JP2007153869A - 金属含有化合物、その製造方法、金属含有薄膜及びその形成方法 - Google Patents
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Abstract
Description
オルト酢酸トリメチル30.0g、酢酸15.0g及びイソプロピルアミン30.0gをフラスコに入れ、12時間加熱還流した。室温まで冷却し、ヘプタン200mLとナトリウムメトキシドのメタノール溶液(28%)48.3gを加えた。室温で1時間攪拌した後、大気圧下にて留出温度が95℃以下の留分を除去した。室温まで冷却した後、水45mLを加えて10分間激しく攪拌した。30分間静置して二層に分離させ、水層を除去した。油層を濃縮した後に残ったオイルを減圧蒸留することにより、N,N’−ジイソプロピルアセトアミジン28.5gを得た。(収率80%)
1H NMR(500MHz,CDCl3,δ/ppm)3.62(br,2H),1.84(br,s,3H),1.09(d,J=7Hz,12H)。
オルトぎ酸トリエチル148.2gと酢酸60.0gをフラスコに入れ、攪拌しながらtert−ブチルアミン146.5gを投入した。12時間加熱還流した後、室温まで冷却し、ヘプタン500mLとナトリウムメトキシドのメタノール溶液(28%)193.0gを加えた。室温で1時間攪拌した後、大気圧下にて留出温度が95℃以下の留分を除去した。室温まで冷却した後、水150mLを加えて10分間激しく攪拌した。30分間静置して二層に分離させ、水層を除去した。油層を濃縮した後に残ったオイルを減圧下で蒸留することにより、N,N’−ジtert−ブチルホルムアミジン103.6gを得た。(収率66%)
1H NMR(500MHz,CDCl3,δ/ppm)7.48(s,1H),1.17(s,18H)。
オルトプロピオン酸トリエチル44.9gと酢酸15.3gをフラスコに入れ、攪拌しながらイソプロピルアミン30.3gを投入した。12時間加熱還流した後、室温まで冷却し、ヘプタン100mLとナトリウムメトキシドのメタノール溶液(28%)48.4gを加えた。室温で1時間攪拌した後、大気圧下にて留出温度が95℃以下の留分を除去した。室温まで冷却した後、水45mLを加えて10分間激しく攪拌した。30分間静置して二層に分離させ、水層を除去した。油層を濃縮した後に残ったオイルを減圧下で蒸留することにより、N,N’−ジイソプロピルプロピオアミジン26.3gを得た。(収率66%)
1H NMR(500MHz,CDCl3,δ/ppm)3.63(br,2H),2.08(br,q,J=7Hz,2H),1.04(t,J=7Hz,3H),1.03(d,J=7Hz,12H)。
アルゴン雰囲気下で、テトラキス(ジメチルアミド)チタン2.24g(10.0mmol)をヘキサン30mlに溶かした溶液を4℃に冷却し、N、N’−ジイソプロピルアセトアミジン1.43g(10.0mmol)を滴下した。室温で12時間攪拌した後、溶媒を減圧留去した。得られた残渣を減圧蒸留することにより赤色の液体1.58gを得た(収率49%)。
3.37(sept.,J=7Hz,2H),3.29(s,18H),1.55(s,3H),1.04(d,J=7Hz,12H)
13C NMR(125MHz,C6D6,δ/ppm)
174.0,48.7,46.5,25.1,10.4
Ti(iPrNC(Me)NiPr)(NMe2)3の熱分析
アルゴン流通(400ml/min)下、昇温速度10℃/minの条件で測定したTG(熱重量測定)の結果及び密閉容器中で昇温速度10℃/minで測定したDSC(示差走査熱量測定)の結果を図1に示した。TGからCVD法又はALD法などの原料として適度な気化特性を有していることがわかり、DSCから熱安定性も良好であることがわかった。
アルゴン雰囲気下で、テトラキス(ジメチルアミド)チタン3.43g(15.3mmol)をテトラヒドロフラン15mlに溶かした溶液を−20℃に冷却し、N、N’−ジイソプロピルプロピオアミジン2.39g(15.3mmol)を滴下した。室温で12時間攪拌した後、溶媒を減圧留去した。得られた残渣を減圧蒸留することにより赤色の液体4.68gを得た(収率91%)。
3.43(sept.,J=6Hz,2H),3.30(s,18H),2.03(q,J=8Hz,2H),1.08(d,J=7Hz,12H),0.94(t,J=8Hz,3H)
