JP2007158305A - ガスシャワー、リソグラフィ装置、及びガスシャワーの使用方法 - Google Patents

ガスシャワー、リソグラフィ装置、及びガスシャワーの使用方法 Download PDF

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Abstract

【課題】干渉計システムの測定を安定にするため、光路における熱的変動を防止できるリソグラフィ装置提供する。
【解決手段】光学装置において、少なくとも1つの干渉計システムIFの光路を調整するガスシャワー1であって、ガスシャワー1は光路OPにガスを供給するシャワー出口側を有するガス散布チャンバ2を含み、ガス散布チャンバ2はガスを光路OPに散布するように構成されており、ガス散布チャンバ2は実質的に尖った先細の先端を含む。
【選択図】図2

Description

本発明は、ガスシャワーと、リソグラフィ装置と、ガスシャワーの使用方法とに関する。
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、普通は基板のターゲット部分に、付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路(IC)の製造に使用され得る。その場合、マスク又はレチクルとも称されるパターニングデバイスを用いて、ICの個々の層上に形成されるべき回路パターンを作ることができる。このパターンは、基板(例えば、シリコンウェーハ)上のターゲット部分(例えば、ダイの一部、1つのダイ、又は数個のダイ)に転写され得る。パターンの転写は、通常、基板上に設けられた放射線感応性材料(レジスト)の層への結像を介する。一般に、単一の基板が、順次にパターニングされる隣り合う複数のターゲット部分のネットワークを含む。公知のリソグラフィ装置は、1つのパターン全体をターゲット部分に一度に露出させることにより各ターゲット部分を照射するいわゆるステッパと、放射ビームを通してパターンを所与の方向(“スキャン”方向)にスキャンしながら基板をこの方向に平行に又は逆平行に同期スキャンすることによって各ターゲット部分を照射するいわゆるスキャナとを含む。パターンを基板上に転写することによってパターンをパターニングデバイスから基板へ転写することも可能である。
ガスシャワーの使用も当該技術から知られている。例えば、特許文献1は、図18において、リソグラフィ装置の一部を示している。装置は、干渉計システムと、夫々の干渉計ビームが伝播するスペースとを含む。干渉計システムのより大きな精度を得るために、このスペースに一定の、好ましくは層状の空気流が通される。供給される空気の純度及び温度の両方が制御され得る。空気は、例えば、純度クラス1の空気であって、その温度は、例えば、0.1℃以内で安定している。
特許文献2は、異なる空気シャワーを開示している。この空気シャワーは、ウェーハステージとレンズとの間に配置され、上側フレームと、上側フレームの底に取り付けられた多孔部材底(porous member bottom)とを有する円形ヘッドを含む。空気シャワーヘッドの厚さは、ヘッドの中心孔から半径方向外方に増大する。ヘッドは、リソグラフィ装置のウェーハステージにウェーハステージの汚染を防止するようにシャワーを浴びせるために使用されている。
欧州特許EP0498499号 米国特許第6,522,385B2
例えば少なくとも1つの光路を調整し、或いは一定領域を浄化するために、改良されたガスシャワーを提供することが望ましい。
本発明の1つの実施形態では、光学装置において少なくとも1つの光路を調整するガスシャワーが提供され、ガスシャワーは光路にガスを供給するシャワー出口側を有するガス散布チャンバを含み、ガス散布チャンバはガスを光路に散布するように構成されており、ガス散布チャンバは実質的に尖った先細の先端を含む。
本発明の1つの実施形態では、1つの装置内の少なくとも1つの領域を調整するあるいは浄化するガスシャワーが提供され、ガスシャワーはガス散布チャンバを少なくとも含み、これは、使用中に該領域にガスを供給する複数の実質的に傾いたガス通路を含むシャワー出口側を有する。
本発明の1つの実施形態では、光学装置において少なくとも1つの光学干渉計経路を調整するガスシャワーが提供され、ガスシャワーは光路にガスを供給するシャワー出口側を有するガス散布チャンバを含んでおり、ガス散布チャンバはシャワー出口側と対向して延在する第2の側を含み、第2の側は、実質的にガス出口側と平行に延在する第1部分と、ガス出口側と共に1つの鋭角をなす第2部分とを含む。
更に、本発明の1つの実施形態では、光学装置において少なくとも1つの光路を調整するガスシャワーが提供され、ガスシャワーはガスを光路に供給するシャワー出口側を有するガス散布チャンバを含んでおり、シャワー出口側は複数のガス通路を含み、ガス通路は相互に不均一に配置されている。
他の実施形態では、本発明の実施形態に従う少なくとも1つのガスシャワーを含むリソグラフィ装置が提供される。
また、本発明の1つの実施形態は、1つの領域を調整し或いは浄化するガスシャワーの使用方法を提供し、この方法ではガスはガスシャワーを介して該領域に供給される。
本発明によれば、例えば少なくとも1つの光路を調整し、或いは一定領域を浄化するために、改良されたガスシャワーが提供される。
添付されている略図を参照して本発明の実施形態を単なる例として説明する。図面では対応する参照記号は対応する部分を指す。
図1は、本発明の一実施形態に従うリソグラフィ装置を概略的に示している。装置は、
放射ビームB(例えば、紫外線或いは別のタイプの放射)を調整するように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、
パターニングデバイス(例えば、マスク)MAを支持する様に作られ、パターニングデバイスを一定のパラメータに従って正確に位置決めするように構成された第1位置決め装置PMに結合された支持構造(例えば、マスクテーブル)MTと、
基板(例えばレジストで被覆されたウェーハ)Wを保持するように作られて、基板を一定のパラメータに従って正確に位置決めするように構成された第2位置決め装置PWに結合された基板テーブル(例えば、ウェーハテーブル)WTと、
パターニングデバイスMAによって放射ビームBに付与されたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば、1つ以上のダイを含む)上に投射するように構成されている投影システム(例えば、屈折投影レンズ系)PSと、
を含む。
照明システムは、放射を誘導させ、成形し、或いは制御するために屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型或いは他の種類の光学コンポーネントなどの種々の光学コンポーネント、或いはそれらの任意の組み合わせを含むことができる。
支持構造は、パターニングデバイスを支持する、すなわち、その重量を支える。これは、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計、及び、例えばパターニングデバイスが真空環境内で保持されているのかなどの他の条件に依存する仕方で、パターニングデバイスを保持する。支持構造は、パターニングデバイスを保持するために機械式、真空式、静電式或いは他のクランプ方式を使用することができる。支持構造は、例えば、必要に応じて固定され或いは運動可能なフレーム或いはテーブルであって良い。支持構造は、パターニングデバイスが例えば投影システムに関して所望の位置にあることを保証することができる。本書において用いられている“レチクル”或いは“マスク”という用語は、より一般的な用語“パターニングデバイス”と同義であると考えてよい。
