JP2007139955A - Electrooptical apparatus and electronic apparatus with the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。 The present invention relates to a technical field of an electro-optical device such as a liquid crystal device, and an electronic apparatus such as a liquid crystal projector including the electro-optical device.
従来、液晶装置等の表示装置は、携帯電話、プロジェクタ等の機器に広く使用されている。TFT(Thin Film Transistor)等を用いた液晶表示装置は、TFT基板と対向基板を貼り合せて、その基板間に液晶を封入して構成されている。一般に、製造された液晶装置が正常に作動するかの検査は、完成品に対して行われる。例えば、所定の画像信号を液晶装置に表示データとして入力し、投影、表示等させることによって正しくデータが表示されるか、欠陥画素の有無のチェックが行われている。 Conventionally, display devices such as liquid crystal devices are widely used in devices such as mobile phones and projectors. 2. Description of the Related Art A liquid crystal display device using a TFT (Thin Film Transistor) or the like is configured by adhering a TFT substrate and a counter substrate and sealing liquid crystal between the substrates. In general, an inspection of whether a manufactured liquid crystal device operates normally is performed on a finished product. For example, a predetermined image signal is input to the liquid crystal device as display data, and is projected, displayed, or the like to check whether the data is correctly displayed or whether there is a defective pixel.
しかし、完成品について検査を行う方法は、製造工程の管理面から見ると、好ましくない。理由は、基板の製造工程後に不良品が発見されるので、不良品の発見が遅れてしまうからである。 However, the method of inspecting a finished product is not preferable from the viewpoint of manufacturing process management. The reason is that a defective product is found after the substrate manufacturing process, so that the detection of the defective product is delayed.
このため、工程管理への不良発見がフィードバックされるまでの時間が長くなる。その結果、歩留まり低下期間が長期化し、製造コストが上昇するからである。また、試作品の場合も、試作品の評価から設計にフィードバックされるまでに期間が長期化するため、開発期間の長期化、開発コストの上昇に繋がる。更に、製品完成後は、いわゆるリペア、即ち不良個所の修理が困難である。 For this reason, the time until failure detection for process management is fed back becomes longer. As a result, the yield reduction period becomes longer and the manufacturing cost increases. Also, in the case of a prototype, since the period of time from the evaluation of the prototype to the feedback to the design is prolonged, the development period is prolonged and the development cost is increased. Furthermore, after the product is completed, so-called repair, that is, repair of a defective portion is difficult.
そこで、基板の製造工程内において、不良の発見、特に、表示装置の欠陥画素の発見を行うことが望まれている。 Therefore, it is desired to find a defect, particularly a defective pixel of a display device, in the manufacturing process of the substrate.
そのような検査方法の一つとして、液晶表示装置の電極パッドに検査用プローブを接触させて、所定の電流を供給することによって、液晶表示装置の検査を行う技術が提案されている(例えば、特許文献1参照)。同様に、画素のコンデンサ容量特性から、TFTの各画素に所定の電圧を印加して、放電電流及び放電電圧の波形に基づいてTFTの機能を検査する技術が提案されている(例えば、特許文献2参照)。 As one of such inspection methods, a technique for inspecting a liquid crystal display device by bringing a test probe into contact with an electrode pad of the liquid crystal display device and supplying a predetermined current has been proposed (for example, Patent Document 1). Similarly, a technique has been proposed in which a predetermined voltage is applied to each pixel of the TFT based on the capacitor capacitance characteristics of the pixel, and the function of the TFT is inspected based on the waveforms of the discharge current and the discharge voltage (for example, Patent Documents). 2).
また、TFT基板の画素電極に対応する検査用の対向電極を用いて、画素電極の電位の変化量を検出することによって、各画素電極の動作検査を行う技術も提案されている(例えば、特許文献3参照)。 In addition, a technique for inspecting the operation of each pixel electrode by detecting the amount of change in the potential of the pixel electrode using an inspection counter electrode corresponding to the pixel electrode of the TFT substrate has been proposed (for example, patents). Reference 3).
しかしながら、上述した特許文献1及び特許文献3に記載の技術による場合、検査装置において、基板の外部から電極パッド等に所定のプローブ等を接触或いは近接させるための機械的な位置精度が要求される。その結果、機械的なアライメント精度を確保するために検査時間が長くなるという技術的な問題点がある。更に、高精細な液晶表示装置の場合は、多くの電極パッドに対して細いプローブ等を機械的な制御を行って接触させなければならなくなり、これらの方法が適用できない場合もある。
However, in the case of the techniques described in
また、上述した特許文献2に記載の方法では、液晶表示装置と測定装置間の各種容量成分、例えばデータ線、ビデオ線、電極パッド端子等における容量が影響するため、画素自体の容量が比較的小さい場合には、十分な測定精度が得られないという技術的な問題点がある。
Further, in the method described in
本発明は、上述した従来の問題点に鑑みなされたものであり、外部からのプローブを接触される等の必要がなく、十分な測定精度を得られる検査を実現可能な電気光学装置及び該電気光学装置を具備してなる電子機器を提供することを課題とする。 The present invention has been made in view of the above-described conventional problems, and does not require contact with an external probe and the like, and an electro-optical device capable of realizing inspection with sufficient measurement accuracy and the electric An object is to provide an electronic device including an optical device.
本発明の電気光学装置は、上記課題を解決するために、基板上に、互いに交差する複数の走査線及び複数の信号線と、前記複数の走査線及び前記複数の信号線の交差に対応して配置された複数の画素部と、複数のトランジスタを夫々含んでなると共に、前記複数の信号線のうち所定本数の信号線の組の夫々に対応して設けられており、前記所定本数の信号線のうち一の信号線を介して第1電位信号が供給されると共に他の信号線を介して基準電位としての第2電位信号が供給され、前記第1電位信号の電位と前記第2電位信号の電位とを比較して、(i)前記第1電位信号の電位が前記第2電位信号の電位より低い場合には、前記第1電位信号の電位より低い電位を有する低電位信号を、(ii)前記第1電位信号の電位が前記第2電位信号の電位より高い場合には、前記第1電位信号の電位より高い電位を有する高電位信号を出力する複数の増幅用回路と、前記複数のトランジスタのうち少なくとも一のトランジスタにおける活性層の延在部に設けられており、前記一のトランジスタにおけるボディコンタクトをとるボディコンタクト手段とを備える。 In order to solve the above problems, an electro-optical device according to an aspect of the invention corresponds to a plurality of scanning lines and a plurality of signal lines intersecting each other on the substrate, and the intersection of the plurality of scanning lines and the plurality of signal lines. Each of the plurality of pixel portions and the plurality of transistors, and provided corresponding to each of a predetermined number of signal lines among the plurality of signal lines, and the predetermined number of signals. A first potential signal is supplied through one signal line of the lines, and a second potential signal as a reference potential is supplied through another signal line, and the potential of the first potential signal and the second potential are supplied. Compared with the potential of the signal, (i) when the potential of the first potential signal is lower than the potential of the second potential signal, a low potential signal having a potential lower than the potential of the first potential signal, (Ii) The potential of the first potential signal is the second potential signal. A plurality of amplifying circuits for outputting a high potential signal having a potential higher than the potential of the first potential signal, and an extension portion of an active layer in at least one of the plurality of transistors. And a body contact means for taking a body contact in the one transistor.
本発明の電気光学装置によれば、その動作時には、例えばXドライバ回路により画像信号が、データ線を介して各画素部に供給される。これと共に、Yドライバ回路により走査線を介して走査信号が各画素部に供給される。画素部毎に設けられた例えば画素スイッチング用の薄膜トランジスタは、走査線にゲートが接続されており、走査信号に応じて画像信号を画素電極へ選択的に供給する。これらにより、例えば、画素電極及び対向電極間に挟持された、例えば液晶等の電気光学物質を各画素部で駆動することで、アクティブマトリクス駆動が可能である。この際、蓄積容量によって、画素部における電位保持特性が向上し、表示の高コントラスト化が可能となる。 According to the electro-optical device of the present invention, during the operation, an image signal is supplied to each pixel unit via the data line, for example, by an X driver circuit. At the same time, a scanning signal is supplied to each pixel portion via the scanning line by the Y driver circuit. For example, a thin film transistor for pixel switching provided for each pixel portion has a gate connected to a scanning line, and selectively supplies an image signal to a pixel electrode in accordance with the scanning signal. Accordingly, for example, by driving an electro-optical material such as liquid crystal sandwiched between the pixel electrode and the counter electrode in each pixel portion, active matrix driving is possible. At this time, the storage capacitor improves the potential holding characteristic in the pixel portion, and the display can have high contrast.
本発明では特に、増幅用回路を備える。増幅用回路は、電気光学装置の動作時に先立って行われる検査時に、高電位信号又は低電位信号を、例えば組を構成する所定本数の信号線のうち一の信号線を介して、例えば画素部の良否を判定する判定手段に出力する。ここで、「所定本数の信号線の組」は、典型的には、2本の信号線から構成される組であり、複数の信号線は、2本の信号線として構成される、複数の信号線の組を構成する。尚、このような検査は、電気光学装置が一対の基板が貼り合わされる前段階である、例えば、素子アレイ基板、素子基板又はTFTアレイ基板などと称される基板が完成した段階で好ましくは実施される。 In particular, the present invention includes an amplification circuit. For example, the amplifying circuit transmits a high-potential signal or a low-potential signal through, for example, one signal line among a predetermined number of signal lines constituting a set at the time of inspection performed prior to the operation of the electro-optical device. Is output to determination means for determining whether or not the quality is good. Here, the “set of a predetermined number of signal lines” is typically a set made up of two signal lines, and the plurality of signal lines are made up of two signal lines. Configure a set of signal lines. Such inspection is preferably performed before the electro-optical device is bonded to the pair of substrates, for example, when a substrate called an element array substrate, an element substrate, or a TFT array substrate is completed. Is done.
