JP2007183259A - イオン物質検出用のfet基盤のセンサー、それを備えるイオン物質の検出装置及びそれを利用したイオン物質の検出方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】高感度のイオン物質検出用のFET基盤のセンサー、それを備えるイオン物質の検出装置及びそれを利用したイオン物質の検出方法を提供する。
【解決手段】一の基準電極14及び複数のセンシングFET12を備えるセンシングチャンバ10と、他の基準電極14及び複数の基準FET13を備える基準チャンバ11とを備える。
【選択図】図1
【解決手段】一の基準電極14及び複数のセンシングFET12を備えるセンシングチャンバ10と、他の基準電極14及び複数の基準FET13を備える基準チャンバ11とを備える。
【選択図】図1
Description
本発明は、イオン物質検出用のFET基盤のセンサー、それを備えるイオン物質の検出装置及びそれを利用したイオン物質の検出方法に関する。
電気的な信号でイオン物質、特に生分子を検出するセンサーのうち、トランジスタを備える構造を有するトランジスタ基盤のバイオセンサーがある。これは、半導体工程を利用して製作されるものであって、電気的な信号の遷移が速く、集積回路とMEMS(Micro Erectro Mechanical System)との接続が容易であるという長所があり、これまでこれについての多くの研究が進められてきた。
電界効果トランジスタ(以下、FET(Field Effect Transistor)とする。)を使用して、生物学的な反応を測定する基本特許としては特許文献1がある。これは、抗原−抗体反応を表面電荷密度の変化による半導体反転層の変化を電流で測定するバイオセンサーに関するものであり、また、生分子のうち蛋白質に関するものである。
このようなFETをバイオセンサーとして使用する場合には、従来の方式に比べてコスト及び時間が短縮できることに加え、IC(Integrated Circuit)やMEMS工程との結合が容易であるという点で大きな利点を有している。
前記FET基盤のバイオセンサーのゲート電極の表面にプローブ生分子が固定されている場合もあるし、固定されていない場合もある。FET基盤のバイオセンサーを利用した生分子の検出方法は、前記プローブ生分子が固定されているか、または固定されていないゲート電極の表面とターゲットの生分子が結合することによる電流変化を測定することによって行われるという方法が含まれている。一方、プローブ生分子が固定されていないゲート電極の一定距離内にターゲット生分子が存在することに起因する電流の変化を測定するという方法もある。
従来のFET基盤のバイオセンサーの例として、単一のFETで構成されたセンサーがある。
しかし、従来の前記バイオセンサーは、ゲート電極の表面反応によって自然発生的に発生するドリフトによるノイズや、溶液の流入による圧力によって発生するノイズからターゲット生分子による信号を分離できないという問題がある。
従来のFET基盤のバイオセンサーの他の例として、特許文献2がある。前記バイオセンサーは、一つのチャンバ内に異なる構造及び電気的特性を有する2個のFETで構成され、そのうち一つのFETのゲート表面にプローブ生分子が固定されており、他の一つのFETは、基準FETとして使用される。
しかし、前記バイオセンサーの二つのFETの表面物質が異なっており、基準FETの信号がセンシングFETのようなドリフトを表さないので、基準FETの信号をセンシングFETの信号の補正に利用できない。したがって、前記バイオセンサーは、依然として感度が低いという問題がある。
米国特許第4,238,757号明細書
特開第2003−322633号公報
本発明は、前記従来の技術の問題点を解決するためになされたものであって、本発明の目的は、低い濃度のイオン物質も検出できる、感度が非常に高いイオン物質検出用のFET基盤のセンサーを提供することである。
本発明の他の目的は、低い濃度のイオン物質も検出できる、感度が非常に高いイオン物質の検出装置を提供することである。