本書で使用される“パターニングデバイス”という用語は、基板のターゲット部分に1つのパターンを生じさせるようなパターンをその横断面に有する放射ビームを与えるために使用され得る任意の装置を指すと広く解されるべきである。例えば、もし放射ビームに与えられるパターンが位相特性或いはいわゆるアシスト特性(assist features)を含むならば、パターンが基板のターゲット部分における所望のパターンに正確に対応しないことがあり得ることにも留意するべきである。一般に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などの、ターゲット部分に作られるデバイス内の特定の機能層に対応する。
パターニングデバイスは、透過型或いは反射型であり得る。パターニングデバイスの例は、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルLCDパネルを含む。マスクは、リソグラフィにおいて良く知られていて、バイナリ、Alternating位相シフト(alternating phase-shift)、及び減衰型位相シフト(attenuated phase-shift)、及び種々のハイブリッドマスクタイプなどのマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの一例は複数の小型ミラーのマトリックス装置を使用し、その各々を、入ってくる放射ビームを別々の方向に反射するように個別に傾けることができる。傾けられたミラーは、ミラーマトリックスから反射された放射ビームに1つのパターンを与える。
本書で使用される“投影システム”という用語は、使用される露光放射に適する、或いは液浸液の使用或いは真空の使用などの他の要素に適する屈折型、反射型、反射屈折型、磁性型、電磁型及び静電型の光学系、或いはこれらの任意の組み合わせを含む任意の種類の投影システムを含むと広く解されるべきである。本書で使用された“投影レンズ”という用語は、より一般的な用語“投影システム”と同義であると解されて良い。
ここで描かれているように、装置は透過型である(例えば、透過型マスクを使用する)。或いは、装置は反射型であっても良い(例えば、上で言及された種類のプログラマブルミラーアレイを使用するか、或いは反射型マスクを使用する)。
リソグラフィ装置は2つ(デュアルステージ)又はそれより多数の基板テーブル(及び/又は2つ以上のマスクテーブル)を有する種類の装置であって良い。この様な“マルチステージ”機械では、付加的な複数のテーブルを並列に使用することができ、或いは1つ以上のテーブルで準備ステップを行い、同時に1つ以上の他のテーブルを露光のために使用することもできる。
リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間のスペースを埋めるように基板の少なくとも一部分を割合に高い屈折率を有するたとえば水などの液体で覆うことのできる種類の装置であっても良い。リソグラフィ装置の、例えばマスクと投影システムとの間のスペースなどの、他のスペースに液浸液を加えることもできる。投影システムの開口数を大きくするための液浸手法は当該技術分野で良く知られている。本書で使用される“液浸”という用語は、基板などの構造が液中に沈められなければならないことを意味するものではなくて、露光中に投影システムと基板との間に液体が置かれることを意味するに過ぎない。
図1を参照すると、イルミネータILは放射源SOから放射ビームを受け取る。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマーレーザであるとき、別々のものであって良い。その様な場合、放射源はリソグラフィ装置の一部をなすものとは考えられず、放射ビームは、例えば適切な指向ミラー及び/又はビームエクスパンダを含むビームデリバリシステムBDの助けによって、放射源SOからイルミネータILへ送られる。他の場合には、例えば放射源が水銀灯であるとき、放射源はリソグラフィ装置の不可欠の部分であり得る。放射源SO及びイルミネータILは、必要な場合にはビームデリバリシステムBDと共に、放射系と称されても良い。
イルミネータILは、放射ビームの角度強度分布を調整するためのアジャスタADを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳孔平面における強さ分布の少なくとも外側半径方向範囲及び/又は内側半径方向範囲(一般に、夫々σ-outer及びσ-innerと称される)を調節することができる。更に、イルミネータILは、インテグレータIN及びコンデンサCOなどの、他の種々のコンポーネントを含むことができる。イルミネータは、放射ビームがその横断面において所望の均一性及び強さ分布を有するように放射ビームを調整するために使用され得る。
放射ビームBはパターニングデバイス(例えば、マスクMA)に入射し、これは支持構造(例えば、マスクテーブルMT)に保持されていて、パターニングデバイスによってパターン化される。マスクMAを通過した後、放射ビームBは投影システムPSを通過し、これはビームを基板Wのターゲット部分Cに収束させる。第2位置決め装置PW及び位置センサIF(例えば、干渉計測装置、リニアエンコーダ或いは容量センサ)の助けで、基板テーブルWTを、例えばいろいろなターゲット部分Cを放射ビームBの経路の中に位置決めするように、正確に動かすことができる。同様に、例えばマスクライブラリーからの機械的検索の後に、或いは走査中に、第1位置決め装置PM及び他の位置センサ(これは図1に明示的に描かれてはいない)を用いてマスクMAを放射ビームBの経路に関して正確に位置決めすることができる。一般に、マスクテーブルMTの運動は、第1位置決め装置PMの部分をなすロングストロークモジュール(粗動位置決め)及びショートストロークモジュール(微動位置決め)の助けで実現され得る。同様に、基板テーブルWTの運動は、第2位置決め装置PWの部分をなすロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いることにより実現され得る。(スキャナとは対照的に)ステッパの場合にはマスクテーブルMTはショートストロークアクチュエータだけに結合され得るか、または固定され得る。マスクアライメントマークM1,M2及び基板アライメントマークP1,P2を用いることによりマスクMA及び基板Wを整列させることができる。図示されている基板アライメントマークは専用のターゲット部分を占めているが、これらのマークは複数のターゲット部分の間のスペースに置かれてもよい(これらはけがき線(scribe lane)アライメントマークとして知られている)。同様に、マスクMA上に2つ以上のダイが設けられる場合、マスクアライメントマークをそれらのダイの間に置くことができる。
図示されている装置は、下記のモードのうちの少なくとも1つのモードで使用され得る。
1.ステップモードでは、マスクテーブルマスクテーブルMT及び基板テーブルWTは本質的に不動に保たれ、その間、放射ビームに与えられたパターン全体がターゲット部分C上に一度に投射される(すなわち、単一静的露光)。その後、別のターゲット部分Cを露出できるように基板テーブルはX方向及び/又はY方向に移動される。ステップモードでは、露光域の最大サイズが単一静的露光で画像化されるターゲット部分Cのサイズを限定する。