より具体的には、この検査時には、例えば画素部から出力される第1電位信号が基準電位としての第2電位信号より僅かに高い電位を有している場合には、第2電位信号の電位に対する第1電位信号の電位の高いことが第1信号線及び第2信号線に印加されるノイズによって不明瞭とならないように、増幅用回路は第1電位信号に比べて電位が高められた高電位信号を例えば一の信号線を介して例えば判定手段に出力する。第1電位信号が第2電位信号より僅かに低い電位を有している場合には、第2電位信号の電位に対する第1電位信号の電位の低いことが第1信号線及び第2信号線に印加されるノイズによって不明瞭とならないように、増幅用回路は第1電位信号の電位を低くした後、電位が低く抑えられた低電位信号を例えば一の信号線を介して例えば判定手段に出力する。ここで、「第1電位信号」は、画素部の良否を反映した信号であり、より具体的には、例えば画素部の良否に応じて出力された信号である。画素部には、例えば検査に先立ち予め検査信号が供給されており、画素部の良否に応じて検査信号の電位から変動した電位を有する信号が第1電位信号として出力される。「画素部の良否」とは、画素部が不具合を有しているか否かを意味し、第1電位信号及び第2電位信号の電位の高低関係は、画素部に生じた不具合に応じて異なる。「第2電位信号」は、第1電位信号の電位を高くする或いは低くする際の基準となる基準電位を有する。 More specifically, at the time of this inspection, for example, when the first potential signal output from the pixel portion has a slightly higher potential than the second potential signal as the reference potential, the potential of the second potential signal The amplifying circuit has a higher potential compared to the first potential signal so that the high potential of the first potential signal with respect to is not obscured by noise applied to the first signal line and the second signal line. For example, the potential signal is output to, for example, the determination unit via one signal line. When the first potential signal has a slightly lower potential than the second potential signal, the first signal line and the second signal line indicate that the potential of the first potential signal is lower than the potential of the second potential signal. In order not to be obscured by the applied noise, the amplifying circuit lowers the potential of the first potential signal, and then outputs a low potential signal whose potential is kept low, for example, to a determination means via one signal line, for example. To do. Here, the “first potential signal” is a signal reflecting the quality of the pixel portion, and more specifically, for example, is a signal output according to the quality of the pixel portion. For example, an inspection signal is supplied to the pixel portion in advance prior to the inspection, and a signal having a potential that varies from the potential of the inspection signal according to the quality of the pixel portion is output as the first potential signal. “Possibility of the pixel portion” means whether or not the pixel portion has a defect, and the level relationship between the potentials of the first potential signal and the second potential signal varies depending on the defect occurring in the pixel portion. . The “second potential signal” has a reference potential that serves as a reference for increasing or decreasing the potential of the first potential signal.
判定手段は、例えば本発明の電気光学装置の有する基板の外部に設けられた外部回路であり、例えば、画素部に予め供給されていた、第1電位信号の基になる検査信号の電位が第2電位信号の電位に対して高いか低いかという情報と、第2電位信号に基づいて増幅用回路から出力された信号の電位と比較して高電位信号の電位又は低電位信号の電位が高いか低いかという情報とを比較する電圧論理によって画素部の良否を判定する。 The determination unit is, for example, an external circuit provided outside the substrate included in the electro-optical device of the present invention. For example, the potential of the inspection signal that is supplied in advance to the pixel portion and is the basis of the first potential signal is the first. The potential of the high potential signal or the potential of the low potential signal is higher than the information of whether the potential is higher or lower than the potential of the two potential signal and the potential of the signal output from the amplification circuit based on the second potential signal. Whether the pixel portion is good or bad is determined based on voltage logic that compares the low or low information.
このような判定手法によれば、第1電位信号の基になる検査信号の電位が第2電位信号の電位より高い場合に、増幅用回路から高電位信号が出力されれば一の信号線に電気的に接続された画素部、即ち第1電位信号の基になる検査信号が供給された画素部に不具合が発生していないと判断される。一方、第1電位信号の基になる検査信号の電位が第2電位信号の電位より高い場合に増幅用回路から低電位信号が出力されれば一の信号線に電気的に接続された画素部に何らかの不具合が発生していると判断される。第1電位信号の元になる検査信号の電位が第2電位信号の電位より低い場合に、増幅用回路から低電位信号が出力されれば一の信号線に電気的に接続された画素部に不具合が発生していないことを意味する。第1電位信号の基になる検査信号の電位が第2電位信号の電位より低い場合に増幅用回路から高電位信号が出力されれば一の信号線に電気的に接続された画素部、即ち第1電位信号のもとになる検査信号が供給された画素部に何らかの不具合が発生していると判断される。 According to such a determination method, when the potential of the inspection signal that is the basis of the first potential signal is higher than the potential of the second potential signal, if a high potential signal is output from the amplifier circuit, the signal line becomes one signal line. It is determined that no defect has occurred in the electrically connected pixel portion, that is, the pixel portion to which the inspection signal that is the basis of the first potential signal is supplied. On the other hand, if the low potential signal is output from the amplification circuit when the potential of the inspection signal that is the basis of the first potential signal is higher than the potential of the second potential signal, the pixel portion that is electrically connected to one signal line It is determined that some sort of malfunction has occurred. When the potential of the inspection signal that is the source of the first potential signal is lower than the potential of the second potential signal, if a low potential signal is output from the amplifier circuit, the pixel portion electrically connected to one signal line It means that no defect has occurred. If the high potential signal is output from the amplification circuit when the potential of the inspection signal that is the basis of the first potential signal is lower than the potential of the second potential signal, that is, the pixel portion that is electrically connected to one signal line, It is determined that some defect has occurred in the pixel portion to which the inspection signal that is the basis of the first potential signal is supplied.
更に、本発明では特に、ボディコンタクト手段を備える。ボディコンタクト手段は、増幅回路を構成する複数のトランジスタのうち少なくとも一のトランジスタにおける活性層の延在部に設けられており、一のトランジスタにおけるボディコンタクトをとる。ボディコンタクト手段は、例えば、一のトランジスタの活性層の延在部に接触する接触部と、該接触部に電気的に接続された配線部とを有しており、本発明に係る「トランジスタにおけるボディコンタクトをとる」或いは「ボディコンタクトをとる」とは、トランジスタにおけるチャネルが形成される活性層内に蓄積される余分なキャリアを抜くことをいう。そして、本発明に係る「ボディコンタクト手段」とは、このようなボディコンタクトをとるための、例えば半導体膜の一部や導電膜の一部、或いは電極や配線部分、接続部分など、各種の部位や部品を意味する。このため、「ボディコンタクト手段」は、トランジスタを構成する活性層の電位を固定する「電位固定手段」或いは「電位固定用電極」、又はトランジスタの活性層の余分なキャリアを除去する「キャリア除去手段」或いは「キャリア除去用電極」などと、言い換えることも可能である。このようなボディコンタクト手段によって、一のトランジスタにおける活性層における電位は、所定電位に固定される。所定電位としては、例えば、一のトランジスタがNch型のトランジスタである場合には、ソース電位及びドレイン電位より低い電位が設定され、一方、一のトランジスタがPch型のトランジスタである場合には、ソース電位及びドレイン電位より高い電位が設定される。このため、一のトランジスタがオン状態からオフ状態に切り換えられた際にチャネルが形成される活性層内に蓄積する余分なキャリア(即ち、正孔又は電子)を、ボディコンタクト手段によって延在部を介して抜くことが可能となる。即ち、スイッチング時の電気的なノイズに起因して、例えば、第1電位信号の電位及び第2電位信号の電位が夫々変化してしまうことを防止できる。従って、第1電位信号の電位及び第2電位信号の電位が夫々変化することによって、第1電位信号の電位及び第2電位信号の電位の高低関係が、電気的なノイズの発生がない場合とは反対の関係になってしまうことを防止できる。これにより、増幅用回路が誤作動することを防止して、正確な比較結果を得ることができる。 Further, the present invention particularly includes body contact means. The body contact means is provided in the extending portion of the active layer in at least one transistor among the plurality of transistors constituting the amplifier circuit, and takes a body contact in the one transistor. The body contact means includes, for example, a contact portion that contacts the extension portion of the active layer of one transistor and a wiring portion that is electrically connected to the contact portion. “Taking body contact” or “taking body contact” means removing excess carriers accumulated in an active layer in which a channel in a transistor is formed. The “body contact means” according to the present invention refers to various parts such as a part of a semiconductor film, a part of a conductive film, an electrode, a wiring part, a connection part or the like for making such a body contact. Or parts. For this reason, the “body contact means” is a “potential fixing means” or “potential fixing electrode” that fixes the potential of the active layer constituting the transistor, or “carrier removal means that removes excess carriers in the active layer of the transistor. Or “carrier-removing electrode” or the like. By such body contact means, the potential in the active layer of one transistor is fixed to a predetermined potential. As the predetermined potential, for example, when one transistor is an Nch type transistor, a potential lower than the source potential and the drain potential is set. On the other hand, when one transistor is a Pch type transistor, the source potential is set. A potential higher than the potential and the drain potential is set. For this reason, when one transistor is switched from the on state to the off state, excess carriers (that is, holes or electrons) accumulated in the active layer where the channel is formed are removed by the body contact means. Can be removed. That is, it is possible to prevent the potential of the first potential signal and the potential of the second potential signal from changing due to electrical noise during switching, for example. Therefore, when the potential of the first potential signal and the potential of the second potential signal change, the level relationship between the potential of the first potential signal and the potential of the second potential signal does not generate electrical noise. Can prevent the opposite relationship. Thereby, it is possible to prevent the amplification circuit from malfunctioning and to obtain an accurate comparison result.
本発明の電気光学装置の一態様では、前記ボディコンタクト手段は、前記延在部に接触する接触部と、該接触部に電気的に接続された配線部とを有する。 In one aspect of the electro-optical device according to the aspect of the invention, the body contact unit includes a contact portion that contacts the extending portion and a wiring portion that is electrically connected to the contact portion.
この態様によれば、一のトランジスタが、オン状態からオフ状態に切り換えられた際(即ち、スイッチング時)に、活性層内に蓄積された余分なキャリアは、延在部に接触する接触部を介して、配線部に排出される。よって、一のトランジスタにおけるスイッチング時の電気的なノイズの発生を、確実に低減することができる。 According to this aspect, when one transistor is switched from the on-state to the off-state (that is, at the time of switching), the excess carriers accumulated in the active layer have the contact portion that contacts the extension portion. Through the wiring section. Therefore, generation of electrical noise during switching in one transistor can be surely reduced.
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記複数の増幅用回路は、2本の前記信号線の組毎に一つずつ設けられており、当該2本の信号線間の電気的な接続を制御するための第1のトランジスタを含むイコライズ回路を夫々有しており、前記ボディコンタクト手段は、前記一のトランジスタとして、少なくとも前記第1のトランジスタにおけるボディコンタクトをとる。 In another aspect of the electro-optical device of the present invention, the plurality of amplification circuits are provided one for each pair of the two signal lines, and electrical connection between the two signal lines is performed. The body contact means has at least the body contact of the first transistor as the one transistor.
この態様によれば、ボディコンタクト手段によって、イコライズ回路を構成する第1のトランジスタにおけるボディコンタクトがとられる。よって、第1のトランジスタが、組を構成する2本の信号線間の電気的な接続を制御するために、オン状態からオフ状態に切り換えられる際(即ち、スイッチングの際)に生じ得る電気的なノイズの発生を低減できる。従って、増幅用回路が誤作動することを防止して、正確な比較結果を得ることができる。特に、イコライズ回路は、検査において、画素部から第1電位信号が出力される前に、2本の信号線間を電気的に接続し(即ち、短絡或いはショートし)、2本の信号線を互いに同電位とする機能さえ有していればよいので、イコライズ回路を構成する第1のトランジスタは、典型的には、比較的小さく形成される。このため、第1のトランジスタには、スイッチングに起因する電気的なノイズが発生しやすい。よって、少なくとも第1のトランジスタにおけるボディコンタクトをとることは、増幅用回路を構成する他の比較的大きなトランジスタにおけるボディコンタクトをとる場合に比較して、増幅用回路が誤作動することを確実に或いは効率的に防止することができる。このため、ボディコンタクト手段を設けることによる基板サイズの増大を殆ど或いは全く必要としない。 According to this aspect, the body contact in the first transistor constituting the equalizing circuit is taken by the body contact means. Therefore, the electrical potential that may occur when the first transistor is switched from the on state to the off state (ie, during switching) in order to control the electrical connection between the two signal lines that constitute the set. Generation of noise can be reduced. Therefore, the amplification circuit can be prevented from malfunctioning, and an accurate comparison result can be obtained. In particular, the equalizing circuit electrically connects (that is, shorts or shorts) two signal lines before the first potential signal is output from the pixel portion in the inspection, and connects the two signal lines. Since it is only necessary to have the function of setting the same potential to each other, the first transistor constituting the equalize circuit is typically formed relatively small. For this reason, electrical noise due to switching is likely to occur in the first transistor. Therefore, taking at least the body contact in the first transistor ensures that the amplifying circuit malfunctions as compared with the case in which the body contact in other relatively large transistors constituting the amplifying circuit is taken. It can be prevented efficiently. For this reason, little or no increase in the substrate size by providing the body contact means is required.
