JP2007158856A - 基板及び基板モジュール - Google Patents

Abstract

【課題】 本発明は、高周波伝送線路の接続方法に関するものであり、フレキシブル基板を用いて、容易な方法で高周波特性が良好かつ接続部の強度を保てる伝送線路間接続を実現するものである。
【解決手段】 第１基板は、基材と、基材表面に信号線をグランドパターンで挟んだ伝送線路と、基材裏面のグランドパターンと、基材と基材裏面のグランドパターンを切り欠き基板表面のグランドパターンを露出させた露出部から構成する。
第２基板は、基材と、基材表面に信号線をグランドパターンで挟んだ伝送線路を有する構成とする。
第１基板の伝送路と第２基板の伝送路とを接続する際は、露出部の下で第１基板と第２基板のグランドパターンの間を融解し固定を行う。
【選択図】図１

Description

本発明は、高周波伝送線路の接続に関するものであり、基板を用いて、容易な手段で高周波特性が良好かつ接続部の強度を保てる伝送線路間を実現するものである。

高周波伝送線路の接続は、誘電体基板信号線をグランドで挟み込んだコプレーナ伝送線路を構成した誘電体基板間を金（Ａｕ）ワイヤーやＡｕリボンによる接続、またはパッケージ化し、コネクタを介して同軸線で接続されていた。

しかし、伝送信号が高周波になるにともない、ＡｕワイヤーやＡｕリボンで接続した場合、接続部分でインピーダンスミスマッチ箇所が高周波特性の劣化要因になるためＡｕワイヤーやＡｕリボンの長さを短くする必要がある。さらに、伝送信号が高周波になるにともない、伝送線路間の横方向および高さ方向のズレによる高周波特性の劣化も顕著になる。

従って、基板間の位置ズレや位置公差などを考慮すると、高周波でのＡｕワイヤーやＡｕリボンによる基板間接続には限界がある。一方、コネクタを介して接続した場合、コストが高い、サイズが大きい、同軸線の余長処理スペースが必要など、小型化、低コスト化には不向きである。そのため、近年では接続部にフレキシブル基板を使用した、高周波伝送線路間の接続手法が一般的となってきている。

インピーダンス整合されたフレキシブル基板を用いることにより、接続長および接続部位置ズレの問題を解決でき、接続部の自由度が増すことが理由である。

フレキシブル基板を利用して基板間を接続する技術として、特開２００５−１０１０２６号公報、特開２００５−２６８０１号公報、特表２００２−５０３０３３号公報、米国公開ＵＳ２００４／０２６４８８２ Ａ１が知られている。
特開２００５−１０１０２６号公報 特開２００５−２６８０１号公報 特表２００２−５０３０３３号公報 ＵＳ２００４／０２６４８８２ Ａ１

フレキシブル基板上の伝送線路と他の伝送線路を接続し４０ＧＨｚ程度の帯域を確保する場合、特性を良好に保ち、かつ簡易な構造で接続強度を確保する事は困難である。

従って、光モジュールは基板とレーザ素子及びまたは受光素子間の接続は、４０ＧＨｚ程度の帯域を確保し、特性を良好に保ち、かつ接続強度を確保する必要がある。

４０ＧＨｚ程度の帯域を確保し、特性を良好に保つためにはインピーダンスの不整合が問題となる。

この問題は、基板と受発光素子の接続のために用いられるフレキシブル基板と基板の接続部分の伝送路の構造及び材料により生じる基板間の位置ズレや位置公差である。

コプレーナ線路の信号線面を同一方向にした場合、２つの基板のグランド間距離はインダクタと等価に見えるため、インピーダンスミスマッチとなり高周波特性の劣化要因となる。

上記の構成の場合、基板接続部分に応力が集中し、接続のフライングリード部の断線が起こる可能性が高い。

また、フレキシブル基板と誘電体基板のコプレーナ線路の信号線面を向かい合わせに接続する接続方法を用いた場合、２つの基板のグランド間距離は小さくできるが、接続部強度に関する問題が残る。