本発明のさらに他の目的は、低い濃度のイオン物質も検出できる、感度が非常に高いイオン物質の検出方法を提供することである。
なお、本発明はFETのゲート電極近くにターゲット生分子が存在することによりゲート表面上の電荷密度が変化し、これによりFETのゲート電位、FETの電流が変化するという現象を前提とするものである。従って、プローブ生分子を用いる必要はない。
本発明の目的を達成するために、本発明は、一の基準電極及び複数のFETを備え、前記FETの露出したゲート電極を内側に向けて配置したセンシングチャンバと、他の基準電極及び複数の基準FETを備え、前記基準FETの露出したゲート電極を内側に向けて配置した基準チャンバと、を備えるイオン物質検出用のFET基盤のセンサーを提供する。
前記複数のセンシングFET及び基準FETは、構造及び電気的特性が同一であり得る。
前記複数のセンシングFET及び基準FETは、それぞれアレイ状に配列され得る。
前記センシングFET及び基準FETは、基板と、前記基板の両側端に形成され前記基板と逆極性にそれぞれドーピングされたソース及びドレインと、前記ソース及びドレインと接し、前記基板上に形成されたゲートを備え得る。
前記ゲートは、酸化層及び前記酸化層上のポリシリコン層で構成され得る。
前記イオン物質は、生分子であり得る。
前記生分子は、核酸または蛋白質であり得る。
前記核酸は、DNA、RNA、PNA、LNA及びその混成体からなる群から選択され得る。
前記蛋白質は、酵素、基質、抗原、抗体、リガンド、アプタマー及び受容体からなる群から選択され得る。
前記センシングチャンバ及び基準チャンバは、それぞれ溶液が流入及び流出される流入口及び流出口をさらに備え得る。
前記センシングチャンバ及び基準チャンバは、それぞれ溶液を流入及び流出させるためのマイクロポンプをさらに備え得る。
また、本発明は、前記本発明によるFET基盤のセンサーを備えるイオン物質の検出装置を提供する。
さらに、本発明は、前記本発明によるFET基盤のセンサーのセンシングチャンバ及び基準チャンバに同じ溶液を流入及び流出させながらセンシングFET及び基準FETそれぞれのソースとドレインとの間のチャンネル領域に流れる電流値を測定するステップと、その後、前記基準チャンバに前記と同じ溶液を流入及び流出させ続け、前記センシングチャンバにイオン物質を含有すると推定される溶液を流入及び流出させながら前記センシングFET及び前記基準FETそれぞれのソースとドレインとの間のチャンネル領域に流れる電流値を測定するステップと、を含み、前記センシングFETの電流値から基準FETの電流値を減算して、前記センシングFETの電流値を補正することを含むイオン物質の検出方法を提供する。
前記溶液を流入及び流出するステップは、センシングチャンバ及び基準チャンバにおいて同じ圧力で行われ得る。
前記センシングFET及び基準FETの電流値は、それぞれ複数のセンシングFET及び複数の基準FETの平均電流値であり得る。
前記イオン物質は、生分子であり得る。
前記生分子は、核酸または蛋白質であり得る。
前記核酸は、DNA、RNA、PNA、LNA及びその混成体からなる群から選択され得る。
前記蛋白質は、酵素、基質、抗原、抗体、リガンド、アプタマー及び受容体からなる群から選択され得る。
本発明によれば、ゲート電極の表面反応によって自然発生的に発生するドリフト信号のようなノイズ及び溶液の流入による圧力によって発生する信号のようなノイズから標的生体分子による信号を明確に分離でき、したがって、感度が非常に高く、低い濃度のイオン物質、例えば、核酸または蛋白質のような生体分子も良好に検出できる。
以下、図面を参照して本発明をさらに詳細に説明する。
本発明の一側面は、感度が非常に高く、低い濃度のイオン物質も検出できるイオン物質検出用のFET基盤のセンサーに関する。
本発明はFETのゲート電極近くにターゲット生分子が存在することによりゲート表面上の電荷密度が変化し、これによりFETのゲート電位、FETの電流が変化するという現象を前提としている。
図1は、本発明によるイオン物質検出用のFET基盤のセンサーの一実施形態を概略的に示したものある。
