JP2007161995A

JP2007161995A - 液晶組成物および液晶表示素子

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Publication number: JP2007161995A
Application number: JP2006290069A
Authority: JP
Inventors: Motoki Yanai; 元樹梁井; Hiroaki Gawashiyukuden; 浩明川宿田; Shuichi Goto; 修一後藤; Yasuhiro Kubo; 恭宏久保
Original assignee: Chisso Petrochemical Corp; Chisso Corp
Current assignee: JNC Corp; JNC Petrochemical Corp
Priority date: 2005-11-16
Filing date: 2006-10-25
Publication date: 2007-06-28
Anticipated expiration: 2026-10-25
Also published as: JP5034442B2

Abstract

【課題】紫外線に対する高い安定性、熱に対する高い安定性などの複数の特性を充足する液晶組成物及びそれを用いた液晶表示素子の提供。
【解決手段】第１成分として、式（１）で表で表わされる化合物、第２成分として、Ｆで置換されたターフェニル化合物、４位にＦ、アルキル基等で置換されたシクロヘキシルジフェニル化合物、Ｆ、アルキル基等で置換されたジシクロヘキシルフェニル化合物から選ばれた１種の化合物、第３成分として４位にアルケニル基で置換されたジシクロヘキシル化合物を含有したネマチック液晶組成物。

（式中、Ｒ^１はアルキル基、アルケニル基、Ｙ^１はＦ，Ｃｌ，トリフルオロメトキシ基、Ｘ^１〜Ｘ^４はＨまたはＦである。）
【選択図】なし

Description

本発明は、主としてＡＭ（active matrix）素子などに適する液晶組成物およびこの組成物を含有するＡＭ素子などに関する。この組成物はネマチック相および正の誘電率異方性を有する。

液晶表示素子において、液晶の動作モードに基づいた分類は、ＰＣ（phase change）、ＴＮ（twisted nematic）、ＳＴＮ（super twisted nematic）、ＥＣＢ（electrically controlled birefringence）、ＯＣＢ（optically compensated bend）、ＩＰＳ（in-plane switching）、ＶＡ（vertical alignment）などである。素子の駆動方式に基づいた分類は、ＰＭ（passive matrix）とＡＭ（active matrix）である。ＰＭはスタティック（static）とマルチプレックス（multiplex）などに分類され、ＡＭはＴＦＴ（thin film transistor）、ＭＩＭ（metal insulator metal）などに分類される。ＴＦＴの分類は非晶質シリコン（amorphous silicon）および多結晶シリコン（polycrystal silicon）である。後者は製造工程によって高温型と低温型とに分類される。光源に基づいた分類は、自然光を利用する反射型、バックライトを利用する透過型、そして自然光とバックライトの両方を利用する半透過型である。

これらの素子は適切な特性を有する液晶組成物を含有する。この液晶組成物はネマチック相を有する。良好な一般的特性を有するＡＭ素子を得るには組成物の一般的特性を向上させる。２つの一般的特性における関連を下記の表１にまとめる。組成物の一般的特性を市販されているＡＭ素子に基づいてさらに説明する。ネマチック相の温度範囲は、素子の使用できる温度範囲に関連する。ネマチック相の好ましい上限温度は７０℃以上であり、そしてネマチック相の好ましい下限温度は−１０℃以下である。組成物の粘度は素子の応答時間に関連する。素子で動画を表示するためには短い応答時間が好ましい。したがって、組成物における小さな粘度が好ましい。低い温度における小さな粘度はより好ましい。

組成物の光学異方性は、素子のコントラスト比に関連する。組成物の光学異方性（Δｎ）と素子のセルギャップ（ｄ）との積（Δｎ・ｄ）は、コントラスト比を最大にするように設計される。適切な積の値は動作モードの種類に依存する。ＴＮのようなモードの素子では、適切な値は約０．４５μｍである。この場合、小さなセルギャップの素子には大きな光学異方性を有する組成物が好ましい。組成物における大きな誘電率異方性は素子における低いしきい値電圧、小さな消費電力と大きなコントラスト比に寄与する。一般的に、誘電率異方性が大きいほど粘度が大きくなる。素子の用途によって適切な誘電率異方性が求められる。組成物における大きな比抵抗は、素子における大きな電圧保持率と大きなコントラスト比に寄与する。したがって、初期段階において室温だけでなく高い温度でも大きな比抵抗を有する組成物が好ましい。長時間使用したあと、室温だけでなく高い温度でも大きな比抵抗を有する組成物が好ましい。紫外線および熱に対する組成物の安定性は、液晶表示素子の寿命に関する。これらの安定性が高いとき、この素子の寿命は長い。

従来の組成物は、下記の特許文献１から１１に開示されている。
特開昭５９−２１６８７６号公報（ＵＳ４５８１１５５）特開昭６３−１９６６８５号公報特開平２−５０２９２１号公報特開平２−５０１３１１号公報特開平２−８６６８９号公報特開平３−６３６２１号公報特開平４−５０２７８１号公報特開平４−５０１２７２号公報特開平４−５０１５７５号公報特開平４−２９９３０８号公報特開平８−１５７８２６号公報（ＥＰ０７１７０９３Ａ２）

望ましいＡＭ素子は、使用できる温度範囲が広い、応答時間が短い、コントラスト比が大きい、しきい値電圧が低い、電圧保持率が大きい、寿命が長い、などの特性を有する。１ミリ秒でもより短い応答時間が望ましい。したがって、組成物の望ましい特性は、ネマチック相の高い上限温度、ネマチック相の低い下限温度、小さな粘度、大きな光学異方性、大きな誘電率異方性、大きな比抵抗、紫外線に対する高い安定性、熱に対する高い安定性、などである。

本発明の目的は、ネマチック相の高い上限温度、ネマチック相の低い下限温度、小さな粘度、適切な光学異方性、適切な誘電率異方性、大きな比抵抗、紫外線に対する高い安定性、熱に対する高い安定性などの特性において、複数の特性を充足する液晶組成物を提供することである。この目的は、複数の特性に関して適切なバランスを有する液晶組成物を提供することである。この目的は、このような組成物を含有する液晶表示素子を提供することでもある。本発明の側面は、小さな粘度、０．０９〜０．１７の光学異方性を有する液晶組成物を提供することであり、そして短い応答時間、大きな電圧保持率、大きなコントラスト比、長い寿命などを有するＡＭ素子を提供することである。

第１成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第２成分として式（２−１）から式（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第３成分として式（３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そしてネマチック相を有する液晶組成物。

ここで、Ｒ^１、Ｒ^２およびＲ^４は独立して炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ^３はフッ素、炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ^５はフッ素、塩素、炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ^６は炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｙ^１はフッ素、塩素またはトリフルオロメトキシであり；Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、およびＸ^４は独立して水素またはフッ素であり；Ｘ^５およびＸ^６の一方がフッ素であり、他方が水素である。

本発明の組成物は、ネマチック相の高い上限温度、ネマチック相の低い下限温度、小さな粘度、適切な光学異方性、適切な誘電率異方性、大きな比抵抗、紫外線に対する高い安定性、熱に対する高い安定性などの特性において、複数の特性を充足する。この組成物は、複数の特性に関して適切なバランスを有する。本発明の素子は、この組成物を含有する。この組成物の多くは、小さな粘度、０．０９〜０．１７の光学異方性、短い応答時間、大きな電圧保持率、大きなコントラスト比、長い寿命などを有するＡＭ素子に適した。

この明細書における用語の使い方は次のとおりである。本発明の液晶組成物または本発明の液晶表示素子をそれぞれ「組成物」または「素子」と略すことがある。液晶表示素子は液晶表示パネルおよび液晶表示モジュールの総称である。「液晶性化合物」は、ネマチック相、スメクチック相などの液晶相を有する化合物または液晶相を有さないが組成物の成分として有用な化合物を意味する。この有用な化合物は１，４−シクロヘキシレンや１，４−フェニレンのような六員環を含有し、直線状の分子構造を有する。光学活性な化合物は組成物に添加されることがある。この化合物が液晶性化合物であったとしても、ここでは添加物として分類される。式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を「化合物（１）」と略すことがある。式（１）で表される化合物の群も「化合物（１）」と略すことがある。他の式で表される化合物についても同様である。

ネマチック相の上限温度を「上限温度」と略すことがある。ネマチック相の下限温度を「下限温度」と略すことがある。「比抵抗が大きい」は、組成物が初期段階において室温だけでなく高い温度でも大きな比抵抗を有し、そして長時間使用したあと室温だけでなく高い温度でも大きな比抵抗を有することを意味する。「電圧保持率が大きい」は、素子が初期段階において室温だけでなく高い温度でも大きな電圧保持率を有し、そして長時間使用したあと室温だけでなく高い温度でも大きな電圧保持率を有することを意味する。光学異方性などの特性を説明するときは、実施例に記載した方法で測定した値を用いる。「第１成分の割合」は、液晶組成物の全重量に基づいた重量百分率（重量％）を意味する。第２成分の割合などにおいても同様である。組成物に混合される添加物の割合は、液晶組成物の全重量に基づいた重量百分率（重量％）を意味する。

下記の化合物（１）は大きな光学異方性、大きな誘電率異方性、および小さな粘度を有する。この化合物は、高速応答用の素子に対する組成物の成分として好ましい。この化合物は、主に、ＰＭ用およびＳＴＮ用の化合物として、シアノ化合物またはトラン化合物と一緒に用いられてきた。一方、シアノ化合物およびトラン化合物は、ＡＭ用の素子に求められる高い信頼性をクリアーしない。そこで、化合物（１）を、ＡＭ用の組成物に展開する際に、他の化合物を適切に選び出し、組成物を発明する必要があった。そこで、高い信頼性および種々の特性のバランスを満足するように、化合物（２−１）から化合物（２−３）、および化合物（３）を選択し本組成物を完成した。化合物（２−１）から化合物（２−３）は、広いネマチック相を有し、また、適切な光学異方性の調整ができ、化合物（３）は、小さい粘度および低い下限温度を有する。このような着想に基づいて組成物を調製し、適切な光学異方性、適切な誘電率異方性、小さい粘度、高い信頼性および高い上限温度と低い下限温度などの特性を有する組成物を見出した。組成物の特性を微調整できるような成分化合物をさらに検討し、本発明を完成させた。

ここで、Ｒ^１は炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり、Ｙ^１はフッ素、塩素またはトリフルオロメトキシであり、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３およびＸ^４は独立して水素またはフッ素である。

本発明の詳細は、下記の項のとおりである。
１．第１成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第２成分として式（２−１）から式（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第３成分として式（３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そしてネマチック相を有する液晶組成物。

２．液晶組成物の全重量に基づいて、第１成分の割合が５重量％から４０重量％の範囲であり、第２成分の割合が５重量％から６０重量％の範囲であり、そして第３成分の割合が１０重量％から５５重量％の範囲である、項１に記載の液晶組成物。
３．第１成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第２成分として式（２−１）から式（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第３成分として式（３−１）および式（３−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そしてネマチック相を有する液晶組成物。

ここで、Ｒ^１およびＲ^２は独立して炭素数１〜１２のアルキルであり；Ｒ^３はフッ素であり；Ｒ^４は炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ^５はフッ素、塩素、炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｙ^１はフッ素、塩素またはトリフルオロメトキシであり；Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３およびＸ^４は独立して水素またはフッ素であり；Ｘ^５はフッ素であり；Ｘ^６は水素である。
４．第１成分として式（１−１）から式（１−４）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第２成分として式（２−１）から式（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第３成分として式（３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そしてネマチック相を有する液晶組成物。

ここで、Ｒ^１、Ｒ^２およびＲ^４は独立して炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ^３はフッ素、炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ^５はフッ素、塩素または炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ^６は炭素数２〜１２のアルケニルであり、Ｘ^５およびＸ^６の一方は水素であり、他方がフッ素である。

