JP2007163940A - 光結合装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体レーザのエミッタから放出されるレーザ光が結合される光ファイバの位置調整が容易であり、光ファイバへの結合時の光変換損失が小さい光結合装置を得る。
【解決手段】レーザ光を放出するエミッタ2を設けた半導体レーザ1と、レーザ光を伝搬させる複数の光ファイバ5−1〜5〜Nで構成される光ファイバ束4と、第1の集光レンズである円筒レンズ3と、第2の集光レンズである球面両凸レンズ6とを備え、複数の光ファイバ5−1〜5〜Nの数は、エミッタの数よりも多くする。
【選択図】図1
【解決手段】レーザ光を放出するエミッタ2を設けた半導体レーザ1と、レーザ光を伝搬させる複数の光ファイバ5−1〜5〜Nで構成される光ファイバ束4と、第1の集光レンズである円筒レンズ3と、第2の集光レンズである球面両凸レンズ6とを備え、複数の光ファイバ5−1〜5〜Nの数は、エミッタの数よりも多くする。
【選択図】図1
Description
この発明は、入射光と出射光とを異なる形状に光変換するための光結合装置に関する。
従来の光結合装置では、半導体レーザアレイの複数のエミッタから放出される集光性の低いレーザ光を光ファイバに結合するために、半導体レーザアレイと光ファイバとの間に、レーザ光の開口数(NA)の高い方向の発散を抑制する円筒レンズを配置し、各々のエミッタに対応した個別の結合先となる光ファイバを、エミッタの数と同数個配置することにより光結合を行っている(例えば、特許文献1参照)。
従来の光結合装置では、半導体レーザアレイの複数のエミッタから放出されるレーザ光を、損失を小さくして各々対応する光ファイバに結合させるために、精度の高い円筒レンズの作製および円筒レンズと光ファイバ端部との位置調整が必要であるという問題点があった。また、結合する光ファイバとして、より細径の光ファイバを適用することによって、結合後の輝度を高く維持できるものの、細径の光ファイバに応じて円筒レンズ径を小さくする必要があり、さらに高精度の調整が必要であるという問題点があった。さらに、エミッタの個数が数十個である一般的な半導体レーザアレイに適用する場合には、結合させる光ファイバ本数が増加するので、すべてのエミッタから放出されるレーザ光の損失を小さくして光ファイバに結合させるために必要となる高精度な位置調整を行うことは困難であるという問題点があった。
この発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、半導体レーザアレイのエミッタから放出されるレーザ光が結合される光ファイバの位置調整が容易であり、光ファイバへの結合時の光変換損失が小さい光結合装置を得るものである。
この発明に係る光結合装置は、レーザ光を放出するエミッタを設けた半導体レーザと、レーザ光を伝搬させる複数の光ファイバで構成される光ファイバ束とを備え、光ファイバの数は、エミッタの数よりも多いことを特徴とするものである。
この発明に係る光結合装置は、レーザ光を放出するエミッタを設けた半導体レーザと、レーザ光を伝搬させる複数の光ファイバで構成される光ファイバ束とを備え、光ファイバの数は、エミッタの数よりも多いので、光ファイバの位置調整が容易であり、光ファイバへの結合時の光変換損失が小さい光結合装置を得ることができる。
実施の形態1.