図1には、本発明によるイオン物質検出用のFET基盤のセンサーは、基準電極14及び複数のセンシングFET12を備えるセンシングチャンバ10と、基準電極14及び複数の基準FET13を備える基準チャンバ11と、を備えるイオン物質検出用のFET基盤のセンサーが示されている。
また、図1によれば、前記センシングチャンバ10は、下部基板18、側壁15、17、及び基準電極14の役割を行う上部基板により構成される。同様に、前記基準チャンバ11は、下部基板18、側壁16、17、及び基準電極14の役割を行う上部基板により構成される。
本発明によるイオン物質検出用のFET基盤のセンサーにおいて、前記センシングFET及び基準FETは、構造及び電気的特性が同一であり得る。このように、前記センシングFET及び基準FETの構造が同一で電気的特性がほぼ揃っているか同一である場合は、各FETから得られる信号を補正することによって、さらに正確に信号を検出し得る。
また、図1を参照すれば、前記センシングFET12及び基準FET13は、それぞれ1個ずつ示されているが、これは、図面を単純化するために記載を省略したためである。
前記センシングFET12及び基準FET13は、それぞれ前記センシングチャンバ10及び基準チャンバ11内に多様な形態に配列されることができ、その形態は特に限定されない。
例えば、前記センシングFET12及び基準FET13は、それぞれ同じ基板上にアレイ状に配列され得る。
本発明の第一の側面によるイオン物質検出用のFET基盤のセンサーにおいて、前記各FETは、基板、前記基板の両側端に形成され前記基板と逆極性にそれぞれドーピングされたソース及びドレイン、及び前記ソース及びドレインと接し、前記基板上に形成されたゲートを備え得る。
前記FETは、従来のバイオセンサーまたはCMOS素子に使用されるいかなるFETも使用することができ、n−MOS及びp−MOSの2種類のMOSトランジスターの何れも使用することができる。例えば、前記基板がn型にドーピングされた場合、前記ソース及びドレインは、それぞれp型にドーピングされ、逆に、前記基板がp型にドーピングされた場合、前記ソース及びドレインは、それぞれn型にドーピングされる。
前記FETにおいて、ソースは、例えば自由電子または正孔といったキャリアを供給する。ドレインには、前記ソースから供給されたキャリアが到達する。ゲートは、前記ソースとドレインとの間のキャリアの流れを制御する。前記FETは、電解質内における生体分子のようなイオン物質の検索に最も適したセンサー形態であって、前記イオン物質の有無を標識を用いずに検出し得る。
本発明において、前記ゲートは、酸化層と前記酸化層上のポリシリコン層で構成され得る。前記FETを前記ポリシリコン層が露出されている形態にするためには、例えば、市販されているFETのパッシベーション層及びゲート電極層を除去することによって製作され得る。
また、前記ゲートは、酸化層、前記酸化層上に形成されたポリシリコン層及び前記ポリシリコン層上に形成されたゲート電極層から構成され得る。前記ゲート電極層は、いかなる材質によっても形成し得るが、金であることが望ましい。
本発明においては、ターゲット生分子である前記イオン物質は、特に限定されない。例えば、前記イオン物質は、核酸または蛋白質のような生分子であり得る。
前記核酸は、DNA、RNA、PNA、LNA及びその混成体からなる群から選択され、前記蛋白質は、酵素、基質、抗原、抗体、リガンド、アプタマー及び受容体からなる群から選択され得る。
本発明においては、前記センシングチャンバ及び基準チャンバは、それぞれ溶液が流入、流出される流入口、流出口をさらに備え得る。
本発明においては、前記センシングチャンバ及び基準チャンバは、それぞれ溶液を流入及び流出させるためのマイクロポンプをさらに備え得る。
本発明の第二の側面は、低い濃度のイオン物質も検出できる、感度の非常に高いイオン物質の検出装置に関する。
図2は、本発明によるイオン物質検出用のFET基盤のセンサーを備えるイオン物質の検出装置の一実施形態を概念的に示したものである。