2.スキャンモードでは、放射ビームに与えられたパターンがターゲット部分C上に投射されている間にマスクテーブルMT及び基板テーブルWTが同期して走査される(すなわち、単一動的露光)。マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの相対的速度及び方向は、投影システムPSの拡大(縮小)倍率及び画像反転特性により決定され得る。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズが単一動的露光におけるターゲット部分の幅(非スキャン方向の)を限定し、スキャン運動の長さがターゲット部分の高さ(スキャン方向の)を決定する。
3.他の1つのモードでは、放射ビームに与えられたパターンがターゲット部分C上に投射されている間にマスクテーブルMTは本質的に静止してプログラマブルパターニングデバイスを保持し、基板テーブルWTは移動或いは走査される。このモードでは、一般的にパルス放射源が使用され、プログラマブルパターニングデバイスは基板テーブルWTの各移動の後に、又は走査中に連続する放射パルスの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、上で言及された種類のプログラマブルミラーアレイのようなプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に応用され得る。
上記使用モードについての組み合わせ及び/又は変更或いは完全に異なる使用モードを使用することもできる。
1つの実施形態では、該装置は、少なくとも1つの干渉計システムIFと、実質的に層状のガスを干渉計システムIFの光路の少なくとも一部に供給するように構成されている少なくとも1つのガスシャワー1,101とを含むことができる。これは図1,2及び5に示されている。
本発明の1つの実施形態では、ガスシャワー1,101を用いてリソグラフィ装置内の少なくとも1つの光路を調整することができる。調整は、例えば光路における熱的変動を防止する、特に安定した屈折率を有する環境を提供する光学的調整を含むことができる。干渉計ビームの光路は図1,2,5において参照符号OPのそばに描かれている。この様な干渉計ビームは、リソグラフィ装置のいろいろな部品の間を通ることができる。夫々の干渉計ビームは、例えば、使用中に投影システムPSの投影レンズPLに関して基板サポートWTを例えば直交するX方向、Y方向及び/又はZ方向に正確に位置決めするために使用され得る(図1も参照)。図2及び5に示されている実施形態では、ガスシャワー1,101によって調整されるべき光路OPは、一方の側の干渉計システムIFの一部と他方の側の基板サポートWSとの間に伸びている。使用中にこれらの光路を調整する夫々のガスシャワー1,101は、一方の側の干渉計システムIFの一部と他方の側の基板サポートWS及び投影レンズPLとの間に伸びている。ガスシャワー1,101は、基板サポートWS又は投影レンズPLの、干渉計システムIFの部分とは反対の方に向いている側には伸びていない。従って、本実施形態では、ガスシャワー1,101は実質的に投影レンズPLの1つの横側に伸びている。
図2の実施形態のガスシャワー1はガス散布チャンバ2を含んでおり、これは適切なガスダクトであることができ、或いは適切なガスダクトを含むことができる。ガス散布チャンバ2の長さK(本図ではX方向に測られる)は、調整されるべき夫々の光路OPの長さと実質的に同じであるか又は長さより僅かに短い長さであり得る。例えば、長さKは、約20〜50cmの範囲内にあることができ、或いは別の長さであっても良い。ガス散布チャンバ2の幅M(本図ではY方向に測られる)は、長さより大幅に小さくてもよい。幅は、例えば、約5〜15cmの範囲内にあることができ、或いは別の幅であっても良い。ガス散布チャンバ2の高さL(本図においてはZ方向に測られる)は、幅より大幅に小さくてもよい。高さLは、例えば約5cmより小さくて良く、或いは別の高さであっても良い。例えば、ガス散布チャンバ2は割合に長くて良く、或いは細長くて良く、横断方向に、特に調整されるべき光路OPに垂直であり得る高さ方向に、割合に小さな寸法を持ち得る(図1及び2を参照)。
本実施形態においては底側3であるガス散布チャンバ2の第1の側3は光路OPにガスを供給するガスシャワー出口側として構成されている。ガスシャワー1は、ガスをガス散布チャンバ2に供給するガス入口5も含む。このガス入口5は、いろいろな仕方で構成され得、そして例えば1つ以上のガス供給管路を含むことができる。ガス入口5は、ガスシャワー1のいろいろな側に、例えば散布チャンバ2の底側3に対向して広がる第2の側4に、或いは別の側に、結合又は配置され得る。使用時には、例えば1種類以上の不活性ガス、窒素、ガス混合気或いは別種のガスなど、いろいろな種類のガスをガス散布チャンバ2に供給することができる。1つの実施形態では、ガスは空気であり、例えば純度クラス1のウルトラクリーンエアーである。ガスの温度は割合に安定であり得、例えば、約0.1℃内で安定し、特に約0.001℃内で安定し得る。どの様にすればその様な熱的に安定したガスを供給できるかは従来技術から知られている。
ガス散布チャンバ2は、後に説明されるように、実質的に一様な流れプロファイルを有するガスを光路OPに散布するように構成される。その実質的に一様な流れプロファイルは、実質的に一様なガス速度を有する流れプロファイルであり得る。例えば、ガスの流れは、流れの速度及び方向に関して一様であり得る。図示されているように、図2の本実施形態では、ガスシャワー1の底側3は、調整されるべき光路OPの上に広がっている。ガスシャワー1の底側3は、光路OPに実質的に平行に広がることができる。
更に、図3に描かれているように、ガスシャワーの底側は実質的に長方形であり得る。ガスシャワー1は、例えば調整されるべき1つ又は複数の光路OPに依存して別の形状の底側3を有するように構成されても良い。ガスシャワー1の本実施形態は、投影システムPSのレンズPLの周りに円をなして広がっているのではなくて、レンズPLの仮想中心軸に関して横に広がっているに過ぎない。
図2〜4の実施形態では、ガス散布チャンバ2は、側面図又は縦断面図で見たときに実質的に尖った先細の先端7を含む。この先端7は、鋭いテーパー角αを持つことができて、ガス散布チャンバ2の一端を形成する。一例として、割合に尖っているが長い先端は、投影システムPSの部分PLと基板サポートWTとの間に、たとえ使用できるスペースが割合に小さい場合にも、延在することができる。尖った先端7は、ガス散布チャンバの楔形の部分2wを提供するか、或いは囲むことができる。
本実施形態では、先細の先端7のテーパーの量は変化しない。尖った先端7は、ガス散布チャンバの楔形内側部分2wを提供するか、或いは囲む。
本実施形態では、ガス散布チャンバ2の反対側の端部8は、側面図又は縦断面図で見たときに、丸みを帯びた形状を有する。反対側端部8は別の形状を持っても良くて、例えば尖った先細の先端を含んでも良い。
例えば、ガス散布チャンバ2の第2の側4は、ガス出口側3と実質的に平行に広がる第1部分4aと、ガス出口側3と鋭角αをなして尖った先細の先端7を提供する第2部分4bとを含む。一例として、鋭角αは約20°より小さくて良い。更に、一例として、鋭角αは約10°より小さくて良い。一実施形態では、鋭角αは約8°或いはそれより小さい。更に、鋭角αは散布チャンバ2の夫々の側3,4bの内面によって囲まれ得、それらの内面は互いに向かい合う(図4も参照)。