５．第１成分として式（１−１）から式（１−４）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第２成分として式（２−１）から式（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第３成分として式（３−１）および式（３−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そしてネマチック相を有する液晶組成物。

ここで、Ｒ^１およびＲ^２は独立して炭素数１〜１２のアルキルであり；Ｒ^３はフッ素であり；Ｒ^４は炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ^５はフッ素、塩素、炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｘ^５はフッ素であり；Ｘ^６は水素である。

６．第１成分が式（１−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物であり、第２成分が、式（２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（２−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である、項４または５に記載の液晶組成物。

７．第１成分が式（１−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物であり、第２成分が、式（２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である、項４または５に記載の液晶組成物。

８．第１成分が式（１−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物であり、第２成分が、式（２−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である、項４または５に記載の液晶組成物。

９．第１成分が式（１−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物であり、第２成分が、式（２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、式（２−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である、項４または５に記載の液晶組成物。
１０．第１成分が、式（１−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（１−４）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物であり、第２成分が、式（２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（２−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である、項４または５に記載の液晶組成物。

１１．第１成分が、式（１−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（１−４）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物であり、第２成分が、式（２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である、項４または５に記載の液晶組成物。

１２．第１成分が、式（１−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（１−４）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物であり、第２成分が、式（２−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である、４または５に記載の液晶組成物。

１３．第１成分が、式（１−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（１−４）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物であり、第２成分が、式（２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、式（２−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である、項４または５に記載の液晶組成物。

１４．第１成分が式（１−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物であり、第２成分が、式（２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（２−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である、項４または５に記載の液晶組成物。

１５．第１成分が式（１−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物であり、第２成分が、式（２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である項４または５に記載の液晶組成物。

１６．第１成分が式（１−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物であり、第２成分が、式（２−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である、項４または５に記載の液晶組成物。

１７．第１成分が、式（１−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（１−４）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物であり、第２成分が、式（２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（２−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である、項４または５に記載の液晶組成物。

１８．第１成分が、式（１−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（１−４）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物であり、第２成分が、式（２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である、項４または５に記載の液晶組成物。

１９．第１成分が、式（１−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（１−４）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物であり、第２成分が、式（２−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である、項４または５に記載の液晶組成物。

２０．第１成分が式（１−４）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物であり、第２成分が、式（２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（２−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である、項４または５に記載の液晶組成物。

２１．第１成分が式（１−４）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物であり、第２成分が、式（２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である、項４または５に記載の液晶組成物。

２２．第１成分が式（１−４）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物であり、第２成分が、式（２−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である、項４または５に記載の液晶組成物。

２３．第１成分が式（１−４）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物であり、第２成分が、式（２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、式（２−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である、項４または５に記載の液晶組成物。

２４．液晶組成物の全重量に基づいて、第１成分の割合が５重量％から４０重量％の範囲であり、第２成分の割合が５重量％から６０重量％の範囲であり、そして第３成分の割合が１０重量％から５５重量％の範囲である、項４から２３のいずれか１項に記載の液晶組成物。

２５．第４成分として式（４−１）および式（４−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物をさらに含有する項１から２４のいずれか１項に記載の液晶組成物。

ここで、Ｒ^１は炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｙ^２はフッ素またはトリフルオロメトキシであり；Ｘ^７は水素またはフッ素であり；Ａは１，４−シクロへキシレンまたは１，４−フェニレンである。

２６．第４成分が式（４−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である項２５に記載の液晶組成物

２７．液晶組成物の全重量に基づいて、第１成分の割合が５重量％から４０重量％の範囲であり、そして第２成分の割合が５重量％から６０重量％の範囲であり、第３成分の割合が１０重量％から５５重量％であり、そして第４成分の割合が１０重量％から３５重量％の範囲である、項２５または２６に記載の液晶組成物

２８．第５成分として式（５−１）および式（５−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物をさらに含有する、項１から項２７のいずれか１項に記載の液晶組成物

ここで、Ｒ^１は炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ^７は水素または基Ｄであり、少なくとも１つのＲ^７は基Ｄであり、；Ｒ^８は水素、炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数１〜１２のアルコキシであり；Ｒ^９は炭素数１〜８のアルキルであり；Ｒ^１０およびＲ^１１は独立して水素または炭素数１〜５のアルキルであり；Ｂは１，４−シクロへキシレン、１，４−フェニレンまたは３−フルオロ−１，４−フェニレンであり；Ｚは単結合、エチレン、カルボニルオキシ、またはオキシカルボニルであり；ｍは１〜２０であり；ｎは１または２である。

２９．液晶組成物の全重量に基づいて、第１成分の割合が５重量％から４０重量％の範囲であり、第２成分の割合が５重量％から６０重量％の範囲であり、第３成分の割合が１０重量％から５５重量％であり、第４成分の割合が１０重量％から３５重量％の範囲であり、そして第５成分の割合が０．００１重量％から５重量％の範囲である、項２８に記載の液晶組成物

３０．ネマチック相の上限温度が７０℃以上であり、波長５８９ｎｍにおける光学異方性（２５℃）が０．１１から０．１７の範囲であり、そして回転粘度（２５℃）が２０ｍＰａ・ｓから６０ｍＰａ・ｓの範囲である、項１から２９のいずれか１項に記載の液晶組成物。

３１．項１から３０のいずれか１項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。

本発明は、次の項も含む。１）光学活性な化合物をさらに含有する上記の組成物、２）第５成分以外の、酸化防止剤、紫外線吸収剤、消泡剤などの添加物をさらに含有する上記の組成物。３）上記の組成物を含有するＡＭ素子、４）上記の組成物を含有し、そしてＴＮ、ＥＣＢ、ＯＣＢ、またはＩＰＳのモードを有する素子、５）上記の組成物を含有する透過型の素子、６）上記の組成物を、ネマチック相を有する組成物としての使用、７）上記の組成物に光学活性な化合物を添加することによって光学活性な組成物としての使用。

本発明の組成物を次の順で説明する。第一に、組成物における成分化合物の構成を説明する。第二に、成分化合物の主要な特性、およびこの化合物が組成物に及ぼす主要な効果を説明する。第三に、成分化合物の好ましい割合およびその根拠を説明する。第四に、成分化合物の好ましい形態を説明する。第五に、成分化合物の具体的な例を示す。第六に、成分化合物の合成法を説明する。第七に、組成物に混合してもよい添加物を説明する。最後に、組成物の用途を説明する。

第一に、組成物における成分化合物の構成を説明する。本発明の組成物は組成物Ａと組成物Ｂに分類される。組成物Ａはその他の液晶性化合物、添加物、不純物などをさらに含有してもよい。「その他の液晶性化合物」は、化合物（１）、化合物（２−１）、化合物（２−２）、化合物（２−３）、化合物（３）、化合物（３−１）、化合物（３−２）、化合物（４−１）、化合物（４−２）、化合物（５−１）および化合物（５−２）とは異なる液晶性化合物である。このような化合物は、特性をさらに調整する目的で組成物に混合される。添加物は、光学活性な化合物、色素、酸化防止剤、紫外線吸収剤などである。不純物は成分化合物の合成などの工程において混入した化合物などである

組成物Ｂは、実質的に化合物（１）、化合物（２−１）、化合物（２−２）、化合物（２−３）、化合物（３）、化合物（３−１）、化合物（３−２）、化合物（４−１）、化合物（４−２）、化合物（５−１）および化合物（５−２）から選択された化合物のみからなる。「実質的に」は、これらの化合物と異なる液晶性化合物を組成物が含有しないことを意味する。「実質的に」は、添加物、不純物などを組成物がさらに含有してもよいことも意味する。組成物Ｂは組成物Ａに比較して成分の数が少ない。組成物Ｂはコストを下げるためから組成物Ａよりも好ましい。その他の液晶性化合物を混合することによって物性をさらに調整できるので、組成物Ａは組成物Ｂよりも好ましい。

第二に、成分化合物の主要な特性、およびこの化合物が組成物の特性に及ぼす主要な効果を説明する。第５成分以外の成分化合物の主要な特性を本発明の目的に従って表２にまとめる。表２の記号において、Ｌは大きいまたは高い、Ｍは中程度の、Ｓは小さいまたは低い、を意味する。

成分化合物を組成物に混合したとき、成分化合物が組成物の特性に及ぼす主要な効果は次のとおりである。化合物（１）は誘電率異方性を上げ、そして光学異方性を上げる。化合物（２−１）から化合物（２−３）は上限温度を上げ、下限温度を下げ、粘度を下げそして適切な光学異方性の値に調整する。化合物（３）は、組成物の粘度を特に下げる。化合物（４−１）および化合物（４−２）は、組成物の誘電率異方性を特に上げる。化合物（５−１）と化合物（５−２）は、組成物の紫外線に対する安定性を特に上げる。

第三に、成分化合物の好ましい割合およびその根拠を説明する。第１成分の好ましい割合は、誘電率異方性を上げ、そして光学異方性を上げるために５％以上であり、下限温度を下げるために４０％以下である。さらに好ましい割合は５％から３０％である。特に好ましい割合は１０％から２５％である。

第２成分の好ましい割合は、上限温度を上げ、下限温度を下げ、粘度を下げるために５％以上であり、そして下限温度を下げるために６０％以下である。さらに好ましい割合は１０％から５５％である。特に好ましい割合は１０から５０％である。

第３成分の好ましい割合は、粘度を下げるために１０％以上であり、下限温度を下げ、そして誘電率異方性を上げるために５５％以下である。さらに好ましい割合は、１０％から５０％である。特に好ましい割合は１５％から４０％である。

第４成分は選択的な成分であり、特に大きな誘電率異方性を有する組成物の調製に適している。この成分の好ましい割合は、下限温度を下げるために、３５％以下である。さらに好ましい割合は、３０％以下である。
第５成分は、紫外線に対する更に高い安定性を得るために添加することができる。この成分の好ましい割合は、紫外線に対する更なる安定性を発揮するために、０．００１％以上であり、上限温度を上げ、そして下限温度を下げるために５％以下が好ましい。更に好ましい割合は、０．００１％から２％である。特に好ましい割合は０．０１から２％である。

組成物Ａにおいて、第１成分、第２成分、第３成分、および第４成分の合計の好ましい割合は、良好な特性を得るために７０％以上である。さらに好ましい割合は９０％以上である。組成物Ｂにおける４つの成分の合計は１００％である。

第四に、成分化合物の好ましい形態を説明する。

Ｒ^１、Ｒ^２およびＲ^４は炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルである。好ましいＲ^１およびＲ^２は炭素数１〜１２のアルキルである。Ｒ^３はフッ素、炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり、Ｒ^５はフッ素、塩素または炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルである。好ましいＲ^１〜Ｒ^５は、上限温度を上げ、下限温度を下げるなどのために、炭素数１〜７の直鎖アルキルまたは炭素数２〜７の直鎖アルケニルである。Ｒ^６は炭素数２〜１２のアルケニルである。好ましいＲ^６は、低い粘度のために、炭素数２〜７の直鎖アルケニルである。Ｒ^８は炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシまたは水素である。好ましいＲ^８は、紫外線に対する更なる安定化のために、水素またはメチルである。特に好ましいＲ^８は水素である。Ｒ^９は炭素数１〜８のアルキルである。好ましいＲ^９は炭素数１〜５の直鎖アルキルである。特に好ましいＲ^９はメチルである。

好ましいアルキルは、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、またはオクチルである。さらに好ましいアルキルは、小さな粘度などのためにエチル、プロピル、ブチル、ペンチル、またはヘプチルである。