図2によれば、前記本発明によるイオン物質検出用のFET基盤のセンサーを備えるイオン物質の検出装置は、基準電極及び複数のセンシングFETを備えるセンシングチャンバ10と、基準電極及び複数の基準FETを備える基準チャンバ11とを備える。
また、前記本発明によるイオン物質検出用のFET基盤のセンサーを備えるイオン物質の検出装置は、前記センシングチャンバ10に供給する溶液を保存する1次保存器21及び前記1次保存器21からセンシングチャンバ10に溶液を供給する1次マイクロポンプ19を備え得る。
同様に、前記本発明によるイオン物質検出用のFET基盤のセンサーを備えるイオン物質の検出装置は、前記基準チャンバ11に供給する溶液を保存する2次保存器22及び前記2次保存器22から基準チャンバ11に溶液を供給する2次マイクロポンプ20を備え得る。
また、前記イオン物質の検出装置は、センシングチャンバ10及び基準チャンバ11からそれぞれ溶液を排出する排水23、24を備え得る。
本発明の第三の側面は、低い濃度のイオン物質も検出できる、感度が非常に高いイオン物質の検出方法に関する。
本発明によるイオン物質の検出方法は、本発明によるFET基盤のセンサーのセンシングチャンバ及び基準チャンバに同じ溶液を流入及び流出させながらセンシングFET及び基準FETそれぞれのソースとドレインの間のチャンネル領域に流れる電流値を測定するステップと、その後、前記基準チャンバに前記と同じ溶液を流入及び流出させ続け、前記センシングチャンバにイオン物質を含有すると推定される溶液を流入及び流出させながら前記センシングFET及び前記基準FETそれぞれのソースとドレインの間のチャンネル領域に流れる電流値を測定するステップと、を含み、前記センシングFETの電流値から基準FETの電流値を減算して前記電流値を補正するステップと、を含む。
本発明によるイオン物質の検出方法において、前記センシングチャンバ及び基準チャンバへ流入及び流出する溶液は、電解質水溶液であることが望ましい。
本発明によるイオン物質の検出方法において、前記溶液を流入及び流出するステップは、センシングチャンバ及び基準チャンバにおいて同じ圧力で行われ得る。これは、前記チャンバに溶液を注入する圧力自体によって、FETで測定される電流値が変わることがあるからである。
本発明によるイオン物質の検出方法において、複数のセンシングFETのうち一つのセンシングFETの電流値から複数の基準FETのうち一つの基準FETの電流値を減算して電流値を補正することもできるが、この場合、ゲート電極の表面反応によって自然発生的に発生するドリフトのノイズや溶液の流入による圧力によって発生するノイズから標的生分子による信号をよく分離できないという問題点がある。
したがって、前記センシングFET及び基準FETの電流値は、それぞれ複数のセンシングFET及び複数の基準FETの平均電流値であることがより望ましい。前記センシングFET及び基準FETの電流値は、それぞれ可能な限り多くの複数のセンシングFET及び複数の基準FETから得た電流値を平均したものがさらに望ましい。
本発明によるイオン物質の検出方法において、前記イオン物質は、特に限定されない。例えば、前記イオン物質は、核酸または蛋白質のような生分子であり得る。
前記核酸は、DNA、RNA、PNA、LNA及びその混成体からなる群から選択され、前記蛋白質は、酵素、基質、抗原、抗体、リガンド、アプタマー及び受容体からなる群から選択され得る。
本発明の一実施形態において、それぞれ従来の単一のチャンバで構成されたイオン物質検出用のFET基盤のセンサー、及び本発明によるイオン物質検出用のFET基盤のセンサーを利用してDNAを検出できるか否かを確認した。
その結果、それぞれ従来の単一のチャンバで構成されたイオン物質検出用のFET基盤のセンサーを利用した場合、DNAを全く検出できなかった(図3A及び図3B参照)。一方、本発明によるイオン物質検出用のFET基盤のセンサーを利用した場合、DNAを非常に効果的に検出できた(図4Aないし図5B参照)。