13C NMR(125MHz,C6D6,δ/ppm)
178.6,48.5,46.8,25.6,18.1,12.3
Ti(iPrNC(Et)NiPr)(NMe2)3の熱分析
アルゴン流通(400ml/min)下、昇温速度10℃/minの条件で測定したTG(熱重量測定)の結果及び密閉容器中で昇温速度10℃/minで測定したDSC(示差走査熱量測定)の結果を図2に示した。TGからCVD法又はALD法などの原料として適度な気化特性を有していることがわかり、DSCから熱安定性も良好であることがわかった。
アルゴン雰囲気下で、テトラキス(ジメチルアミド)チタン14.2g(63.4mmol)をテトラヒドロフラン40mlに溶かした溶液を4℃に冷却し、N、N’−tert−ブチルホルムアミジン10.0g(64.0mmol)を滴下した。室温で12時間攪拌した後、溶媒を減圧留去した。得られた残渣を減圧蒸留することにより赤色の液体15.7gを得た(収率74%)。
8.58(s,1H),3.29(s,18H),1.14(s,18H)
13C NMR(125MHz,C6D6,δ/ppm)
163.4,54.1,46.7,31.7
Ti(tBuNC(H)NtBu)(NMe2)3の熱分析
アルゴン流通(400ml/min)下、昇温速度10℃/minの条件で測定したTG(熱重量測定)の結果及び密閉容器中で昇温速度10℃/minで測定したDSC(示差走査熱量測定)の結果を図3に示した。TGからCVD法又はALD法などの原料として適度な気化特性を有していることがわかり、DSCから熱安定性も良好であることがわかった。
アルゴン雰囲気下で、テトラキス(ジメチルアミド)ジルコニウム5.20g(19.4mmol)をヘキサン20mlに溶かした溶液に、N、N’−ジイソプロピルアセトアミジン3.08g(21.7mmol)を加えた。室温で4時間撹拌した後、溶媒を減圧留去した。得られた残渣を減圧蒸留することにより無色の液体2.30gを得た(収率32%)。
3.33(sept.,J=6Hz,2H),3.12(s,18H),1.49(s,3H),1.05(d,J=6Hz,12H)
13C NMR(125MHz,C6D6,δ/ppm)
175.7,48.1,43.0,25.3,10.7
Zr(iPrNC(Me)NiPr)(NMe2)3の熱分析
アルゴンを400ml/minにて流通させている雰囲気下、昇温速度10℃/minの条件で測定したTG(熱重量測定)の結果及び密閉容器中で昇温速度10℃/minで測定したDSC(示差走査熱量測定)の結果を図4に示した。TGからCVD法またはALD法などの原料として適度な気化特性を有していることがわかり、DSCから熱安定性も良好であることがわかった。
アルゴン雰囲気下で、テトラキス(ジメチルアミド)ジルコニウム1.78g(6.66mmol)をテトラヒドロフラン8mlとトリエチルアミン1mLの混合物に溶かした溶液を−20℃に冷却し、N、N’−ジイソプロピルプロピオアミジン1.04g(6.66mmol)を滴下した。室温で4時間攪拌した後、溶媒を減圧留去した。得られた残渣を減圧蒸留することにより淡黄色の液体1.51gを得た(収率60%)。
3.39(sept.,J=6Hz,2H),3.12(s,18H),2.00(q,J=8Hz,2H),1.08(d,J=7Hz,12H),0.90(t,J=8Hz,3H)
13C NMR(125MHz,C6D6,δ/ppm)
179.8,47.7,43.0,25.7,18.2,12.5
Zr(iPrNC(Et)NiPr)(NMe2)3の熱分析
アルゴン流通(400ml/min)下、昇温速度10℃/minの条件で測定したTG(熱重量測定)の結果及び密閉容器中で昇温速度10℃/minで測定したDSC(示差走査熱量測定)の結果を図5に示した。TGからCVD法又はALD法などの原料として適度な気化特性を有していることがわかり、DSCから熱安定性も良好であることがわかった。
アルゴン雰囲気下で、ブチルリチウムのヘキサン溶液(1.59M)7.4mLをヘキサン15mLで希釈し、−20℃に冷却した。N、N’−tert−ブチルホルムアミジン1.79gを加えた後、室温で12時間攪拌した。反応溶液を−20℃まで冷却し、テトラキス(ジメチルアミド)ジルコニウム3.04g(11.4mmol)をヘキサン10mlに溶かした溶液を加えた。室温で4時間撹拌した後、トリエチルアミン塩酸塩1.57gを加え、室温で2時間攪拌した。反応溶液を濾過して不溶物を取り除き、ろ液から溶媒を減圧留去した。得られた残渣を減圧蒸留することにより無色の液体1.98gを得た(収率46%)。
