JP2007150155A - 薄膜トランジスタ及びその製造方法及び成膜装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ゲート電極を形成した可撓性プラスチックの基材2上に、ゲート絶縁膜、酸化物からなる半導体活性層を形成するボトムゲート型薄膜トランジスタの製造方法であって、ロール状の基材2を連続巻取方式の成膜装置12の真空成膜室内で、ゲート絶縁膜と酸化物からなる半導体活性層とを大気開放することなく連続してスパッタ法により形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【選択図】図1
Description
K. Nomura et al Nature, 432, 488 (2004)
膜、半導体活性層間で汚れ付着等による汚染のない清浄な界面を実現と、生産性が高く、安価かつ大量に生産できる上、特性の優れた薄膜トランジスタを提供することを課題とする。
、成膜室が互いに独立した排気系を持つ装置構成をとり、ゲート絶縁膜と半導体活性層が異なるガス圧や反応ガス種など任意の条件で同時に成膜することが可能となる。
るガスを他方の成膜室に影響を与えない程度にゲート絶縁膜形成室と半導体形成室間を分割していればよい。また成膜室と巻出ロール室および巻取ロール室を仕切り板で仕切ることが好ましい。この際、仕切り板と成膜ロールの間は被成膜基材が通れる程度のギャップが存在していれば良い。
サルフェン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリルレート、ポリエチレン、ポリスチロール、テフロン(登録商標)、エボナイト、エポキシなどが使用できる。金属電極間のリーク電流を抑えるためには、絶縁材料の抵抗率は1012(Ω・cm)以上であることが好ましい。
2…ゲート電極付き可撓性プラスチック基材
3…巻き取りロール
4…成膜ロール
5…絶縁膜形成室
6…絶縁膜形成用スパッタターゲット
7…半導体層形成室
8…半導体層形成用スパッタターゲット
9…仕切り板
10、11…仕切り板
12…巻き取り式真空成膜装置
21…可撓性プラスチック基材、基材
22…ゲート電極
23…補助コンデンサー電極
24…ゲート絶縁膜
25…酸化物からなる半導体活性層
26…画素電極
27…ドレイン電極
28…ソース電極
29…保護膜
Claims (6)
- 支持基材である可撓性プラスチック基材上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、酸化物からなる半導体活性層、ソース電極、ドレイン電極が形成されてなるボトムゲート型薄膜トランジスタの製造方法において、
ロール状の基材を連続して巻き取る方式の成膜装置の真空成膜室内で、
ゲート電極を形成した可撓性プラスチック基材上に、
ゲート絶縁膜と酸化物からなる半導体活性層とを大気開放することなく連続して形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記ゲート絶縁膜および酸化物からなる半導体活性層の形成方法が、成膜装置の真空成膜室内で、スパッタ法により連続して成膜形成することを特徴とする請求項1記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 可撓性プラスチック基材上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、酸化物からなる半導体活性層、ソース電極、ドレイン電極が形成されてなるボトムゲート型薄膜トランジスタのゲート絶縁膜および酸化物からなる半導体活性膜を形成する成膜装置において、
前記請求項1、又は2記載の薄膜トランジスタの製造方法に用いる成膜装置であって、ロール状の可撓性プラスチック基材を真空成膜室内の一つの成膜ロールの表面上に把持させ、一定速度で成膜ロールを回転させながら、前記真空成膜室内でゲート絶縁膜と酸化物からなる半導体活性層を連続して成膜形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法に用いる成膜装置。 - 前記真空成膜室は、ゲート絶縁膜の形成部と酸化物からなる半導体活性膜の形成部が互いに仕切り板で仕切られていることを特徴とする請求項3記載の薄膜トランジスタの製造方法に用いる成膜装置。
- 前記真空成膜室は、ゲート絶縁膜の形成部と酸化物からなる半導体活性膜の形成部が、互いに独立した排気系を持ち、各々の膜を成膜形成することを特徴とする請求項3、又は4記載の薄膜トランジスタの製造方法に用いる成膜装置。
- 可撓性プラスチック基材上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、酸化物からなる半導体活性層、ソース電極、ドレイン電極が形成されて成るボトムゲート型薄膜トランジスタにおいて、
前記請求項3乃至5のいずれか1項記載の成膜装置を用いた成膜方法及び請求項1、又は2記載の薄膜トランジスタの製造方法を用いて薄膜トランジスタを形成したことを特徴とするボトムゲート型薄膜トランジスタ。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010089662A2 (en) * | 2009-02-05 | 2010-08-12 | Applied Materials, Inc. | Modular pvd system for flex pv |
WO2011104894A1 (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-01 | 住友化学株式会社 | 薄膜半導体装置、薄膜半導体製造装置及び薄膜半導体製造方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001073130A (ja) * | 1999-08-31 | 2001-03-21 | Sumitomo Chem Co Ltd | リアクティブ・スパッタリング装置 |
JP2001332492A (ja) * | 2000-05-19 | 2001-11-30 | Sony Corp | 炭化ケイ素薄膜構造体およびその製造方法ならびに薄膜トランジスタ |
JP2002246602A (ja) * | 2001-02-16 | 2002-08-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JP2002359203A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-12-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 成膜装置、プラズマcvd装置、成膜方法及びスパッタ装置 |
JP2004193446A (ja) * | 2002-12-13 | 2004-07-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法および薄膜トランジスタの製造方法 |
JP2005191077A (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-14 | Sony Corp | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
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2005
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001073130A (ja) * | 1999-08-31 | 2001-03-21 | Sumitomo Chem Co Ltd | リアクティブ・スパッタリング装置 |
JP2001332492A (ja) * | 2000-05-19 | 2001-11-30 | Sony Corp | 炭化ケイ素薄膜構造体およびその製造方法ならびに薄膜トランジスタ |
JP2002246602A (ja) * | 2001-02-16 | 2002-08-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JP2002359203A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-12-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 成膜装置、プラズマcvd装置、成膜方法及びスパッタ装置 |
JP2004193446A (ja) * | 2002-12-13 | 2004-07-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法および薄膜トランジスタの製造方法 |
JP2005191077A (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-14 | Sony Corp | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010089662A2 (en) * | 2009-02-05 | 2010-08-12 | Applied Materials, Inc. | Modular pvd system for flex pv |
WO2010089662A3 (en) * | 2009-02-05 | 2010-11-18 | Applied Materials, Inc. | Modular pvd system for flex pv |
WO2011104894A1 (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-01 | 住友化学株式会社 | 薄膜半導体装置、薄膜半導体製造装置及び薄膜半導体製造方法 |
JP2011181591A (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-15 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 薄膜半導体装置、薄膜半導体製造装置及び薄膜半導体製造方法 |
KR101459202B1 (ko) * | 2010-02-26 | 2014-11-07 | 수미토모 케미칼 컴퍼니 리미티드 | 박막 반도체 장치, 박막 반도체 제조 장치, 및 박막 반도체 제조 방법 |
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