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記複数の増幅用回路は、複数の第2のトランジスタからなる差動増幅回路を夫々有しており、前記ボディコンタクト手段は、前記一のトランジスタとして、少なくとも前記第2のトランジスタにおけるボディコンタクトをとる。 In another aspect of the electro-optical device according to the aspect of the invention, the plurality of amplification circuits each include a differential amplification circuit including a plurality of second transistors, and the body contact unit is configured as the one transistor. And at least a body contact in the second transistor.
この態様によれば、ボディコンタクト手段によって、差動増幅回路を構成する第2のトランジスタにおけるボディコンタクトがとられる。よって、第2のトランジスタのオンオフが切り換えられる際に生じ得る電気的なノイズの発生を低減できる。従って、差動増幅回路が誤作動することを防止して、正確な比較結果を得ることができる。特に、差動増幅回路では、第1電位信号及び第2電位信号を比較する際に、第2のトランジスタの切り換えが行われる。よって、第2のトランジスタにおけるスイッチングに起因する電気的なノイズは、第1電位信号及び第2電位信号の比較の前後にオンオフの切り換えが行われる他のトランジスタに比較して、比較結果に大きな影響を与える。従って、少なくとも第2のトランジスタにおけるボディコンタクトをとることは、増幅用回路を構成する他のトランジスタにおけるボディコンタクトをとる場合に比較して、増幅用回路が誤作動することを確実或いは効率的に防止することができる。 According to this aspect, the body contact is made in the second transistor constituting the differential amplifier circuit by the body contact means. Therefore, generation of electrical noise that can occur when the second transistor is switched on and off can be reduced. Therefore, the differential amplifier circuit can be prevented from malfunctioning, and an accurate comparison result can be obtained. In particular, in the differential amplifier circuit, the second transistor is switched when the first potential signal and the second potential signal are compared. Therefore, electrical noise caused by switching in the second transistor has a greater effect on the comparison result than other transistors that are switched on and off before and after the comparison of the first potential signal and the second potential signal. give. Therefore, at least taking the body contact in the second transistor reliably or efficiently prevents the amplification circuit from malfunctioning as compared to taking the body contact in the other transistors constituting the amplification circuit. can do.
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記複数の増幅用回路は、該複数の増幅用回路を駆動するための電源を供給するための少なくとも一つの第3のトランジスタからなる駆動回路を夫々有しており、前記ボディコンタクト手段は、前記一のトランジスタとして、少なくとも前記第3のトランジスタにおけるボディコンタクトをとる。 In another aspect of the electro-optical device according to the aspect of the invention, each of the plurality of amplification circuits may include a drive circuit including at least one third transistor for supplying power for driving the plurality of amplification circuits. The body contact means takes a body contact in at least the third transistor as the one transistor.
この態様によれば、ボディコンタクト手段によって、駆動回路を構成する第3のトランジスタにおけるボディコンタクトがとられる。よって、第3のトランジスタのオンオフが切り換えられる際に生じ得る電気的なノイズの発生を低減できる。従って、増幅用回路が誤作動することを防止して、正確な比較結果を得ることができる。特に、駆動回路では、増幅用回路において第1電位信号及び第2電位信号の比較が行われる際に、第3のトランジスタの切り換えが行われる。よって、第3のトランジスタにおけるスイッチングに起因する電気的なノイズは、第1電位信号及び第2電位信号の比較の前後にオンオフの切り換えが行われる他のトランジスタに比較して、比較結果に大きな影響を与える。従って、少なくとも第3のトランジスタにおけるボディコンタクトをとることは、増幅用回路を構成する他のトランジスタにおけるボディコンタクトをとる場合に比較して、増幅用回路が誤作動することを確実或いは効率的に防止することができる。 According to this aspect, the body contact in the third transistor constituting the drive circuit is taken by the body contact means. Therefore, generation of electrical noise that may occur when the third transistor is switched on and off can be reduced. Therefore, the amplification circuit can be prevented from malfunctioning, and an accurate comparison result can be obtained. In particular, in the driver circuit, the third transistor is switched when the first potential signal and the second potential signal are compared in the amplifier circuit. Therefore, electrical noise caused by switching in the third transistor has a large influence on the comparison result compared to other transistors that are switched on and off before and after the comparison of the first potential signal and the second potential signal. give. Therefore, taking a body contact in at least the third transistor reliably or efficiently prevents malfunctioning of the amplifying circuit compared to taking a body contact in other transistors constituting the amplifying circuit. can do.
本発明の電子機器は、上記課題を解決するために上述した本発明の電気光学装置を具備してなる。 An electronic apparatus of the present invention comprises the above-described electro-optical device of the present invention in order to solve the above problems.
本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、高品位の表示が可能な、投射型表示装置、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置等も実現することが可能である。 According to the electronic apparatus of the present invention, since it includes the electro-optical device of the present invention described above, a projection display device, a mobile phone, an electronic notebook, a word processor, a viewfinder type, or a monitor capable of high-quality display. Various electronic devices such as a direct-view video tape recorder, a workstation, a videophone, a POS terminal, and a touch panel can be realized. Further, as the electronic apparatus of the present invention, for example, an electrophoretic device such as electronic paper can be realized.
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされよう。 The operation and other advantages of the present invention will become apparent from the best mode for carrying out the invention described below.
以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のTFTアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
<第1実施形態>
第1実施形態に係る液晶装置について、図1から図14を参照して説明する。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, a driving circuit built-in type TFT active matrix driving type liquid crystal device, which is an example of the electro-optical device of the present invention, is taken as an example.
<First Embodiment>
The liquid crystal device according to the first embodiment will be described with reference to FIGS.
先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図1及び図2を参照して説明する。ここに図1は、本実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図であり、図2は、図1のH−H´線での断面図である。 First, the overall configuration of the liquid crystal device according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG. 1 is a plan view showing the overall configuration of the liquid crystal device according to the present embodiment, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line HH ′ of FIG.
図1及び図2において、本実施形態に係る液晶装置では、TFTアレイ基板10と対向基板20とが対向配置されている。TFTアレイ基板10と対向基板20との間に液晶層50が封入されており、TFTアレイ基板10と対向基板20とは、画像表示領域10aの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材52により相互に接着されている。
1 and 2, in the liquid crystal device according to the present embodiment, a
図1において、シール材52が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域10aの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜53が、対向基板20側に設けられている。周辺領域のうち、シール材52が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、Xドライバ回路101及び外部回路接続端子102がTFTアレイ基板10の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿ったシール領域よりも内側に、サンプリング回路110が額縁遮光膜53に覆われるようにして設けられている。また、Yドライバ回路104は、この一辺に隣接する2辺に沿ったシール領域の内側に、額縁遮光膜53に覆われるようにして設けられている。また、TFTアレイ基板10上には、対向基板20の4つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材107で接続するための上下導通端子106が配置されている。これらにより、TFTアレイ基板10と対向基板20との間で電気的な導通をとることができる。
In FIG. 1, a light-shielding frame light-shielding
TFTアレイ基板10上には、外部回接続端子102と、Xドライバ回路101、Yドライバ回路104、上下導通端子106等とを電気的に接続するための引回配線90が形成されている。
On the
図2において、TFTアレイ基板10上には、駆動素子である画素スイッチング用のTFTや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。画像表示領域10aには、画素スイッチング用TFTや走査線、データ線等の配線の上層に画素電極9aが設けられている。画素電極9a上には、配向膜が形成されている。他方、対向基板20上には、対向電極210の他、格子状又はストライプ状の遮光膜230、更には最上層部分に配向膜が形成されている。液晶層50は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
In FIG. 2, on the
尚、ここでは図示しないが、TFTアレイ基板10上には、Xドライバ回路101、Yドライバ回路104の他に、後述するように、本発明に係る「増幅用回路」の一例を構成する差動増幅回路、イコライズ回路、プリチャージ回路、トランスミッションゲート等が形成されている。
Although not shown here, on the
次に、本実施形態に係る液晶装置の回路構成について、図3から図7を参照して説明する。ここに図3は、本実施形態に係る液晶装置の主要な回路構成を示したブロック図である。図4は、画素部の電気的な構成を示す回路図である。図5は、プルダウン回路の電気的な構成を示す回路図である。図6は、検査時に予め信号が供給された画素部の状態を示す概念図である。図7は、プルアップ回路の電気的な構成を示す回路図である。図8は、差動増幅回路の電気的な構成を示す回路図である。以下では、説明を簡便にするためにひとまず図3中左側から見て走査線Gj(j=1、2、・・・、n;2以上の整数)の延びる方向に沿って奇数番目(即ち1番目、3番目、5番目、・・・)に配設された信号線Soi(i=1、2、・・・、m;mは2以上の自然数)が本発明の「一の信号線」として選択され、偶数番目(0番目、2番目、4番目、・・・)に配設された信号線Sei(i=1、2、・・・、m;mは自然数)が本発明の「他の信号線」として選択されている場合を前提にして説明する。 Next, the circuit configuration of the liquid crystal device according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 3 is a block diagram showing the main circuit configuration of the liquid crystal device according to this embodiment. FIG. 4 is a circuit diagram showing an electrical configuration of the pixel portion. FIG. 5 is a circuit diagram showing an electrical configuration of the pull-down circuit. FIG. 6 is a conceptual diagram showing a state of a pixel portion to which a signal is supplied in advance at the time of inspection. FIG. 7 is a circuit diagram showing an electrical configuration of the pull-up circuit. FIG. 8 is a circuit diagram showing an electrical configuration of the differential amplifier circuit. In the following, for the sake of simplicity, the odd number (ie, 1) is assumed along the direction in which the scanning line Gj (j = 1, 2,..., N; an integer of 2 or more) extends as viewed from the left side in FIG. Signal lines Soi (i = 1, 2,..., M; m is a natural number of 2 or more) arranged in the third, third, fifth,. The signal lines Sei (i = 1, 2,..., M; m is a natural number) arranged at even-numbered (0th, second, fourth,...) The description will be made on the assumption that the “other signal line” is selected.