8.56(s,1H),3.11(s,18H),1.12(s,18H)
13C NMR(125MHz,C6D6,δ/ppm)
164.8,53.4,42.9,31.6
Zr(tBuNC(H)NtBu)(NMe2)3の熱分析
アルゴンを400ml/minにて流通させている雰囲気下、昇温速度10℃/minの条件で測定したTG(熱重量測定)の結果及び密閉容器中で昇温速度10℃/minで測定したDSC(示差走査熱量測定)の結果を図6に示した。TGからCVD法またはALD法などの原料として適度な気化特性を有していることがわかり、DSCから熱安定性も良好であることがわかった。
アルゴン雰囲気下で、N、N’−ジtert−ブチルカルボジイミド970mg(6.29mmol)をヘキサン5mlに溶かし、メチルリチウムのジエチルエーテル溶液(1.07mol/l)5.70ml(6.10mmol)を加えて室温で12時間攪拌した後、溶媒を減圧留去した。得られた白色固体をヘキサン5mlに懸濁させ、テトラキス(ジメチルアミド)ジルコニウム1.62g(6.06mmol)をヘキサン5mlに溶かした溶液を加え、50℃で4時間攪拌した。室温まで冷ました後、グラスフィルターを用いて不溶物を濾別し、濾液からヘキサンを減圧留去した。得られた残渣を減圧蒸留することにより無色の液体822mgを得た(収率34%)。
3.09(s,18H),1.88(s,3H),1.19(s,18H)
13C NMR(125MHz,C6D6,δ/ppm)
177.0,53.0,43.0,32.5,19.9
Zr(tBuNC(Me)NtBu)(NMe2)3の熱分析
アルゴンを400ml/minにて流通させている雰囲気下、昇温速度10℃/minの条件で測定したTG(熱重量測定)の結果及び密閉容器中で昇温速度10℃/minで測定したDSC(示差走査熱量測定)の結果を図7に示した。TGからCVD法またはALD法などの原料として適度な気化特性を有していることがわかり、DSCから熱安定性も良好であることがわかった。
アルゴン雰囲気下で、テトラキス(エチルメチルアミド)ジルコニウム401mg(1.24mmol)をテトラヒドロフラン5mlに溶かした溶液に、N、N’−ジイソプロピルアセトアミジン179mg(1.26mmol)を加えた。室温で3時間攪拌した後、溶媒を減圧留去した。得られた残渣を昇華精製することにより無色の固体332mgを得た(収率66%)。
3.41(q,J=7Hz,6H),3.35(sept.,J=6Hz,2H),3.06(s,9H),1.51(s,3H),1.26(t,J=7Hz,9H),1.09(d,J=6Hz,12H)
13C NMR(125MHz,C6D6,δ/ppm)
175.5,50.0,48.1,38.5,25.4,15.9,10.8
(実施例9)(N、N’−ジイソプロピルアセトアミジナト)トリス(ジメチルアミド)ハフニウム(Hf(iPrNC(Me)NiPr)(NMe2)3)の合成
アルゴン雰囲気下で、テトラキス(ジメチルアミド)ハフニウム4.48g(12.6mmol)をヘキサン20mlに溶かした溶液に、N、N’−ジイソプロピルアセトアミジン1.81g(12.7mmol)を加えた。室温で12時間攪拌した後、溶媒を減圧留去した。得られた残渣を減圧蒸留することにより無色の液体4.00gを得た(収率70%)。
3.45(sept.,J=7Hz,2H),3.15(s,18H),1.49(s,3H),1.05(d,J=7Hz,12H)
13C NMR(125MHz,重ベンゼン,δ/ppm)
175.9,48.1,42.8,25.2,11.1
Hf(iPrNC(Me)NiPr)(NMe2)3の熱分析
アルゴンを400ml/minにて流通させている雰囲気下、昇温速度10℃/minの条件で測定したTG(熱重量測定)の結果及び密閉容器中で昇温速度10℃/minで測定したDSC(示差走査熱量測定)の結果を図8に示した。TGからCVD法またはALD法などの原料として適度な気化特性を有していることがわかり、DSCから熱安定性も良好であることがわかった。