そこで本発明は、高周波伝送線路の接続に関し、信号伝送用の基板を用いて、容易な方法で、高周波特性が良好かつ接続部の強度を保てる基板及び基板モジュールを構成することを目的としている。

本発明は、上述した目的を達成するために以下の構成を採用する。

第１の手段として、基板は、基材と、基材の第１の面に設けられ、信号線をグランドで挟んで構成した伝送線路と、基材を削除し基材の第１の面に設けられたグランドが基材の第２の面で露出するよう構成したグランド露出部を有する。

第２の手段として、基板モジュールは、基材と、基材の第１の面に設けられた第１信号線を第１グランドで挟んだ第１伝送線路と、基材を削除し基材表面の第１グランドを露出させたグランド露出部を有する第１基板と、
誘電体から構成された誘電体基板と、誘電体基板上に形成された第２信号線を第２グランドで挟んだ第２伝送線路を有する第２基板と、
第１信号線と第１グランドが第２信号線と第２グランドに対向させ、グランド露出部が第２グランドに接するよう第１基板と第２基板を配置し、グランド露出部の位置で第１グランドと第２グランドを固定する。

第３の手段として、第２の手段において、グランド露出部は融解により第２基板の第２グランドと接続する。

第４の手段として、第２の手段において、第１グランドと第２グランドの間でグランド露出部の位置に第１及び第２グランドを固定する固定材料を設ける。

第５の手段として、第２の手段において、グランド露出部は基材の端部まで削除し、
グランド露出部と第２グランドをまたがり上部から第１基板を第２基板に固定する固定部材を有することを特徴とする基板モジュール。

実施例の構成によれば、基板表面に設けた伝送路のグランド部分を露出するように、基材と裏面グランドを削除し、露出したグランド部分を用いて、基板間の接続をする。

この構成により、４０ＧＨｚ程度の帯域内の特性を良好に保ち、強い接続強度を確保する事ができる。

本発明は、レーザ素子を駆動する駆動回路や受光素子からの信号を増幅する増幅器などの電気回路を搭載した基板をレーザ素子及びまたは受光素子と接続するための接続基板と、当該基板を利用した基板モジュールに関する発明である。

図１は第１の実施例を示す図である。図１を用いて接続用の基板と電気回路を搭載した基板の構成を説明する。図１（ａ）は接続用の基板と電気回路を搭載した基板の斜視図で、図１（ｂ）は図１（ａ）の線Ａで接続用の基板と電気回路を搭載した基板をカットした断面図を示す。

電気回路を搭載した基板と受発光素子を接続する接続用の基板１はインピーダンスが一定保たれた伝送路を構成した柔軟性のあるフレキシブル基板である。

基板１は１０〜１００μｍのポリイミド樹脂で基材３が構成される。 基材３の材料はポリイミドに限定されるものではない。ポリイミドのほかの材料としては、ＰｏｌｙＴｅｔｒａ−Ｆｌｕｏｒｏ Ｅｔｈｙｌｅｎｅ（ＰＴＦＥ）、ガラスエポキシ、プラスティック、液晶ポリマーなどを用いる事ができる。

基板１を構成する基材３の表面（一方の面）には、信号線８を基板表面グランド２で挟んだコプレーナ型伝送路が構成されている。

基材３の裏面（伝送路が構成された面と対向する面）にも基板裏面グランド５を設ける。この基板裏面グランド５は基材３の裏面全面の設けられる。

このように構成した基板１は基材３と基板裏面グランド５を削除し基材３表面に形成された基板表面グランド２を露出させたグランド露出部１９を有している。

グランド露出部１９の位置は信号線８を挟むように、信号線８の両側にある基板表面グランド２の基板端部に設けられる。

グランド露出部１９の形状は図のように円形の穴４の構成としても良いし、基板３の側面（伝送路が配置された面と交差する面）まで削除される構成でも良い。 さらに、削除の方向は伝送路と直交する方向でも良いし、同じ方向でも良い。

