4のヒューズ、第5のヒューズ、第6のヒューズの上側の1点に接続された上側接続点は直接接続されており、同様に第1のヒューズ、第2のヒューズ、第3のヒューズの下側の1点に接続された下側接続点と、第4のヒューズ、第5のヒューズ、第6のヒューズの下側の1点に接続された下側接続点は直接接続されているものである。
この発明によれば、直流電圧センサを用いて直流短絡状態を検出できるため、短絡検出用の電流センサを設ける必要がなく、経済的に優れた装置を得ることができる。
実施の形態1.
以下、この発明の実施の形態1を図1に基づいて説明する。
図1において、2b11は第1の直流コンデンサ、2b21は第2の直流コンデンサ、2b31は第3の直流コンデンサ、2b12は第4の直流コンデンサ、2b22は第5の直流コンデンサ、2b32は第6の直流コンデンサ、1cuはオン/オフ動作によって交流入力を直流電圧に変換する第1の半導体スイッチ、1cvはオン/オフ動作によって交流入力を直流電圧に変換する第2の半導体スイッチ、1cwはオン/オフ動作によって交流入力を直流電圧に変換する第3の半導体スイッチ、1iuはオン/オフ動作によって直流電圧を所望の交流出力に変換する第4の半導体スイッチ、1ivはオン/オフ動作によって直流電圧を所望の交流出力に変換する第5の半導体スイッチ、1iwはオン/オフ動作によって直流電圧を所望の交流出力に変換する第6の半導体スイッチ、3u1、3x1は上記第1の半導体スイッチ1cuと第1の直流コンデンサ2b11を接続する位置に挿入される上下一組の第1のヒューズ、3v1、3y1は上記第2の半導体スイッチ1cvと第2の直流コンデンサ2b21を接続する位置に挿入される上下一組の第2のヒューズ、3w1、3z1は上記第3の半導体スイッチ1cwと第3の直流コンデンサ2b31を接続する位置に挿入される上下一組の第3のヒューズ、3u2、3x2は上記第4の半導体スイッチ1iuと第4の直流コンデンサ2b12を接続する位置に挿入される上下一組の第4のヒューズ、3v2、3y2は上記第5の半導体スイッチ1ivと第5の直流コンデンサ2b22を接続する位置に挿入される上下一組の第5のヒューズ、3w2、3z2は上記第6の半導体スイッチ1iwと第6の直流コンデンサ2b32を接続する位置に挿入される上下一組の第6のヒューズ、11は各直流コンデンサ2bの電圧を検出する電圧センサ、5は電圧センサ11の出力を入力とする直流短絡検出回路、6は直流短絡検出回路5の構成要素であるハイパスフィルタ、7は上記ハイパスフィルタの出力と検出レベル1の比較をする比較器、8は直流短絡検出回路5の出力信号により半導体スイッチを全数オフするゲートパルス発生回路である。なお、第1の半導体スイッチ1cu、第1の直流コンデンサ2b11、第1のヒューズ3u1、3x1により第1の半導体アームユニットが構成されている。以下、第2〜第6の半導体アームユニットも同様に構成されている。
次に動作について説明する。上記電圧センサ11により検出される直流電圧が急変した場合に、直流短絡検出回路5はゲートパルス発生回路8に半導体スイッチ全てをオフするように信号を出力する。図2に直流短絡時の電流の流れを示す。例えば、第1の半導体スイッチ1cuの上下アームが同時オンした場合、各直流コンデンサ2b11、2b21、2b31、2b12、2b22、2b32より短絡点である第1の半導体スイッチ1cuへ短絡電流が流れ込む。図19に示した従来の場合に比べて短絡電流の経路が多く存在することになる。
今、図19に示した従来の場合の回路と、図2に示したこの発明の回路とをそれぞれ簡単化したものを図3、図4に示す。
従来の場合を示す図3において、L11、L12は直流コンデンサ2bを含む変換ユニットから短絡点までの回路インダクタンス、L13、L14は直流コンデンサ2bを含む変換ユニット内の回路インダクタンスとする。この発明の回路を示す図4にお、L21、L22は直流コンデンサ2b11を含む変換ユニットから短絡点までの回路インダクタンス、L23、L24は直流コンデンサ2b11を含む変換ユニット内の回路インダクタンス、L31、L32は直流コンデンサ2b21を含む変換ユニットから短絡点までの回路インダクタンス、L33、L34は直流コンデンサ2b21を含む変換ユニット内の回路インダクタンス、L41、L42は直流コンデンサ2b31を含む変換ユニットから短絡点までの回路インダクタンス、L43、L44は直流コンデンサ2b31を含む変換ユニット内の回路インダクタンスとし、図2の直流コンデンサ2b12、2b22、2b32に関する回路に関しては省略している。相対的には、従来の場合の直流コンデンサ2bはこの発明の回路の直流コンデンサ2b11、2b21、2b31より大きなものであり、その為構造上、L11+L12 > L21+L22、L31+L32、L41+L42である。変換ユニット内の回路インダクタンスに関しては、ほぼ同等の値を考えられる。