アルゴン雰囲気下で、N、N’−ジイソプロピルカルボジイミド19.0g(151mmol)をヘキサン100mlに溶かし、メチルリチウムのジエチルエーテル溶液(1.07mol/l)141ml(151mmol)を加えて室温で12時間攪拌した後、溶媒を減圧留去した。得られた白色固体をヘキサン150mlに懸濁させ、テトラキス(ジメチルアミド)ハフニウム53.0g(149mmol)をヘキサン20mlに溶かした溶液を加え、50℃で4時間攪拌した。室温まで冷ました後、グラスフィルターを用いて不溶物を濾別し、濾液からヘキサンを減圧留去した。得られた残渣を減圧蒸留することにより無色の液体13.6gを得た(収率20%)。1H NMRと13C NMRについて実施例9と同様に測定したところ、実施例9と同様の結果が得られた。
アルゴン雰囲気下で、テトラキス(ジメチルアミド)ハフニウム211.5g(596.2mmol)をテトラヒドロフラン840mlとトリエチルアミン84mLの混合物に溶かした溶液を−20℃に冷却し、N、N’−ジイソプロピルアセトアミジン85.6g(43.6mmol)を滴下した。室温で4時間攪拌した後、溶媒を減圧留去した。得られた残渣を減圧蒸留することにより淡黄色の液体216.0gを得た(収率80%)。1H NMRと13C NMRについて実施例9と同様に測定したところ、実施例9と同様の結果が得られた。
アルゴン雰囲気下で、テトラキス(ジメチルアミド)ハフニウム15.5g(43.7mmol)をテトラヒドロフラン60mlとトリエチルアミン6mLの混合物に溶かした溶液を−20℃に冷却し、N、N’−ジイソプロピルプロピオアミジン6.84g(43.8mmol)を滴下した。室温で4時間攪拌した後、溶媒を減圧留去した。得られた残渣を減圧蒸留することにより淡黄色の液体18.1gを得た(収率89%)。
3.52(sept.,J=6Hz,2H),3.17(s,18H),1.97(q,J=8Hz,2H),1.08(d,J=7Hz,12H),0.88(t,J=8Hz,3H)
13C NMR(125MHz,C6D6,δ/ppm)
179.9,47.7,42.9,25.5,18.6,12.4
Hf(iPrNC(Et)NiPr)(NMe2)3の熱分析
アルゴン流通(400ml/min)下、昇温速度10℃/minの条件で測定したTG(熱重量測定)の結果及び密閉容器中で昇温速度10℃/minで測定したDSC(示差走査熱量測定)の結果を図9に示した。TGからCVD法又はALD法などの原料として適度な気化特性を有していることがわかり、DSCから熱安定性も良好であることがわかった。
アルゴン雰囲気下で、テトラキス(ジメチルアミド)ハフニウム11.9g(33.6mmol)をテトラヒドロフラン50mlに溶かした溶液を−20℃に冷却し、N、N’−tert−ブチルホルムアミジン5.25g(33.6mmol)を滴下した。室温で4時間攪拌した後、溶媒を減圧留去した。得られた残渣を減圧蒸留することにより淡黄色の液体11.8gを得た(収率75%)。
8.66(s,1H),3.15(s,18H),1.10(s,18H)
13C NMR(125MHz,C6D6,δ/ppm)
164.7,53.6,42.7,31.6
Hf(tBuNC(H)NtBu)(NMe2)3の熱分析
アルゴンを400ml/minにて流通させている雰囲気下、昇温速度10℃/minの条件で測定したTG(熱重量測定)の結果及び密閉容器中で昇温速度10℃/minで測定したDSC(示差走査熱量測定)の結果を図10に示した。TGからCVD法またはALD法などの原料として適度な気化特性を有していることがわかり、DSCから熱安定性も良好であることがわかった。
アルゴン雰囲気下で、テトラキス(エチルメチルアミド)ハフニウム384mg(0.93mmol)をヘキサン5mlに溶かした溶液に、N、N’−ジイソプロピルアセトアミジン133mg(0.94mmol)を加えた。室温で12時間攪拌した後、溶媒を減圧留去した。得られた残渣を減圧蒸留することにより無色の液体173mgを得た(収率37%)。
3.46(sept.,J=7Hz,2H),3.45(q,J=7Hz,6H),3.10(s,9H),1.47(s,3H),1.27(t,J=7Hz,9H),1.09(d,J=7Hz,12H)
13C NMR(125MHz,重ベンゼン,δ/ppm)