グランド露出部１９の形状及び大きさは接続する電気回路を搭載した誘電体基板６との間でインピーダンスの不整合が生じない大きさと形状にする必要がある。

一方、グランド露出部１９の形状及び大きさは基板間を接続するためのツールが入る大きさ、または、熱融着の為のレーザビームが入射可能な大きさである必要がある。

基板１の信号線８が誘電体基板６の誘電体基板信号線９と接続される基板１の端部において、信号線８は基板裏面グランド５と基材３をから突出し、フライングリード部８ａを形成している。

フライングリード部８ａは信号線８がそのまま突出した状態でも良いし、後で述べる変形例の形状をしていても良い。

基板１の基板表面グランド２と基板裏面グランド５の間はビア１８により電気的に接続されている。ビアは信号線８に沿って複数設けられている。

本図では基板１にはビアを有しているが、純粋なコプレーナやマイクロストリップラインに近い線路の場合はビアは無くても良い。

グランド露出部１９とフライングリード部８ａ，８ｂはエッチング等の通常良く使われるプロセスにより構成することができる。

上記のように構成された基板１の表面は信号線８と基板表面グランド２以外は設けない構成で伝送路のインピーダンスを所定の値に保った構成とする。ただし、基板表面を保護するために、基板上に塗布されるレジスト層は例外とする。すなわち、基板１と誘電体基板６との接続部において、位置公差や段差が発生せず、インピーダンスに実質的影響のないものは基板の表面に設けられていても良い物とする。

電気回路を搭載した基板は基材を誘電体で構成された誘電体基板６から構成される。誘電体基板６は誘電体の基材１７の上に伝送路を有している。

誘電体基板６の基材１７はアルミナセラミックで構成されている。基材１７はアルミナセラミックに限定されるものではない。

誘電体基板６は誘電体基板信号線９を誘電体基板表面グランド７により挟んだコプレーナ型伝送路を有している。

基板１の信号線８と基板表面グランド２は誘電体基板６の誘電体基板信号線９と誘電体基板グランド７に対向するようにし、さらに、グランド露出部１９の位置が誘電体基板グランド７上で、第２グランドに接するように、基板１と誘電体基板６の端部を重ねる配置を行う。

この配置の後に、基板表面グランド２は誘電体基板グランド７に固定する。

具体的な固定の方法は、基板表面グランド２と誘電体基板グランド７の金属はグランド露出部１９の基板裏面側からＹＡＧレーザ等のレーザー光により加熱することで、融解し、固定する。

この方法とは別に、基板表面グランド２は誘電体基板グランドに固定材料により固定することもできる。

具体的な固定の方法は、グランド露出部１９の基板表面グランド２と誘電体基板グランド７の間には基板表面グランド２と誘電体基板グランド７を物理的に固定する固定材料を設ける。

固定材料は基板表面グランド２及びまたは誘電体基板グランド７に金（Ａｕ）、鈴（Ｓｎ）またはアルミ（Ａｌ）である。 そして、これらの固定材料は基板表面グランド２及びまたは誘電体基板グランド７に予めメッキする。

この配置の後にグランド露出部１９の基板裏面側からツールにより押圧及びまたは熱をかけることにより熱圧着固定を行う。ＹＡＧレーザ等のレーザ光により加熱しても良い。

固定材料は金（Ａｕ）または鈴（Ｓｎ）のメッキの変わりに半田ボールを基板表面グランド２と誘電体基板グランド７間に設け、ツールによる圧着加熱により接続しても良い。

固定処理が行われた後に、フライングリード部８ａと誘電体基板信号線９は半田で固定される。

上記に述べた固定方法で、基板表面グランド２と誘電体基板グランド７により、信号線８には応力がかかることなく基板全体を固定することができる。 さらに、基板１の信号線８と基板表面グランド２は誘電体基板６の誘電体基板信号線９と誘電体基板グランド７を対向し、基板表面には信号線８と基板表面グランド以外は構成されていないので、基板１と誘電体基板６上に構成した伝送路のインピーダンスの不整合区間（ギャップ）を１０〜数１００μｍ程度に小さくすることができる。