(L13+L14≒L23+L24、L33+L34、L43+L44)。また、直流コンデンサ2b、2b11、2b21、2b31に印加される電圧は同じであり、それぞれV1、V2、V3、V4、直流短絡時の電流をそれぞれi1、i2、i3、i4とすると V1/(L11+L12+L13+L14)=di1/dt、V2/(L21+L22+L23+L24)=di2/dt、V3/(L31+L32+L33+L34)=di3/dt、V4/(L41+L42+L43+L44)=di4/dt、であるので電流変化分だけを比較すると di1/dt < di2/dt、di3/dt、di4/dtとなる。直流コンデンサ2bの容量は、2b11、2b21、2b31より大きいこともあり直流短絡時の電圧の変化分を比較すると V1の変化分 < V2の変化分、V3の変化分、V4の変化分であり、まとめると従来回路図18に比べて実施の形態1の回路(図1)の方が直流短絡時の直流電圧変化分が大きいことが解かる。つまり、直流短絡時に直流電圧の落ち込みが大きい分直流電圧の検出だけて短絡を検出できることになる。
ここで、直流短絡検出回路5を更に詳しく説明する。図5に直流短絡検出回路5の詳細図を示す。図5において、6は直流短絡検出回路5の構成要素であるハイパスフィルタ、7は上記ハイパスフィルタ6の出力と検出レベル1の比較をする比較器、9は信号1を入力とし、信号2を出力する一次遅れフィルタ、10はこの一次遅れフィルタ9の出力(信号2)と一次遅れフィルタ9の入力(信号1)を加算し信号3を出力する加算器である。比較器7はハイパスフィルタ6の出力である信号3が検出レベル1より大きい場合、ゲートパルス発生回路8に半導体スイッチ全てをオフするように信号を出力し回路を保護する。
ここでハイパスフィルタ6の入出力の関係を詳しく説明する。例えば、図6に示す入力があった時、一次遅れフィルタ9の出力は図7のようになり、加算器10の出力(信号3a)は図8のようになる。図9に示すような検出レベル1であったなら、検出レベル1より信号3aは大きいため比較器7はゲートパルス発生回路8に半導体スイッチ全てをオフするように信号を出力し回路を保護する。すなわち、図6のような急峻な入力の変化の場合、直流短絡状態と判断する。次に、図10に示す入力があった時、一次遅れフィルタ9の出力は図11のようになり、加算器10の出力(信号3b)は図12のようになる。図9に示したと同じレベルの検出レベル1であったなら、図13に示すように検出レベル1より信号3bは小さいため、比較器7はゲートパルス発生回路8に半導体スイッチ全てをオフするような信号を出力しない。すなわち、図10のような緩やかな入力の変化の場合、直流短絡状態と判断しない。さらに、図14に示す入力があった時、一次遅れフィルタ9の出力は図15のようになり、加算器10の出力(信号3c)は図16のようになる。図9に示したと同じレベルの検出レベル1であったなら、図17に示すように検出レベル1より信号3cは大きいため、比較器7はゲートパルス発生回路8に半導体スイッチ全てをオフするように信号を出力し回路を保護する。すなわち、図14のような急峻な入力の変化の場合、直流短絡状態と判断する。
以上のように、上記実施の形態1では、直流電圧センサを用いて直流短絡状態を検出できるため、短絡検出用の電流センサを設ける必要がなく、経済的に優れた装置を得ることができる。
この発明の実施の形態1における電力変換装置を示すシステム構成図である。 この発明の実施の形態1における電力変換装置の直流短絡時の電流の経路を示す図である。 比較対比のために従来の電力変換装置の回路を簡略化した図である。 この発明の実施の形態1における電力変換装置の回路を簡略化した図である。 この発明の実施の形態1における直流短絡検出回路を示す詳細図である。 この発明の実施の形態1における直流短絡検出回路の入力信号例1を示す図である。 この発明の実施の形態1における直流短絡検出回路の入力信号例1の時の内部信号1を示す図である。 この発明の実施の形態1における直流短絡検出回路の入力信号例1の時の内部信号2を示す図である。 この発明の実施の形態1における直流短絡検出回路の入力信号例1の時の内部信号3を示す図である。 この発明の実施の形態1における直流短絡検出回路の入力信号例2を示す図である。 この発明の実施の形態1における直流短絡検出回路の入力信号例2の時の内部信号1を示す図である。 この発明の実施の形態1における直流短絡検出回路の入力信号例2の時の内部信号2を示す図である。 この発明の実施の形態1における直流短絡検出回路の入力信号例2の時の内部信号3を示す図である。 この発明の実施の形態1における直流短絡検出回路の入力信号例3を示す図である。 この発明の実施の形態1における直流短絡検出回路の入力信号例3の時の内部信号1を示す図である。 この発明の実施の形態1における直流短絡検出回路の入力信号例3の時の内部信号2を示す図である。 この発明の実施の形態1における直流短絡検出回路の入力信号例3の時の内部信号3を示す図である。 従来の電力変換装置を示すシステム構成図である。 従来の電力変換装置の直流短絡時の電流の経路を示す図である。