本発明の一実施形態では、ガス出口側3は、実質的に平らな側であり得、或いは実質的に平らな外面及び/又は実質的に平らな内面を有することができる。或いは、ガス出口側に、所望の場合、一定のリリーフ(relief)を設けることができる。
本発明の一実施形態では、ガス散布チャンバの第2の側4の各部分4a,4bは実質的に平らな側であり得る。或いは、所望の場合、ガス出口側4は一定のリリーフ又は異なる形状を備えることができる。好ましくは、ガス散布チャンバ2の第2の側4の第2部分4bは実質的に平らな或いは平坦な内面を有し、それは、ガスシャワー1のガス出口側と鋭角αをなす仮想平面に沿って広がる。或いは、ガス散布チャンバ2の第2部分4bは、一定のリリーフ、段付き形状、或いは別の形状を有することができる。
本実施形態では、先細先端7のテーパーの量は変化しない。或いは、先細の先端は、いろいろな量のテーパーを有するいろいろな断面を備えることができ、その場合、隣り合う先細セクションの上側は互いに180°より小さい角度をなす(図5に示されている実施形態の場合のように。下記を参照)。
或る実施形態では、ガス散布チャンバの出口側3の少なくとも一部は、使用中に実質的に一様な層状のガス流を生じさせるようにモノフィラメントファブリック(monofilament fabric)を備えることができる。例えば、出口側は、その様なモノフィラメントファブリックで覆われ、且つ/又はその様なモノフィラメントファブリックを一体的に備えることができる。調整されるべき光路OPの方に実質的に垂直にガスを向けることができるように、その様なファブリックはガス流を出口側3に関して実質的に垂直な方向(図においてZ)に分散させることができる(図4を参照)。或いは、ガス出口側3は、例えば図4〜5の実施形態(下記を参照)に類似する例えば傾斜したガス通路などのガス分散チャンネルを有するシートを含むことができる。その様なモノフィラメントファブリック及び/又はガス通路を有するシートは図2及び4において破線で描かれている。
例えば、ガス出口側3は、複数のレーザ穿孔通路を有する薄い金属又は合金のシートを含むことができる。また、その様な通路は、例えばエッチング及び/又は放電加工を用いることにより製造され得る。所望の場合には、ガス出口側3に関して一定の角度でガスを分散させるように、その様なシートのチャンネルは傾斜したチャンネルであって良い。一実施形態では、ガス出口側3は複数の通路を有する薄い金属又は合金のシートを含むことができ、それらの通路の各々は金属シートの外面に関して斜めに延びる。また、それらの通路のうちの複数の通路は互いに実質的に平行に延びることができる。例えば、通路の大半は互いに実質的に平行に延びることができる。例えば、通路のうちの複数の通路は、実質的に尖った先細先端から横方向に広がる領域の方に、例えば基板サポートWTの方へ或いは基板サポートWTの任意の移動方向Xに向けられ得る。このことについて、以下で図5〜6の実施形態に関して説明する。
更に、ガス出口側3の一部は例えばモノフィラメントファブリックを備えることができ、ガス出口側3の一部はガス通路を有するシートを備えることができる。例えば、ガス出口側3の、ガス散布チャンバの尖った先端7に沿って広がる部分は、ガスを光路に散布する通路を有するシートを備えるだけであり得る。また、金属シート、プラスチックシート又は異なるシートであり得るそのようなシートとモノフィラメントファブリック又は布(cloth)とは、ガス出口側3の少なくとも一部において(例えば、層を成すように)互いに付けられ得る。また、ガス出口側は、ガス散布チャンバ2からその環境にガスを供給するように別様に構成されても良い。
更に、先端セクション7に対向する散布チャンバ端部8は、ガスを環境へ、いろいろな方向に、例えば干渉計システムIFの一部の方に、散布するように構成され得る。この目的のために、例えば、対向端部8は、モノフィラメントファブリック、ガス出口通路を含むシート、又は別のガス散布構造を備えることもできる。
図2〜4に示されているガスシャワー実施形態1は、図4において矢ginにより示されているように、ガスが先端セクションにおいてガス散布チャンバの上側に向けられるように、先端セクション7を通して出口側3に実質的に平行にガスを供給するように構成されている。例えば、これは、充分に大きな供給チャンネル5で達成され得る。例えば、ガス供給チャンネル或いはガス入口5は、ガス出口側(例えば出口ファブリック3)での圧力降下より大幅に低い、例えばガス出口側3での圧力降下の10%より小さい下記の動圧:(1/2)xRHoxV^2を生じさせるように構成され得る。通例、供給速度Vは約5m/s(約15Paの動圧)であり、ガス出口側3での圧力降下は約180Paである。また、供給速度及び/又は圧力降下は異なる値を持っても良い。
使用中、尖った先端7において、ガス散布チャンバ2の上側4は、入ってきたガスginを先端7の出口側3の方に一様にそらしてガスを分散チャンバから分散させることができる。先端7におけるガス速度が5m/sより遥かに大きくて動圧がガス出口側3での圧力降下の10%より遥かに大きい場合でも、この構成がガスの光路OPの方への割合に均一な分散を与えることが見出されており、出てゆくガスgout,2の速度は、先端7の出口表面上で見たときに実質的に同じである。これは、基板サポートWTの近くに延びることのできる先端の外側端部に非常に近い位置についても当てはまることである。例えば、一実施形態では、ガスシャワーは、ガスシャワーの位置と、ウェーハステージ又は基板サポートWTが使用中に動いているか否かとに依存して、使用中にウェーハステージ又は基板サポートWTの端が高速で移動し得る箇所において非常に均一な流れを提供するように構成され得る。
特に、図4は本実施形態の先端7のセクションを示しており、ここで矢ginはこの先端セクションに流入するガスを示し、矢gout,1は先端セクションから下流側先端セクションの方へ流出するガスを指し、矢gout,2は先端7の出口側3を介して夫々の先端セクションから流出するガスを示す。例えば、先端セクションのどの横断面においても(すなわち、図1〜4でYZ平面において)、その横断面に流入するガスginと、下流側の先端セクションの方に流れるガスgout,1との速度は実質的に同じである。その結果として、先端7の内部では動圧変動は殆ど無くて、先端7の内部で均質な圧力が得られる。この均質な圧力はガスgout,2の一様な流れ(図2,4において下降流)が出口側3を介して先端から流出するという結果をもたらすことができる。この均質な流れを、例えば適切な材料(前記のモノフィラメントファブリックのような)で層状にすることができ、また少し大きなスケールで渦流を完全に無くして、光路OPの非常に良好な調整を与えることができる。渦流を誘発して無調整空気を重要な光学領域に混入させる可能性のある小さな流れ変動を本実施形態によって充分に回避することができる。
図2〜4に示されているガスシャワー実施形態1は、リソグラフィ装置が投影システムPSのハイパーNA(開口数)投影レンズPLを含む場合に、有利に使用され得る。例えば、ガスシャワー1を用いて干渉計ビームの経路を約0.001℃の安定度に調整することができる。ガスシャワー1は、投影レンズPLと干渉計“ブロック”IFとの間に、例えばウェーハ支持レベルより上に、配置され得る。ガスシャワー1は、図4に示されているように下方に或いは他の方向に向いた出口速度を有することができる。ガスシャワー1により調整されるべき経路OPは、例えば、300mmウェーハ・リソグラフィスキャナでは約350mmを超え、最大で約450mmである長さ、或いは別の長さ、などのいろいろな長さを持つことができる。