好ましいアルケニルは、ビニル、１−プロペニル、２−プロペニル、１−ブテニル、２−ブテニル、３−ブテニル、１−ペンテニル、２−ペンテニル、３−ペンテニル、４−ペンテニル、１−ヘキセニル、２−ヘキセニル、３−ヘキセニル、４−ヘキセニル、または５−ヘキセニルである。さらに好ましいアルケニルは、小さな粘度などのために、ビニル、１−プロペニル、３−ブテニル、または３−ペンテニルである。これらのアルケニルにおける−ＣＨ＝ＣＨ−の好ましい立体配置は、二重結合の位置に依存する。粘度を下げるためなどから１−プロペニル、１−ブテニル、１−ペンテニル、１−ヘキセニル、３−ペンテニル、３−ヘキセニルのようなアルケニルにおいてはトランスが好ましい。２−ブテニル、２−ペンテニル、２−ヘキセニルのようなアルケニルにおいてはシスが好ましい。これらのアルケニルにおいては、分岐よりも直鎖のアルケニルが好ましい。

Ａは１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレンである。好ましいＡは、大きい誘電異方性および大きい光学異方性のために１，４−フェニレンである。１，４−シクロヘキシレンに関する立体配置は、高い上限温度のためにシスよりもトランスが好ましい。Ｂは１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレンまたは３−フルオロ−１，４−フェニレンである。好ましいＢは、高い上限温度および低い下限温度のために１，４−フェニレンである。１，４−シクロヘキシレンに関する立体配置は、高い上限温度のためにシスよりもトランスが好ましい。

Ｚは単結合、エチレン、カルボニルオキシ、またはオキシカルボニルである。好ましいＺは高い上限温度および低い下限温度のためにカルボニルオキシまたはオキシカルボニルである。

Ｘ^１〜Ｘ^４は独立して水素またはフッ素である。高い上限温度および低い下限温度のために、化合物（１）の好ましいＸ^１〜Ｘ^４は、順にフッ素、フッ素、水素およびフッ素、または、水素、フッ素、水素およびフッ素、または、水素、フッ素、水素および水素、または、水素、水素、水素および水素、である。さらに好ましいＸ^１〜Ｘ^４は、順にフッ素、フッ素、水素およびフッ素、または、水素、フッ素、水素および水素、または、水素、水素、水素および水素、である。特に好ましいＸ^１〜Ｘ^４は、順にフッ素、フッ素、水素およびフッ素、または、水素、水素、水素および水素、である。化合物（２−１）のＸ^５およびＸ^６は、順にフッ素および水素、または水素およびフッ素である。高い上限温度および低い下限温度のために、さらに好ましいＸ^５およびＸ^６は、順にフッ素および水素である。Ｘ^７は水素またはフッ素である。

Ｙ^１はフッ素、塩素またはトリフルオロメトキシである。高い誘電異方性、小さい粘度および低い下限温度のために、好ましいＹ^１はフッ素またはトリフルオロメトキシである。特に好ましいＹ^１はフッ素である。Ｙ^２はフッ素またはトリフルオロメトキシである。特に好ましいＹ^２はフッ素である。ｍは１〜２０である。好ましいｍは、紫外線に対する更なる安定化のために２以上であって、少なくとも２つのＲ^７が基Ｄの場合である。更に好ましいｍは４以上であり、少なくとも４つのＲ^７が基Ｄの場合である。ｎは１または２である。

第五に、成分化合物の具体的な例を示す。下記の好ましい化合物において、Ｒ^１は、炭素数１〜１０を有する直鎖のアルキルまたは炭素数２〜１０を有する直鎖のアルケニルである。これらの化合物において１，４−シクロヘキシレンに関する立体配置は、高い上限温度のためにシスよりもトランスが好ましい。成分化合物の化学式において、Ｒ^１の記号を複数の化合物に用いた。これらの化合物において、Ｒ^１の意味は同一であってもよいし、または異なってもよい。例えば、化合物（１）のＲ^１がエチルであり、化合物（２−１−１）のＲ^１がエチルであるケースがある。化合物（１）のＲ^１がエチルであり、化合物（２−１−１）のＲ^１がプロピルであるケースもある。このルールは、Ｒ^２、Ｒ^３などにも適用される。

好ましい化合物（１）は化合物（１−１）から（１−１６）である。さらに好ましい化合物（１）は高い上限温度、低い下限温度、大きい誘電率異方性および小さい粘度のために化合物（１−１）から（１−４）である。特に好ましい化合物（１）は（１−１）、（１−３）および（１−４）である。好ましい化合物（２−１）は化合物（２−１−１）および（２−１−２）である。さらに好ましい化合物（２−１）は低い下限温度のために（２−１−１）である。好ましい化合物（２−２）は化合物（２−２−１）および化合物（２−２−２）である。さらに好ましい化合物（２−２）は低い下限温度のために化合物（２−２−２）である。好ましい化合物（２−３）は化合物（２−３−１）〜化合物（２−３−３）である。さらに好ましい化合物（２−３）は低い下限温度のために化合物（２−３−１）および（２−３−３）である。特に好ましい化合物（２−３）は化合物（２−３−１）であり、左末端基Ｒ^１が炭素数２〜１２のアルケニルの場合である。好ましい化合物（３）は化合物（３−１）〜化合物（３−６）である。さらに好ましい化合物（３）は、高い上限温度、低い下限温度および小さい粘度のために化合物（３−１）および化合物（３−２）である。

好ましい化合物（４−１）は化合物（４−１−１）〜化合物（４−１−４）である。さらに好ましい化合物（４）は、大きな誘電率異方性、小さい粘度および小さい下限温度のために化合物（４−１−１）および（４−１−４）である。好ましい化合物（４−２）は化合物（４−２−１）および化合物（４−２−２）である。さらに好ましい化合物（４−２）は、大きな誘電率異方性、小さい粘度および小さい下限温度のために化合物（４−２−１）である。

好ましい化合物（５−１）は化合物（５−１−１）〜化合物（５−１−５）である。さらに好ましい化合物（５−１）は、紫外線に対する安定化のために、化合物（５−１−１）または、化合物（５−１−２）である。特に好ましい化合物（５−１）は化合物（５−１−１）である。

好ましい化合物（５−２）は化合物（５−２−１）〜化合物（５−２−１６）である。さらに好ましい化合物（５−２）は、紫外線に対する安定化のために、化合物（５−２−３）〜化合物（５−２−５）および化合物（５−２−１０）〜化合物（５−２−１４）である。

第六に、成分化合物の合成法を説明する。これらの化合物は既知の方法によって合成できる。合成法を例示する。化合物（１−４）は、特開昭５９−２１６８７６号公報に記載された方法で合成する。化合物（２−１−１）は、特開昭６０−５１１３５号公報に記載された方法で合成する。化合物（２−３−１）は、特開昭５７−１６５３２８号公報に記載された方法で合成する。化合物（２−３−２）は、特開昭５７−６４６２６号公報に記載された方法で合成する。化合物（２−３−３）は、特開昭５７−１１４５３１号公報に記載された方法で合成する。化合物（３−１）から（３−６）は、特公平４−３０３８２号公報に記載された方法で合成する。化合物（４−１−１）から（４−１−４）は、特開平１０−２５１１８６号公報に記載された方法で合成する。化合物（５−１−１）および（５−１−２）は旭電化工業株式会社か入手可能である。

合成法を記載しなかった化合物は、オーガニック・シンセシス（Organic Syntheses, John Wiley & Sons, Inc）、オーガニック・リアクションズ（Organic Reactions, John
Wiley & Sons, Inc）、コンプリヘンシブ・オーガニック・シンセシス（Comprehensive Organic Synthesis, Pergamon Press）、新実験化学講座（丸善）などの成書に記載された方法によって合成できる。

第七に、組成物に混合してもよい添加物を説明する。このような添加物は、光学活性な化合物、色素、酸化防止剤、紫外線吸収剤などである。液晶のらせん構造を誘起してねじれ角を与える目的で光学活性な化合物が組成物に混合される。このような化合物の例は、化合物（６−１）〜（６−４）である。光学活性な化合物の好ましい割合は５％以下である。さらに好ましい割合は０．０１％から２％の範囲である。

ＧＨ（Guest host）モードの素子に適合させるために色素が組成物に混合される。色素の好ましい割合は、０．０１％から１０％の範囲である。大気中での加熱による比抵抗の低下を防止するために、または、素子を長時間使用したあと、室温だけではなく高い温度でも大きな電圧保持率を維持するために、酸化防止剤が組成物に混合される。酸化防止剤の好ましい割合は、その効果を得るために５０ｐｐｍ以上であり、上限温度を下げないように、または下限温度を上げないように６００ｐｐｍ以下である。さらに好ましい割合は、１００ｐｐｍから３００ｐｐｍである。

酸化防止剤の好ましい例は、ｋが１〜９の整数である化合物（７）などである。化合物（７）において、好ましいｋは、１、３、５、７、または９である。さらに好ましいｋは１または７である。ｋが１である化合物（７）は、揮発性が大きいので、大気中での加熱による比抵抗の低下を防止するときに有効である。ｋが７である化合物（７）は、揮発性が小さいので、素子を長時間使用したあと、室温だけではなく高い温度でも大きな電圧保持率を維持するのに有効である。

紫外線吸収剤の好ましい例は、ベンゾフェノン誘導体、ベンゾエート誘導体、トリアゾール誘導体などである。紫外線吸収剤の好ましい割合は、その効果を得るために５０ｐｐｍ以上であり、上限温度を下げないように、または下限温度を上げないように１００００ｐｐｍ以下である。さらに好ましい割合は１００ｐｐｍから１０００ｐｐｍの範囲である。

最後に、組成物の用途を説明する。大部分の組成物は、−１０℃以下の下限温度、７０℃以上の上限温度、そして０．１５〜０．２５の光学異方性を有する。この組成物を含有する素子は大きな電圧保持率を有する。この組成物はＡＭ素子に適する。この組成物は透過型のＡＭ素子に特に適する。成分化合物の割合を制御することによって、またはその他の液晶性化合物を混合することによって、０．１５〜０．２５の光学異方性を有する組成物、さらには０．１２〜０．３０の光学異方性を有する組成物を調製してもよい。この組成物は、ネマチック相を有する組成物としての使用、光学活性な化合物を添加することによって光学活性な組成物としての使用が可能である。

この組成物はＡＭ素子への使用が可能である。さらにＰＭ素子への使用も可能である。この組成物は、ＰＣ、ＴＮ、ＳＴＮ、ＥＣＢ、ＯＣＢ、ＩＰＳ、ＶＡなどのモードを有する素子への使用も可能である。ＴＮまたはＯＣＢモードを有する素子への使用は特に好ましい。これらの素子が反射型、透過型または半透過型であってもよい。透過型の素子への使用は好ましい。非結晶シリコン−ＴＦＴ素子または多結晶シリコン−ＴＦＴ素子への使用も可能である。この組成物をマイクロカプセル化して作製したＮＣＡＰ（nematic curvilinear aligned phase）素子や、組成物中に三次元の網目状高分子を形成させたＰＤ（polymer dispersed）素子、例えばＰＮ（polymer network）素子にも使用できる。

実施例により本発明を詳細に説明する。本発明は下記の実施例によって限定されない。比較例および実施例における化合物は、下記の表３の定義に基づいて記号により表した。
表３において、１，４−シクロヘキシレンおよび１，３−ジオキサン−２，５−ジイルに関する立体配置はトランスである。−ＣＨ＝ＣＨ−の結合基に関する立体配置はトランスである。実施例において記号の後にあるかっこ内の番号は好ましい化合物の番号に対応する。（−）の記号はその他の液晶性化合物を意味する。化合物の割合（百分率）は、液晶組成物の全重量に基づいた重量百分率（重量％）である。最後に、組成物の特性値をまとめた。