図3において、本実施形態の液晶装置は、TFTアレイ基板10上にYドライバ回路104、Xドライバ回路101、サンプリング回路110及び画素部70を備えている。
In FIG. 3, the liquid crystal device of this embodiment includes a
Yドライバ回路104は、画素部70の検査時において、スイッチング信号を走査線Gj毎に順次供給する。ここで、スイッチング信号とは、画像を表示する際に画素部70に供給される画像表示用の走査信号とは異なる信号であり、予め画素部70に供給された後述する検査信号を画素部70から出力させるために画素部70が備えるスイッチング素子をオン状態に切り換えるための信号である。
The
Xドライバ回路101は、サンプリング回路110を構成するサンプリングスイッチ111にサンプリング信号を供給し、これらサンプリングスイッチ111をオン状態に切り換える。ここで、「サンプリング信号」とは、画像を表示する際にXドライバ回路101からサンプリング回路110に供給される信号とは異なり、後述する差動増幅回路15から出力された高電位信号或いは低電位信号を信号線Soi及びSei毎に後述する外部のテスト装置に個別に出力するための信号である。
The
サンプリング回路110は、画素部70を検査する際に、第1及び第2電位信号を、検査対象となる画素部70が電気的に接続されている信号線Soi及びSeiに対応させて出力させ、画像信号供給線112o及び112eを介して外部のテスト装置に高電位信号或いは低電位信号を出力する。
When inspecting the
画素部70は、画像表示領域10aに信号線Soi及びSeiと走査線Gjとの交差に対応して設けられている。
The
図4に示すように、画素部70は、TFT71、液晶素子72及び蓄積容量73を備えている。
As shown in FIG. 4, the
TFT71は、ソースが信号線Soi又はSeiに電気的に接続されており、ゲートが走査線Gjに電気的に接続されている。TFT71は、Yドライバ回路104から供給されるスイッチング信号によってオンオフが切り換えられる。画素部70は、第1電位信号を信号線Soiに出力すると共に第2電位信号を信号線Seiに出力する。液晶素子72は、TFTアレイ基板10及びTFTアレイ基板10に対応するように配置される対向基板間に注入される液晶と、この液晶を挟持する一対の電極を有している。蓄積容量73は、画像表示が行われる際に画素部70に供給された画像信号を一時的に保持し、複数の画素部70のアクティブマトリクス駆動を可能にする。
The
再び図3において、本実施形態の液晶装置は特に、TFTアレイ基板10上に、検査回路4を更に備えている。
Referring again to FIG. 3, the liquid crystal device of this embodiment further includes an
検査回路4は、本発明の「複数の増幅用回路」の一例を構成する、複数の差動増幅回路15、第1駆動信号供給回路21、第2駆動信号供給回路22、イコライズ回路23、電圧印加用配線24、プリチャージ回路25、接続回路26、トランスミッションゲート6、複数の信号線Soi、及び複数の信号線Seiを備えている。
The
信号線Soi及びSeiは、画像表示領域10aから差動増幅回路15まで夫々複数本延在されており、差動増幅回路15の接続点so及びseに夫々電気的に接続されている。信号線Soi及びSeiは、画像表示領域10aに設けられた複数の走査線Gj(j=1、2、・・・、n;nは2以上の整数)に交差するように画像表示領域10aの画像表示領域内に延在している。画像表示領域10aに設けられた画素部70は、信号線Soi及びSeiと複数の走査線Gjとの交差に合わせて配置され、信号線Soi及びSeiに電気的に接続されている。
A plurality of signal lines Soi and Sei extend from the
接続回路26は、テスト装置接続ゲート端子45sを介してテスト装置と電気的に接続されたテスト信号供給線45と、プルダウン回路35とを備えている。テスト信号供給線45は、画素部70を検査する際に、テスト装置から供給された一系列のテスト信号をトランスミッションゲート6に供給する。プルダウン回路35は、テスト信号供給線45を介してトランスミッションゲート6に供給されるテスト信号が変動しないようにテスト信号供給線45の電位を安定化させる。
The
図5に示すように、プルダウン回路35は、電源VDDに電気的に接続されたゲート、アースされたソース、及びテスト信号供給線45に電気的に接続されたドレインを備えたTFT135を備えており、テスト信号が供給される際にテスト信号供給線45の電位が変動することを低減する。尚、プルダウン回路32、33及び34もプルダウン回路35と同様の回路構成を有している。
As shown in FIG. 5, the pull-
再び図3において、トランスミッションゲート6は、信号線Soi及びSeiの夫々の途中に設けられている。トランスミッションゲート6は、画素部70からみて差動増幅回路15に近い側に設けられており、信号線Soi及びSeiの夫々の途中に電気的に接続された複数のTFT14を備えている。複数のTFT14は、画素部70を検査する際にテスト信号供給線45を介してテスト装置から供給されるテスト信号に応じて一括でオン状態に切り換えられる。これにより、信号線Soi及びSeiの夫々を介して差動増幅回路15に供給される第1及び第2電位信号の供給路を確保でき、図4を参照して上述した画素部70に設けられたTFT71がオン状態に切り換えられていれば、各画素部70から各差動増幅回路15に信号線Soi及びSeiの夫々を介して第1電位信号及び第2電位信号を一括で供給できる。
In FIG. 3 again, the
ここで、検査時において、複数の画素部70には、予め所定電位の検査信号及び基準信号が供給されている。本実施形態では、図6に示すように、信号線Soiに対応して設けられた画素部70には、基準電位としての中間電位(図6中、「M」と示す。)よりも高い電位(以下、適宜「HIGH電位」という。図6中「H」と示す。)の検査信号が供給され、信号線Seiに対応して設けられた画素部70には、中間電位の基準信号が供給される。本実施形態では、中間電位を電源VDDの電源電圧Vddの半分、即ちVdd/2とする。よって、画像表示領域10aにおいて、中間電位の信号が供給された画素部70の列とHIGH電位の信号が供給された画素部70の列が交互に配列された状態となる。
Here, at the time of inspection, an inspection signal and a reference signal having a predetermined potential are supplied to the plurality of
第1電位信号は、予め画素部70に供給されていた検査信号が画素部70から読み出された信号であり、画素部70に生じた不具合に応じて検査信号の電位、即ちHIGH電位と異なる電位で出力される。第2電位信号は、予め画素部70に供給されていた基準信号が画素部70から読み出された信号であり、第1電位信号と同時に信号線Seiを介して差動増幅回路15に供給される。第2電位信号、即ち基準信号の電位は、中間電位で出力される。中間電位とは、差動増幅回路15が第1電位信号の電位の高低を判定する際に比較対象となる基準電位である。尚、第1電位信号は、複数の画素部70の全部又は一部に供給された信号であり、第2電位信号は、外部から供給される信号であってもよい。この場合には、基準信号としての第2信号を外部から安定して供給することができるので、より確実に画素部70の良否を判定することが可能となる。
The first potential signal is a signal obtained by reading the inspection signal that has been supplied to the
再び図3において、プリチャージ回路25は、TFT12a及び12bのゲートに電気的に接続されたプリチャージ信号供給線44と、プリチャージ信号供給線44に電気的に接続されたプルダウン回路34とを備えている。プリチャージ信号供給線44は、TFT12a及び12bのオンオフを切り換えるためにプリチャージ端子44sを介して外部から供給されたプリチャージ信号をTFT12a及び12bのゲートに供給する。プルダウン回路34は、プリチャージ信号供給線44の電位の変動を低減する。
In FIG. 3 again, the
電圧印加用配線24は、TFT12aのソース及び12bのドレインに電気的に接続されており、TFT12a及び12bにプリチャージ電圧を印加する。プリチャージ電圧は、予め中間電位に設定されており、TFT12a及び12bに供給される。尚、プリチャージ電圧は、信号線Soi及びSeiの夫々を介して第1及び第2電位信号が差動増幅回路15に供給される前にTFT12a及び12bに供給される。より具体的には、TFT12aのドレイン及びTFT12bのソースの夫々が信号線Soi及びSeiに電気的に接続されており、プリチャージ信号がTFT12a及び12bのゲートに供給された後、プリチャージ電圧がTFT12a及び12bの夫々のソース及びドレイン間に供給される。これにより、信号線Soi及びSeiの電位差を小さくするように、TFT12a及び12bの夫々のソース及びドレイン間に電流が流れ、信号線Soi及びSeiの夫々の電位が中間電位に等しくなる。
The
イコライズ回路23は、TFT11n及び11p、イコライズ信号供給線43、インバータ23i並びにプルダウン回路33を備えている。イコライズ信号供給線43は、2本のイコライズ信号供給線43a及び43bに分岐されている。イコライズ信号供給線43aは、イコライズ信号供給線43から電気的にそのまま延設されているのに対し、イコライズ信号供給線43b及び43間には、インバータ43iが設けられている。TFT11nのソース及びドレインは、夫々信号線Sei及びSoiに電気的に接続されており、TFT11nのゲートは、イコライズ信号供給線43aと電気的に接続されている。一方、TFT11pのソース及びドレインも、TFT11nと同様に、夫々信号線Sei及びSoiに電気的に接続されており、TFT11pのゲートは、イコライズ信号供給線43bと電気的に接続されている。TFT11n及び11pのオンオフを切り換えるためのイコライズ信号がイコライズ信号供給線43を介してTFT11n及び11pのゲートに夫々供給される。即ち、TFT11nのゲートには、イコライズ信号がイコライズ信号供給線43aを介して供給され、TFT11pのゲートには、イコライズ信号供給線43に供給されたイコライズ信号とは逆極性のイコライズ信号が、イコライズ信号供給線43bを介して供給される。イコライズ回路23は、このようなTFT11n及び11pを備えているので、仮にイコライズ信号供給線43の電位が変動したとしても、イコライズ信号に応じて確実に信号線Sei及びSoi間の電気的接続を切り換えることができる。更に、プルダウン回路33は、イコライズ信号供給線43の電位が変動することを低減する。尚、TFT11n及び11pは、後述するように、本発明に係る「ボディコンタクト手段」の一例としてのボディコンタクト配線61及び62に電気的に接続されている。
The equalize
第1及び第2電位信号が信号線Soi及びSeiに夫々供給される前に、TFT11n及び11pが、イコライズ信号によってオン状態に切り換えられ、信号線Soi及びSei間が互いに電気的に接続される。これにより、信号線Soi及びSeiの電位が揃えられる。即ち、差動増幅回路15が第1及び第2電位信号を比較する前提として、これら信号を差動増幅回路15に供給する信号線Soi及びSeiの電位を揃えることができる。
Before the first and second potential signals are supplied to the signal lines Soi and Sei, the
第1及び第2電位信号が、電位が揃った信号線Soi及びSeiの夫々を介して差動増幅回路15に供給された場合、画素部70から出力された第1及び第2電位信号の電位の高低関係が維持されたまま第1及び第2電位信号が差動増幅回路15に供給される。従って、第1電位信号の電位及び第2電位信号の電位の高低関係が信号線Soi及びSei間の電位差に起因して変動することを低減でき、第1電位信号及び第2電位信号の電位の高低関係が逆転することを低減できる。