リソグラフィ装置がいわゆる高NA投影レンズPLを含む場合には、図2〜4の実施形態に従うガスシャワー1は、X方向において基板サポートWTの方に向けられている干渉計ビームの光路OPの実質的全体になお及ぶことができる。
例えば、使用中に、ガスシャワー1は、例えば約1.0m/sの所要速度又は別の速度の一様な層状下降流(図においてZ方向の)を生じさせることができる。図2に示されているように、特にガスシャワー1に尖った先端7を与えることによってレンズの底と基板サポート(又はチャック)の上側表面との間の非常に小さな(Z方向に)先細の空間の中にガスシャワー1を延ばし込むことができる。ガスシャワー1を高さに関して正確に取り付けることによって、その先細の空間を効率的に使用することができる。空気シャワー端部7の先細形状は、非常に効率的であることが分かった。使用中、空気シャワー先端7に送り込まれるガスの水平供給速度は、例えば横断Y方向に沿って測ったとき、先端7全体にわたって実質的に均等であり得、従って、非常に大きな速度であり得て、チャンバ102内での動的圧力変動により一様な下降流を乱すことはない。この様に、非常に高いNAを有するレンズを有するリソグラフィシステムにおいて実質的に干渉計ビームの干渉計光路OP全体を調整することができる。
図5及び6は、ガスシャワー101の別の実施形態を示す。このガスシャワー101は、図2〜4に関して上で記述されたガスシャワー実施形態10と実質的に同じ構成及び/又は寸法を持つことができる。図5及び6の実施形態のガスシャワー101は、例えばリソグラフィ装置などの装置の少なくとも1つの領域を適切な層状ガスで調整するか又は浄化するように構成され得る。ガスシャワー101は、シャワー出口側103と、対向する第2の側104とを有するガス散布チャンバ102を含む。例えば、ガスシャワー101は、ガスをガス散布チャンバ102に供給するガス入口105を備えることができる。
本実施形態でも、ガス散布チャンバ102の長さ(本図においてX方向に測った)は、調整されるべき夫々の光路又は浄化されるべき領域の長さと実質的に同じか又はそれより僅かに大きい長さであり得る。例えば、長さは約20〜50cmの範囲内にあるか又は異なる長さであり得る。ガス散布チャンバ102の幅(本図においてY方向に測った)は、長さより大幅に小さい幅であり得る。幅は、例えば、約5〜15cmの範囲内にあるか又は異なる幅であり得る。ガス散布チャンバ102の高さ(本図においてZ方向に測った)は、幅より大幅に小さい高さであり得る。高さは、例えば、約5cmより小さいか、又は異なる高さであり得る。例えば、ガス散布チャンバ102は、割合に長いか、或いは細長いチャンバであることができ、横断方向に、特に調整されるべき光路OPに又は浄化されるべき領域に対して垂直であり得る高さ方向に、割合に小さな寸法を持つことができる。
また、ガスシャワー101は先細の先端107を含むことができ、これはガス散布チャンバ102の楔形セクションを囲むことができる。本実施形態では、ガス散布チャンバは、少なくとも第1の先細セクション107aと、第1先細セクションから伸びる第2先細セクション107bとを含み、これらの先細セクションは、互いに整列して延びる夫々のガス出口側を有する。これらの先細セクションは、夫々の出口側と対向して広がる夫々の上側を有する。これらの先細セクションの上側は、共同して、180°より小さい角度をなす。例えば、一番外側の先細セクション107bは、図2〜4に示されている実施形態の場合のように割合に鋭いトップアングルを有することができる。
図5及び6に示されている実施形態101は、いろいろな形状及び寸法を有することができる。特に、ガス出口側103は実質的に長方形であり得る(図3のように)。更に、図5において、ガスシャワー101の実施形態は、投影システムPSのレンズPLの周りに円をなして延びるのではなくて、レンズPLの中心軸に関して横に延びるに過ぎない。図5において、ガスシャワー101は、調整されるべき光ビーム経路OPの上に位置する。
本実施形態では、ガスシャワー101の出口側103は、散布チャンバ102からガスシャワー101の領域或いは環境にガスを供給する複数の傾斜したガス通路109を含むことができる。別の実施形態では、シャワー出口側103は複数の傾斜した通路109を有する薄いシート103により提供される。その各々の通路は、シート103を実質的に斜めに貫通して延びることができる(図6を参照)。
本発明の一実施形態では、シート103の厚さt(本図においてZ方向に測った)は約1mmより小さい厚さであり得る。例えば、厚さtは約0.5mm又はこれより小さい厚さであり得る。また、シートは金属シート又は合金シート、例えばステンレススチールであり得る。その場合、レーザ穿孔を用いることにより割合に小さなガス通路109を高精度で作ることができる。ガス通路109をいろいろな技術を用いて作ることができる。また、シート103をプラスチックから、1つ以上の異なる材料から作ることができる。レーザ穿孔の他に、通路をエッチングしたり、放電加工により通路を作ったり、且つ/又はマスク上での金属のデポジションの様ないろいろなプロセスを用いたりして、いろいろな製造方法を応用して通路109を設けることができる。
シート103は、“超小型ふるい”(micro sieve)と称されても良い。シート103は、1つ以上の材料の1つ以上の層を含むことができる。シート103は、ガス散布チャンバ102の壁又は壁部分であるか或いは該壁又は壁部分を提供することができる。本発明の一実施形態では、シート103は実質的に平らなシートであり得る。或いは、所望ならば、ガス出口側に一定のリリーフを設けることができる。また、ガスシャワー101の一端部108を提供するためにシート103の一部を所望の仕方でガス散布チャンバの対向側102の方へ折り曲げるか又は整形することができる(図5を参照)。
シート103のガス通路109はいろいろな方向に延びることができる。例えば、通路109はシャワー出口側と角度βをなすことができ、その角度は約0°〜60°の範囲内にある。一例として、角度は約20°〜50°、或いは約20°〜40°の範囲内にあり得る。本図5,6では、ガス通路109は仮想(垂直)YZ平面と角度βをなし、これらの平面は光路OPに関して垂直に広がる。
更に、一実施形態では、複数のガス通路109が互いに実質的に平行に延びる。この様にして、ガス通路によってガスを実質的に同じ方向に向けることができる。更に、本実施形態では、各ガス通路109はシート103を貫通して実質的に真っ直ぐな方向に延びる。或いは、ガス通路は曲げられても良く、或いは他の方向に延びても良い。
ガス通路109は、いろいろな直径或いは寸法を有することができる。各々の通路の直径又は幅Dは、例えば、約0.2mmより小さくても良い。例えば、直径又は幅は、約0.1mmより小さくても良い。各通路の直径又は幅が約0.08mmであるときに良好な結果が得られる。
図7及び8は、シートの2つの実施形態103,105のセクションを底面図として示す。例えば、図7に示されているように、ガス通路109はスリット109であり得る。また、図8は、ガス通路109’が実質的に円形の横断面を有する貫通孔又は孔である実施形態を示す。ガス通路109は、所望ならば、他のいろいろな形状及び/又は寸法を持つことができる。例えば、1つのシート103はいろいろな形状及び/又は寸法のガス通路を含むことができる。