図２は図１の第１の変形例を示す図である。説明のために、図２は図１の基板１と誘電体基板６の端部を拡大した図である。図において、第１図と異なる点は、誘電体基板６端部に接続される基板１の端部の構造である。

基板材料や基板厚が互いに異なる基板間の伝送線路を接続する場合に、伝送線路のインピーダンスを一定にするためには信号線の線幅、グランドのギャップは同一のサイズにできないため、下記の構造が必要となる。

基板１の端部の伝送線路の信号線８、及び、または、基板表面グランド２をテーパー形状にすることにより、信号線線路幅や信号線−グランド間ギャップの異なる基板同士を接続する際に、急激な電解密度の変化を緩和することが可能となり、高周波での反射特性を改善することが可能にできる。

具体的には、信号線８はフライングリード部８ａと基材３の内側８ｂの領域まで誘電体基板信号線９と同じ幅を有する。そして、８ｃの部分でテーパー形状に細くなり、基板１内の信号線８の幅と同じ幅になる。また、基板表面グランド２においても同様で、信号線８の幅の変化に伴い、テーパー形状となる部分２ａと誘電体基板グランド７のエッジと同じ幅になる部分２ｂを有する。

上記の様に、信号線の接続箇所において、それぞれの基板１に構成された伝送路がテーパー状に変化し、誘電体基板６に構成された伝送路と接続されるため、インピーダンスの変化がなだらかに成り接続箇所での反射を防止することができる。

尚、図２は基板１端部の信号線８と基板表面グランドの構造以外は図１と同じ構成をしているため、その他の説明は省略する。

図３は図１の第２変形例を示す図である。図において、第１図と異なる点は、誘電体基板６端部の誘電体基板信号線９の構造である。具体的には、誘電体基板信号線９が誘電体基板端部において基板の内側方向に９ａの幅で後退するよう構成している。

図３のように、誘電体基板６側の信号線９を後退させることにより、誘電体基板の比誘電率が高い場合、または、基板１の信号線８と誘電体基板信号線９のサイズに差が大きい場合に、基板を接続した箇所の伝送路がインピーダンスのマッチングを取るのに、有効である。

尚、図３では誘電体基板信号線９の構造以外は図１と同じ構成をしているため、その他の説明は省略する。

図４は図３の変形例を示す図である。図において、第３図と異なる点は、誘電体基板６端部の誘電体基板の基材１７の構造が異なる。

図４は誘電体基板１の端部の信号線９が後退した位置まで誘電体基板基材１７を一部削除し溝１０構造を示している。溝１０は誘電体基板の基材１７を基板表面から基板裏面まで削除した構成を示しているが、必ずしも基板裏面まで削除する必要性はない。基板１と誘電体基板６の重なる部分の伝送路において、インピーダンスのミスマッチが発生しないように、掘り下げれば良い。

一般に伝送線路上に比誘電率の高いセラミック基板などが接触した場合、実行誘電率が大きく変化するため、その部分でインピーダンスがミスマッチになってしまう。その部分の影響は、誘電率と、接触している部分の長さに影響されるため、図４のような構造をとることにより、この場合では、基板１上の伝送線路に与える誘電体基板の影響を低減することが可能で、高周波特性の向上につながる。

尚、図４では誘電体基板信号線９と溝１０の構造以外は図１と同じ構成をしているため、その他の説明は省略する。

図５は図１の第３変形例を示す図である。説明のために、図５は図１の基板１と誘電体基板６の端部を拡大した図である。図５において、図１と異なる点は、グランド露出部１９を穴４ではなく切り欠きで構成している点である。