組成物は、液晶性化合物などの成分の重量を測定してから混合することによって調製される。したがって、成分の重量％を算出するのは容易である。しかし、組成物をガスクロマト分析することによって成分の割合を正確に算出するのは容易でない。補正係数が液晶性化合物の種類に依存するからである。幸いなことに補正係数はほぼ１である。さらに、成分化合物における１重量％の差異が組成物の特性に与える影響は小さい。したがって、本発明においてはガスクロマトグラフにおける成分ピークの面積比を成分化合物の重量％と見なすことができる。つまり、ガスクロマト分析の結果（ピークの面積比）は、補正することなしに液晶性化合物の重量％と等価であると考えてよいのである。

試料が組成物のときはそのまま測定し、得られた値を記載した。試料が化合物のときは、１５重量％の化合物および８５重量％の母液晶を混合することによって試料を調製した。測定によって得られた値から外挿法よって化合物の特性値を算出した。外挿値＝（試料の測定値−０．８５×母液晶の測定値）／０．１５。この割合でスメクチック相（または結晶）が２５℃で析出するときは、化合物と母液晶の割合を１０重量％：９０重量％、５重量％：９５重量％、１重量％：９９重量％の順に変更した。この外挿法によって化合物に関する上限温度、光学異方性、粘度、および誘電率異方性の値を求めた。

母液晶の組成は下記のとおりである。

特性値の測定は下記の方法にしたがった。それらの多くは、日本電子機械工業会規格（Standard of Electric Industries Association of Japan）ＥＩＡＪ・ＥＤ−２５２１Ａに記載された方法、またはこれを修飾した方法である。測定に用いたＴＮ素子には、ＴＦＴを取り付けなかった。

ネマチック相の上限温度（ＮＩ；℃）：偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレートに試料を置き、１℃／分の速度で加熱した。試料の一部がネマチック相から等方性液体に変化したときの温度を測定した。ネマチック相の上限温度を「上限温度」と略すことがある。

ネマチック相の下限温度（Ｔ_Ｃ；℃）：ネマチック相を有する試料をガラス瓶に入れ、０℃、−１０℃、−２０℃、−３０℃、および−４０℃のフリーザー中に１０日間保管したあと、液晶相を観察した。例えば、試料が−２０℃ではネマチック相のままであり、−３０℃では結晶またはスメクチック相に変化したとき、Ｔ_Ｃを≦−２０℃と記載した。ネマチック相の下限温度を「下限温度」と略すことがある。

粘度（η；２０℃で測定；ｍＰａ・ｓ）：測定にはＥ型回転粘度計を用いた。

回転粘度（γ１；２５℃で測定；ｍＰａ・ｓ）：測定はM. Imai et al., Molecular Crystals and Liquid Crystals, Vol. 259, 37 (1995)に記載された方法に従った。ツイスト角が０°であり、そして２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が５μｍであるＴＮ素子に試料を入れた。ＴＮ素子に１６ボルトから１９．５ボルトの範囲で０．５ボルト毎に段階的に印加した。０．２秒の無印加のあと、ただ１つの矩形波（矩形パルス；０．２秒）と無印加（２秒）の条件で印加を繰り返した。この印加によって発生した過渡電流（transient current）のピーク電流（peak current）とピーク時間（peak time）を測定した。これらの測定値とM. Imaiらの論文、４０頁の計算式（８）とから回転粘度の値を得た。この計算で必要な誘電率異方性の値は、この回転粘度の測定で使用した素子にて、下記の誘電率異方性の測定方法で求めた。

光学異方性（屈折率異方性；Δｎ；２５℃で測定）：測定は、波長５８９ｎｍの光を用い、接眼鏡に偏光板を取り付けたアッベ屈折計により行なった。主プリズムの表面を一方向にラビングしたあと、試料を主プリズムに滴下した。屈折率ｎ‖は偏光の方向がラビングの方向と平行であるときに測定した。屈折率ｎ⊥は偏光の方向がラビングの方向と垂直であるときに測定した。光学異方性の値は、Δｎ＝ｎ‖−ｎ⊥、の式から計算した。

誘電率異方性（Δε；２５℃で測定）：２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が９μｍであり、そしてツイスト角が８０度であるＴＮ素子に試料を入れた。この素子にサイン波（１０Ｖ、１ｋＨｚ）を印加し、２秒後に液晶分子の長軸方向における誘電率（ε‖）を測定した。この素子にサイン波（０．５Ｖ、１ｋＨｚ）を印加し、２秒後に液晶分子の短軸方向における誘電率（ε⊥）を測定した。誘電率異方性の値は、Δε＝ε‖−ε⊥、の式から計算した。

しきい値電圧（Ｖｔｈ；２５℃で測定；Ｖ）：測定には大塚電子株式会社製のＬＣＤ５１００型輝度計を用いた。光源はハロゲンランプである。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が約０．４５ / Δｎ (μｍ)であり、ツイスト角が８０度であるノーマリーホワイトモード（normally white mode）のＴＮ素子に試料を入れた。この素子に印加する電圧（３２Ｈｚ、矩形波）は０Ｖから１０Ｖまで０．０２Ｖずつ段階的に増加させた。この際に、素子に垂直方向から光を照射し、素子を透過した光量を測定した。この光量が最大になったときが透過率１００％であり、この光量が最小であったときが透過率０％である電圧−透過率曲線を作成した。しきい値電圧は透過率が９０％になったときの電圧である。

電圧保持率（ＶＨＲ−１；２５℃；％、ＶＨＲ−２；８０℃；％）：測定に用いたＴＮ素子はポリイミド配向膜を有し、そして２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）は５μｍである。この素子は試料を入れたあと紫外線によって重合する接着剤で密閉した。このＴＮ素子にパルス電圧（５Ｖで６０マイクロ秒）を印加して充電した。減衰する電圧を高速電圧計で１６．７ミリ秒のあいだ測定し、単位周期における電圧曲線と横軸との間の面積Ａを求めた。面積Ｂは減衰しなかったときの面積である。電圧保持率は面積Ｂに対する面積Ａの百分率である。

電圧保持率（ＶＨＲ−３；２５℃；％）：紫外線を照射したあと、電圧保持率（ＶＨＲ−３；２５℃；％）を測定し、紫外線に対する安定性を評価した。大きなＶＨＲ−３を有する組成物は紫外線に対して大きな安定性を有する。測定に用いたＴＮ素子はポリイミド配向膜を有し、そしてセルギャップは５μｍである。この素子に試料を注入し、光を２０分間照射した。光源は超高圧水銀ランプＵＳＨ−５００Ｄ（ウシオ電機製）であり、素子と光源の間隔は２０ｃｍである。ＶＨＲ−３の測定では、減衰する電圧を１６６７ミリ秒のあいだ測定した。

応答時間（τ；２５℃で測定；ｍｓ（ミリ秒））：測定には大塚電子株式会社製のＬＣＤ５１００型輝度計を用いた。光源はハロゲンランプである。ローパス・フィルター（Low-pass filter）は５ｋＨｚに設定した。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が約０．４５ / Δｎ (μｍ)であり、ツイスト角が８０度であるノーマリーホワイトモード（normally white mode）のＴＮ素子に試料を入れた。この素子に矩形波（６０Ｈｚ、５Ｖ、０．５秒）を印加した。この際に、素子に垂直方向から光を照射し、素子を透過した光量を測定した。この光量が最大になったときが透過率１００％であり、この光量が最小であったときが透過率０％である。立ち上がり時間（τｒ：rise time）は、透過率が９０％から１０％に変化するのに要した時間である。立下がり時間（τｆ：fall time）は透過率１０％から９０％に変化するのに要した時間である。応答時間は、このようにして求めた立上がり時間と立下り時間との和である。

ガスクロマト分析：測定には島津製作所製のＧＣ−１４Ｂ型ガスクロマトグラフを用いた。キャリアーガスはヘリウム（２ｍｌ／分）である。試料気化室を２８０℃に、検出器（ＦＩＤ）を３００℃に設定した。成分化合物の分離には、Agilent Technologies Inc.製のキャピラリカラムＤＢ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ；固定液相はジメチルポリシロキサン；無極性）を用いた。このカラムは、２００℃で２分間保持したあと、５℃／分の割合で２８０℃まで昇温した。試料はアセトン溶液（０．１重量％）に調製したあと、その１μｌを試料気化室に注入した。記録計は島津製作所製のＣ−Ｒ５Ａ型Chromatopac、またはその同等品である。得られたガスクロマトグラムは、成分化合物に対応するピークの保持時間およびピークの面積を示した。

試料を希釈するための溶媒は、クロロホルム、ヘキサンなどを用いてもよい。成分化合物を分離するために、次のキャピラリカラムを用いてもよい。Agilent Technologies Inc.製のＨＰ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）、Restek Corporation製のＲｔｘ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）、SGE International Pty. Ltd製のＢＰ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）。化合物ピークの重なりを防ぐ目的で島津製作所製のキャピラリーカラムＣＢＰ１−Ｍ５０−０２５（長さ５０ｍ、内径０．２５ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）を用いてもよい。ガスクロマトグラムにおけるピークの面積比は成分化合物の割合に相当する。成分化合物の重量％は各ピークの面積比と完全には同一ではない。しかし、本発明においては、これらのキャピラリカラムを用いるときは、成分化合物の重量％は各ピークの面積比と同一であると見なしてよい。成分化合物における補正係数に大きな差異がないからである。

比較例１
特許文献３（特表平２−５０２９２１号公報）に開示された組成物の中から例１を選んだ。根拠は、この組成物が化合物（１−３）および（２−２−１）を含有するからである。この組成物の成分および特性は下記のとおりである。

７−ＰｙＢＢ（Ｆ）−Ｆ（１−３）２％
５−ＨＢＢ−９（２−２−１）５％
５−ＨＢ−３（−）１１％
３−ＨＢ−Ｏ１（−）９％
３−ＨＢ−Ｏ３（−）７％
３−ＰｙＢ−２（−）７％
３−ＰｙＢ−３（−）７％
６−ＰｙＢ−Ｏ４（−）５％
６−ＰｙＢ−Ｏ６（−）５％
６−ＰｙＢ−Ｏ８（−）５％
７−ＰｙＢ−Ｏ６（−）５％
７−ＰｙＢ−Ｏ８（−）５％
３−ＨＨ２Ｂ−１（−）９％
３−ＨＨ２Ｂ−３（−）９％
３−ＨＨ２Ｂ−５（−）９％
ＮＩ＝６０．３℃；Ｔｃ≦０℃；Δｎ＝０．１２７；Δε＝０．７；γ１＝６５．２ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝４．１９Ｖ；ＶＨＲ−１＝９７．２％；ＶＨＲ−２＝９６．５％；τ＝７．２ｍｓ．

比較例２
特許文献１１（特開平８−１５７８２６公報）に開示された組成物のなかから実施例１１を選んだ。根拠は、この組成物が化合物（１−４）を含有するからである。
この組成物の成分および特性は下記のとおりである。
３−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）５％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）５％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）４％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ（−）４％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ（−）４％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ（−）４％
４−ＨＨ−ＶＦＦ（−）６％
５−ＨＨ−ＶＦＦ（−）７％
２−ＢＥＢ−ＣＮ（−）５％
３−ＨＢ−ＣＮ（−）１０％
１Ｏ１−ＨＢ−ＣＮ（−）６％
３−ＨＥＢ−Ｏ４（−）６％
５−ＨＥＢ−Ｏ１（−）６％
４−ＨＥＢ−３（−）６％
４−ＨＥＢ−４（−）６％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（−）４％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ（−）４％
３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（−）４％
３−ＨＢＥＢ−Ｆ（−）４％
ＮＩ＝８１．５℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１１３；Δε＝８．１；γ１＝１０７．９ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．５１Ｖ；ＶＨＲ−１＝９４．５％；ＶＨＲ−２＝６５．２％；τ＝１３．４ｍｓ．