以下、本発明を実施形態を通じてさらに詳細に説明する。しかし、これら実施形態は、本発明を例示的に説明するためのものであって、本発明の範囲がこれらの実施形態に限定されるものではない。
<実施形態>
(a)本発明によるイオン物質検出用のFET基盤のセンサーの製造について
本発明で使用したFET素子は、X−FAB Semiconductor Foundries(Germany)へ注文製作した。前記注文製作した製品は、構造が同一で電気的特性がほぼ揃っているかまたは同じである192個(4×48)のFETがアレイ状に配列されている。前記製品は、X−FAB Semiconductor Foundries社の設備を利用して製作され、前記企業固有のCMOS工程を使用した。CMOS標準工程は、企業によって若干の差はあるが、FET素子の特性に大きい影響を与える因子ではなく、前記企業の標準工程は本発明とも関係ないので説明は省略する。
(a)本発明によるイオン物質検出用のFET基盤のセンサーの製造について
本発明で使用したFET素子は、X−FAB Semiconductor Foundries(Germany)へ注文製作した。前記注文製作した製品は、構造が同一で電気的特性がほぼ揃っているかまたは同じである192個(4×48)のFETがアレイ状に配列されている。前記製品は、X−FAB Semiconductor Foundries社の設備を利用して製作され、前記企業固有のCMOS工程を使用した。CMOS標準工程は、企業によって若干の差はあるが、FET素子の特性に大きい影響を与える因子ではなく、前記企業の標準工程は本発明とも関係ないので説明は省略する。
前記アレイ状に配置された各FETのパッシベーション層及びゲート電極層を除去することによりポリシリコン層を外部に露出させ、次いで、露出されたポリシリコン層を備えるFETの表面を十分に洗浄した。洗浄は、純水アセトン及び水で行い、洗浄した後に乾燥した。前記基板の洗浄過程は、半導体製造工程で使用されるウェットステーションを使用した。洗浄が終わった後にスピンドライを利用して乾燥させた。
前記アレイ基板上にチャンバの側壁を設置し、基準電極として白金がコーティングされた上部基板を設置することによって、2個のチャンバ、すなわち、センシングチャンバ及び基準チャンバを備える本発明によるイオン物質検出用のFET基盤のセンサーを製作した。
前記センシングチャンバ及び基準チャンバは、それぞれ露出されたゲートの表面が300μm×100μmであるFET基盤のセンサー12個(4×3)をそれぞれ含む。全部で48個(4×12)のFET基盤のセンサーのうち、上記以外の24個(4×6)は、前記製作過程中にチャンバの側壁によって覆われたため、チャンバ内に含まれなかった。
(b)単一のチャンバで構成されたイオン物質検出用のFET基盤のセンサーの製造について
上記実施形態と性能の比較をするために、単一のチャンバで構成されたイオン物質検出用のFET基盤のセンサーの製造をした。
上記実施形態と性能の比較をするために、単一のチャンバで構成されたイオン物質検出用のFET基盤のセンサーの製造をした。
上記実施形態で使われた192個(12×16)のFETアレイ(X−FAB Semiconductor Foundries社、Germany)の各FETのパッシベーション層及びゲート電極層を除去してポリシリコン層を外部に露出させ、次いで、上記実施形態と同じ方法で露出させたポリシリコン層を備えるFETの表面をよく洗浄した。
前記アレイ基板上にチャンバの側壁を設置し、基準電極として白金がコーティングされた上部基板を設置することによって、1個のチャンバで構成されたイオン物質検出用のFET基盤のセンサーを製作した。 前記チャンバは、計48個(12×4)のFET基盤のセンサーを備えた。
<実験例1>
単一のチャンバで構成されたイオン物質検出用のFET基盤のセンサーを利用したDNAの検出
本発明に係る実施形態との比較のために製造した単一のチャンバで構成されたイオン物質検出用のFET基盤のセンサーのチャンバに0.01mM PBS緩衝溶液(pH7.0)及び15−merオリゴヌクレオシド(TGTTCTCTTGTCTTG)を含む溶液を交互に流入及び流出させた。