図1は、この発明を実施するための実施の形態1における光結合装置の構成を示す斜視図である。図1において、レーザ光を放出する単一のエミッタ2を設けた半導体レーザ1と、レーザ光の出射側に可撓性を有する複数の光ファイバ5−1〜5−Nで構成される光ファイバ束4とが備えられている。光ファイバ束4は、単一のエミッタ2から放出されたレーザ光を伝搬させるものである。光ファイバの数は複数であり、エミッタの数は1個であるので、光ファイバの数は、エミッタの数よりも多い。レーザ光が入射する光ファイバ束4の端部は入射端部4aであり、レーザ光が出射する光ファイバ束4の端部は出射端部4bである。光ファイバ束4における光ファイバ5−1〜5−Nの配列は、レーザ光の入射部である入射端部4と出射部である出射端部4bとで異なる。これによって、入射端部4と出射端部4bとの形状が異なるので、レーザ光の入射光とレーザ光の出射光とを異なる形状に光変換することができる。
図1は、この発明を実施するための実施の形態1における光結合装置の構成を示す斜視図である。図1において、レーザ光を放出する単一のエミッタ2を設けた半導体レーザ1と、レーザ光の出射側に可撓性を有する複数の光ファイバ5−1〜5−Nで構成される光ファイバ束4とが備えられている。光ファイバ束4は、単一のエミッタ2から放出されたレーザ光を伝搬させるものである。光ファイバの数は複数であり、エミッタの数は1個であるので、光ファイバの数は、エミッタの数よりも多い。レーザ光が入射する光ファイバ束4の端部は入射端部4aであり、レーザ光が出射する光ファイバ束4の端部は出射端部4bである。光ファイバ束4における光ファイバ5−1〜5−Nの配列は、レーザ光の入射部である入射端部4と出射部である出射端部4bとで異なる。これによって、入射端部4と出射端部4bとの形状が異なるので、レーザ光の入射光とレーザ光の出射光とを異なる形状に光変換することができる。
単一のエミッタ2から放出されたレーザ光を集光する第1の集光レンズである円筒レンズ3は、単一のエミッタ2と光ファイバ束4の入射端部4aとの間に配置されている。円筒レンズ3は反射防止コーティングが施され、レーザ光の透過の損失を1%以下に抑制している。単一のエミッタ2から放出されたレーザ光の出力形状は、単一のエミッタ2からの放出条件および円筒レンズ3の仕様によって異なる。図1に示すように、円筒レンズ3と光ファイバ束4との間の任意の位置では、レーザ光の出力形状は形状Sのようになる。
光ファイバ束4の入射端部4aにおいて、レーザ光の出力形状を予測し、入射端部4aの形状が、入射端部4aの位置におけるレーザ光の出力形状をすべて含むような形状になるように、複数の光ファイバ5−1〜5−Nが配置されている。光ファイバ束4を構成する複数の光ファイバ5−1〜5−Nの断面形状は四角形であり、入射端部4aでは隣接する光ファイバ同士がほぼ接するように配置されている。これに対して、光ファイバ束4の出射端部4bにおいて、出射端部4bの形状が、円形に近い形状になるように、複数の光ファイバ5−1〜5−Nが配置されている。入射端部4aと同様に、隣接する光ファイバ同士がほぼ接するように配置されている。光ファイバ束4の出射端部4bの出射側には、光ファイバ束4から出射されたレーザ光が入射され、円形のコア断面形状を持つ単一の光ファイバ7が配置されている。また、光ファイバ束4から出射されたレーザ光を集光する第2の集光レンズである球面両凸レンズ6が、光ファイバ束4と単一の光ファイバ7との間に配置されている。
半導体レーザ1の単一のエミッタ2から放出されたレーザ光は円筒レンズ3によって開口数の大きな方向のレーザ光のビーム発散を抑制し、光ファイバ束4の入射端部4aに達する。入射端部4aは反射防止コーティングを施しており、その形状は扁平な入射光形状(レーザ光の出力形状)に合せて成型されているため、ほぼすべての入射光を光ファイバ束4に結合できる。また、入射端部4aの総面積は、入射光の形状に合せて高効率結合に必要な最小限の値に設計されている。これは、出射端部4bの総面積は入射端部4aの総面積と等しいため、出射端部の総面積を最小化したことと等価である。