実施例１
実施例１の組成物は、比較例１のそれと比較して、高いＮＩ、大きいΔε、低いＶｔｈ、小さいγ１および短いτを有する。
３−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）１０％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）９％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）１０％
Ｖ−ＨＨＢ−１（２−３−１）５％
Ｖ−ＨＨ−３（３−１）３２％
３−ＨＢ−ＣＬ（−）１４％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（−）５％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（−）１５％
ＮＩ＝８０．０℃；Ｔｃ≦−１０℃；Δｎ＝０．１３２；Δε＝５．４；γ１＝４７．９ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝２．０６Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．９％；ＶＨＲ−２＝９８．０％；τ＝５．３ｍｓ．

実施例２
実施例２の組成物は、比較例２のそれと比較して、ほぼ同等のＮＩ、小さいγ１および高いＶＨＲ−２を有する。
３−ＰｙＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−１）７％
５−ＰｙＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−１）６％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３（２−１−１）８％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−５（２−１−１）４％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−５（２−１−１）２％
２−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）３％
３−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）３％
５−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）３％
Ｖ−ＨＨＢ−１（２−３−１）１１％
Ｖ−ＨＨ−３（３−１）５１％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（−）２％
ＮＩ＝７９．１℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１１３；Δε＝３．４；γ１＝４０．１ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝２．２５Ｖ；ＶＨＲ−１＝９９．０％；ＶＨＲ−２＝９８．０％
；τ＝６．６ｍｓ．

実施例３
３−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）５％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）５％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）５％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３（２−１−１）５％
Ｖ−ＨＨＢ−１（２−３−１）９％
３−ＨＨＢ−ＣＬ（２−３−３）７％
Ｖ−ＨＨ−３（３−１）３２％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３（４−１−３）１０％
３−ＨＢ−ＣＬ（−）１４％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（−）５％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（−）３％
ＮＩ＝７２．１℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１１６；Δε＝４．７；γ１＝４３．３ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．８５Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．７％；ＶＨＲ−２＝９８．１％；ＶＨＲ−３＝７２．１％；τ＝６．３ｍｓ．

実施例４
３−ＰｙＢＢ（Ｆ）−Ｆ（１−３）７％
５−ＰｙＢＢ（Ｆ）−Ｆ（１−３）８％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３（２−１−１）５％
Ｖ−ＨＨＢ−１（２−３−１）７％
３−ＨＨＢ−ＣＬ（２−３−３）７％
Ｖ−ＨＨ−３（３−１）３２％
３−ＨＢ−ＣＬ（−）１４％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（−）５％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（−）１５％
ＮＩ＝７３．１℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１１４；Δε＝４．５；γ１＝４５．６ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．９２Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．５％；ＶＨＲ−２＝９７．９％；τ＝６．６ｍｓ．

実施例５
３−ＰｙＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−２）６％
５−ＰｙＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−２）６％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３（２−１−１）９．５％
Ｖ−ＨＨＢ−１（２−３−１）８．５％
３−ＨＨＢ−ＣＬ（２−３−３）７％
Ｖ−ＨＨ−３（３−１）２９％
３−ＨＢ−ＣＬ（−）１４％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（−）５％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（−）１５％
ＮＩ＝７１．９℃；Ｔｃ≦−１０℃；Δｎ＝０．１１４；Δε＝４．７；γ１＝４６．９ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．８９Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．０％；ＶＨＲ−２＝９７．７％；ＶＨＲ−３＝７９．４％；τ＝７．１ｍｓ．

実施例６
３−ＰｙＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−２）３％
４−ＰｙＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−２）４％
５−ＰｙＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−２）３％
Ｖ２−ＨＢＢ−２（２−２−１）１１％
２−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）５％
３−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）６％
５−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）６％
３−ＨＨＢ−１（２−３−１）５％
Ｖ−ＨＨＢ−１（２−３−１）２％
Ｖ−ＨＨ−５（３−１）１９％
１Ｖ−ＨＨ−３（３−２）１０％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−１−１）１３％
３−ＨＢ−ＣＬ（−）１３％
ＮＩ＝７７．７℃；Ｔｃ≦−１０℃；Δｎ＝０．１２１；Δε＝５．５；γ１＝５７．４ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．９１Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．０％；ＶＨＲ−２＝９７．５％；τ＝７．１ｍｓ．

実施例７
２−ＰｙＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−１）６％
３−ＰｙＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−１）６％
４−ＰｙＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−１）３％
Ｖ２−ＰｙＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−１）３％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３（２−１−１）１０％
２−ＢＢＢ（２Ｆ）−５（２−１−２）５％
Ｖ２−ＨＢＢ−２（２−２−１）１０％
２−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）５％
３−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）５％
５−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）５％
Ｖ−ＨＨ−３（３−１）２５％
Ｖ−ＨＨ−４（３−１）１０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（−）７％
ＮＩ＝８３．３℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１４３；Δε＝７．０；γ１＝５９．６ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．７２Ｖ；ＶＨＲ−１＝９７．９％；ＶＨＲ−２＝９７．５％；τ＝６．２ｍｓ．

実施例８
２−ＰｙＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−１）５％
３−ＰｙＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−１）５％
５−ＰｙＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−１）５％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３（２−１−１）６％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−５（２−１−１）６％
３−ＨＢＢ−２（２−２−１）５％
５−ＨＢＢ−２（２−２−１）５％
Ｖ２−ＨＢＢ−２（２−２−１）１０％
１Ｖ２−ＨＢＢ−２（２−２−１）８％
Ｖ−ＨＨ−３（３−１）２８％
Ｖ−ＨＨ−５（３−１）７％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−１−１）１０％
ＮＩ＝８７．０℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１４３；Δε＝７．６；γ１＝６０．１ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．６８Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．０％；ＶＨＲ−２＝９７．５％；τ＝６．０ｍｓ．

実施例９
２−ＰｙＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−１）５％
３−ＰｙＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−１）５％
１Ｖ２−ＰｙＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−１）５％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３（２−１−１）１０％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−５（２−１−１）５％
１Ｖ２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−５（２−１−１）５％
２−ＢＢＢ（２Ｆ）−５（２−１−２）８％
Ｖ−ＨＨＢ−１（２−３−１）１５％
Ｖ２−ＨＨＢ−１（２−３−１）１０％
３−ＨＨＢ−Ｆ（２−３−２）５％
Ｖ−ＨＨ−３（３−１）２２％
Ｖ−ＨＨ−４（３−１）５％
ＮＩ＝９６．０℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１６３；Δε＝７．９；γ１＝７２．２ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．９１Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．０％；ＶＨＲ−２＝９７．５％；τ＝７．７ｍｓ．

実施例１０
２−ＰｙＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−１）９％
３−ＰｙＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−１）９％
５−ＰｙＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−１）９％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３（２−１−１）４％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−５（２−１−１）８％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−５（２−１−１）５％
３−ＨＨＢ−１（２−３−１）１０％
２−ＨＨＢ−ＣＬ（２−３−３）７％
３−ＨＨＢ−ＣＬ（２−３−３）７％
５−ＨＨＢ−ＣＬ（２−３−３）７％
Ｖ−ＨＨ−３（３−１）１７％
３−ＨＢ−ＣＬ（−）８％
ＮＩ＝９３．８℃；Ｔｃ≦−１０℃；Δｎ＝０．１５３；Δε＝１０．０；γ１＝１０６．０ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．５４Ｖ；ＶＨＲ−１＝９７．８％；ＶＨＲ−２＝９７．４％；τ＝１０．０ｍｓ．

実施例１１
２−ＰｙＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−１）５％
３−ＰｙＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−１）５％
５−ＰｙＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−１）５％
３−ＨＢＢ−２（２−２−１）４％
４−ＨＢＢ−２（２−２−１）４％
Ｖ２−ＨＢＢ−２（２−２−１）５％
２−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）６％
３−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）６％
５−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）６％
２−ＨＨＢ−１（２−３−１）５％
３−ＨＨＢ−１（２−３−１）５％
Ｖ−ＨＨＢ−１（２−３−１）１０％
Ｖ２−ＨＨＢ−１（２−３−１）８％
Ｖ−ＨＨ−３（３−１）２０％
１Ｖ−ＨＨ−３（３−１）６％
ＮＩ＝１０２．８℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１３９；Δε＝５．６；γ１＝７１．０ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．９８Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．２％；ＶＨＲ−２＝９７．７％；τ＝７．３ｍｓ．

実施例１２
２−ＰｙＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−１）６％
３−ＰｙＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−１）６％
５−ＰｙＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−１）６％
Ｖ２−ＨＢＢ−２（２−２−１）１０％
２−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）４％
３−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）４％
５−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）４％
２−ＨＨＢ−ＣＬ（２−３−３）５％
３−ＨＨＢ−ＣＬ（２−３−３）５％
５−ＨＨＢ−ＣＬ（２−３−３）５％
Ｖ−ＨＨ−３（３−１）２５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−１−１）１０％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３（４−１−４）１０％
ＮＩ＝７９．２℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１３４；Δε＝１０．９；γ１＝９１．０ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．４１Ｖ；ＶＨＲ−１＝９７．６％；ＶＨＲ−２＝９７．２％；τ＝７．３ｍｓ．

実施例１３
２−ＰｙＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−１）５％
３−ＰｙＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−１）５％
１Ｖ２−ＰｙＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−１）５％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３（２−１−１）１０％
２−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）５％
３−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）５％
５−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）５％
３−ＨＨＢ−１（２−３−１）５％
Ｖ−ＨＨＢ−１（２−３−１）１５％
３−ＨＨＢ−Ｆ（２−３−２）５％
Ｖ−ＨＨ−３（３−１）３０％
３−ＨＢ−ＣＬ（−）５％
ＮＩ＝９３．８℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１３１；Δε＝５．６；γ１＝５０．３ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．９３Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．２％；ＶＨＲ−２＝９７．９％；τ＝５．４ｍｓ．

実施例１４
２−ＰｙＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−１）５％
３−ＰｙＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−１）５％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３（２−１−１）６％
２−ＢＢＢ（２Ｆ）−５（２−１−２）６％
３−ＨＢＢ−２（２−２−１）５％
Ｖ２−ＨＢＢ−２（２−２−１）５％
Ｖ−ＨＨＢ−１（２−３−１）１０％
Ｖ２−ＨＨＢ−１（２−３−１）５％
２−ＨＨＢ−ＣＬ（２−３−３）３％
３−ＨＨＢ−ＣＬ（２−３−３）３％
５−ＨＨＢ−ＣＬ（２−３−３）３％
Ｖ−ＨＨ−３（３−１）２０％
１Ｖ−ＨＨ−３（３−２）１０％
３−ＨＢ−ＣＬ（−）１４％
ＮＩ＝８７．７℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１３５；Δε＝４．２；γ１＝４０．０ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝２．０９Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．１％；ＶＨＲ−２＝９７．９％；τ＝４．６ｍｓ．

実施例１５
２−ＰｙＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−１）５％
３−ＰｙＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−１）５％
３−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）５％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）５％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）５％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３（２−１−１）１０％
２−ＢＢＢ（２Ｆ）−５（２−１−２）５％
Ｖ２−ＨＢＢ−２（２−２−１）１０％
２−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）６％
３−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）６％
５−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）６％
Ｖ−ＨＨ−３（３−１）２５％
１Ｖ−ＨＨ−３（３−２）７％
ＮＩ＝１００．９℃；Ｔｃ≦−１０℃；Δｎ＝０．１６０；Δε＝６．０；γ１＝６３．７ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．９１Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．１％；ＶＨＲ−２＝９７．９％；τ＝６．８ｍｓ．