<実験例1>
単一のチャンバで構成されたイオン物質検出用のFET基盤のセンサーを利用したDNAの検出
本発明に係る実施形態との比較のために製造した単一のチャンバで構成されたイオン物質検出用のFET基盤のセンサーのチャンバに0.01mM PBS緩衝溶液(pH7.0)及び15−merオリゴヌクレオシド(TGTTCTCTTGTCTTG)を含む溶液を交互に流入及び流出させた。
具体的には、0.5μl/minの速度で0.01mM濃度のPBS、40nMのオリゴヌクレオシド、0.01Mm濃度のPBS(500μl)、PBS(1000μl)、200nMのオリゴヌクレオシド(500μl)、PBS(500μl)、1μMのオリゴヌクレオシド(500μl)及びPBS(1000μl)の順に、それぞれ数分間の間隔をもって、それぞれの溶液をチャンバに流入させた後、次の溶液を流入させつつ流入された溶液をチャンバから流出させた。
比較例1のFET基盤のセンサー12個をセンシングFETとして使用し、残りの12個を基準FETとして使用して、それぞれの電流値を測定及び平均し、前記センシングFETの平均電流値から基準FETの平均電流値を減算することにより前記電流値を補正した。前記結果を図3A及び図3Bに示した。
図3Aは、従来の単一チャンバで構成されたイオン物質検出用のFET基盤のセンサーを利用してDNAを検出した個別的な結果を示すグラフであり、図3Bは、図3Aに示したセンシングFETと基準FETの電流値の平均値を示すグラフである。
図3Aにおいて、上部分の二つの太線は、それぞれセンシングFET及び基準FETの電流値を表し、下部分の一つの太線は、センシングFETの平均電流値から基準FETの平均電流値を減算して補正した値である。図3Bは、センシングFET及び基準FETの電流値の平均を表したものであり、図3Aの太線に対応したものである。
図3A及び図3Bを参照すれば、前記センシングFETの電流値によっても、それを基準FET値で補正した値によっても、DNAを効果的に検出できないということが分かる。
<実験例2>
本発明によるイオン物質検出用のFET基盤のセンサーを利用したDNA検出−1次実験
本発明の上記実施形態により製造したイオン物質検出用のFET基盤のセンサーのセンシングチャンバ及び基準チャンバに0.01mM PBS緩衝溶液(pH7.0)を同じ圧力で流入及び流出させた。次いで、ある瞬間に前記基準チャンバには、前記と同じPBS緩衝溶液を流入及び流出させ、前記センシングチャンバには、15−merオリゴヌクレオシド(TGTTCTCTTGTCTTG)を含む溶液を同じ圧力で流入及び流出させた。
<実験例2>
本発明によるイオン物質検出用のFET基盤のセンサーを利用したDNA検出−1次実験
本発明の上記実施形態により製造したイオン物質検出用のFET基盤のセンサーのセンシングチャンバ及び基準チャンバに0.01mM PBS緩衝溶液(pH7.0)を同じ圧力で流入及び流出させた。次いで、ある瞬間に前記基準チャンバには、前記と同じPBS緩衝溶液を流入及び流出させ、前記センシングチャンバには、15−merオリゴヌクレオシド(TGTTCTCTTGTCTTG)を含む溶液を同じ圧力で流入及び流出させた。
具体的には、PBSをセンシングチャンバ及び基準チャンバそれぞれに3回注入し、ある時点に基準チャンバには前記と同じPBSを注入し、センシングチャンバには1μMのオリゴヌクレオシドを流入させ、次いで、PBSをセンシングチャンバ及び基準チャンバそれぞれに3回注入した。最後に、基準チャンバ及びセンサーチャンバに順次に空気をポンピングした。
上記実施形態のFET基盤のセンサーのうち、センシングチャンバ内にあるFET基盤のセンサー12個の電流値をそれぞれ測定し、基準チャンバ内にあるFET基盤のセンサー12個の電流値をそれぞれ測定して、前記センシングFETの平均電流値から基準FETの平均電流値を減算して前記センシングFETの電流値を補正した。前記結果を図4A及び図4Bに示した。