図５のように、基板１の穴４の部分を基板１の側面の端部まで拡張することにより、基板１の基板端で基板表面グランド２と誘電体基板表面グランドの界面が形成される。

図５では基板１の紙面左側は切り欠いたグランド露出部１９を示し、紙面右側は切り欠いたグランド露出部と誘電体基板表面グランドの界面を跨ぐようにして、半田又は接着材からなる固定部材２６で固定した構成を示す。

図５の変形例は図１の説明の中で述べたように、グランド露出部１９をレーザ光やツールを用いて誘電体基板６と接続した後に、さらに、界面を固定部材により固定しても良い。

尚、図５では、グランド露出部１９と固定部材２６以外は図１と同じ構成をしているため、その他の説明は省略する。

図６は図１の第４の変形例を示す図である。説明のために、図６は図１の基板１と誘電体基板６の端部を拡大した図である。図６において、図１と異なる点は、基板１の端部の基材３の構成である。

図６の基板１は、基材３を基板表面グランド２、信号線８及び基板裏面グランド５より前方に拡張した拡張部２７を持っている。 そして、拡張部２７は、信号線８の信号線フライングリード部８ａを構成するために、基材穴１３を設けている。この基材穴１３は基材３を貫通している。そして、信号線８と誘電体基板信号線９の接続は基材穴１３を用いて電気的に接続する。

基材３をこのように構成することで、基板１は基材３の先端で誘電体基板６と接着材により固定することが可能となるとともに、基板前方の拡張部２７を掴んで作業することが可能となる。

図６では基材３のみが突出する構成としたが、基材３と共に基板表面グランド２も突出した構成としても良い。尚、図６では、拡張部２７以外は図１と同じ構成をしているため、その他の説明は省略する。

図７は図１の第５変形例を示す図である。図７において、図１と異なる点は、基板１が信号線８の延びる方向に対して交差する方向に拡大した基板拡張部１４を有している点である。

基板拡張部１４は少なくとも基材３が拡張されていればよい。必要に応じて、基板表面グランド２と基板裏面グランド５も拡張することができる。基板拡張部１４は接着剤により誘電体基板６に固定される。

図７のように、信号線８の横方向に基板を拡張することにより、前述図６の場合と同様の効果が得られる。

また、図７のように横方向に基板を拡張することにより、基板伝送線路上に誘電体（フレキシブル基板）が接触することがないため、線路の高周波特性に及ぼす影響が小さくなる。 尚、図７では、基板拡張部１４以外は図１と同じ構成をしているため、その他の説明は省略する。

図８は図７の変形例を示す図である。図８において、図７と異なる点は、基板拡張部１４に貫通する貫通穴１５を有している点である。

図８では基板拡張部１４の両側に、基材３、基板表面グランド５と基板裏面グランドを削除した貫通穴１５を設けているが、この貫通穴１５は、基板拡張部１４の両側に、複数個空いていても良い。

誘電体基板６上の貫通穴１５と対向する位置は、位置合わせ用のマーキング１６を付けておくことにより、貫通穴１５から誘電体基板６のマーキング１６を確認し、基板接続位置を合わせることが可能となる。

尚、図８では、基板拡張部１４以外は図１と同じ構成をしているため、その他の説明は省略する。

図９は図１の第６変形例を示す図である。図９において、図１と異なる点は、基板１及び誘電体基板６の伝送路の外側に新たに配線を設けている点である。

基板１には基板１の表面の伝送路の外側に配線３１が設けられている。誘電体基板６の表面の伝送路の外側には配線３２が設けられている。

基板１の配線３１の外側には基板表面グランド２がさらに設けてある。そして、配線３１の外側の基板表面グランド２にはグランド露出部１９がさらに設けられている。このグランド露出部１９をもちいて、図１と同様に、基板１は誘電体基板６に接続される。