好ましくは、シャワー出口側103は割合に大量のガス通路を備える。例えば、通路の出口端部は、シャワー出口側103の約10%ないし25%を覆うことができる。更に、一実施形態では、通路の出口端部はシャワー出口側103の少なくとも25%或いはそれ以上を覆うことができる。
また、ガス通路109は、使用中にこれらの通路から流れるガスが10未満のレイノルズ数Reを持つように、寸法設計され得る。更に、使用中、各通路109の上流端部と下流端部との間の圧力差は約100〜500Paの範囲内であり得る。例えば、使用中、ガス散布チャンバ102の内部の圧力は、出口側103の下流側の圧力より約100ないし400Pa高い圧力であり得る。ガス散布チャンバ102の外側の圧力は、実質的に大気圧であるか、又はより高い若しくはより低い圧力であって良い。また、別の実施形態では、使用中、ガス通路109から流れるガスの速度は少なくとも約4m/sであり得る。
また、本実施形態では、例えば、ガス散布チャンバの上側が、入ってきたガスを出口側103の方へ逸らせてガスを少なくとも一部の通路109を介して散布チャンバから散布し得るように、ガスを出口側103に実質的に平行にガス散布チャンバの上側104の一部の方へ供給するようにガスシャワー101を構成することができる。
図5〜6に示されている実施形態101の使用中、ガスがガスシャワー101のガス散布チャンバ102に供給される。ガスはガス出口側103のガス通路109を介して、調整されるべき領域の方に向けられる。ガス通路109は傾斜しているので、例えばガスシャワー101の真下に位置するのではなくて横にずれた位置にある領域に層状の一様なガス流を有利に向けることができる。一例として、図5は、ガスシャワー101の先端部がどの様に層状ガスを基板サポートWTの方に向けて基板サポートWT付近の光路を調整できるかを示す。
一実施形態では、リソグラフィ装置は動かせる基板サポートを含むことができる。例えば、図5では、基板サポートWTはX方向と、その逆の方向とに動くことができる。その場合、別の実施形態では、ガスシャワー101は、好ましくは、層状ガスを少なくとも或る程度は基板サポートWTの移動方向Xと同じ方向に向けるように構成される。図5に示されているように、傾斜したガス通路109は、X方向に平行な成分と出口側103に垂直な成分とを有する流れ方向Fを有するガス流を提供することができる。この様にして、基板サポートWTが例えば干渉計ブロックIFから離れてゆくとき、ガスシャワー101は基板サポートの背後での後流の発生を防止或いは減少させることができる。
更に、驚くべきことに、流れ方向Fがシャワー1の出口側103に関してガス通路109の傾斜より僅かに或いは大幅に大きな傾斜を持ち得ることが見出された。例えば、これは、オープンフラクション(=開放面積/総面積)が100%より遥かに小さいとき、例えば25%より小さいとき、起こり得ることである。その様な場合、ガスシャワー1は、ウェーハサポートWT付近の領域などの、横方向に離れた領域にも良好に層状ガス流を向けることができる(図5を参照)。
また、図5及び6に示されている第2ガスシャワー実施形態は、高NAレンズPLと組み合わされて有利に使用され得る。例えば、ガスシャワー1は、例えば清浄な空気又は別種のガスにより、外側基板ダイを露出させるために、基板ステージの一番端の範囲を覆うために使用され得る。
図5及び6の実施形態101は、例えばレンズ中心に向かう角度などの1つの角度で及び/又は他の所要の角度で出てゆく流れを有する非常に薄い高速ガスシャワーセクションを作るように構成され得る。好ましくは、所望角度のレーザドリル穴を有する、例えばステンレススチール、ステンレス316Lスチール又は別のスチールなどの金属の非常に薄いシートが使用される。穴の寸法は、ガス流が高度に層状であり得るように、レイノルズ数が10未満となるように、選択され得る。穿孔されたシート103の開放面積が約10ないし25%であるとき、ガスの速度、従って運動量が大きくなり得るので、ガスは割合に長い距離にわたって初めの出口角を維持することができる。例えば、流出ガス(図5のgout、図4のgout,2)の平均速度は約1m/sであり得、穴を通る約4m/sの流出速度が得られる。一例として、20μmの穴直径は7のレイノルズ数を与えることができる。スチールシート103は、レーザ溶接され得るので、割合に無汚染に且つ耐DUVに作られ得る。また、本実施形態は、割合に大きな圧力降下を与えることができ、それは割合に狭い供給ダクト或いはガス散布チャンバ102を可能にする。
製造されたシート103を含むガスシャワー101の、例えば標準的モノフィラメントファブリックと比べての、別の利点は、当該領域での圧力降下を変化させる能力である。例えばシート103に沿って見たときに例えばガス通路109の穴の直径又はオープンフラクションを徐々に変化させることにより、開放面積の不均一な分布をシート103に与えることができる。これは、例えばエアーシャワーチャンバ102内の圧力が不均一である場合(例えば内部速度が高いこと或いは渦に起因する不均一)、一様な出口速度を生じさせるか或いは出口速度分布(図5のgout)を最適化する別の1つの方法であり得る。
一例として、ガス通路109”の不均一な分布(或いは不均質な分布)を有するガス散布シート103”を含むガスシャワーの実施形態が図9に描かれている。ガス通路は、相互に不均一に分布している。例えば、図9の実施形態では、シート103”に沿って見たとき、ガス通路109”のピッチ(或いは通路109”間の距離)が変化する。例えば夫々のガスシャワーの上流側ガス散布チャンバにおけるガス流の一様性/均質性に依存して、図9の実施形態は制御された不均一な流れ分布を提供することができ、或いは制御された一様なガス流を提供することができる。
ガス穴109”の不均一分布又はシート103”の開放面積の不均一分布は、幾つかの利点を提供することができる。これは、例えば、ガスシャワーのガス散布チャンバ内の圧力分布に依存する。例えば、使用中、ガスシャワーのガス散布チャンバ内の圧力分布は一様でないことがあり得、その場合には、シート103”の開放面積の不均一性は、実質的に均質なガス流出がガスシャワーによって依然として提供され得るような不均一性である。例えば、各ガス通路109”の直径或いは幅は約0.02mmであり得、通路の髄(pith)又は直径は、例えば不均一な流れ分布を得るために+/−25%変えられ得る。また、他の寸法及び/又はピッチ変化を使用することができる。一方、例えば、使用中、ガスシャワーのガス散布チャンバ内の圧力分布は実質的に一様であり得、シート103”の開放面積の不均一性は、制御されたガスの不均一な或いは不均質な流出を与えるためであり得る。
本発明の実施形態は、例えば、非常に限られた建築空間内に例えば傾斜した層流を生じさせる高速ガスシャワーセクションを与えることができる。ガスシャワー構造は非常に清潔でDUV耐性であり得る。ガスシャワー1,101は、例えば、光学系において光路を調整するために応用され得る。更に、ガスシャワー1,101は、例えばレンズ、ミラー又は他の装置部品などの1つ以上の光学素子を清めるために使用され得る。