図4Aは、本発明によるイオン物質検出用のFET基盤のセンサーを利用してDNAを検出した個別的な結果を示すグラフであり、図4Bは、図4Aに示した結果の平均値を示すグラフである。
図4Aにおいて、上部分の二つの太線は、それぞれセンシングFET及び基準FETの電流値を表し、下部分の一つの太線は、センシングFETの電流値から基準FETの平均電流値を減算することにより補正した値である。図4Bは、センシングFET及び基準FETの電流値の平均を表したものであり、図4Aの太線に対応したものである。
図4A及び図4Bを参照すれば、本発明によるイオン物質検出用のFET基盤のセンサーを利用すれば、ゲート電極の表面反応によって自然発生的に発生するドリフトのノイズ及び溶液の流入による圧力によって発生するノイズからターゲット生分子による信号を明確に分離できるということが分かる(図4A及び図4Bの四角形部分を参照)。したがって、本発明によるイオン物質検出用のFET基盤のセンサーは、感度が非常に高く、低い濃度のイオン物質、例えば、核酸または蛋白質のような生分子も良好に検出できるということが分かる。
<実験例3>
本発明によるイオン物質検出用のFET基盤のセンサーを利用したDNA検出−2次実験
上記実施形態で製造した本発明によるイオン物質検出用のFET基盤のセンサーに対して、前記実施形態と同じ方法を利用して注入時点を若干異ならせてDNA検出実験を行った。前記結果を図5A及び図5Bに表した。
<実験例3>
本発明によるイオン物質検出用のFET基盤のセンサーを利用したDNA検出−2次実験
上記実施形態で製造した本発明によるイオン物質検出用のFET基盤のセンサーに対して、前記実施形態と同じ方法を利用して注入時点を若干異ならせてDNA検出実験を行った。前記結果を図5A及び図5Bに表した。
図5Aは、本発明によるイオン物質検出用のFET基盤のセンサーを利用してDNAを検出した各センサー個別電流値の測定結果を示すグラフであり、図5Bは、図5Aに示した結果の平均値を示すグラフである。
図5Aにおいて、上部分の二つの太線は、それぞれセンシングFET及び基準FETの電流値を表し、下部分の一つの太線は、センシングFETの平均電流値から基準FETの電流値を減算することにより補正した値である。図5Bは、センシングFET及び基準FETの電流値の平均を表したものであり、図5Aの太線に対応したものである。
図5A及び図5Bを参照すれば、本発明によるイオン物質検出用のFET基盤のセンサーを使用すれば、ゲート電極の表面反応によって自然発生的に発生するドリフトによるノイズ及び溶液の流入による圧力によって発生するノイズからターゲット生分子による信号を明確に分離できるということが分かる(図5A及び図5Bの四角形部分を参照)。したがって、本発明によるイオン物質検出用のFET基盤のセンサーは、感度が非常に高く、低い濃度のイオン物質、例えば、核酸または蛋白質のような生分子もよく検出できるということが分かる。
以上、本発明についてその望ましい実施形態を中心に説明したが、当業者は、本発明が本発明の本質的な思想から逸脱しない範囲で変形された形態によっても具現されうるということが分かるであろう。したがって、開示された実施形態は、説明のために用いた一例であって、それによって本発明の範囲が限定されてはならない。本発明の範囲は特許請求の範囲において定められるものであり、特許請求の範囲に係る発明と同等な範囲内にある全ての発明は本発明に含まれていると解釈されなければならない。
本発明は、特にイオン物質検出装置関連の技術分野に適用可能である。
10 センシングチャンバ、
11 基準チャンバ、
12 センシングFET、
13 基準FET、
14 基準電極、
15、16、17 側壁、
18 下部基板。
11 基準チャンバ、
12 センシングFET、
13 基準FET、
14 基準電極、
15、16、17 側壁、
18 下部基板。
Claims (19)
- 一の基準電極及び複数のFETを備え、前記複数のFETの露出したゲート電極を内側に向けて配置したセンシングチャンバと、