配線３１及び３２は通電または信号供給をすることが可能な配線である。

図９の構成は、高周波を伝送するための伝送線路と他の線路をまとめて接続する場合、例えば、トランスミッションオプチカルサブアッセンブリ（Ｔｒａｎｓｍｉｔｔｅｒ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｓｕｂ Ａｓｓｅｍｂｌｙ：ＴＯＳＡ）やレシーバーオプチカルサブアッセンブリ（Ｒｅｃｅｉｖｅｒ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｓｕｂ Ａｓｓｅｍｂｌｙ：ＲＯＳＡ）などのように、高周波変調信号とＴＥＣ、ＬＤ／ＰＤバイアスなどを接続するような箇所において用いると、配線が一体化でき、モジュールの組み立てが容易になる。

尚、図９では、上に述べた、配線３１，３２と基板表面グランド２の追加以外は図１と同じ構成をしているため、その他の説明は省略する。

図１０、及び図１１は図１の第７及び第８変形例を示す図である。図１０、及び図１１は図１の説明の中で述べた基板１にレジスト層２８を設けた構成の一例を示している。

図１０のレジスト層２８は基板表面（信号線８が配置されている面）の上に設けられている。図１の中で述べた条件を満たせば、レジスト材料にかえて、フレキシブル基板（ポリイミド層等）を用いても良い。 すなわち、基板１と誘電体基板６との接続部において、位置公差や段差が発生せず、インピーダンスに実質的影響のないものは基板の表面に設けられていても良い物とする。

図１１はレジスト層２８またはフレキシブル基板の上にグランド層２９を設けている。

グランド層２９を設けることで、配線をストリップライン形状にすることができる。グランド層２９を設ける場合、基板１上に構成した伝送路のインピーダンスがグランド層２９を有する部分と有し無い部分で変わらないようにする必要性がある。

そのため、グランド層２９が無い部分の信号線８はｃの幅とする。そして、グランド層２９を有する部分ａの信号線８はｂの幅とする。ｂの幅はｃの幅より大きく構成する。信号線８の幅の変化はテーパー状に変化する構成とする。

尚、図１０と図１１は上に述べた、レジスト層２８とグランド層２９の追加以外は図１と同じ構成をしているため、その他の説明は省略する。

図１ないし図１０の接続形態は、例えば光送受信モジュールのような、高周波広帯域の信号伝送線路を有し、構造的に小型化が必要なものに適している。図１２と図１３は光送受信モジュールを示す図である。図１２と図１３は光送受信モジュールに図１乃至図１０の接続形態を適用した例である。

図１２の光送受信モジュールは光インターフェース２５、電気インターフェース２４、Ｏ／Ｅモジュール２０、Ｅ／Ｏモジュール２１、基板１、誘電体基板６、増幅器２３から構成されている。

基板１と誘電体基板６の接続関係は図１ないし図１１の構成を用いることができる。

誘電体基板６にはＥ／Ｏモジュール２１に送る高周波信号を増幅するための増幅器２３と、Ｏ／Ｅモジュール２０からの高周波信号を増幅するための増幅器２３を備えている。

電気インターフェース２４は外部からの信号を基板内部の回路に、基板内部の回路からの信号を外部に入出力するため回路である。

図１３の光送受信モジュールは光インターフェース２５、電気インターフェース２４、Ｏ／Ｅモジュール２０、Ｅ／Ｏモジュール２１、基板１、誘電体基板６、増幅器２３、セラミック端子２２から構成されている。

図１３が図１２と異なる点はＯ／Ｅモジュール２０及びＥ／Ｏモジュール２１がセラミック端子２２を有する点である。

セラミック端子２２は誘電体基板６の接続部と同様の構成を有している。

図１３の構成の周波数特性を図１４に示す。 図１４に用いた基板１が１０ｍｍでのものを使用した。

実施形態の構成は例示であり、本発明は実施形態の構成に限定されない。必要に応じて適宜組み合わせることができる。

図２は図３乃至図１１と組み合わせ可能である。図３は図２、図４乃至図１１と組み合わせ可能である。図４は図２、図３、図５乃至図１１と組み合わせ可能である。図５は図２乃至図４、図５乃至図１１と組み合わせ可能である。図６は図２乃至図５、図７乃至図１１と組み合わせ可能である。図７は図２乃至図６、図７乃至図１１と組み合わせ可能である。図８は図２乃至図７、図９乃至図１１と組み合わせ可能である。図９は図２乃至図８、図１０、図１１と組み合わせ可能である。図１０は図２乃至図９、図１１と組み合わせ可能である。図１１は図２乃至図１０と組み合わせ可能である。