符号の説明
1cu、1cv、1cw、1iu、1iv、1iw 第1〜第6の半導体スイッチ
2b 直流コンデンサ
2b11、2b21、2b31、2b12、2b22、2b32 第1〜第6の直流コンデンサ
3u1と3x1、3v1と3y1、3w1と3z1、3u2と3x2、3v2と3y2、3w2と3z2 上下一組の第1〜第6のヒューズ
4 電流センサ
5 直流短絡検出回路
6 ハイパスフィルタ
7 比較器
8 ゲートパルス発生回路
9 一次遅れフィルタ
10 加算器
11 電圧センサ

Claims (4)

  1. 交流電力を直流電力に変換する第1の半導体スイッチ、この第1の半導体スイッチに並列に接続される第1の直流コンデンサ、上記第1の半導体スイッチと第1の直流コンデンサの接続点にそれぞれ接続される上下一組の第1のヒューズからなる第1の半導体スイッチアームユニットと、
    交流電力を直流電力に変換する第2の半導体スイッチ、この第2の半導体スイッチに並列に接続される第2の直流コンデンサ、上記第2の半導体スイッチと第2の直流コンデンサの接続点にそれぞれ接続される上下一組の第2のヒューズからなる第2の半導体スイッチアームユニットと、
    交流電力を直流電力に変換する第3の半導体スイッチ、この第3の半導体スイッチに並列に接続される第3の直流コンデンサ、上記第3の半導体スイッチと第3の直流コンデンサの接続点にそれぞれ接続される上下一組の第3のヒューズからなる第3の半導体スイッチアームユニットと、
    直流電力を所望の交流電力に変換する第4の半導体スイッチ、この第4の半導体スイッチに並列に接続される第4の直流コンデンサ、上記第4の半導体スイッチと第4の直流コンデンサの接続点にそれぞれ接続される上下一組の第4のヒューズからなる第4の半導体スイッチアームユニットと、
    直流電力を所望の交流電力に変換する第5の半導体スイッチ、この第5の半導体スイッチに並列に接続される第5の直流コンデンサ、上記第5の半導体スイッチと第5の直流コンデンサの接続点にそれぞれ接続される上下一組の第5のヒューズからなる第5の半導体スイッチアームユニットと、
    直流電力を所望の交流電力に変換する第6の半導体スイッチ、この第6の半導体スイッチに並列に接続される第6の直流コンデンサ、上記第6の半導体スイッチと第6の直流コンデンサの接続点にそれぞれ接続される上下一組の第6のヒューズからなる第6の半導体スイッチアームユニットと、を備え、
    上記上下一組の第1のヒューズ、上下一組の第2のヒューズ、上下一組の第3のヒューズにおけるそれぞれの半導体スイッチと反対側の上下接続点はそれぞれ1点に接続されており、
    上記上下一組の第4のヒューズ、上下一組の第5のヒューズ、上下一組の第6のヒューズにおけるそれぞれの半導体スイッチと反対側の上下接続点はそれぞれ1点に接続されており、
    上記第1のヒューズ、第2のヒューズ、第3のヒューズの上側の1点に接続された上側接続点と、上記第4のヒューズ、第5のヒューズ、第6のヒューズの上側の1点に接続された上側接続点は直接接続されており、
    同様に上記第1のヒューズ、第2のヒューズ、第3のヒューズの下側の1点に接続された下側接続点と、上記第4のヒューズ、第5のヒューズ、第6のヒューズの下側の1点に接続された下側接続点は直接接続されていることを特徴とする電力変換装置。
  2. 直流コンデンサの電圧を検出する電圧センサと、
    前記電圧センサの出力を入力とする直流短絡検出回路と、
    前記直流短絡検出回路の出力信号により半導体スイッチを全数オフするゲートパルス発生器と、
    を備えたことを特徴とする請求項1記載の電力変換装置。
  3. 直流短絡検出回路は、ハイパスフィルタと、前記ハイパスフィルタの出力と検出レベルを比較する比較器とから構成したことを特徴とする請求項2記載の電力変換装置。
  4. ハイパスフィルタは、一次遅れフィルタと、前記一次遅れフィルタの出力と一次遅れフィルタの入力を加算し出力する加算器とから構成したことを特徴とする請求項3記載の電力変換装置。
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