このような構成によって、光変換後のレーザ光のビームの輝度を高く維持した状態で光結合が可能となる。さらに、出射端部4bも反射防止コーティングを施すことによって、出射端部4bから効率よく半導体レーザ1のパワーを取り出すことが可能となる。光ファイバ束4から出射されるレーザ光は、球面両凸レンズ6によって、そのビーム径がさらに小径化され、光ファイバ束4の出射端部4bよりも小径の単一光ファイバ7に結合することが可能である。なお、出射端部4bから出射されるレーザ光が、直接、単一光ファイバ7に結合できる場合には、第2の集光レンズである球面両凸レンズ6を省いた構成にしてもよい。
なお、光ファイバ束4を構成する複数の光ファイバ5−1〜5−Nは、その両端において、一般に光ファイバ強度を増すためにクラッド層の外殻に設ける被覆がない方が望ましい。被覆がある場合には、隣接する光ファイバの光伝送部分の境界に隙間が生じ、その部分に入射したレーザ光が損失となるためである。
本実施の形態では、光ファイバ束4の入射端部4aおよび出射端部4bには、反射防止コーティングを施している。しかしながら、反射防止コーティングを施さない場合でも、一方の端部について約4%以下の光変換効率の損失に留まるので、効率的なレーザ光の伝送は可能である。また、本実施の形態では、光ファイバ束4の出射端部4bの形状は円形に近い形状に成型している。しかしながら、結合させる部材の形状および任意の目的に応じて自由な形状に成型してもよい。
以上のような構成によって、レーザ光を放出するエミッタ2を設けた半導体レーザ1と、レーザ光を伝搬させる複数の光ファイバ5−1〜5〜Nで構成される光ファイバ束4とを備え、光ファイバの数は、エミッタの数よりも多いので、光ファイバの位置調整が容易であり、光ファイバへの結合時の光変換損失が小さい光結合装置を得ることができる。また、第1の集光レンズである円筒レンズ3を設けたので、レーザ光の開口数の大きい方向の出力成分の損失を少なくして、光ファイバ束4の入射端部4aに光結合が可能である。さらに、第2の集光レンズである球面両凸レンズ6を設けたので、扁平な形状のレーザ光を細径の単一の光ファイバ7へ高効率に光結合ができる。
実施の形態2.
図2は、この発明を実施するための実施の形態2における光結合装置の構成を示す斜視図である。図2において、図1と同一の符号を付したものは、同一またはこれに相当するものであり、このことは明細書の全文において共通することである。また、明細書全文に表れている構成要素の形容は、あくまで例示であってこれらの記載に限定されるものではない。
図2は、この発明を実施するための実施の形態2における光結合装置の構成を示す斜視図である。図2において、図1と同一の符号を付したものは、同一またはこれに相当するものであり、このことは明細書の全文において共通することである。また、明細書全文に表れている構成要素の形容は、あくまで例示であってこれらの記載に限定されるものではない。
図2において、半導体レーザである半導体レーザアレイ11に設けられたエミッタ12−1〜12−Lが複数であることが実施の形態1とは異なる。半導体レーザアレイ11は、複数のエミッタが設けられているので、半導体レーザアレイと称される。複数のエミッタ12−1〜12−Lから放出される全てのレーザ光が入射されるように、第1の集光レンズである円筒レンズ13が設けられ、レーザ光の進行方向に可撓性を有する複数の光ファイバ15−1〜15−Mで構成される光ファイバ束14が配置されている。レーザ光は光ファイバ束14の入射端部14aに入射する。エミッタの数は複数であるものの、レーザ光を伝搬させる光ファイバの数は、エミッタの数よりも多い。
光ファイバ束14の入射端部14aの形状は、入射端部14aの位置におけるレーザ光の出力形状に合わせ、可能な限り光ファイバ束14の総断面積を小さくすることによって光ファイバ束14の出射端部14bを小径化し、光ファイバ束14から出射するレーザ光のビームの輝度を高くすることが望ましい。このため、本実施の形態では、対応する複数のエミッタ12−1〜12−Lの配置に合せて、入射端部14aにおける光ファイバ15−1〜15−Mは、複数のグループに分けて成型され、配置されている。
以上のような構成によって、光ファイバ束14の入射端部14aにおける光ファイバ15−1〜15−Mは、対応する複数のエミッタ12−1〜12−Lの配置に合せて配置されるので、複数のエミッタ12−1〜12−Lが設けられた半導体レーザアレイ11から放射される高い出力のレーザ光に対して、簡易な構成によって細径の単一の光ファイバ7への高効率な光結合を行う光結合装置を得ることができる。
実施の形態3.