When the first and second potential signals are supplied to the
第1駆動信号供給回路21は、第1駆動信号供給線41及びプルアップ回路31を備えている。第1駆動信号供給線41は、差動増幅回路15に電気的に接続されたTFT13pのゲートに電気的に接続されており、外部から供給された第1駆動信号SApEをTFT13pのゲートに供給する。第1駆動信号SApEは、差動増幅回路15を駆動するための駆動信号であり、後述するように差動増幅回路15は、接続点so及びseの夫々に入力される信号のうち高い電位を有する信号の電位をより高くし、低い信号の電位をより低くするセンスアンプとして機能する。TFT13pはpチャネル型のTFTであり、TFT13pは第1駆動信号SApEがゲートに供給されるとオン状態に切り換わり、電源VDDを差動増幅回路15の接続点spに供給する。尚、TFT13pは、後述するように、本発明に係る「ボディコンタクト手段」の一例としてのボディコンタクト配線63に電気的に接続されている。
The first drive
図7に示すように、プルアップ回路31はゲートが接地されたpチャネル型のTFT131を備えている。TFT131は、第1駆動信号供給線41に電源VDDを供給する。
As shown in FIG. 7, the pull-up
再び図3において、第2駆動信号供給回路22は、第2駆動信号供給線42及びプルダウン回路32を備えている。第2駆動信号供給線42は、差動増幅回路15に電気的に接続されたTFT13nのゲートに電気的に接続されており、外部から供給された第2駆動信号SAnEをTFT13nのゲートに供給する。TFT13nはnチャネル型のTFTであり、第2駆動信号SAnEがゲートに供給されるとオン状態に切り換わり、電源VDDを差動増幅回路15に供給する。プルダウン回路32は、第2駆動信号供給線42の電位を維持する。尚、TFT13pは、後述するように、本発明に係る「ボディコンタクト手段」の一例としてのボディコンタクト配線64に電気的に接続されている。
In FIG. 3 again, the second drive
差動増幅回路15は、信号線Soi及びSeiを一組とする信号線の組毎に一つずつ設けられている。トランスミッションゲート6がオン状態になった際に、第1及び第2電位信号が信号線Soi及びSeiの夫々から差動増幅回路15の接続点so及びseの夫々に供給される。差動増幅回路15は、第1及び第2電位信号を比較することによって信号線Soi及びSeiの夫々を介して、判定手段であるテスト装置に高電位信号又は低電位信号を出力する。
One
図8において、差動増幅回路15は、pチャネル型のTFT51及び52と、nチャネル型のTFT53及び54とを備えた交差結合型の差動増幅回路である。より具体的には、TFT51及び52が電気的に直列に接続された直列回路と、TFT53及び54が電気的に直列に接続された直列回路とが電気的に並列に接続されている。TFT51のゲートが、TFT52及び54の接続点soに電気的に接続されている。TFT52のゲートは、TFT51及び53の接続点seに電気的に接続されている。TFT53のゲートは、TFT52及び54の接続点soに電気的に接続されている。TFT54のゲートは、TFT51及び53の接続点seに電気的に接続されている。接続点soは、信号線Soiに電気的に接続されており、接続点seは、信号線Seiに電気的に接続されている。TFT51及び52の接続点spは、TFT13pのドレインに電気的に接続されている。TFT53及び54の接続点snは、TFT13nのドレインに電気的に接続されている。
In FIG. 8, the
差動増幅回路15は、第1電位信号が第2電位信号より僅かに高い電位を有している場合には、第1電位信号に比べて電位が高められた高電位信号を信号線Soiを介して外部のテスト装置に出力する。このように電位が高められた高電位信号によれば、第1電位信号の電位が第2電位信号の電位より高いことを明確にできる。差動増幅回路15は、第1電位信号が第2電位信号より僅かに低い電位を有している場合には、第1電位信号に比べて電位がより低くされた低電位信号を信号線Soiを介して出力する。このような低電位信号によれば、第1電位信号の電位が第2電位信号の電位より低いことを明確にできる。
When the first potential signal has a slightly higher potential than the second potential signal, the
信号線Seiを介して差動増幅回路15に供給される第2電位信号は、第1電位信号の電位を高くする或いは低くする際の基準となる基準電位である。第1電位信号は、信号線Soiに電気的に接続された画素部70に不具合が生じているか否か、即ち画素部70の良否を反映した信号であり、第2電位信号と第1電位信号との電位差は、これら信号線の配線容量によって変動する電位の大きさに比べて僅かな大きさである。差動増幅回路15は、第1電位信号の電位及び第2電位信号の高低関係が明確に判定できるように高電位信号又は低電位信号を出力する。
The second potential signal supplied to the
次に、本実施形態に係る液晶装置の検査原理について、図3及び図9を参照して説明する。ここに図9は、検査システムの構成図である。 Next, the inspection principle of the liquid crystal device according to this embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 9 is a block diagram of the inspection system.
図9に示すように、検査時において、液晶装置1(即ち、対向基板20と貼り合わされる前の、複数の画素部70及び上述した各種回路が作り込まれたTFTアレイ基板10)は、検査信号及び基準信号の書き込み、高電位信号及び低電位信号の読み込み等ができるテスト装置150と接続ケーブル160を介して電気的に接続される。接続ケーブル160は、液晶装置1の画像信号供給線112o及び112e、イコライズ信号供給線43、電圧印加用配線24、プリチャージ信号供給線44等を夫々接続端子を介してテスト装置150に電気的に接続する(図3参照)。
As shown in FIG. 9, at the time of inspection, the liquid crystal device 1 (that is, the
テスト装置150は、信号線Soiに電気的に接続された画素部70に不具合が生じているか否かを電圧論理に基づいて判定する。即ち、テスト装置は、画素部70に予め供給されていた第1電位信号のもとになる検査信号の電位の第2電位信号の電位に対する高低関係と、中間電位及び高電位信号の電位又は低電位信号の電位の高低関係の情報とを比較することによって画素部70に不具合が発生しているか否かを判定する。より具体的には、第1電位信号の元になる検査信号の電位が中間電位より高い場合に、差動増幅回路15から高電位信号が出力されれば信号線Soiに電気的に接続された画素部70、即ち第1電位信号のもとになる検査信号が供給された画素部70に不具合が発生していないとテスト装置150は判定する。同様に第1電位信号のもとになる検査信号の電位が第2電位信号の電位より低い場合に、差動増幅回路15から低電位信号が出力されれば信号線Soiに電気的に接続された画素部70、即ち第1電位信号のもとになる検査信号が供給された画素部70に不具合が発生していないとテスト装置150は判定する。
The
第1電位信号の基になる検査信号の電位が第2電位信号の電位より高い場合に第1差動増幅回路15から低電位信号が出力されれば、信号線Soiに電気的に接続された画素部70、即ち第1電位信号の基になる検査信号が供給された画素部70に何らかの不具合が発生しているとテスト装置は判定する。第1電位信号の基になる検査信号の電位が第2電位信号の電位より低い場合に差動増幅回路15から高電位信号が出力されれば信号線Soiに電気的に接続された画素部70、即ち第1電位信号のもとになる検査信号が供給された画素部70に何らかの不具合が発生しているとテスト装置は判定する。
If the low potential signal is output from the first
次に、差動増幅回路が高電位信号又は低電位信号を出力する手順について、図3及び図8を参照して説明する。ここでは、中間電位を有する第2電位信号の電位に比べて高い電位を有する第1電位信号が差動増幅回路15に供給された場合を例に挙げて説明する。
Next, a procedure in which the differential amplifier circuit outputs a high potential signal or a low potential signal will be described with reference to FIGS. Here, a case where a first potential signal having a higher potential than the potential of the second potential signal having an intermediate potential is supplied to the
図3及び図8において、第2駆動信号供給回路22からTFT13nに第2駆動信号SAnEが供給されると、TFT13nがオン状態に切り換えられ、TFT13nを介して接続点snの電位が接地電位に近づく。TFT53のソースの電位は中間電位に設定されているため、TFT53のソース・ドレイン間に電流が流れ、接続点seの電位が低下する。このとき、pチャネル型のTFT52のゲートは接続点seに電気的に接続されているため、接続点seの電位が低下していることによってTFT52がオン状態に切り換えられる。第1駆動信号供給回路21からTFT13pに第1駆動信号SApEが供給されると、TFT13pがオン状態に切り換えられ、TFT13pを介して接続点spに電源VDDが供給される。これにより、電源VDDがTFT13p及び52を介して接続点soに供給され、接続点soの電位が高められる。
3 and 8, when the second drive
このようにして差動増幅回路15は、第1電位信号の電位を高め、且つ第2電位信号の電位を低くする。差動増幅回路15によれば、第1電位信号の電位が中間電位(即ち、第2電位信号の電位)より高い場合には、第1電位信号をより高い電位を有する高電位信号としてテスト装置150に出力できる。従って、判定手段であるテスト装置150は、中間電位より低い電位を有する参照信号と高電位信号との電位の高低関係を明確に判断でき、電圧論理に基づいて画素部70の良否を判定できる。
In this way, the
第1電位信号の電位が中間電位(即ち、第2電位信号の電位)より低い場合には、差動増幅回路15において、上述したTFT52及び53と同様にTFT51及び54が動作し、第1電位信号に基づいて低電位信号が出力される。この場合には、中間電位に設定された第2電位信号は電位が高められた参照信号として出力され、これと共に第1電位信号は参照信号の電位より低い電位を有する低電位信号として出力される。従って、テスト装置150は、中間電位より高い電位を有する参照信号と低電位信号との電位の高低関係を明確に判断でき、電圧論理に基づいて画素部70の良否を判定できる。
When the potential of the first potential signal is lower than the intermediate potential (that is, the potential of the second potential signal), the
以上説明したように、本実施形態の液晶装置によれば、外部からのプローブを接触される等の必要がなく、検査をすることができる。 As described above, according to the liquid crystal device of the present embodiment, it is not necessary to contact an external probe, and inspection can be performed.