本書においてはICの製造におけるリソグラフィ装置の使用に言及しているが、本書に記載されているリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用の案内パターン及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ(LCD)、薄膜磁気ヘッドなどの製造の様な他の用途を持ち得ることが理解されるべきである。その様な代替用途に関しては、本書における“ウェーハ”又は“ダイ”という用語の使用はより一般的な用語“基板”又は“ターゲット部分”と夫々同義であると見なされ得ることを当業者は理解するであろう。本書で言及されている基板は、例えばトラック(通常はレジストの層を基板に付けて、露光されたレジストを現像する器具)、メトロロジーツール及び/又はインスペクションツールにおいて露光の前又は後で、処理され得る。適切な場合には、本書の開示をその様な基板処理器具又は他の基板処理器具に応用することができる。更に、例えば多層ICを作るために基板を2回以上処理することができるので、本書で使用される基板という用語は、複数の処理された層を既に含む基板をも指し得る。
上では光リソグラフィと関連して本発明の実施形態を用いることに特に言及したが、本発明が例えばインプリントリソグラフィなどの他の用途にも使用され得ること、また文脈が許す場合には光リソグラフィに限定されないことが理解されるであろう。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイスのトポグラフィーが、基板上に作られるパターンを画定する。パターニングデバイスのトポグラフィーは基板に供給されたレジストの層に押し込まれ、そこでレジストは電磁放射、熱、圧力又はこれらの組み合わせを用いることによって硬化される。パターニングデバイスはレジストが硬化された後にレジストから外されて、そこに1つのパターンを残す。
本書で使用される用語“放射”及び“ビーム”は、紫外(UV)線(例えば365,355,248,193,157又は126nmの波長或いはこれらに近い波長を有する)及び極紫外(EUV)線(例えば5〜20nmの範囲内の波長を有する)を含むあらゆる種類の電磁放射線、並びにイオンビーム或いは電子ビームのような粒子線を包含する。
“レンズ”という用語は、文脈が許す場合、屈折型、反射型、磁性型、電磁型及び静電型の光学コンポーネントを含む種々の光学コンポーネントのうちの任意の1つ又はそれらの組み合わせを指すことができる。
上で本発明の特定の実施形態を説明したが、上記以外の仕方で本発明を実施し得ることが理解されるであろう。例えば、本発明は、上で開示された方法を記述した機械可読の命令の1つ以上のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はその様なコンピュータプログラムが格納されているデータ記憶媒体(例えば、半導体メモリー、磁気ディスク又は光ディスク)の形をとることができる。
上記は、限定ではなくて例証を目的とするものである。従って、請求項の範囲から逸脱せずに上記発明を改変し得ることは当業者にとっては明らかであろう。
本発明の実施形態に従うリソグラフィ装置を示す。 図1に示されているリソグラフィ装置のガスシャワーの縦方向断面を示す。 図2に示されているガスシャワーの下面図である。 図2の詳細Qである。 本発明の実施形態に従うガスシャワーを有する装置の一部を示す。 図5に示されている実施形態のガスシャワーの細部の横断面を示す。 図5に示されているガスシャワーの下面図である。 図5に示されているガスシャワーの1つの代わりの実施形態の下面図である。 図5に示されているガスシャワーの別の代わりの実施形態の下面図である。

Claims (66)

  1. 光学装置において少なくとも1つの光路を調整するガスシャワーであって、ガスシャワーは、前記光路にガスを供給するシャワー出口側を有するガス散布チャンバを含み、ガス散布チャンバは、前記ガスを前記光路に散布するように構成されており、前記ガス散布チャンバは、実質的に尖った先細の先端を含む、ガスシャワー。
  2. ガス散布チャンバは、前記シャワー出口側と対向して広がる第2の側を含み、前記第2の側は、前記ガス出口側と実質的に平行に広がる第1部分と、前記ガス出口側と鋭角をなして前記尖った先細の先端を提供する第2部分とを含む、請求項1に記載のガスシャワー。
  3. 前記第2の側は実質的に長方形である、請求項2に記載のガスシャワー。
  4. ガスシャワーは、前記出口側と実質的に平行にガス散布チャンバの第2の側の方へガスを供給するように構成され、ガス散布チャンバの第2の側は、入ってきたガスを出口側の方へ逸らせて該ガスを散布チャンバから分散させるようになっている、請求項2に記載のガスシャワー。
  5. 前記先端のテーパー角は約20°より小さい、請求項1に記載のガスシャワー。
  6. 前記先端のテーパー角は約10°より小さい、請求項1に記載のガスシャワー。
  7. ガスシャワーは、使用中にリソグラフィ装置の少なくとも1つの干渉計ビームの光路に光学的調整を加えるように構成されている、請求項1に記載のガスシャワー。
  8. 前記ガス散布チャンバの出口側の少なくとも一部は、使用中に実質的に一様なガス流を生じさせるようにモノフィラメントファブリックを備えている、請求項1に記載のガスシャワー。
  9. ガス散布チャンバの尖った先端のガス出口側の少なくとも一部は、ガスを前記光路に散布する通路を有するシートを備えている、請求項1に記載のガスシャワー。
  10. 前記ガス出口側は、複数のレーザ穿孔された通路、エッチングされた通路、及び/又は放電加工により若しくはマスク上デポジション金属により製造された通路を有する薄い金属又は合金のシートを含む、請求項1に記載のガスシャワー。
  11. 前記ガス出口側は複数の通路を有する薄いシートを含む、請求項1に記載のガスシャワー。
  12. 通路のうちの1つはシートの外面に関して斜めに延びる、請求項11に記載のガスシャワー。
  13. 複数の通路は互いに平行に延びる、請求項11に記載のガスシャワー。
  14. 前記通路には直径の変化がある、請求項11に記載のガスシャワー。
  15. 通路は、シートに沿って見たとき、不均一に分布している、請求項11に記載のガスシャワー。
  16. シートは金属又は合金のシートである、請求項11に記載のガスシャワー。
  17. 通路はシートに一様に分布している、請求項11に記載のガスシャワー。
  18. 複数の前記通路が、前記の実質的に尖った先細の先端から横に広がる領域に向けられている、請求項11に記載のガスシャワー。
  19. ガス散布チャンバは、少なくとも第1の先細セクションと前記第1の先細セクションから延びる第2の先細セクションとを含み、前記の少なくとも第1及び第2の先細セクションは、互いに並んで広がる夫々のガス出口側を有し、前記の少なくとも第1及び第2の先細セクションは、前記の夫々の出口側に対向して広がる夫々の第2の側を有し、隣り合う先細セクションの第2の側は、互いに180°より小さい角度をなす、請求項1に記載のガスシャワー。
  20. ガス散布チャンバは、実質的に一様な流れプロファイルで前記ガスを前記光路に散布するように構成されている、請求項1に記載のガスシャワー。
  21. ガス散布チャンバは、実質的に非一様な流れプロファイルで前記ガスを前記光路に散布するように構成されている、請求項1に記載のガスシャワー。
  22. 装置内の少なくとも1つの領域を調整するか或いは浄化するガスシャワーであって、使用中に前記領域にガスを供給する実質的に傾斜した複数のガス通路を含むシャワー出口側を有するガス散布チャンバを含む、ガスシャワー。