図3は、この発明を実施するための実施の形態3における光結合装置の構成を示す斜視図である。図3において、光ファイバ束24の入射端部24aにおける光ファイバ25−1〜25−Mの配置が、実施の形態2とは異なる。半導体レーザアレイ11に設けられたエミッタ12−1〜12−Lから放出され、レーザ光が入射されるように、光ファイバ束24の入射端部24aにおいて、光ファイバ25−1〜25−Mの端部がライン状に連続して並ぶように配置されている。
図3は、この発明を実施するための実施の形態3における光結合装置の構成を示す斜視図である。図3において、光ファイバ束24の入射端部24aにおける光ファイバ25−1〜25−Mの配置が、実施の形態2とは異なる。半導体レーザアレイ11に設けられたエミッタ12−1〜12−Lから放出され、レーザ光が入射されるように、光ファイバ束24の入射端部24aにおいて、光ファイバ25−1〜25−Mの端部がライン状に連続して並ぶように配置されている。
光ファイバ束24の入射端部24aがライン状に成型されることによって、実施の形態2のように、エミッタ12−1〜12−Lの配置に対応して光ファイバ束の入射端部で光ファイバを複数のグループに分けて成型され、配置された場合と比較して、レーザ光が入射しない光ファイバがあるため、光ファイバ束24から出射されるレーザ光の輝度は低下する。しかしながら、所定の輝度を確保した状態で、かつ入射端部24aにおける光ファイバ束24の位置合わせなどの調整裕度が大幅に向上する。また、入射端部24aの成型が容易となる。
以上のような構成によって、光ファイバ束24の入射端部24aがライン状に成型されているので、信頼性が高く、細径の単一の光ファイバ7への高効率な光結合を行う光結合装置を得ることができる。
実施の形態4.
図4は、この発明を実施するための実施の形態4における光結合装置の構成を示す斜視図である。図4において、2台の半導体レーザアレイを配置したことが実施の形態3とは異なる。複数の半導体レーザである2台の半導体レーザアレイ11から放出されるレーザ光および半導体レーザアレイ31から放出されるレーザ光は、同一の光ファイバ束24に伝搬されている。半導体レーザアレイ11と光ファイバ束24との間には、第1の集光レンズである円筒レンズ13が配置され、半導体レーザアレイ11に設けられたエミッタ12−1〜12−Lから放出されたレーザ光は、円筒レンズ13によって集光され、光ファイバ束24の入射端部24aに入射される。また、半導体レーザアレイ31と光ファイバ束24との間には、第1の集光レンズとして同じ機能を果たす円筒レンズ33が配置され、半導体レーザアレイ31に設けられたエミッタ32−1〜32−Lから放出されたレーザ光は、円筒レンズ33によって集光され、光ファイバ束24の入射端部24aに入射される。
図4は、この発明を実施するための実施の形態4における光結合装置の構成を示す斜視図である。図4において、2台の半導体レーザアレイを配置したことが実施の形態3とは異なる。複数の半導体レーザである2台の半導体レーザアレイ11から放出されるレーザ光および半導体レーザアレイ31から放出されるレーザ光は、同一の光ファイバ束24に伝搬されている。半導体レーザアレイ11と光ファイバ束24との間には、第1の集光レンズである円筒レンズ13が配置され、半導体レーザアレイ11に設けられたエミッタ12−1〜12−Lから放出されたレーザ光は、円筒レンズ13によって集光され、光ファイバ束24の入射端部24aに入射される。また、半導体レーザアレイ31と光ファイバ束24との間には、第1の集光レンズとして同じ機能を果たす円筒レンズ33が配置され、半導体レーザアレイ31に設けられたエミッタ32−1〜32−Lから放出されたレーザ光は、円筒レンズ33によって集光され、光ファイバ束24の入射端部24aに入射される。