次に、差動増幅回路15が高電位信号或いは低電位信号を出力する際の各種信号のタイミングについて、図3及び図10を参照して説明する。図10は、検査時における各種信号のタイミングを示したタイミングチャートである。尚、図10では、信号線Soiに対応する画素部70を検査対象とし、信号線Seiに対応する画素部70を基準とする。即ち、図6を参照して上述したように画像表示領域10aにおいて、中間電位の信号が供給された画素部70の列とHIGH電位の信号が供給された画素部70の列が交互に配列された状態となる場合を例にとる。
Next, timing of various signals when the
図3及び図10において、タイミングt1までに画素部70には検査信号及び基準信号が供給されている。即ち、図6を参照して上述したように画像表示領域10aにおいて、中間電位の信号が供給された画素部70の列とHIGH電位の信号が供給された画素部70の列が交互に配列された状態となっている。プリチャージ回路25は、プリチャージ信号供給線44を介してタイミングt1にプリチャージ信号PCGをTFT12a及び12bのゲートに供給する。TFT12a及び12bはオン状態となり、電圧印加用配線24を介してプリチャージ電圧が信号線Soi及びSeiに印加される。イコライズ回路23は、イコライズ信号供給線43を介してタイミングt1と同時に或いは相前後するタイミングにイコライズ信号EQをTFT11p及び11nに供給する。TFT11p及び11nはオン状態となり、信号線Soi及びSeiは電気的に接続される。プリチャージ回路25及びイコライズ回路23のこれらの動作により、信号線Soi及びSeiの電位が中間電位に設定される。その後、プリチャージ回路25は、タイミングt2にプリチャージ信号PCGの供給を終了する。続いて、イコライズ回路23は、タイミングt3にイコライズ信号EQの供給を終了する。尚、イコライズ回路23がイコライズ信号EQの供給を終了するタイミングt3は、プリチャージ回路25がプリチャージ信号PCGの供給する終了するタイミングt2の後であることが望ましい。このようにすれば、TFT12a及び12bがオン状態からオフ状態に切り換えられた際に、例えばTFT12a及び12bにおけるプッシュダウン量を低減することができる。或いは、スイッチングによる電気的なノイズに起因して、信号線Soi及びSeiの電位が異なる電位となってしまうことを防ぐことができる。即ち、仮にTFT12a及び12bに電気的なノイズが発生したとしても、イコライズ回路23によって、信号線Soi及びSei間は電気的に接続されているので、信号線Soi及びSeiの電位は同電位に設定される。
3 and 10, the inspection signal and the reference signal are supplied to the
トランスミッションゲート6がオン状態に切り換えられた後、走査線G1は、タイミングt4においてスイッチング信号を画素部70に供給し、第1及び第2電位信号が夫々、信号線Soi及びSeiを介して差動増幅回路15に供給される。尚、走査線G1は、走査線G1に電気的に接続された画素部70の全てにスイッチング信号を供給し、走査線G1に電気的に接続された画素部70が備えるTFT71がオン状態に切り換えられる。第1及び第2電位信号は、走査線G1に電気的に接続された複数の画素部70の夫々からこれら画素部70に対応する差動増幅回路15に供給される。
After the
ここで、画素部70に不具合が生じていない場合には、予め画素部70に供給された検査信号の電位と同様に、中間電位より高い電位、即ちHIGH電位を有する第1電位信号が信号線Soiを介して差動増幅回路15に供給される。このとき、第1電位信号は、中間電位よりわずかに高い電位を有している。第2電位信号を出力する信号線Seiの電位は、予め設定された中間電位であり、第1電位信号の電位より僅かに低い。このように、画素部70に不具合が生じていない場合には、画素部70に予め供給された検査信号の電位及び中間電位間の電位の高低関係が、第1電位信号の電位及び第2電位信号の電位の高低関係にそのまま維持されている。
Here, when there is no malfunction in the
タイミングt5において、第2駆動信号供給回路22からTFT13nに第2駆動信号SAnEが供給されると、差動増幅回路15は、第1電位信号が供給された接続点soの電位より低い電位を有する接続点seの電位を、第2電位信号を供給された時点より低い電位に下げる。これにより、信号線Seiの電位は低下する(図10中、Seiの実線部分参照)。
When the second drive signal SAnE is supplied from the second drive
タイミングt6において、第1駆動信号供給回路21からTFT13pに第1駆動信号SApEが供給されると、差動増幅回路15は、第1電位信号が供給された接続点soの電位を第2電位信号が供給された時点の電位より高める。これにより、信号線Soiの電位は高まる(図10中、Soiの実線部分参照)。
When the first drive signal SApE is supplied from the first drive
即ち、タイミングt5及びt6の夫々において、差動増幅回路15に供給された信号のうち低い電位を有する第2電位信号が供給された接続点seの電位はより低く下げられ、高い電位を有する第1電位信号が供給された接続点soの電位はより高く上げられる。これにより、接続点so及びSeの夫々の電位の高低関係が明確になる。差動増幅回路15は、接続点soの電位を有する第1高電位信号を信号線Soiを介してテスト装置150(図9参照)に出力する。これと同時に差動増幅回路15は、接続点seの電位を有する参照信号を信号線Seiを介してテスト装置150に出力する。
That is, at each of the timings t5 and t6, the potential of the connection point se to which the second potential signal having a low potential is supplied among the signals supplied to the
テスト装置150は、高電位信号及び参照信号を比較する。高電位信号は第1電位信号より電位が高められており、且つ参照信号は中間電位より電位が下げられているので、テスト装置は、第2電位信号及びこの第2電位信号よりわずかに高い電位を有する第1電位信号を比較する場合に比べて、高電位信号の電位が参照信号の電位より高いことを明確に判定できる。ここで、検査信号の電位及び中間電位の高低関係と、高電位信号の電位及び参照信号の電位の高低関係は一致しているため、テスト装置150は被検査対象である画素部70に不具合が生じていないと判定する。
The
次に、走査線G2に電気的に接続された画素部の良否を判定するために、タイミングt7からt8間において信号線Soi及びSeiにプリチャージ電圧が供給されると共に、タイミングt7からt9間において信号線Soi及びSei間が電気的に接続されることによって、信号線Soi及びSeiが再び中間電位に設定される。尚、タイミングt9は、タイミングt8よりも後のタイミングである。 Next, in order to determine the quality of the pixel portion electrically connected to the scanning line G2, a precharge voltage is supplied to the signal lines Soi and Sei between timings t7 and t8, and between timings t7 and t9. By electrically connecting the signal lines Soi and Sei, the signal lines Soi and Sei are set to the intermediate potential again. Note that the timing t9 is later than the timing t8.
タイミングt10において、走査線G2がスイッチング信号を出力し、走査線G2に電気的に接続された画素部70にスイッチング信号が供給される。スイッチング信号が供給された画素部70は、走査線G1に電気的に接続された画素部70と同様に第1電位信号を信号線Soiを介して差動増幅回路15に出力する。このとき、信号線Seiは第2電位信号を差動増幅回路15に供給する。これにより、走査線G1と同様にして信号線Soiに電気的に接続された画素部70のうち走査線G2に電気的に接続された画素部70に対応した高電位信号又は低電位信号、及び参照信号が差動増幅回路15から各信号線を介してテスト装置150に出力され、走査線G2に電気的に接続された画素部70の良否を判定できる。このようにして、順次走査線G3、G4、・・・、Gnの夫々に電気的に接続された画素部の良否を順次判定することが可能である。加えて、すでに述べたように、各差動増幅回路15から出力される高電位信号又は低電位信号、及び参照信号をサンプリング回路110を介して差動増幅回路15毎にテスト装置150に出力できることから、画素部70毎に良否を判定することが可能であり、画像表示領域10aに配置された複数の画素部70の一つ一つについて不具合が生じていないことを確認できる。
At timing t10, the scanning line G2 outputs a switching signal, and the switching signal is supplied to the
次に、画素部に不具合が生じている場合について、図3及び図10を参照して説明する。 Next, a case where a defect occurs in the pixel portion will be described with reference to FIGS.
画素部70は、図6を参照して上述したように画像表示領域10aにおいて、中間電位の信号が供給された画素部70の列とHIGH電位の信号(即ち、検査信号)が供給された画素部70の列が交互に配列された状態になっている。走査線G1からスイッチング信号が画素部70に供給されたタイミングt4において、画素部70は中間電位より僅かに低い電位を有する第1電位信号を差動増幅回路15に供給する。尚、中間電位より低い電位を有する第1電位信号が供給された信号線Soiの電位(即ち、接続点soの電位)を図10中点線で示したL0とする。ここで、第1電位信号が中間電位より低い電位を有しているのは、例えば電流リークが生じているTFT、或いは電流リークが生じている蓄積容量73を画素部70が含んでいる場合に相当する。
As described above with reference to FIG. 6, the
タイミングt5において、第2駆動信号供給回路22からTFT13nに第2駆動信号SAnEが供給されると、差動増幅回路15は、中間電位より低い電位を有する第1電位信号が供給された接続点soの電位を更に低い電位に低下させる。より具体的には、差動増幅回路15の接続点soに供給された第1電位信号の電位は、差動増幅回路15の接続点seに供給された第2電位信号の電位より僅かに低いため、差動増幅回路15は第1電位信号及び第2電位信号の電位を比較し、接続点soを介して低電位信号を出力する。これにより、信号線Soiの電位は低下する(図10中点線L1で示す)。
When the second drive signal SAnE is supplied from the second drive
タイミングt6において、第1駆動信号供給回路21からTFT13pに第1駆動信号SApEが供給されると、差動増幅回路15は第2電位信号の電位を高める。より具体的には、接続点seの電位は差動増幅回路15によって電位が下げられた接続点soの電位より高い電位であるため、差動増幅回路15は、接続点seの電位を中間電位より高い電位に高める。差動増幅回路15は、中間電位より電位が高められた接続点seの電位と等しい電位を有する参照信号を出力する。これにより、これにより、信号線Seiの電位は高まる(図10中、Soiの点線部分参照)。
At timing t6, when the first drive signal SApE is supplied from the first drive
この結果、テスト装置150は、信号線Soi及びSeiの夫々に供給された第1電位信号及び第2電位信号の高低関係が維持されたままの低電位信号及び参照信号を検出する。テスト装置150は、第1電位信号より電位が下げられた低電位信号を検出することによって第1電位信号の電位が中間電位より低いことを明確に検出できる。尚、低電位信号及び中間電位の高低関係は中間電位の電位に対する検査信号の電位の高低関係とは逆であり、このような場合にはテスト装置150は画素部70に不具合が生じていると判定する。
As a result, the
このように、本実施形態の液晶装置によれば、予め画素部70に供給された検査信号の電位及び中間電位の高低関係と、テスト装置で電位が比較される高電位信号或いは低電位信号の電位、及び参照信号の電位の高低関係が一致するか否かを判定することによって、画素部70に不具合が生じているか否かを判定できる。これに伴い液晶装置等の電気光学装置の歩留まりを高めることができ、製造コストを低減することも可能である。
As described above, according to the liquid crystal device of the present embodiment, the level relationship between the potential of the inspection signal and the intermediate potential supplied in advance to the
次に、差動増幅回路の誤動作について、図10及び図11を参照して説明する。ここに図11は、差動増幅回路の誤動作について説明するためのタイミングチャートである。以下では、画素部70に不具合が生じているにもかかわらず、画素部70に不具合が生じていないと判定してしまう誤動作の一例について説明する。尚、画素部70に不具合が生じていないにもかかわらず、画素部70に不具合が生じていると判定してしまう誤動作も、同様の原因で発生してしまう。
Next, malfunction of the differential amplifier circuit will be described with reference to FIGS. FIG. 11 is a timing chart for explaining a malfunction of the differential amplifier circuit. Hereinafter, an example of a malfunction that determines that the
図11において、上述したように、タイミングt3までに、信号線Soi及びSeiは中間電位に揃えられている。タイミングt3において、イコライズ回路23は、タイミングt3にイコライズ信号EQの供給を終了する。即ち、TFT11n及び11pがオン状態からオフ状態に切り換えられる。この際、TFT11n及び11pにおいて、チャネルが形成される活性層内に蓄積する余分なキャリアに起因して電気的なノイズが発生してしまう場合がある。このため、図11に示すように、電気的なノイズに起因して、信号線Soi及びSeiの電位が夫々変化してしまい、信号線Soi及びSeiの電位が互いにずれてしまう場合がある。即ち、信号線Soiの電位が、信号線Seiの電位よりも高くなってしまう場合がある。
In FIG. 11, as described above, the signal lines Soi and Sei are aligned to the intermediate potential by the timing t3. At the timing t3, the equalizing
走査線G1からスイッチング信号が画素部70に供給されたタイミングt4において、画素部70に不具合が生じている場合には、例えば、画素部70におけるTFT71或いは蓄積容量73において電流リークが生じているため、信号線Soiの電位は僅かに低められる。
この際、上述したように、信号線Soiの電位が、電気的なノイズによって信号線Seiの電位よりも高められているため、電流リークを反映して僅かに低められても信号線Seiの電位よりも高いままとなってしまう場合がある。即ち、信号線Sei及びSoiの電位が互いにずれてしまっているために、画素部70から出力される画素部70の良否を反映した第1電位信号と基準となる第2電位信号との高低関係を、信号線Sei及びSoiの電位の高低関係として維持することができない場合がある。
At the timing t4 when the switching signal is supplied from the scanning line G1 to the
At this time, as described above, since the potential of the signal line Soi is higher than the potential of the signal line Sei due to electrical noise, the potential of the signal line Sei is reduced even if it is slightly lowered to reflect current leakage. May remain higher. That is, since the potentials of the signal lines Sei and Soi are shifted from each other, the level relationship between the first potential signal that reflects the quality of the
タイミングt5において、第2駆動信号供給回路22からTFT13nに第2駆動信号SAnEが供給されると、差動増幅回路15は、接続点soの電位(即ち、信号線Soiの電位)より低い電位を有する接続点seの電位(即ち、信号線Seiの電位)は、信号線Seiの電位を供給された時点より低い電位に下げられる。
When the second drive signal SAnE is supplied from the second drive
タイミングt6において、第1駆動信号供給回路21からTFT13pに第1駆動信号SApEが供給されると、差動増幅回路15は、接続点soの電位(即ち、信号線Soiの電位)を信号線Soiの電位が供給された時点の電位より高める。
When the first drive signal SApE is supplied from the first drive
このように、タイミングt5及びt6の夫々において、差動増幅回路15によって、信号線Seiの電位はより低く下げられ、信号線Soiの電位はより高く上げられてしまう。即ち、画素部70に不具合が生じている場合に出力されるべき信号線Sei及びSoi間の高低関係とは逆の関係の信号として出力されてしまう。これにより、テスト装置150は、画素部70において不具合が生じているにもかかわらず、不具合が生じていないと判定してしまう。
In this way, at each of timings t5 and t6, the
尚、第1電位信号と第2電位信号と電位差は、上述した電気的なノイズと同程度或いは小さい場合が多いため、上述したような誤動作が発生し得る。更に、上述したようなスイッチングによる電気的なノイズに起因した差動増幅回路15の誤動作は、検査回路を構成するすべてのTFTについて生じ得る。
Note that the potential difference between the first potential signal and the second potential signal is often the same as or smaller than the electrical noise described above, and thus the above-described malfunction may occur. Furthermore, the malfunction of the
次に、本実施形態に係る液晶装置のボディコンタクト配線について、再び図3を参照して説明する。 Next, the body contact wiring of the liquid crystal device according to the present embodiment will be described with reference to FIG. 3 again.