実施例１６
２−ＰｙＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−１）５％
３−ＰｙＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−１）５％
５−ＰｙＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−１）５％
３−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）７％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）７％
３−ＰｙＢＢ−ＣＬ（１−１４）７％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３（２−１−１）１２％
３−ＨＢＢ−２（２−２−１）５％
５−ＨＢＢ−２（２−２−１）５％
Ｖ２−ＨＢＢ−２（２−２−１）５％
２−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）５％
３−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）５％
Ｖ−ＨＨ−３（３−１）２７％
ＮＩ＝１０２．８℃；Ｔｃ≦−１０℃；Δｎ＝０．１７０；Δε＝８．４；γ１＝８４．９ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．６９Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．２％；ＶＨＲ−２＝９７．５％；τ＝８．４ｍｓ．

実施例１７
２−ＰｙＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−１）６％
３−ＰｙＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−１）６％
５−ＰｙＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−１）６％
３−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）６％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）６％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）６％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３（２−１−１）１０％
Ｖ−ＨＨＢ−１（２−３−１）１０％
Ｖ２−ＨＨＢ−１（２−３−１）５％
Ｖ−ＨＨ−３（３−１）１８％
３−ＨＢ−ＣＬ（−）５％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２（−）５％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３（−）５％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（−）６％
ＮＩ＝９９．５℃；Ｔｃ≦−１０℃；Δｎ＝０．１６９；Δε＝９．９；γ１＝１１２．８ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．５７Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．２％；ＶＨＲ−２＝９７．６％；τ＝１０．８ｍｓ．

実施例１８
２−ＰｙＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−１）５％
３−ＰｙＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−１）５％
５−ＰｙＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−１）５％
３−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）３％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）３％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）３％
３−ＨＢＢ−２（２−２−１）５％
Ｖ２−ＨＢＢ−２（２−２−１）５％
２−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）５％
３−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）５％
Ｖ−ＨＨＢ−１（２−３−１）１０％
Ｖ２−ＨＨＢ−１（２−３−１）６％
３−ＨＨＢ−ＣＬ（２−３−３）５％
Ｖ−ＨＨ−３（３−１）２２％
Ｖ−ＨＨ−４（３−１）４％
Ｖ−ＨＨ−５（３−１）４％
７−ＨＢ−１（−）５％
ＮＩ＝９４．８℃；Ｔｃ≦−１０℃；Δｎ＝０．１３９；Δε＝６．２；γ１＝６５．６ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．８６Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．２％；ＶＨＲ−２＝９７．６％；τ＝７．０ｍｓ．

実施例１９
２−ＰｙＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−１）５％
３−ＰｙＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−１）５％
５−ＰｙＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−１）５％
３−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）４％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）４％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）４％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３（２−１−１）８％
３−ＨＢＢ−２（２−２−１）５％
Ｖ２−ＨＢＢ−２（２−２−１）１０％
２−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）３％
３−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）３％
５−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）３％
３−ＨＨＢ−１（２−３−１）５％
Ｖ−ＨＨＢ−１（２−３−１）１０％
Ｖ２−ＨＨＢ−１（２−３−１）５％
Ｖ−ＨＨ−３（３−１）１５％
３−ＨＢ−ＣＬ（−）６％
ＮＩ＝１０４．９℃；Ｔｃ≦−１０℃；Δｎ＝０．１６７；Δε＝７．７；γ１＝９１．１ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．７６Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．４％；ＶＨＲ−２＝９７．７％；τ＝９．２ｍｓ．

実施例２０
３−ＰｙＢＢ（Ｆ）−Ｆ（１−３）７％
４−ＰｙＢＢ（Ｆ）−Ｆ（１−３）７％
５−ＰｙＢＢ（Ｆ）−Ｆ（１−３）６％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３（２−１−１）５％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−５（２−１−１）５％
３−ＨＢＢ−２（２−２−１）４％
５−ＨＢＢ−２（２−２−１）４％
Ｖ２−ＨＢＢ−２（２−２−１）１０％
Ｖ−ＨＨ−３（３−１）３０％
Ｖ−ＨＨ−５（３−１）５％
３−ＨＢ−ＣＬ（−）１０％
５−ＨＢ−ＣＬ（−）７％
ＮＩ＝８２．５℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１４０；Δε＝４．１；γ１＝３８．０ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝２．０６Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．０％；ＶＨＲ−２＝９７．８％；τ＝４．０ｍｓ．

実施例２１
３−ＰｙＢＢ（Ｆ）−Ｆ（１−３）５％
４−ＰｙＢＢ（Ｆ）−Ｆ（１−３）５％
５−ＰｙＢＢ（Ｆ）−Ｆ（１−３）４％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３（２−１−１）１０％
３−ＨＢＢ−２（２−２−１）８％
２−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）６％
３−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）６％
５−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）６％
Ｖ−ＨＨ−３（３−１）２５％
Ｖ−ＨＨ−４（３−１）５％
Ｖ−ＨＨ−５（３−１）５％
１Ｖ−ＨＨ−３（３−１）５％
７−ＨＢ−１（−）５％
３−ＨＢ−ＣＬ（−）５％
ＮＩ＝８５．４℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１３０；Δε＝３．０；γ１＝３４．０ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝２．３７Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．５％；ＶＨＲ−２＝９８．０％；τ＝４．１ｍｓ．

実施例２２
３−ＰｙＢＢ（Ｆ）−Ｆ（１−３）８％
４−ＰｙＢＢ（Ｆ）−Ｆ（１−３）８％
５−ＰｙＢＢ（Ｆ）−Ｆ（１−３）８％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３（２−１−１）１０％
２−ＢＢＢ（２Ｆ）−５（２−１−２）５％
２−ＨＨＢ−１（２−３−１）５％
３−ＨＨＢ−１（２−３−１）１０％
Ｖ−ＨＨＢ−１（２−３−１）１０％
３−ＨＨＢ−Ｆ（２−３−２）５％
Ｖ−ＨＨ−３（３−１）２５％
１Ｖ−ＨＨ−３（３−１）６％
ＮＩ＝１１２．５℃；Ｔｃ≦−１０℃；Δｎ＝０．１５１；Δε＝４．７；γ１＝７２．０ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝２．１６Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．０％；ＶＨＲ−２＝９７．５％；τ＝８．３ｍｓ．

実施例２３
３−ＰｙＢＢ（Ｆ）−Ｆ（１−３）６％
４−ＰｙＢＢ（Ｆ）−Ｆ（１−３）５％
５−ＰｙＢＢ（Ｆ）−Ｆ（１−３）５％
Ｖ２−ＨＢＢ−２（２−２−１）１０％
２−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）４％
３−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）４％
５−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）４％
Ｖ−ＨＨＢ−１（２−３−１）１０％
２−ＨＨＢ−ＣＬ（２−３−３）５％
３−ＨＨＢ−ＣＬ（２−３−３）５％
５−ＨＨＢ−ＣＬ（２−３−３）５％
Ｖ−ＨＨ−３（３−１）２５％
３−ＨＢ−ＣＬ（−）１２％
ＮＩ＝１０１．２℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１３５；Δε＝４．０；γ１＝５３．８ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝２．２０Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．２％；ＶＨＲ−２＝９７．６％；τ＝６．６ｍｓ．

実施例２４
３−ＰｙＢＢ（Ｆ）−Ｆ（１−３）６％
４−ＰｙＢＢ（Ｆ）−Ｆ（１−３）５％
５−ＰｙＢＢ（Ｆ）−Ｆ（１−３）５％
３−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）６％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）６％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）６％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３（２−１−１）７％
２−ＢＢＢ（２Ｆ）−３（２−１−２）５％
Ｖ２−ＨＢＢ−２（２−２−１）６％
２−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）３％
３−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）３％
５−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）３％
Ｖ−ＨＨ−３（３−１）２９％
Ｖ−ＨＨ−５（３−１）３％
７−ＨＢ−１（−）７％
ＮＩ＝９７．９℃；Ｔｃ≦−１０℃；Δｎ＝０．１６１；Δε＝５．５；γ１＝６５．６ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．９７Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．０％；ＶＨＲ−２＝９７．４％；τ＝７．３ｍｓ．

実施例２５
３−ＰｙＢＢ（Ｆ）−Ｆ（１−３）５％
５−ＰｙＢＢ（Ｆ）−Ｆ（１−３）５％
３−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）３％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）３％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）３％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３（２−１−１）１０％
２−ＨＨＢ−１（２−３−１）５％
３−ＨＨＢ−１（２−３−１）８％
Ｖ−ＨＨＢ−１（２−３−１）１０％
Ｖ２−ＨＨＢ−１（２−３−１）５％
Ｖ−ＨＨ−３（３−１）２５％
Ｖ−ＨＨ−４（３−１）８％
Ｖ１−ＨＨ−３（３−１）５％
３−ＨＢ−ＣＬ（−）５％
ＮＩ＝９９．７℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１３５；Δε＝３．０；γ１＝４２．０ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝２．４２Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．１％；ＶＨＲ−２＝９７．５％；τ＝５．８ｍｓ．

実施例２６
３−ＰｙＢＢ（Ｆ）−Ｆ（１−３）７％
５−ＰｙＢＢ（Ｆ）−Ｆ（１−３）６％
３−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）５％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）５％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）５％
Ｖ２−ＨＢＢ−２（２−２−１）１０％
２−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）５％
３−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）５％
Ｖ−ＨＨＢ−１（２−３−１）１０％
２−ＨＨＢ−ＣＬ（２−３−３）３％
３−ＨＨＢ−ＣＬ（２−３−３）３％
Ｖ−ＨＨ−３（３−１）２８％
Ｖ１−ＨＨ−３（３−１）３％
５−ＨＢ−１（−）５％
ＮＩ＝１０８．０℃；Ｔｃ≦−１０℃；Δｎ＝０．１４５；Δε＝４．６；γ１＝５９．５ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝２．１４Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．０％；ＶＨＲ−２＝９７．５％；τ＝６．９ｍｓ．

実施例２７
３−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）７％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）７％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）７％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３（２−１−１）１０％
２−ＢＢＢ（２Ｆ）−５（２−１−２）５％
２−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）５％
３−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）５％
５−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）５％
Ｖ−ＨＨ−３（３−１）２８％
７−ＨＢ−１（−）１０％
３−ＨＢ−ＣＬ（−）６％
５−ＨＢ−ＣＬ（−）５％
ＮＩ＝８１．５℃；Ｔｃ≦−１０℃；Δｎ＝０．１４４；Δε＝３．４；γ１＝３７．０ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝２．２０Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．２％；ＶＨＲ−２＝９７．５％；τ＝４．３ｍｓ．

実施例２８
３−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）５％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）５％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）５％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３（２−１−１）５％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−５（２−１−１）５％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−５（２−１−１）５％
２−ＨＨＢ−１（２−３−１）５％
３−ＨＨＢ−１（２−３−１）５％
Ｖ−ＨＨＢ−１（２−３−１）５％
Ｖ−ＨＨ−３（３−１）２５％
１Ｖ−ＨＨ−３（３−２）１０％
７−ＨＢ−１（−）１０％
３−ＨＢ−ＣＬ（−）５％
５−ＨＢ−ＣＬ（−）５％
ＮＩ＝８６．２℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１２６；Δε＝２．６；γ１＝３０．０ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝２．６４Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．６％；ＶＨＲ−２＝９７．９％；τ＝３．３ｍｓ．