半導体レーザアレイ11から放出されるレーザ光および半導体レーザアレイ31から放出されるレーザ光は、光ファイバ束24の入射端部24aにおいて重畳される。重畳されたレーザ光は、光ファイバ束24を伝搬する。この際、入射端部24aにおいて重畳されるレーザ光の開口数が、全てのレーザ光が光ファイバ束24を伝搬するために必要な開口数の最大値以下になるように、半導体レーザアレイ11,31の仕様および配置、ならびに円筒レンズ13、33の仕様および配置を設計する必要がある。光ファイバ束24から出射されるレーザ光は球面両凸レンズ6によって、そのビーム径がさらに小径化され、光ファイバ束24の出射端部24bよりも小径の単一光ファイバ7に結合する。単一の光ファイバ7に結合するレーザ光の光量は倍増されている。
以上のような構成によって、複数の半導体レーザアレイ11,31を配置したので、簡易な構成で単一の光ファイバ7に結合する光量が倍増し、コンパクトで安価な構成で、高出力の光結合装置を得ることができる。
実施の形態5.
図5は、この発明を実施するための実施の形態5における光結合装置の構成を示す斜視図である。図5において、第1の集光レンズを配置しないことが実施の形態1とは異なる。光源である半導体レーザ1に設けられたエミッタ2から放出されるレーザ光の開口数が光ファイバ束4の全反射伝送可能な最大入射開口数よりも小さい場合には、第1の集光レンズを介さずに、光ファイバ束4の入射端部4aに直接レーザ光を入射させることができる。なお、光源として、LED(Light Emitting Diode)などを用いてもよい。
図5は、この発明を実施するための実施の形態5における光結合装置の構成を示す斜視図である。図5において、第1の集光レンズを配置しないことが実施の形態1とは異なる。光源である半導体レーザ1に設けられたエミッタ2から放出されるレーザ光の開口数が光ファイバ束4の全反射伝送可能な最大入射開口数よりも小さい場合には、第1の集光レンズを介さずに、光ファイバ束4の入射端部4aに直接レーザ光を入射させることができる。なお、光源として、LED(Light Emitting Diode)などを用いてもよい。
以上のような構成によって、第1の集光レンズが不要であり、簡易で安価な光結合装置を得ることができる。
実施の形態6.
図6は、この発明を実施するための実施の形態6における光ファイバ束の入射端部近傍の斜視図である。図6において、光ファイバの端部に曲率を設けたことが実施の形態5とは異なる。光源である半導体レーザ1に設けられたエミッタ2から放出されるレーザ光が光ファイバ束34の入射端部34aに入射する。入射端部34aに配置されている光ファイバ35−1〜35−Nのそれぞれの入射側の端面には所定の曲率が設けられている。この曲率によって、レーザ光の開口数が光ファイバ束34の全反射伝送可能な最大入射開口数よりも大きい場合においても、光ファイバ35−1〜35−Nのそれぞれの入射側の端面においてレーザ光を屈折することによって、光ファイバ束34においてレーザ光の全反射伝送が可能となる。
図6は、この発明を実施するための実施の形態6における光ファイバ束の入射端部近傍の斜視図である。図6において、光ファイバの端部に曲率を設けたことが実施の形態5とは異なる。光源である半導体レーザ1に設けられたエミッタ2から放出されるレーザ光が光ファイバ束34の入射端部34aに入射する。入射端部34aに配置されている光ファイバ35−1〜35−Nのそれぞれの入射側の端面には所定の曲率が設けられている。この曲率によって、レーザ光の開口数が光ファイバ束34の全反射伝送可能な最大入射開口数よりも大きい場合においても、光ファイバ35−1〜35−Nのそれぞれの入射側の端面においてレーザ光を屈折することによって、光ファイバ束34においてレーザ光の全反射伝送が可能となる。
以上のような構成によって、光源からの出射光の開口数が大きい場合においても、第1の集光レンズが不要であり、簡易で安価な光結合装置を得ることができる。
実施の形態7.