175.7,49.7,48.0,38.2,25.3,16.1,11.2。
アルゴン雰囲気下で、N、N’−ジイソプロピルカルボジイミド140mg(1.11mmol)をヘキサン5mlに溶かし、メチルリチウムのジエチルエーテル溶液(0.98mol/l)1.10ml(1.08mmol)を加えて室温で12時間攪拌した後、溶媒を減圧留去した。得られた白色固体をトルエン5mlに懸濁させ、テトラキス(ジメチルアミド)ハフニウム446mg(1.09mmol)をトルエン5mlに溶かした溶液を加え、80℃で4時間攪拌した。室温まで冷ました後、グラスフィルターを用いて不溶物を濾別し、濾液からヘキサンを減圧留去した。得られた残渣を減圧蒸留することにより無色の液体157mgを得た(収率29%)。
アルゴン雰囲気下で、テトラキス(ジエチルアミド)ハフニウム346mg(0.74mmol)をヘキサン5mlに溶かした溶液に、N、N’−ジイソプロピルアセトアミジン105mg(0.74mmol)を加えた。室温で12時間攪拌した後、溶媒を減圧留去した。得られた残渣を減圧昇華することにより白色固体188mgを得た(収率35%)。
3.48(q,J=7Hz,2H),3.47(sept.,J=7Hz,2H),1.53(s,3H),1.20(t,J=7Hz,18H)1.05(d,J=7Hz,12H)
13C NMR(125MHz,重ベンゼン,δ/ppm)
175.7,48.1,44.2,25.4,16.3,11.6。
アルゴン雰囲気下で、ビス(μ−ジメチルアミド)テトラキス(ジメチルアミド)ジアルミニウム28.1g(88.2mmol)をヘキサン100mlに溶かした溶液を0℃に冷却し、N、N’−ジイソプロピルアセトアミジン24.0g(168.7mmol)を加えた。室温で5時間撹拌した後、溶媒を減圧留去した。得られた残渣を減圧蒸留することにより、無色の液体32.0gを得た(収率71%)。なお、この化合物を空気に晒したところ、白色固体に変化したが発火しなかった。
3.08(sept.,J=6Hz,2H),2.96(br,s,12H),1.24(s,3H),1.00(d,J=6Hz,12H)
13C NMR(125MHz,C6D6,δ/ppm)
174.3,45.1,41.3,25.2,10.4
Al(iPrNC(Me)NiPr)(NMe2)2の熱分析
アルゴンを400ml/minにて流通させている雰囲気下、昇温速度10℃/minの条件で測定したTG(熱重量測定)の結果及び密閉容器中で昇温速度10℃/minで測定したDSC(示差走査熱量測定)の結果を図11に示した。TGからCVD法またはALD法などの原料として適度な気化特性を有していることがわかり、DSCから熱安定性も良好であることがわかった。
アルゴン雰囲気下で、ビス(μ−ジメチルアミド)テトラキス(ジメチルアミド)ジガリウム8.78g(43.5mmol)をヘキサン35mlに溶かした溶液を−20℃に冷却し、N、N’−ジイソプロピルアセトアミジン6.12g(43.0mmol)を加えた。室温で14時間撹拌した後、溶媒を減圧留去した。得られた残渣を減圧蒸留することにより、無色の液体8.21gを得た(収率74%)。なお、この化合物を空気に晒したところ、白色固体に変化したが発火しなかった。
3.17(sept.,J=6Hz,2H),3.01(br,s,12H),1.25(s,3H),0.99(d,J=6Hz,12H)
13C NMR(125MHz,C6D6,δ/ppm)
170.2,45.3,42.9,25.4,10.2
Ga(iPrNC(Me)NiPr)(NMe2)2の熱分析
アルゴンを400ml/minにて流通させている雰囲気下、昇温速度10℃/minの条件で測定したTG(熱重量測定)の結果及び密閉容器中で昇温速度10℃/minで測定したDSC(示差走査熱量測定)の結果を図12に示した。TGからCVD法またはALD法などの原料として適度な気化特性を有していることがわかり、DSCから熱安定性も良好であることがわかった。
Ti(iPrNC(Me)NiPr)(NMe2)3)を原料として、図13に示したCVD成膜装置を用いて、原料温度60℃、キャリアガス(Ar)流量30sccm、原料容器内圧力100Torr、希釈ガス(Ar)流量280sccm、反応ガス(O2)流量90sccm、基板温度400℃、反応槽内圧力4Torrで、CVD法によりSiO2/Si基板上に1時間かけて成膜を行った。作製した膜を蛍光X線にて測定したところ、チタンが検出され、チタン含有膜が堆積したことが確認された。