図3に示すように本実施形態では特に、イコライズ回路23は、ボディコンタクト配線61及び62を備えている。ボディコンタクト配線61及び62は、TFT11n及び11pにおける活性層の延在部に夫々電気的に接続されている。ボディコンタクト配線61には、接地電位が供給され、ボディコンタクト配線62には、電源電位VDDが供給されている。言い換えれば、ボディコンタクト配線61及び62によって、TFT11n及び11pにおける活性層における電位は、夫々接地電位及び電源電位VDDに固定されている。即ち、TFT11n及び11pは、ボディコンタクト配線61及び62によって、夫々ボディコンタクトがとられている。つまり、TFT11n及び11pにおけるチャネルが形成される活性層内に蓄積される余分なキャリアを抜かれるように構成されている。このため、TFT11n及び11pがオン状態からオフ状態に切り換えられた際(即ち、図10及び図11中、タイミングt3)にチャネルが形成される活性層内に蓄積する余分なキャリアを、ボディコンタクト配線61及び62によって延在部を介して抜くことができる。即ち、活性層内に蓄積される該余分なキャリアに起因した、TFT11n及び11pにおけるプッシュダウン或いはプッシュアップの増大を抑制し、或いは電気的なノイズの発生を低減することができる。よって、イコライズ回路23を構成するTFT11n及び11pにおけるスイッチングによる電気的なノイズに起因して、例えば、第1電位信号の電位(即ち、信号線Soiの電位)(図11中、Soi参照)及び第2電位信号の電位(即ち、信号線Seiの電位)(図11中、Sei参照)が夫々変化してしまうことを防止できる。従って、第1電位信号の電位及び第2電位信号の電位が夫々変化することによって、第1電位信号の電位及び第2電位信号の電位の高低関係が、プッシュダウン或いはプッシュアップの増大やスイッチングによる電気的なノイズの発生がない場合とは反対の関係になってしまうことを防止できる。これにより、差動増幅回路15が誤作動することを防止して、正確な比較結果を得ることができる。
As shown in FIG. 3, in the present embodiment, the equalize
イコライズ回路23は、検査において、画素部70から第1電位信号が出力される前に、信号線Soi及びSei間を電気的に接続し(即ち、短絡或いはショートし)、信号線Soi及びSeiを互いに同電位とする機能さえ有していればよいので、イコライズ回路23を構成するTFT11n及び11pは、比較的小さく形成されている。このため、TFT11n及び11pには、スイッチングに起因する電気的なノイズが発生しやすい。よって、TFT11n及び11pにおけるボディコンタクトをとることは、検査回路4を構成する他の比較的大きなTFTにおけるボディコンタクトをとる場合に比較して、差動増幅回路15が誤作動することを確実に或いは効率的に防止することができる。このため、TFT11n及び11pにおけるボディコンタクトを設けることによるTFTアレイ基板10のサイズの増大を殆ど或いは好ましくは全く必要としない。
In the inspection, the
更に、図8に示すように、本実施形態では特に、差動増幅回路15は、ボディコンタクト配線65及び66を備えている。ボディコンタクト配線65は、TFT51及び52における活性層の延在部に夫々電気的に接続されており、ボディコンタクト配線66は、TFT53及び54における活性層の延在部に夫々電気的に接続されている。ボディコンタクト配線65には、電源電位VDDが供給され、ボディコンタクト配線66には、接地電位が供給されている。即ち、TFT51及び52は、ボディコンタクト配線65によってボディコンタクトがとられ、TFT53及び54は、ボディコンタクト配線66によってボディコンタクトがとられている。つまり、TFT51、52、53及び54におけるチャネルが形成される活性層内に蓄積される余分なキャリアを抜かれるように構成されている。このため、TFT51、52、53及び54がオン状態からオフ状態に切り換えられた際(即ち、図10及び図11中、タイミングt5或いはt6)にチャネルが形成される活性層内に蓄積する余分なキャリアを、ボディコンタクト配線65及び66によって延在部を介して抜くことができる。即ち、活性層内に蓄積される該余分なキャリアに起因した、TFT51、52、53及び54におけるプッシュダウン或いはプッシュアップの発生、及び電気的なノイズを低減することができる。よって、差動増幅回路15を構成するTFT51、52、53及び54におけるスイッチングによる電気的なノイズに起因して、例えば、第1電位信号の電位及び第2電位信号の電位が夫々変化してしまうことを防止できる。これにより、差動増幅回路15が誤作動することを更に防止して、正確な比較結果を得ることができる。
Further, as shown in FIG. 8, in the present embodiment, the
差動増幅回路15では、第1電位信号(即ち、信号線Soiの電位)及び第2電位信号(即ち、信号線Seiの電位)を比較する際に、TFT51、52、53及び54の切り換えが行われる。よって、TFT51、52、53及び54におけるスイッチングに起因する電気的なノイズは、第1電位信号及び第2電位信号の比較の前後にオンオフの切り換えが行われる、検査回路4を構成する他のTFTに比較して、比較結果に大きな影響を与える。従って、TFT51、52、53及び54におけるボディコンタクトをとることは、検査回路4を構成する他のTFTにおけるボディコンタクトをとる場合に比較して、差動増幅回路15が誤作動することを確実或いは効率的に防止することができる。
In the
加えて、再び図3に示すように、本実施形態では特に、TFT13p及びTFT13nは、ボディコンタクト配線63及び64を夫々備えている。ボディコンタクト配線63及び64は、TFT13p及び13nにおける活性層の延在部に夫々電気的に接続されている。ボディコンタクト配線63には、電源電位VDDが供給され、ボディコンタクト配線64には、接地電位が供給されている。即ち、TFT13p及び13nは、ボディコンタクト配線63及び64によって夫々ボディコンタクトがとられている。つまり、TFT13p及び13nにおけるチャネルが形成される活性層内に蓄積される余分なキャリアを抜かれるように構成されている。このため、TFT13p及び13nがオン状態からオフ状態に切り換えられた際(即ち、図10及び図11中、タイミングt5或いはt6)にチャネルが形成される活性層内に蓄積する余分なキャリアを、ボディコンタクト配線63及び64によって延在部を介して抜くことができる。即ち、活性層内に蓄積される該余分なキャリアに起因した、TFT13p及び13nにおけるプッシュダウン或いはプッシュアップの発生、及び電気的なノイズを低減することができる。よって、差動増幅回路15を駆動するための電源を供給するためのTFT13p及び13nにおけるスイッチングによる電気的なノイズに起因して、例えば、第1電位信号の電位及び第2電位信号の電位が夫々変化してしまうことを防止できる。これにより、差動増幅回路15が誤作動することを更に防止して、正確な比較結果を得ることができる。
In addition, as shown in FIG. 3 again, in this embodiment, the
差動増幅回路15において第1電位信号及び第2電位信号の比較が行われる際に、TFT13p及び13nの切り換えが行われる。よって、TFT13p及び13nにおけるスイッチングに起因する電気的なノイズは、第1電位信号及び第2電位信号の比較の前後にオンオフの切り換えが行われる検査回路4を構成する他のTFTに比較して、比較結果に大きな影響を与える。従って、TFT13p及び13nにおけるボディコンタクトをとることは、検査回路4を構成する他のTFTにおけるボディコンタクトをとる場合に比較して、差動増幅回路15が誤作動することを確実或いは効率的に防止することができる。
When the
次に、本実施形態に係る液晶装置のイコライズ回路及びこれに電気的に接続されたボディコンタクト配線の具体的な構成について、図12から図14を参照して説明する。ここに図12は、イコライズ回路及びボディコンタクト配線を示す平面図である。図13は、半導体層の不純物ドープの領域を示す説明図である。図14は、図12のA−A´線での断面図である。尚、差動増幅回路15を構成するTFT51、52、53及び54に電気的に接続されたボディコンタクト配線65及び66、並びにTFT13p及びTFT13nに夫々電気的に接続されたボディコンタクト配線63及び64も、以下に説明するボディコンタクト配線60A及び60Bと殆ど同様に構成されている。
Next, a specific configuration of the equalizing circuit of the liquid crystal device according to the present embodiment and the body contact wiring electrically connected thereto will be described with reference to FIGS. FIG. 12 is a plan view showing the equalizing circuit and the body contact wiring. FIG. 13 is an explanatory view showing an impurity doped region of a semiconductor layer. 14 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. Note that body contact wirings 65 and 66 electrically connected to the
図12において、イコライズ回路23は、TFT11n及び11p、並びにボディコンタクト部60A及び60Bを含んで構成されている。ここで、ボディコンタクト部60A及び60Bは、本発明に係る「延在部」の一例である。
In FIG. 12, the equalize
図14において、TFTアレイ基板10上に下地絶縁膜120、層間絶縁膜410、420及び430が順次積層されている。下地絶縁膜120は、例えばシリコン酸化膜等からなり、層間絶縁膜410、420及び430は、例えばNSG(ノンシリケートガラス)等からなる。
In FIG. 14, a
図12及び図14において、TFT11nは、ゲート電極3n、半導体層111、及びゲート電極3nと半導体層111を絶縁するゲート絶縁膜を含んだ絶縁膜2を備えている。ゲート電極3nは、例えば導電性ポリシリコンから形成される。半導体層111は、例えばポリシリコンからなり、図13に示すように、チャネル領域11nc、ソース領域11ns、ドレイン領域11ndからなる。TFT11nは、ゲート電極3nをマスクとしてN型の不純物を高濃度に打ち込んでソース領域11sn及びドレイン領域11ndを形成する自己整合型の構造である。尚、TFT11nはLDD(Lightly Doped Drain)構造であってもよい。図12及び図14に示すように、ソース領域11nsは、層間絶縁膜430に開孔されたコンタクトホール81を介して分岐配線Xei(i=1、・・・、m;mは自然数)と電気的に接続されており、ドレイン領域11ndは、層間絶縁膜430に開孔されたコンタクトホール82を介して分岐配線Xoi(i=1、・・、m;mは自然数)に電気的に接続されている。分岐配線Xoi及びXeiは、例えばアルミニウム等の導電膜からなる。分岐配線Xeiは、信号線Seiから分岐して配線されており、分岐配線Xoiは、信号線Soiから分岐して配線されている。ゲート電極3nは、層間絶縁膜410に開孔されたコンタクトホール86を介して、分岐配線Xoi及びXei等と同一膜からなる中継層630に電気的に接続されている。尚、中継層630は、分岐配線Xoi及びXei等の同一膜からなる他の構成要素とは分離して、例えば島状に形成されている。中継層630は、層間絶縁膜420に開孔されたコンタクトホール87を介して、イコライズ信号供給線43aと電気的に接続されている。即ち、ゲート電極3nは、中継層630を介して、イコライズ信号供給線43aと電気的に接続されている。