図7は、この発明を実施するための実施の形態7における光ファイバ端部の配列図である。実施の形態1〜6においては、光ファイバ束を構成する複数の光ファイバの断面形状は4角形である。しかしながら、光ファイバ間に隙間が生じても、所定値以上の光変換効率があれば、4角形以外の断面形状でもよい。本実施の形態においては、光ファイバの断面形状を一般的な円形とした。
図7は、この発明を実施するための実施の形態7における光ファイバ端部の配列図である。実施の形態1〜6においては、光ファイバ束を構成する複数の光ファイバの断面形状は4角形である。しかしながら、光ファイバ間に隙間が生じても、所定値以上の光変換効率があれば、4角形以外の断面形状でもよい。本実施の形態においては、光ファイバの断面形状を一般的な円形とした。
図7(a)は、光ファイバ束44の入射端部44aにおける、複数の光ファイバ45−1〜45−Mの端部の配列図であり、入射端部44aの位置におけるレーザ光の出力形状をすべて含むような形状になるように、複数の光ファイバ45−1〜45−Mが扁平に近い形状に配列されている。図7(b)は、光ファイバ束の出射端部44bにおける、複数の光ファイバ45−1〜45−Nの端部の配列図であり、出射端部44bの形状が、円形に近い形状になるように、複数の光ファイバ45−1〜45−Mが配列されている。いいかえれば、光ファイバ束における光ファイバの配列は、レーザ光の入射部である入射端部4と出射部である出射端部4bとで異なる。このような複数の光ファイバ45−1〜45−Mの配列によって、光ファイバの端部の断面形状が円形の場合においても、入射端部44aにおける光ファイバの充填率は90%以上が見込まれる。このため、光変換効率は所定値以上の90%を得ることができ、効率的な結合が可能である。
以上のような構成によって、円形の断面形状を有する安価な通信用光ファイバなどを用いることができるので、簡易で安価な光結合装置を得ることができる。
実施の形態8.
図8は、この発明を実施するための実施の形態8における光結合装置の構成を示す斜視図である。図8において、光ファイバ束の出射端部から出射されたレーザ光の導光のための構成が実施の形態3とは異なる。光ファイバ束24の出射端部24bは、単一の光ファイバ8に直接融着されている。これによって、光ファイバ束24を伝搬したレーザ光を、直接、単一の光ファイバ8に入射させることができる。
図8は、この発明を実施するための実施の形態8における光結合装置の構成を示す斜視図である。図8において、光ファイバ束の出射端部から出射されたレーザ光の導光のための構成が実施の形態3とは異なる。光ファイバ束24の出射端部24bは、単一の光ファイバ8に直接融着されている。これによって、光ファイバ束24を伝搬したレーザ光を、直接、単一の光ファイバ8に入射させることができる。
以上のような構成によって、光ファイバ束24が単一の光ファイバ8に直接融着されているので、振動などの外乱に対して影響を受けにくく信頼性の高い光結合装置を得ることができる。また、第2の集光レンズが不要であるので、安価な光結合装置を得ることができ、単一の光ファイバ8への入射時の損失が小さいので、高い光変換効率を得ることができる。
実施の形態9.