他の基準電極及び複数の基準FETを備え、前記複数の基準FETの露出したゲート電極を内側に向けて配置した基準チャンバと、を備えることを特徴とするイオン物質検出用のFET基盤のセンサー。 - 前記複数のセンシングFET及び前記複数の基準FETは、構造が同一で電気的特性がほぼ揃っているか同一であることを特徴とする請求項1に記載のFET基盤のセンサー。
- 前記複数のセンシングFET及び前記複数の基準FETは、それぞれアレイ状に配列されていることを特徴とする請求項1に記載のFET基盤のセンサー。
- 前記センシングFET及び基準FETは、基板と、前記基板の両側端に形成され前記基板と逆極性にそれぞれドーピングされたソース及びドレインと、前記ソース及びドレインと接し、前記基板上に形成されたゲートを備えることを特徴とする請求項1に記載のFET基盤のセンサー。
- 前記ゲートは、酸化層及び前記酸化層上のポリシリコン層で構成されることを特徴とする請求項4に記載のFET基盤のセンサー。
- 前記イオン物質は、生分子であることを特徴とする請求項1に記載のFET基盤のセンサー。
- 前記生分子は、核酸または蛋白質であることを特徴とする請求項6に記載のFET基盤のセンサー。
- 前記核酸は、DNA、RNA、PNA、LNA及びその混成体からなる群から選択されることを特徴とする請求項7に記載のFET基盤のセンサー。
- 前記蛋白質は、酵素、基質、抗原、抗体、リガンド、アプタマー及び受容体からなる群から選択されることを特徴とする請求項7に記載のFET基盤のセンサー。
- 前記センシングチャンバ及び基準チャンバは、それぞれ溶液が流入及び流出される流入口及び流出口をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のFET基盤のセンサー。
- 前記センシングチャンバ及び基準チャンバは、それぞれ溶液を流入及び流出させるためのマイクロポンプをさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のFET基盤のセンサー。
- 請求項1ないし11のうち何れか1項に記載のFET基盤のセンサーを備えることを特徴とするイオン物質検出装置。
- 請求項1ないし11のうち何れか1項に記載のFET基盤のセンサーのセンシングチャンバ及び基準チャンバに同じ溶液を流入及び流出させながらセンシングFET及び基準FETそれぞれのソースとドレインとの間のチャンネル領域に流れる電流値を測定するステップと、
その後、前記基準チャンバに前記と同じ溶液を流入及び流出させ続け、前記センシングチャンバにイオン物質を含有すると推定される溶液を流入及び流出させながら前記センシングFET及び前記基準FETそれぞれのソースとドレインとの間のチャンネル領域に流れる電流値を測定するステップと、を含み、
前記センシングFETの電流値から基準FETの電流値を減算して前記センシングFETの電流値を補正することを特徴とするイオン物質の検出方法。 - 前記溶液を流入及び流出するステップは、センシングチャンバ及び基準チャンバにおいて同じ圧力で行われることを特徴とする請求項13に記載のイオン物質の検出方法。
- 前記センシングFET及び基準FETの電流値は、それぞれ複数のセンシングFET及び複数の基準FETの平均電流値であることを特徴とする請求項13に記載のイオン物質の検出方法。
- 前記イオン物質は、生分子であることを特徴とする請求項13に記載のイオン物質の検出方法。
- 前記生分子は、核酸または蛋白質であることを特徴とする請求項16に記載のイオン物質の検出方法。
- 前記核酸は、DNA、RNA、PNA、LNA及びその混成体からなる群から選択されることを特徴とする請求項17に記載のイオン物質の検出方法。
- 前記蛋白質は、酵素、基質、抗原、抗体、リガンド、アプタマー及び受容体からなる群から選択されることを特徴とする請求項17に記載のイオン物質の検出方法。
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---|---|---|---|
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