Zr(iPrNC(Me)NiPr)(NMe2)3を原料として用い、酸素を共存させた条件のもと、図13に示したCVD成膜装置を用いて成膜した。原料温度80℃、キャリアガス(Ar)流量30sccm、原料圧力100Torr、希釈ガス(Ar)流量250sccm、反応ガス(O2)流量120sccm、基板温度400℃、反応槽内圧力4Torrで、CVD法によりSiO2/Si基板上に1時間かけて成膜した。作製した膜を蛍光X線にて測定したところ、ジルコニウムが検出され、ジルコニウム含有膜が堆積したことが確認された。
Zr(tBuNC(H)NtBu)(NMe2)3を原料として、図13の装置を用いて、原料温度50℃、キャリアガス(Ar)流量30sccm、原料圧力100Torr、希釈ガス(Ar)流量250sccm、反応ガス(O2)流量120sccm、基板温度400℃、反応槽内圧力4Torrで、CVD法によりSiO2/Si基板上に1時間成膜を行った。作製した膜を蛍光X線分析装置にて測定したところ、Zrの特性X線が検出され、ジルコニウム含有膜であることが確認された。膜厚をSEMにより確認したところ約150nmであった。
Hf(iPrNC(Me)NiPr)(NMe2)3)を原料として、図13に示したCVD成膜装置を用いて、原料温度60℃、キャリアガス(Ar)流量30sccm、原料圧力100Torr、希釈ガス(Ar)流量350sccm、反応ガス(O2)流量120sccm、基板温度400℃、反応槽内圧力4Torrで、CVD法によりSiO2/Si基板上に1時間かけて成膜を行った。得られた膜の組成をX線回折で確認したところHfO2であった。さらに膜厚をSEM(走査電子顕微鏡)を用いて測定したところ、800nmであった。
Al(iPrNC(Me)NiPr)(NMe2)2を原料として、図13の装置を用いて、原料温度40℃、キャリアガス(Ar)流量20sccm、原料圧力100Torr、希釈ガス(Ar)流量220sccm、反応ガス(O2)流量60sccm、基板温度400℃、反応槽内圧力4Torrで、CVD法によりSiO2/Si基板上に1時間成膜を行った。作製した膜を蛍光X線分析装置にて測定したところ、Alの特性X線が検出され、また、膜組成をX線光電子分光法で確認したところ酸化アルミニウム膜であった。膜厚をSEMにより確認したところ約120nmであった。
2.恒温槽
3.反応槽
4.基板
5.反応ガス
6.希釈ガス
7.キャリアガス
8.マスフローコントローラー
9.マスフローコントローラー
10.マスフローコントローラー
11.真空ポンプ
12.排気
Claims (34)
- 一般式(1)
- Mが4族原子である請求項1に記載の化合物。
- Mがアルミニウム原子又はガリウム原子である請求項1に記載の化合物。
- R1及びR3がイソプロピル基又はtert−ブチル基であり、R2が水素原子、メチル基又はエチル基であり、R4及びR5がメチル基又はエチル基である請求項1または2に記載の化合物。
- R1及びR3がイソプロピル基であり、R2がメチル基又はエチル基であり、R4及びR5がメチル基である請求項1、2又は4に記載の化合物。
- R1及びR3がtert−ブチル基であり、R2が水素原子であり、R4及びR5がメチル基である請求項1、2又は4に記載の化合物。
- R1及びR3がイソプロピル基又はtert−ブチル基であり、R2が水素原子、メチル基又はエチル基であり、R4及びR5がメチル基又はエチル基である請求項1または3に記載の化合物。
- R1及びR3がイソプロピル基であり、R2がメチル基であり、R4及びR5がメチル基である請求項1、3又は7に記載の化合物。
- Mがチタン原子である請求項1、2、4または5に記載の化合物。
- Mがチタン原子である請求項1、2、4または6に記載の化合物。
- Mがジルコニウム原子である請求項1、2、4または5に記載の化合物。
- Mがジルコニウム原子である請求項1、2、4または6に記載の化合物。
- Mがハフニウム原子である請求項1、2、4または5に記載の化合物。
- Mがハフニウム原子である請求項1、2、4または6に記載の化合物。
- Mがアルミニウム原子である請求項1、3、7または8に記載の化合物。