上記の基板１の構成の組み合わせは図１２及び図１３に適用可能である。

図１５は図１の第９変形例を示す図である。

図１乃至図１１の基板１は基板裏面グランド５を有する構成で記載したが、図１５に示したように、基板裏面グランド５が無い構成であってもよい。 この場合は、基板１の裏裏面の基材３のみに、穴４を空ける形状とする。

本図において、基板１と誘電体基板６との接続については図１と同じ構成と接続方法を用いる事ができる。 さらに、本図の基板裏面グランド５を除いた構成を図２乃至図１１の基板１と誘電体基板６に適用することも可能である。

図１５は基板裏面グランド５を除いた構成以外は図１と同じのため、その他の構成の説明は省略する。
（付記１）
基材と、
基材の第１の面に設けられ、信号線をグランドで挟んで構成した伝送線路と、
基材を削除し基材の第１の面に設けられたグランドが基材の第２の面で露出するよう構成したグランド露出部を有する基板。
（付記２）
基材と、
該基材の第１の面に設けられた第１信号線を第１グランドで挟んだ第１伝送線路と、該基材を削除し該基材表面の該第１グランドを露出させたグランド露出部を有する第１基板と、
誘電体から構成された誘電体基板と、該誘電体基板上に形成された第２信号線を第２グランドで挟んだ第２伝送線路を有する第２基板と、
該第１信号線と該第１グランドが該第２信号線と該第２グランドに対向させ、該グランド露出部が該第２グランドに接するよう該第１基板と第２基板を配置し、該グランド露出部の位置で該第１グランドと該第２グランドを固定する
ことを特徴とする基板モジュール。
（付記３）
付記２において、該グランド露出部は融解により第２基板の第２グランドと接続することを特徴とする基板モジュール。
（付記４）
付記２において、該第１グランドと該第２グランドの間で該グランド露出部の位置に該第１及び第２グランドを固定する固定材料を設けたことを特徴とする基板モジュール。
（付記５）
付記４において、該固定材料は第１グランと第２グランドの少なくとも片方に金または鈴のメッキを施したものであるか半田であることを特徴とする基板モジュール。
（付記６）
付記１において、該基材の第１の面に対向する第２の面に第３のグランドを設けることを特徴とする基板モジュール。
（付記７）
付記５において、該グランド露出部で金属熱圧着により該第１グランドと該第２グランドを接続することを特徴とする基板モジュール。
（付記８）
付記２おいて、該第１信号線と該第２信号線が対向する位置の該第１信号線はテーパー形状であることを特徴とする基板モジュール。
（付記９）
付記２おいて、該第１グランドが該第２グランドの対向する位置の該第１グランドはテーパー形状であるとことを特徴とする基板モジュール。
（付記１０）
付記２において、第２信号線の端部は該第２基板の端部に対して後退させた位置に設けること特徴とする基板モジュール。
（付記１１）
付記１０において、該第２基板の端部を後退させた部分は該第２基板が一部または貫通した状態に削除されていることを特徴とする基板モジュール。
（付記１２）
付記２において、該第１基板の端部は該第１の信号線を基板端から突き出させた部分を有することを特徴とする基板モジュール。
（付記１３）
付記１２において、該第１信号線を基板端から突き出させた部分は半田または接着材により該第２信号線と接続されることを特徴とする基板モジュール。
（付記１４）
付記２において、該第１基板の該第１信号線下の基材を削除し該第１信号線を露出する穴を設け、該穴から該第１信号線と該第２信号線を電気的に接続することを特徴とする基板モジュール。
（付記１５）
付記２において、該第１基板の基材、及び、または、第１グランドを該第１信号線の伸びる方向に対して交差する方向に拡張した拡張部を設け、該拡張部は半田または接着剤により該第２基板に固定されることを特徴とする基板モジュール。
（付記１６）
付記１５において、該第１基板の該拡張部を貫通する貫通穴と、該第２基板上に目印を設け、該目印に該貫通穴を合わせることを特徴とする基板モジュール。
（付記１７）
付記２において、該第１基板及び該第２基板は該第１及び第２信号線の他に通電または信号供給可能な線路を有することを特徴とする基板モジュール。
（付記１８）
付記２において、該グランド露出部は該基材の端部まで削除し、
該グランド露出部と該第２グランドをまたがり上部から該第１基板を該第２基板に固定する固定部材を有することを特徴とする基板モジュール。
（付記１９）
付記１８において、該固定部材は半田または接着材であることを特徴とする基板モジュール。
（付記２０）
基材と、該基材の第１の面に設けられた信号線をグランドで挟んだ伝送線路と、該基材を削除し該基材表面の該第１グランドを露出させたグランド露出部を有する基板と、
光電気変換及び、または電気光変換を行うユニットを設け、
該ユニットの入出力部を該基板で構成することを特徴とする基板モジュール。