実施例２９
３−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）８％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）７％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）７％
Ｖ２−ＨＢＢ−２（２−２−１）５％
１Ｖ２−ＨＢＢ−２（２−２−１）５％
Ｖ−ＨＨＢ−１（２−３−１）１０％
２−ＨＨＢ−ＣＬ（２−３−３）５％
３−ＨＨＢ−ＣＬ（２−３−３）５％
Ｖ−ＨＨ−３（３−１）３０％
ＶＦＦ−ＨＨＢ−１（−）５％
３−ＨＢ−ＣＬ（−）１０％
５−ＨＢ−ＣＬ（−）３％
ＮＩ＝１０５．０℃；Ｔｃ≦−１０℃；Δｎ＝０．１３６；Δε＝３．５；γ１＝４３．０ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝２．３３Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．２％；ＶＨＲ−２＝９７．７％；τ＝５．７ｍｓ．

実施例３０
３−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）８％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）８％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）８％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３（２−１−１）１０％
Ｖ２−ＨＢＢ−２（２−２−１）１０％
３−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）５％
Ｖ−ＨＨＢ−１（２−３−１）１０％
Ｖ２−ＨＨＢ−１（２−３−１）５％
Ｖ−ＨＨ−３（３−１）３０％
７−ＨＢ−１（−）６％
ＮＩ＝１０６．０℃；Ｔｃ≦−１０℃；Δｎ＝０．１５６；Δε＝３．５；γ１＝４８．０ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝２．３４Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．３％；ＶＨＲ−２＝９７．７％；τ＝６．２ｍｓ．

実施例３１
２−ＰｙＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−１）４％
３−ＰｙＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−１）４％
４−ＰｙＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−１）４％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３（２−１−１）１０％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−５（２−１−１）５％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−５（２−１−１）５％
２−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）７％
３−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）７％
５−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）７％
Ｖ−ＨＨ−３（３−１）２０％
１Ｖ−ＨＨ−３（３−２）４％
２−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−１−１）３％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−１−１）９％
５−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−１−１）６％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２（−）５％
ＮＩ＝８０．９℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１５５；Δε＝９．４；γ１＝９１．９ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．５１Ｖ；ＶＨＲ−１＝９７．９％；ＶＨＲ−２＝９７．５％；τ＝８．９ｍｓ．

実施例３２
２−ＰｙＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−１）３％
３−ＰｙＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−１）４％
４−ＰｙＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−１）３％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３（２−１−１）１０％
２−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）３％
３−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）３％
５−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）３％
Ｖ−ＨＨＢ−１（２−３−１）１２％
Ｖ２−ＨＨＢ−１（２−３−１）１０％
Ｖ−ＨＨ−３（３−１）２０％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−１−１）１４％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３（４−１−４）５％
５−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３（４−１−４）５％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２（−）５％
ＮＩ＝７４．５℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１５３；Δε＝９．６；γ１＝９９．９ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．４８Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．０％；ＶＨＲ−２＝９７．５％；τ＝９．６ｍｓ．

実施例３３
２−ＰｙＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−１）３％
３−ＰｙＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−１）３％
４−ＰｙＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−１）３％
３−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）５％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）５％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）５％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３（２−１−１）８％
２−ＨＨＢ−１（２−３−１）５％
３−ＨＨＢ−１（２−３−１）１０％
Ｖ−ＨＨＢ−１（２−３−１）８％
Ｖ２−ＨＨＢ−１（２−３−１）５％
Ｖ−ＨＨ−３（３−１）１０％
１Ｖ−ＨＨ−３（３−２）１０％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−１−１）１０％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３（４−１−３）１０％
ＮＩ＝９３．０℃；Ｔｃ≦−１０℃；Δｎ＝０．１５３；Δε＝１０．４；γ１＝１０８．５ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．５１Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．１％；ＶＨＲ−２＝９７．６％；τ＝１０．４ｍｓ．

実施例３４
２−ＰｙＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−１）３％
３−ＰｙＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−１）３％
Ｖ２−ＰｙＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−１）３％
３−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）４％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）４％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）４％
Ｖ２−ＨＢＢ−２（２−２−１）１０％
Ｖ−ＨＨＢ−１（２−３−１）１０％
２−ＨＨＢ−ＣＬ（２−３−３）５％
３−ＨＨＢ−ＣＬ（２−３−３）５％
５−ＨＨＢ−ＣＬ（２−３−３）５％
Ｖ−ＨＨ−３（３−１）２０％
１Ｖ−ＨＨ−３（３−２）９％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−１−１）５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）−Ｆ（４−１−２）５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３（４−１−３）５％
ＮＩ＝９９．０℃；Ｔｃ≦−１０℃；Δｎ＝０．１３７；Δε＝８．５；γ１＝７８．０ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．６７Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．３％；ＶＨＲ−２＝９７．７％；τ＝７．８ｍｓ．

実施例３５
２−ＰｙＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−２）３％
３−ＰｙＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−２）３％
４−ＰｙＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−２）３％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３（２−１−１）１０％
Ｖ２−ＨＢＢ−２（２−２−１）１０％
２−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）５％
３−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）５％
５−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）５％
２−ＨＨＢ−１（２−３−１）５％
Ｖ−ＨＨＢ−１（２−３−１）１０％
Ｖ−ＨＨ−３（３−１）２８％
Ｖ−ＨＨ−４（３−１）４％
３−ＨＢ−ＣＬ（−）９％
ＮＩ＝９２．０℃；Ｔｃ≦−１０℃；Δｎ＝０．１２８；Δε＝３．０；γ１＝３０．６ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝２．４１Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．４％；ＶＨＲ−２＝９７．９％；τ＝４．１ｍｓ．

実施例３６
２−ＰｙＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−２）３％
３−ＰｙＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−２）３％
４−ＰｙＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−２）３％
３−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）３％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）３％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）３％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３（２−１−１）５％
２−ＢＢＢ（２Ｆ）−５（２−１−２）５％
５−ＢＢＢ（２Ｆ）−２（２−１−２）５％
３−ＨＢＢ−２（２−２−１）５％
Ｖ−ＨＨＢ−１（２−３−１）１０％
３−ＨＨＢ−Ｆ（２−３−２）５％
Ｖ−ＨＨ−３（３−１）２７％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−１−１）１０％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３（４−１−３）１０％
ＮＩ＝８６．３℃；Ｔｃ≦−１０℃；Δｎ＝０．１４７；Δε＝８．９；γ１＝８３．１ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．５８Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．１％；ＶＨＲ−２＝９７．６％；τ＝８．１ｍｓ．

実施例３７
２−ＰｙＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３（１−７）５％
３−ＰｙＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３（１−７）５％
４−ＰｙＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３（１−７）５％
３−ＰｙＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＯＣＦ３（１−１１）５％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３（２−１−１）１０％
Ｖ２−ＨＢＢ−２（２−２−１）５％
２−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）５％
３−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）５％
５−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）５％
Ｖ−ＨＨＢ−１（２−３−１）１０％
Ｖ−ＨＨ−３（３−１）１０％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−１−１）２０％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３（４−１−３）５％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（−）５％
ＮＩ＝８０．５℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１５７；Δε＝１４．８；γ１＝１３５．０ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．２５Ｖ；ＶＨＲ−１＝９７．９％；ＶＨＲ−２＝９７．６％；τ＝１２．２ｍｓ．

実施例３８
３−ＰｙＢＢ（Ｆ）−Ｆ（１−３）５％
５−ＰｙＢＢ（Ｆ）−Ｆ（１−３）５％
３−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）５％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）５％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）５％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３（２−１−１）５％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−５（２−１−１）５％
Ｖ−ＨＨＢ−１（２−３−１）１０％
Ｖ２−ＨＨＢ−１（２−３−１）１０％
Ｖ−ＨＨ−３（３−１）２０％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−１−１）１０％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３（４−１−４）１０％
３−ＨＢ−ＣＬ（−）５％
ＮＩ＝８２．９℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１６３；Δε＝９．０；γ１＝９７．３ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．５５Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．２％；ＶＨＲ−２＝９７．６％；τ＝９．５ｍｓ．

実施例３９
３−ＰｙＢＢ（Ｆ）−Ｆ（１−３）６％
５−ＰｙＢＢ（Ｆ）−Ｆ（１−３）６％
３−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）４％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）４％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）４％
Ｖ−ＨＨＢ−１（２−３−１）１０％
２−ＨＨＢ−ＣＬ（２−３−３）５％
３−ＨＨＢ−ＣＬ（２−３−３）５％
５−ＨＨＢ−ＣＬ（２−３−３）５％
Ｖ−ＨＨ−３（３−１）１０％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−１−１）１０％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３（４−１−３）５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３（４−１−４）１０％
３−ＨＢ−ＣＬ（−）５％
２−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（−）５％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（−）６％
ＮＩ＝８５．３℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１５０；Δε＝１１．６；γ１＝１２７．０ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．４１Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．３％；ＶＨＲ−２＝９７．７％；τ＝１１．８ｍｓ．

実施例４０
３−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）４％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）４％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）４％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３（２−１−１）６％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−５（２−１−１）５％
Ｖ−ＨＨＢ−１（２−３−１）１０％
Ｖ２−ＨＨＢ−１（２−３−１）５％
Ｖ−ＨＨ−３（３−１）２８％
１Ｖ−ＨＨ−３（３−２）７％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−１−１）１０％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３（４−１−３）５％
３−ＨＢ−ＣＬ（−）５％
２−ＢＢ（２Ｆ，５Ｆ）Ｂ−３（−）４％
３−ＢＢ（２Ｆ，５Ｆ）Ｂ−３（−）３％
ＮＩ＝７８．９℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１４０；Δε＝５．５；γ１＝５２．７ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．８４Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．２％；ＶＨＲ−２＝９７．８％；τ＝５．８ｍｓ．

実施例４１
３−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）６％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）６％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３（２−１−１）８％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−５（２−１−１）３％
２−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）６％
３−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）６％
５−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）４％
３−ＨＨＢ−ＣＬ（２−３−３）７％
Ｖ−ＨＨ−３（３−１）３１％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−１−１）１４％
３−ＨＢ−ＣＬ（−）９％
ＮＩ＝７６．２℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１３１；Δε＝５．０；γ１＝５１．０ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．８０Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．５％；ＶＨＲ−２＝９７．８％；τ＝４．９ｍｓ．

実施例４２
２−ＰｙＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−１）３％
３−ＰｙＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−１）３％
４−ＰｙＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−１）３％
３−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）３％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）３％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）３％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３（２−１−１）１０％
２−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）５％
３−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）５％
５−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）５％
Ｖ−ＨＨＢ−１（２−３−１）１０％
Ｖ−ＨＨ−３（３−１）３０％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−２−１）４％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−２−１）４％
４−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−２−１）４％
３−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−２−２）５％
ＮＩ＝８７．３℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１４８；Δε＝７．６；γ１＝７２．７ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．６８Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．４％；ＶＨＲ−２＝９７．７％；τ＝７．３ｍｓ．

実施例４３
３−ＰｙＢＢ（Ｆ）−Ｆ（１−３）６％
５−ＰｙＢＢ（Ｆ）−Ｆ（１−３）６％
３−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）４％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）４％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）４％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３（２−１−１）５％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−５（２−１−１）５％
２−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）５％
３−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）５％
Ｖ−ＨＨＢ−１（２−３−１）１０％
Ｖ−ＨＨ−３（３−１）２０％
１Ｖ−ＨＨ−３（３−２）９％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−２−１）４％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−２−１）４％
４−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−２−１）４％
３−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−２−２）５％
ＮＩ＝９７．０℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１６０；Δε＝７．３；γ１＝８４．０ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．７６Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．０％；ＶＨＲ−２＝９７．６％；τ＝８．６ｍｓ．