- Mがガリウム原子である請求項1、3、7または8に記載の化合物。
- 一般式(2)
- Mが4族原子である請求項17に記載の製造方法。
- Mがアルミニウム原子又はガリウム原子である請求項17に記載の製造方法。
- R1及びR3がイソプロピル基又はtert−ブチル基であり、R2が水素原子、メチル基又はエチル基であり、R4及びR5がメチル基又はエチル基である請求項17または18に記載の製造方法。
- R1及びR3がイソプロピル基であり、R2がメチル基又はエチル基であり、R4及びR5がメチル基である請求項17、18又は20に記載の製造方法。
- R1及びR3がtert−ブチル基であり、R2が水素原子であり、R4及びR5がメチル基である請求項17、18又は20に記載の製造方法。
- R1及びR3がイソプロピル基又はtert−ブチル基であり、R2が水素原子、メチル基又はエチル基であり、R4及びR5がメチル基又はエチル基である請求項17または19に記載の製造方法。
- R1及びR3がイソプロピル基であり、R2がメチル基であり、R4及びR5がメチル基である請求項17、19又は23に記載の製造方法。
- Mがチタン原子である請求項17、18、20または21に記載の製造方法。
- Mがチタン原子である請求項17、18、20または22に記載の製造方法。
- Mがジルコニウム原子である請求項17、18、20または21に記載の製造方法。
- Mがジルコニウム原子である請求項17、18、20または22に記載の製造方法。
- Mがハフニウム原子である請求項17、18、20または21に記載の製造方法。
- Mがハフニウム原子である請求項17、18、20または22に記載の製造方法。
- Mがアルミニウム原子である請求項17、19、23または24に記載の製造方法。
- Mがガリウム原子である請求項17、19、23または24に記載の製造方法。
- 請求項1〜16いずれかに記載の化合物を原料として用いることにより形成されたM含有薄膜(Mは4族原子、アルミニウム原子、ガリウム原子、またはインジウム原子を示す)。
- 請求項1〜16いずれかに記載の化合物を原料として用いることを特徴とするM含有薄膜の形成方法(Mは4族原子、アルミニウム原子、ガリウム原子、またはインジウム原子を示す)。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006192791A JP5042548B2 (ja) | 2005-08-04 | 2006-07-13 | 金属含有化合物、その製造方法、金属含有薄膜及びその形成方法 |
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005226886 | 2005-08-04 | ||
JP2005226886 | 2005-08-04 | ||
JP2005326883 | 2005-11-11 | ||
JP2005326884 | 2005-11-11 | ||
JP2005326883 | 2005-11-11 | ||
JP2005326884 | 2005-11-11 | ||
JP2006192791A JP5042548B2 (ja) | 2005-08-04 | 2006-07-13 | 金属含有化合物、その製造方法、金属含有薄膜及びその形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007153869A true JP2007153869A (ja) | 2007-06-21 |
JP5042548B2 JP5042548B2 (ja) | 2012-10-03 |
Family
ID=38238669
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006192791A Active JP5042548B2 (ja) | 2005-08-04 | 2006-07-13 | 金属含有化合物、その製造方法、金属含有薄膜及びその形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5042548B2 (ja) |
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