図9は、この発明を実施するための実施の形態9における光結合装置の構成を示す斜視図である。図9において、光ファイバ束の出射端部から出射されたレーザ光の導光のための構成が実施の形態3とは異なる。光ファイバ束24の出射端部24bは、屈折率分布による集光機能を有する屈折率分布光ファイバ9に直接融着されている。屈折率分布光ファイバ9は、単一の光ファイバ7に直接融着されている。これによって、光ファイバ束24よりも細径の単一の光ファイバ7に光結合することができる。なお、出射端部24bと屈折率分布光ファイバ9とを融着せずに配置してもよい。また、屈折率分布光ファイバ9と単一の光ファイバ7とを融着せずに配置してもよい。
図9は、この発明を実施するための実施の形態9における光結合装置の構成を示す斜視図である。図9において、光ファイバ束の出射端部から出射されたレーザ光の導光のための構成が実施の形態3とは異なる。光ファイバ束24の出射端部24bは、屈折率分布による集光機能を有する屈折率分布光ファイバ9に直接融着されている。屈折率分布光ファイバ9は、単一の光ファイバ7に直接融着されている。これによって、光ファイバ束24よりも細径の単一の光ファイバ7に光結合することができる。なお、出射端部24bと屈折率分布光ファイバ9とを融着せずに配置してもよい。また、屈折率分布光ファイバ9と単一の光ファイバ7とを融着せずに配置してもよい。
以上のような構成によって、光ファイバ束24が、集光機能を有する屈折率分布光ファイバ9を介して単一の光ファイバ7に直接融着されているので、細径の単一の光ファイバ7に対して、外乱に強い光結合をさせることができる。
実施の形態10.
図10は、この発明を実施するための実施の形態10における光結合装置を用いたレーザ装置の構成を示す斜視図である。図10において、光ファイバ束から出射したレーザ光を固体レーザ媒質に入射させる構成が実施の形態3とは異なる。光ファイバ束24から出射されるレーザ光は、第2の集光レンズである球面両凸レンズ6によって集光され、固体レーザ媒質61の入射端61aへ入射される。固体レーザ媒質61から放出される固体レーザ発振光63は、固体レーザ発振光取出ミラー62を介して光結合装置の外部に導光される。これによって、半導体レーザアレイ11からの発光面積の広いレーザ光を断面積の小さい光ファイバ束24に結合できるので、固体レーザ媒質61の面積の小さな端面からの高効率励起が可能となる。いいかえれば、高効率な固体レーザ媒質の励起光源を簡易に構成し、この励起光源を用いた固体レーザ装置を得ることができる。
図10は、この発明を実施するための実施の形態10における光結合装置を用いたレーザ装置の構成を示す斜視図である。図10において、光ファイバ束から出射したレーザ光を固体レーザ媒質に入射させる構成が実施の形態3とは異なる。光ファイバ束24から出射されるレーザ光は、第2の集光レンズである球面両凸レンズ6によって集光され、固体レーザ媒質61の入射端61aへ入射される。固体レーザ媒質61から放出される固体レーザ発振光63は、固体レーザ発振光取出ミラー62を介して光結合装置の外部に導光される。これによって、半導体レーザアレイ11からの発光面積の広いレーザ光を断面積の小さい光ファイバ束24に結合できるので、固体レーザ媒質61の面積の小さな端面からの高効率励起が可能となる。いいかえれば、高効率な固体レーザ媒質の励起光源を簡易に構成し、この励起光源を用いた固体レーザ装置を得ることができる。
光ファイバ束24の出射端部24bから固体レーザ媒質61への導光の方法としては、球面両凸レンズ6を用いることなく、出射端部から出射されたレーザ光を直接、固体レーザ媒質61へ入射させてもよい。これによって、より簡便な装置構成とすることができる。
また、図11に示すように、屈折率分布による集光機能を有する屈折率分布光ファイバ9を光ファイバ束24の出射端部24bに直接融着してもよい。光ファイバ束24から出射されるレーザ光は、屈折率分布光ファイバ9によって集光され、固体レーザ媒質61の入射端61aへ入射される。なお、出射端部24bと屈折率分布光ファイバ9とを融着せずに配置してもよい。
