JP2007149524A - 微小電子エミッタの作製方法及びそれを用いて作製される微小電子エミッタ - Google Patents
微小電子エミッタの作製方法及びそれを用いて作製される微小電子エミッタ Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】微小電子エミッタの作製方法において、3次元CADを利用して設計した微小電子エミッタの微小立体構造物の三次元モデルから算出した描画データに基づいて、集束イオンビームの位置的、時間的制御を行い、絶縁性基部の中心部に形成される第1電極に接続されるカソード電極35と、前記絶縁性基部の外周面に被覆される第2電極に接続されるアノード電極36を形成する。
【選択図】図10
Description
(1)FIB−CVDによる微小電子エミッタの作製方法を利用することで、任意の形状を有する微小電子エミッタを作製することが可能である。
2 微小立体構造物
3 CVDのガス原料
4 Ga+ 集束イオンビーム
5 制御装置
5A CPU(中央処理装置)
5B 微小電子エミッタの三次元モデルデータメモリ
5C データ入力装置
5D 入出力インターフェース
5E 表示装置
6 DLCピラー
7 タングステン(W)ピラー
8 鉄(Fe)ピラー
11 リング型のDLCアノード
12 Wプローブ
13 DLC・W・Feピラー
21 ガラスキャピラリー
22 Al−Niワイヤ
23,33 Al−Ni電極
24,34 Au電極
25 ガラスキャピラリー先端
26,31 2端子電極
32 ガラスキャピラリー
35 冷陰極(カソード)電極
36 DLCアノード電極
35A 針状体
35B 外周面が曲面を有する突起状のDLCチップ
36A 環状体
36B DL支持柱
Claims (8)
- 3次元CADを利用して設計した微小電子エミッタの微小立体構造物の三次元モデルから算出した描画データに基づいて、集束イオンビームの位置的、時間的制御を行い、絶縁性基部の中心部に形成される第1電極に接続されるカソード電極と、前記絶縁性基部の外周面に被覆される第2電極に接続されるアノード電極を形成することを特徴とする微小電子エミッタの作製方法。
- 請求項1記載の微小電子エミッタの作製方法において、前記カソード電極は先端が針状体からなる外周面に曲面を有する突起状のDLCチップであり、前記アノード電極は先端が環状体からなるDLC支持柱を有し、その環状体の中心部に前記突起状のDLCチップの先端の針状体が位置することを特徴とする微小電子エミッタの作製方法。
- 請求項1記載の微小電子エミッタの作製方法において、前記カソード電極がWピラー又はFeピラーからなることを特徴とする微小電子エミッタの作製方法。
- 請求項1記載の微小電子エミッタの作製方法において、前記アノード電極がWピラー又はFeピラーからなることを特徴とする微小電子エミッタの作製方法。
- 請求項1記載の微小電子エミッタの作製方法において、前記カソード電極及びアノード電極がWピラー又はFeピラーからなることを特徴とする微小電子エミッタの作製方法。
- 請求項1〜5の何れか一項記載の微小電子エミッタの作製方法において、前記微小電子エミッタの絶縁性基部がガラスキャピラリーであることを特徴とする微小電子エミッタの作製方法。
- 請求項1〜5の何れか一項記載の微小電子エミッタの作製方法において、前記微小電子エミッタの絶縁性基部がプローブであることを特徴とする微小電子エミッタの作製方法。
- 請求項1〜7記載の何れか一項記載の微小電子エミッタの作製方法を用いて作製される微小電子エミッタ。
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