実施例４４
２−ＰｙＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３（１−７）３％
３−ＰｙＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３（１−７）３％
３−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）４％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）４％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）４％
２−ＨＨＢ−ＣＬ（２−３−３）５％
３−ＨＨＢ−ＣＬ（２−３−３）５％
５−ＨＨＢ−ＣＬ（２−３−３）５％
Ｖ−ＨＨ−３（３−１）３０％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−１−１）１０％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−２−１）５％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−２−１）５％
４−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−２−１）５％
３−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−２−２）５％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ（−）７％
ＮＩ＝７６．０℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１３７；Δε＝１０．０；γ１＝８９．９ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．４４Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．１％；ＶＨＲ−２＝９７．６％；τ＝８．５ｍｓ．

実施例４５
３−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）４％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）４％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）４％
２−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）５％
３−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）５％
５−ＨＢＢ−Ｆ（２−２−２）５％
Ｖ−ＨＨ−３（３−１）２４％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−１−１）１０％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３（４−１−４）５％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−２−１）８％
３−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−２−２）８％
ＶＦＦ−ＨＨ−３（−）５％
ＶＦＦ−ＨＨ−５（−）５％
５−ＨＢＢ（２Ｆ）Ｈ−３（−）４％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２（−）４％
ＮＩ＝７９．２℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１３４；Δε＝８．１；γ１＝７８．０ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．５９Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．０％；ＶＨＲ−２＝９７．６％；τ＝７．７ｍｓ．

実施例４６
実施例３の下記組成物に化合物（５−１−１）を０．１％添加しＶＨＲ−３を測定した。化合物（５−１−１）を添加することによって、紫外線に対する安定性を更に高めることができた。
３−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）５％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）５％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）５％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３（２−１−１）５％
Ｖ−ＨＨＢ−１（２−３−１）９％
３−ＨＨＢ−ＣＬ（２−３−３）７％
Ｖ−ＨＨ−３（３−１）３２％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３（４−１−３）１０％
３−ＨＢ−ＣＬ（−）１４％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（−）５％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（−）３％
ＮＩ＝７２．１℃；Ｔｃ≦−１０℃；Δｎ＝０．１１６；Δε＝４．７；γ１＝４３．３ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．８５Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．７％；ＶＨＲ−２＝９８．１％；ＶＨＲ−３＝９７．５％；τ＝６．３ｍｓ．

実施例４７
実施例３の下記組成物に化合物（５−２−３）を０．１％添加しＶＨＲ−３を測定した。化合物（５−２−３）を添加することによって、紫外線に対する安定性を更に高めることができた。
３−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）５％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）５％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ（１−４）５％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３（２−１−１）５％
Ｖ−ＨＨＢ−１（２−３−１）９％
３−ＨＨＢ−ＣＬ（２−３−３）７％
Ｖ−ＨＨ−３（３−１）３２％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３（４−１−３）１０％
３−ＨＢ−ＣＬ（−）１４％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（−）５％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（−）３％
ＮＩ＝７２．１℃；Ｔｃ≦−１０℃；Δｎ＝０．１１６；Δε＝４．７；γ１＝４３．３ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．８５Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．７％；ＶＨＲ−２＝９８．１％；ＶＨＲ−３＝９７．７％；τ＝６．３ｍｓ．

実施例４８
実施例５の下記組成物に化合物（５−１−１）を０．１％添加しＶＨＲ−３を測定した。化合物（５−１−１）を添加することによって、紫外線に対する安定性を更に高めることができた。
３−ＰｙＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−２）６％
５−ＰｙＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−２）６％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３（２−１−１）９．５％
Ｖ−ＨＨＢ−１（２−３−１）８．５％
３−ＨＨＢ−ＣＬ（２−３−３）７％
Ｖ−ＨＨ−３（３−１）２９％
３−ＨＢ−ＣＬ（−）１４％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（−）５％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（−）１５％
ＮＩ＝７１．９℃；Ｔｃ≦０℃；Δｎ＝０．１１４；Δε＝４．７；γ１＝４６．９ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．８９Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．０％；ＶＨＲ−２＝９７．７％；ＶＨＲ−３＝９７．４％；τ＝７．１ｍｓ．

実施例４９
実施例５の下記組成物に化合物（５−２−３）を０．１％添加しＶＨＲ−３を測定した。化合物（５−２−３）を添加することによって、紫外線に対する安定性を更に高めることができた。
３−ＰｙＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−２）６％
５−ＰｙＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−２）６％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３（２−１−１）９．５％
Ｖ−ＨＨＢ−１（２−３−１）８．５％
３−ＨＨＢ−ＣＬ（２−３−３）７％
Ｖ−ＨＨ−３（３−１）２９％
３−ＨＢ−ＣＬ（−）１４％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（−）５％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（−）１５％
ＮＩ＝７１．９℃；Ｔｃ≦０℃；Δｎ＝０．１１４；Δε＝４．７；γ１＝４６．９ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．８９Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．０％；ＶＨＲ−２＝９７．７％；ＶＨＲ−３＝９７．５％；τ＝７．１ｍｓ．

Claims

第１成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第２成分として式（２−１）から式（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第３成分として式（３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そしてネマチック相を有する液晶組成物。

ここで、Ｒ^１、Ｒ^２およびＲ^４は独立して炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ^３はフッ素、炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ^５はフッ素、塩素、炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ^６は炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｙ^１はフッ素、塩素またはトリフルオロメトキシであり；Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、およびＸ^４は独立して水素またはフッ素であり；Ｘ^５およびＸ^６の一方がフッ素であり、他方が水素である。
液晶組成物の全重量に基づいて、第１成分の割合が５重量％から４０重量％の範囲であり、第２成分の割合が５重量％から６０重量％の範囲であり、そして第３成分の割合が１０重量％から５５重量％の範囲である、請求項１に記載の液晶組成物。
第１成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第２成分として式（２−１）から式（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第３成分として式（３−１）および式（３−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そしてネマチック相を有する液晶組成物。

ここで、Ｒ^１およびＲ^２は独立して炭素数１〜１２のアルキルであり；Ｒ^３はフッ素であり；Ｒ^４は炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ^５はフッ素、塩素、炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｙ^１はフッ素、塩素またはトリフルオロメトキシであり；Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３およびＸ^４は独立して水素またはフッ素であり；Ｘ^５はフッ素であり；Ｘ^６は水素である。
第１成分として式（１−１）から式（１−４）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第２成分として式（２−１）から式（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第３成分として式（３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そしてネマチック相を有する液晶組成物。

ここで、Ｒ^１、Ｒ^２およびＲ^４は独立して炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ^３はフッ素、炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ^５はフッ素、塩素または炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ^６は炭素数２〜１２のアルケニルであり、Ｘ^５およびＸ^６の一方は水素であり、他方がフッ素である。
第１成分として式（１−１）から式（１−４）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第２成分として式（２−１）から式（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第３成分として式（３−１）および式（３−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そしてネマチック相を有する液晶組成物。

ここで、Ｒ^１およびＲ^２は独立して炭素数１〜１２のアルキルであり；Ｒ^３はフッ素であり；Ｒ^４は炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ^５はフッ素、塩素、炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｘ^５はフッ素であり；Ｘ^６は水素である。
第１成分が式（１−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物であり、第２成分が、式（２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（２−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である、請求項４または５に記載の液晶組成物。
第１成分が式（１−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物であり、第２成分が、式（２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である、請求項４または５に記載の液晶組成物。
第１成分が式（１−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物であり、第２成分が、式（２−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である、請求項４または５に記載の液晶組成物。
第１成分が式（１−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物であり、第２成分が、式（２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、式（２−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である、請求項４または５に記載の液晶組成物。
第１成分が、式（１−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（１−４）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物であり、第２成分が、式（２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（２−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である、請求項４または５に記載の液晶組成物。
第１成分が、式（１−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（１−４）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物であり、第２成分が、式（２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である、請求項４または５に記載の液晶組成物。
第１成分が、式（１−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（１−４）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物であり、第２成分が、式（２−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である、請求項４または５に記載の液晶組成物。
第１成分が、式（１−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（１−４）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物であり、第２成分が、式（２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、式（２−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である、請求項４または５に記載の液晶組成物。
第１成分が式（１−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物であり、第２成分が、式（２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（２−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である、請求項４または５に記載の液晶組成物。
第１成分が式（１−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物であり、第２成分が、式（２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である、請求項４または５に記載の液晶組成物。
第１成分が式（１−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物であり、第２成分が、式（２−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である、請求項４または５に記載の液晶組成物。
第１成分が、式（１−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（１−４）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物であり、第２成分が、式（２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（２−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である、請求項４または５に記載の液晶組成物。
第１成分が、式（１−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（１−４）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物であり、第２成分が、式（２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である、請求項４または５に記載の液晶組成物。
第１成分が、式（１−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（１−４）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物であり、第２成分が、式（２−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である、請求項４または５に記載の液晶組成物。
第１成分が式（１−４）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物であり、第２成分が、式（２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（２−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である、請求項４または５に記載の液晶組成物。
第１成分が式（１−４）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物であり、第２成分が、式（２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である、請求項４または５に記載の液晶組成物。
第１成分が式（１−４）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物であり、第２成分が、式（２−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である、請求項４または５に記載の液晶組成物。
第１成分が式（１−４）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物であり、第２成分が、式（２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、式（２−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である、請求項４または５に記載の液晶組成物。
液晶組成物の全重量に基づいて、第１成分の割合が５重量％から４０重量％の範囲であり、第２成分の割合が５重量％から６０重量％の範囲であり、そして第３成分の割合が１０重量％から５５重量％の範囲である、請求項４から２３のいずれか１項に記載の液晶組成物。
第４成分として式（４−１）および式（４−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物をさらに含有する請求項１から２４のいずれか１項に記載の液晶組成物。

ここで、Ｒ^１は炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｙ^２はフッ素またはトリフルオロメトキシであり；Ｘ^７は水素またはフッ素であり；Ａは１，４−シクロへキシレンまたは１，４−フェニレンである。
第４成分が式（４−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である請求項２５に記載の液晶組成物
液晶組成物の全重量に基づいて、第１成分の割合が５重量％から４０重量％の範囲であり、そして第２成分の割合が５重量％から６０重量％の範囲であり、第３成分の割合が１０重量％から５５重量％であり、そして第４成分の割合が１０重量％から３５重量％の範囲である、請求項２５または２６に記載の液晶組成物
第５成分として式（５−１）および式（５−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物をさらに含有する、請求項１から２７のいずれか１項に記載の液晶組成物

ここで、Ｒ^１は炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ^７は水素または基Ｄであり、少なくとも１つのＲ^７は基Ｄであり；Ｒ^８は水素、炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数１〜１２のアルコキシであり；Ｒ^９は炭素数１〜８のアルキルであり；Ｒ^１０およびＲ^１１は独立して水素または炭素数１〜５のアルキルであり；Ｂは１，４−シクロへキシレン、１，４−フェニレンまたは３−フルオロ−１，４−フェニレンであり；Ｚは単結合、エチレン、カルボニルオキシ、またはオキシカルボニルであり；ｍは１〜２０の整数であり；ｎは１または２である。
液晶組成物の全重量に基づいて、第１成分の割合が５重量％から４０重量％の範囲であり、第２成分の割合が５重量％から６０重量％の範囲であり、第３成分の割合が１０重量％から５５重量％であり、第４成分の割合が１０重量％から３５重量％の範囲であり、そして第５成分の割合が０．００１重量％から５重量％の範囲である、請求項２８に記載の液晶組成物
ネマチック相の上限温度が７０℃以上であり、波長５８９ｎｍにおける光学異方性（２５℃）が０．１１から０．１７の範囲であり、そして回転粘度（２５℃）が２０ｍＰａ・ｓから６０ｍＰａ・ｓの範囲である、請求項１から２９のいずれか１項に記載の液晶組成物。
請求項１から３０のいずれか１項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。