  23. シャワー出口側は、前記複数の実質的に傾斜した通路を有する少なくとも1つのシートを含み、各通路はシートを実質的に斜めに貫通する、請求項22に記載のガスシャワー。
  24. 前記シートの厚さは約1mmより小さい、請求項23に記載のガスシャワー。
  25. 前記シートの厚さは約0.5mm以下である、請求項23に記載のガスシャワー。
  26. 前記シートは金属シート又は合金シートであり、前記通路は、レーザ穿孔された通路、エッチングされた通路、及び/又は放電加工により製造された通路である、請求項23に記載のガスシャワー。
  27. 前記シートは、(リソグラフィ)マスク上のデポジション金属例えばニッケルから作られている、請求項23に記載のガスシャワー。
  28. 前記シートはプラスチックで作られている、請求項23に記載のガスシャワー。
  29. ガス通路は互いに一様に分布している、請求項22に記載のガスシャワー。
  30. ガス散布チャンバ内でガス流又はガス圧力が均質に分布していないときにガス通路が前記領域にガスを均質に供給し得るように、ガス通路は互いに不均一に分布させられている、請求項22に記載のガスシャワー。
  31. 通路は前記シャワー出口側と角度をなし、該角度は約0°〜60°の範囲内にある、請求項22に記載のガスシャワー。
  32. 前記角度は約20°〜50°の範囲内にある、請求項31に記載のガスシャワー。
  33. 複数の前記通路は互いに実質的に平行に延びる、請求項22に記載のガスシャワー。
  34. 前記通路の各々の直径又は幅は約0.2mmより小さい、請求項22に記載のガスシャワー。
  35. 前記通路の各々の直径又は幅は約0.1mmより小さい、請求項22に記載のガスシャワー。
  36. 前記通路の各々の直径又は幅は約0.02mmである、請求項22に記載のガスシャワー。
  37. 前記通路の各々の直径又は幅は約0.02mmであり、該通路の髄又は直径は、不均一な流れ分布を得るために+/−25%変えられる、請求項22に記載のガスシャワー。
  38. 前記通路の出口端部は、前記シャワー出口側の少なくとも10%又は少なくとも25%を覆う、請求項22に記載のガスシャワー。
  39. 前記通路は、使用中にこれらの通路から流れるガスが10未満のレイノルズ数Reを有するように、寸法設計されている、請求項22に記載のガスシャワー。
  40. 使用中、前記通路の各々の上流端部と下流端部との間の圧力差は約100〜500Paの範囲内にある、請求項22に記載のガスシャワー。
  41. 使用中、前記通路から流れるガスの速度は少なくとも約4m/sである、請求項22に記載のガスシャワー。
  42. ガス散布チャンバは、前記シャワー出口側に対向して広がる第2の側を含み、前記ガス出口側は、前記第2の側に実質的に平行に広がる第1部分と、前記第2の側と鋭角をなして尖った先細の先端を提供する第2部分とを含む、請求項22に記載のガスシャワー。
  43. 前記第2の側は実質的に長方形である、請求項42に記載のガスシャワー。
  44. ガスシャワーは、前記出口側と実質的に平行にガス散布チャンバの第2の側の方へガスを供給するように構成され、ガス散布チャンバの第2の側は、入ってきたガスを出口側の方へ逸らせて該ガスを散布チャンバから前記通路のうちの少なくとも幾つかを介して分散し得るようになっている、請求項42に記載のガスシャワー。
  45. ガス散布チャンバは、少なくとも第1の先細セクションと前記第1先細セクションから延びる第2先細セクションとを含み、前記の少なくとも第1及び第2の先細セクションは、互いに並んで広がる夫々のガス出口側を有し、前記の少なくとも第1及び第2の先細セクションは、前記の夫々の出口側に対向して広がる夫々の第2の側を有し、先細セクションの第2の側は、互いに180°より小さい角度をなす、請求項22に記載のガスシャワー。
  46. 光学装置において少なくとも1つの光学干渉計経路を調整するガスシャワーであって、ガスシャワーは、前記光路にガスを供給するシャワー出口側を有するガス散布チャンバを含んでおり、ガス散布チャンバは、前記シャワー出口側と対向して延在する第2の側を含み、前記第2の側は、前記ガス出口側と実質的に平行に広がる第1部分と、前記ガス出口側と1つの鋭角をなして尖った先細の先端を提供する第2部分とを含む、ガスシャワー。
  47. ガス散布チャンバの長さは、調整されるべき夫々の光路の長さと実質的に同じか又はそれらより少し長い、請求項46に記載のガスシャワー。
  48. 前記光路に垂直に測ったガス散布チャンバの高さは、約5cmより小さい、請求項46に記載のガスシャワー。
  49. 前記第2の側は実質的に長方形である、請求項46に記載のガスシャワー。
  50. 前記先端のテーパー角は約20°より小さい、請求項46に記載のガスシャワー。
  51. 前記先端のテーパー角は約10°より小さい、請求項46に記載のガスシャワー。
  52. 光学装置において少なくとも1つの光路を調整するガスシャワーであって、ガスシャワーは、前記光路にガスを供給するシャワー出口側を有するガス散布チャンバを含み、シャワー出口側は複数のガス通路を含み、ガス通路は互いに不均一に分布している、ガスシャワー。
  53. シャワー出口側は、複数のガス通路を有する少なくとも1つのシートを含む、請求項52に記載のガスシャワー。
  54. 前記シートの厚さは約1mmより小さい、請求項53に記載のガスシャワー。
  55. 前記シートの厚さは約0.5mm以下である、請求項53に記載のガスシャワー。
  56. ガス散布チャンバ内でガス流又はガス圧力が均質に分布していないときにガス通路が前記領域にガスを均質に供給し得るように、ガス通路は互いに不均一に分布している、請求項52に記載のガスシャワー。
  57. ガス通路が前記領域にガスを不均質に供給し得るように、ガス通路は互いに不均一に分布している、請求項52に記載のガスシャワー。
  58. 複数の前記通路が互いに実質的に平行に延びる、請求項52に記載のガスシャワー。
  59. 前記通路の各々の直径又は幅は約0.2mmより小さい、請求項52に記載のガスシャワー。
  60. 前記通路の各々の直径又は幅は約0.1mmより小さい、請求項52に記載のガスシャワー。
  61. 前記通路の各々の直径又は幅は約0.02mmである、請求項52に記載のガスシャワー。
  62. 前記通路の各々の直径或いは幅は約0.02mmであり、通路の髄又は直径は、不均一な流れ分布を得るために+/−25%変えられる、請求項52に記載のガスシャワー。
  63. 請求項1に記載のガスシャワーを少なくとも1つ含むリソグラフィ装置。
  64. リソグラフィ装置は少なくとも1つの干渉計システムを更に含んでおり、ガスシャワーは前記干渉計システムの光路の少なくとも一部に層状ガスを供給するように構成されている、請求項63に記載のリソグラフィ装置。
  65. リソグラフィ装置は動かせる基板サポートを含んでおり、前記ガスシャワーは少なくとも前記基板サポートに近い領域に層状ガスを供給するように構成されている、請求項64に記載のリソグラフィ装置。
  66. ガスシャワーは基板サポートの運動の第1方向と少なくとも或る程度は同じ方向に前記層状ガスを向けるように構成されている、請求項65に記載のリソグラフィ装置。
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