図10および図11で示したような、固体レーザの端面励起の構成以外にも、光ファイバ束24の出射端部の形状を変更することによって、固体レーザの側面励起にも適用できる。さらに、固体レーザに限らず、光ファイバレーザなどの様々なレーザ装置においても、励起光源として適用することによって、損失が小さな高効率のレーザ装置が実現できる。
以上のような構成によって、半導体レーザアレイ11から放出される高出力のレーザ光を高効率に固体レーザ媒質61の励起光源として適用した固体レーザ装置を得ることができる。
なお、全ての実施の形態において、光ファイバ束の入射端部における複数の光ファイバ端部の配列は1列である必要はなく、複数列でもよい。また、第1の集光レンズとして、シリンドリカルレンズなど、集光機能を有する光学素子を用いてもよい。さらに、光源として、半導体レーザ以外のLEDであってもよい。
1 半導体レーザ、2 単一のエミッタ、11,31半導体レーザアレイ、12,32 エミッタ、3,13,33 円筒レンズ、4,14,24,34,44 光ファイバ束、5,15,25,35,45 光ファイバ、6 球面両凸レンズ、7,8 単一の光ファイバ、9 屈折率分布光ファイバ、61 固体レーザ媒質、62 固体レーザ発振光取出ミラー、63 固体レーザ発振光。
Claims (11)
- レーザ光を放出するエミッタを設けた半導体レーザと、
前記レーザ光を伝搬させる複数の光ファイバで構成される光ファイバ束とを備え、
前記光ファイバの数は、前記エミッタの数よりも多いことを特徴とする光結合装置。 - 光ファイバ束における光ファイバの配列は、レーザ光の入射部と出射部とで異なることを特徴とする請求項1記載の光結合装置。
- 複数の半導体レーザから放出されたレーザ光を同一の光ファイバ束に伝搬させることを特徴とする請求項1または2のいずれかに記載の光結合装置。
- エミッタから放出されたレーザ光を集光する第1の集光レンズを、前記エミッタと光ファイバ束との間に配置したことを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の光結合装置。
- レーザ光が入射する光ファイバの端部に曲率を設けたことを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の光結合装置。
- 光ファイバ束から出射されたレーザ光が入射される単一の光ファイバを備え、前記光ファイバ束から出射されたレーザ光を集光する第2の集光レンズを、前記光ファイバ束と前記単一の光ファイバとの間に配置したことを特徴とする請求項1ないし5のいずれかに記載の光結合装置。
- 光ファイバ束から出射されたレーザ光が入射される単一の光ファイバを備え、前記光ファイバ束と前記単一の光ファイバとを融着接続したことを特徴とする請求項1ないし5のいずれかに記載の光結合装置。
- 光ファイバ束から出射されたレーザ光が入射される単一の光ファイバを備え、屈折率分布光ファイバを、前記光ファイバ束と前記単一の光ファイバとの間に配置したことを特徴とする請求項1ないし5のいずれかに記載の光結合装置。
- 光ファイバ束から出射されたレーザ光を結合する固体レーザ媒質を備えたことを特徴とする請求項1ないし5のいずれかに記載の光結合装置。
- 光ファイバ束から出射されたレーザ光を結合する固体レーザ媒質を備え、前記光ファイバ束から出射されたレーザ光を集光する第2の集光レンズを、前記光ファイバ束と前記固体レーザ媒質との間に配置したことを特徴とする請求項1ないし5のいずれかに記載の光結合装置。
- 光ファイバ束から出射されたレーザ光を結合する固体レーザ媒質を備え、屈折率分布光ファイバを、前記光ファイバ束と前記固体レーザ媒質との間に配置したことを特徴とする請求項1ないし5のいずれかに記載の光結合装置。
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- 2005-12-15 JP JP2005361620A patent/JP2007163940A/ja active Pending
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