第１の実施例を示す図 図１の第１の変形例を示す図 図１の第２の変形例を示す図 図３の変形例を示す図 図１の第３の変形例を示す図 図１の第４の変形例を示す図 図１の第５の変形例を示す図 図７の変形例を示す図 図１の第６の変形例を示す図 図１の第７の変形例を示す図 図１の第８の変形例を示す図 光送受信モジュールを示す図 光送受信モジュールを示す図 光送受信モジュールの特性を示す図 図１の第９の変形例を示す図

符号の説明

１ 基板
２ 基板表面グランド
３ 基材
４ 穴
５ 基板裏面グランド
６ 誘電体基板
７ 誘電体基板表面グランド
８ 信号線
８ａ 信号線フライングリード部
９ 誘電体基板信号線
１０ 溝
１３ 基材穴
１４ 基板拡張部
１５ 貫通穴
１６ マーキング
１７ 誘電体基板の基材
１８ ビア
１９ グランド露出部
２０ Ｏ／Ｅモジュール
２１ Ｅ／Ｏモジュール
２２ セラミック端子
２３ 増幅器
２４ 電気インターフェース
２５ 光インターフェース
２６ 固定部材
２７ 拡張部
２８ レジスト層
２９ グランド層
３１、３２ 配線

Claims (5)

1. 基材と、
   該基材の第１の面に設けられ信号線をグランドで挟んで構成した伝送線路と、
   該基材を削除し該基材の該第１の面に設けられた該グランドが該基材の第２の面で露出するよう構成したグランド露出部とを有する
   ことを特徴とする基板。
2. 基材と、
   該基材の第１の面に設けられた第１信号線を第１グランドで挟んだ第１伝送線路と、該基材を削除し該基材表面の該第１グランドを露出させたグランド露出部を有する第１基板と、
   誘電体から構成された誘電体基板と、該誘電体基板上に形成された第２信号線を第２グランドで挟んだ第２伝送線路を有する第２基板とを設け、
   該第１信号線と該第１グランドが該第２信号線と該第２グランドに対向させ、該グランド露出部が該第２グランドに接するよう該第１基板と第２基板を配置し、該グランド露出部の位置で該第１グランドと該第２グランドを固定する
   ことを特徴とする基板モジュール。
3. 請求項２において、該グランド露出部は融解により第２基板の第２グランドと接続することを特徴とする基板モジュール。
4. 請求項２において、該第１グランドと該第２グランドの間で該グランド露出部の位置に該第１及び第２グランドを固定する固定材料を設けたことを特徴とする基板モジュール。
5. 請求項２において、該グランド露出部は該基材の端部まで削除し、
   該グランド露出部と該第２グランドをまたがり上部から該第１基板を該第２基板に固定する固定部材を有することを特徴とする基板モジュール。