12 and 14, the
TFT11pは、ゲート電極3p、半導体層112、及びゲート電極3pと半導体層112を絶縁するゲート絶縁膜を含んだ絶縁膜2を備えている。ゲート電極3pは、ゲート電極3nと同一膜、即ち、例えば導電性ポリシリコンから形成される。半導体層112は、半導体層111と同一膜、即ち、例えばポリシリコンからなり、図13に示すように、チャネル領域11pc、ソース領域11ps、ドレイン領域11pdからなる。TFT11pは、ゲート電極3pをマスクとしてP型の不純物を高濃度に打ち込んでソース領域11ps及びドレイン領域11pdを形成する自己整合型の構造である。尚、TFT11nはLDD構造であってもよい。図12及び図14に示すように、ソース領域11psは、層間絶縁膜430に開孔されたコンタクトホール91を介して分岐配線Xeiと電気的に接続されており、ドレイン領域11pdは、層間絶縁膜430に開孔されたコンタクトホール92を介して分岐配線Xoiに電気的に接続されている。ゲート電極3pは、層間絶縁膜410に開孔されたコンタクトホール96を介して、分岐配線Xoi及びXei等と同一膜からなる中継層640に電気的に接続されている。尚、中継層640は、中継層630と同様に、例えば島状に形成されている。中継層640は、層間絶縁膜420に開孔されたコンタクトホール97を介して、イコライズ信号供給線43bと電気的に接続されている。即ち、ゲート電極3pは、中継層640を介して、イコライズ信号供給線43bと電気的に接続されている。
The
図13に示すように、本実施形態では特に、TFT11n及び11pは、ボディコンタクト部60A及び60Bを夫々有している。
As shown in FIG. 13, in this embodiment, the
ボディコンタクト部60Aは、TFT11nの活性層を構成する半導体層111からなり、TFT11nの活性層の延在部に形成されている。ボディコンタクト部60Aは、チャネル領域11ncと同じ極性のP型に不純物ドープされている。
The body contact portion 60A is composed of the
図12及び図14に示すように、ボディコンタクト部60Aは、層間絶縁膜410に開孔されたコンタクトホール83及び85を介して、分岐配線Xoi及びXei等と同一膜からなる中継層610と電気的に接続されている。尚、中継層610は、中継層630等と同様に、例えば島状に形成されている。中継層610は、層間絶縁膜420に開孔されたコンタクトホール84を介して、ボディコンタクト配線61に電気的に接続されている。即ち、ボディコンタクト部60Aは、中継層610を介して、ボディコンタクト配線61と電気的に接続され、接地電位に固定されている。このため、TFT11nが、オン状態からオフ状態に切り換えられた際にチャネル領域11ncに蓄積する余分なキャリア(即ち電子)を、ボディコンタクト部60Aを介して抜くことができる。即ち、チャネル領域11ncに蓄積される余分なキャリアに起因した、TFT11nにおけるプッシュダウンの発生を低減することができる。更にスイッチングによる電気的ノイズに起因して、差動増幅回路15が誤作動することを防止できる。
As shown in FIGS. 12 and 14, the body contact portion 60A is electrically connected to the
図13に示すように、ボディコンタクト部60Bは、TFT11pの活性層を構成する半導体層112からなり、TFT11pの活性層の延在部に形成されている。ボディコンタクト部60Bは、チャネル領域11pcと同じ極性のN型に不純物ドープされている。
As shown in FIG. 13, the body contact portion 60B is composed of the
図12に示すように、ボディコンタクト部60Bは、層間絶縁膜410に開孔されたコンタクトホール93及び95を介して、分岐配線Xoi及びXei等と同一膜からなる中継層620と電気的に接続されている。尚、中継層620は、中継層610等と同様に、例えば島状に形成されている。中継層620は、層間絶縁膜420に開孔されたコンタクトホール94を介して、ボディコンタクト配線62に電気的に接続されている。即ち、ボディコンタクト部60Bは、中継層620を介して、ボディコンタクト配線62と電気的に接続され、電源電位VDDに固定されている。このため、TFT11pが、オン状態からオフ状態に切り換えられた際にチャネル領域11pcに蓄積する余分なキャリア(即ち正孔)を、ボディコンタクト部60Bを介して抜くことができる。即ち、チャネル領域11pcに蓄積される余分なキャリアに起因した、TFT11pにおけるプッシュアップ、及び電気的なノイズを低減することができる。従って、電気的ノイズに起因して、差動増幅回路15が誤作動することを防止できる。
As shown in FIG. 12, the body contact portion 60B is electrically connected to the
図13に示すように、本実施形態では、ボディコンタクト部60Aは、チャネル領域11ncと同じ極性のP型に不純物ドープされている、即ち、同じ極性のキャリア(即ち正孔)を有している。このため、オン状態からオフ状態に切り換えられた際にチャネルが形成される活性層内に蓄積する余分なキャリアを、チャネル領域11ncからボディコンタクト部60Aに接続されたボディコンタクト配線61へ確実に抜くことができる。更に、ボディコンタクト部60Aはソース領域11ns及びドレイン領域11ndと逆導電型であるので、ソース領域11ns及びドレイン領域11ndからボディコンタクト部60Aへのキャリアの移動を防止することができる。
As shown in FIG. 13, in the present embodiment, the body contact portion 60A is impurity-doped to P-type having the same polarity as the channel region 11nc, that is, has carriers (that is, holes) having the same polarity. . Therefore, excess carriers accumulated in the active layer where the channel is formed when switched from the on state to the off state are reliably extracted from the channel region 11nc to the
図13に示すように、本実施形態では、ボディコンタクト部60Bは、チャネル領域11pcと同じ極性のN型に不純物ドープされている、即ち、同じ極性のキャリア(即ち電子)を有している。このため、オン状態からオフ状態に切り換えられた際にチャネルが形成される活性層内に蓄積する余分なキャリアを、チャネル領域11pcからボディコンタクト部60Bに接続されたボディコンタクト配線62へ確実に抜くことができる。更に、ボディコンタクト部60Bはソース領域11ps及びドレイン領域11pdと逆導電型であるので、ソース領域11ps及びドレイン領域11pdからボディコンタクト部60Bへのキャリアの移動を防止することができる。
<第2実施形態>
次に、第2実施形態に係る液晶装置について、図15を参照して説明する。ここに図15は、第2実施形態における図3と同趣旨のブロック図である。尚、図15において、図1から図14に示した第1実施形態に係る構成要素と同様の構成要素に同一の参照符合を付し、それらの説明は適宜省略する。尚、図15では、図面の簡略化のために、複数の画素部70を駆動するXドライバ回路101、Yドライバ回路104、サンプリング回路110等は、図示を省略している。
As shown in FIG. 13, in this embodiment, the body contact portion 60B is doped with an N-type impurity having the same polarity as that of the channel region 11pc, that is, has carriers (that is, electrons) having the same polarity. Therefore, excess carriers accumulated in the active layer where the channel is formed when switched from the on state to the off state are surely extracted from the channel region 11pc to the
Second Embodiment
Next, a liquid crystal device according to a second embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 15 is a block diagram having the same concept as in FIG. 3 in the second embodiment. In FIG. 15, the same reference numerals are given to the same components as the components according to the first embodiment shown in FIGS. 1 to 14, and description thereof will be omitted as appropriate. In FIG. 15, the
図15において、本実施形態に係る液晶装置は、複数の画素部70、Xドライバ回路101、Yドライバ回路104、サンプリング回路110、画像信号供給線112o及び112e、差動増幅回路15、第1駆動信号供給回路21、第2駆動信号供給回路22、イコライズ回路23、電圧印加用配線24並びにプリチャージ回路25の構成は、上述した第1実施形態に係る液晶装置と同様である。
15, the liquid crystal device according to the present embodiment includes a plurality of
本実施形態では、トランスミッションゲート6に代えてトランスミッションゲート6´を採用している点が、上述した第1実施形態に係る液晶装置と異なる。即ち、1つの差動増幅回路15に4本の信号線Sが対応しており、そのうち2本を選択し一組として電気的に接続可能となっている。よって、4本の信号線Sを配置する間隔毎に1つの差動増幅回路15を形成することができ、差動増幅回路15の面積を広くして、駆動能力を向上させると共に、差動増幅回路15のばらつきを低減して検査精度を向上することができる。尚、プルダウン回路36は、図5を参照して上述したプルダウン回路35と同様に構成されている。
The present embodiment is different from the liquid crystal device according to the first embodiment described above in that a
図15において、トランスミッションゲート6´は、差動増幅回路15の接続点seを2本の信号線Sの1つに選択的に電気的に接続すると共に、差動増幅回路15の接続点soを2本の信号線Sの1つに選択的に電気的に接続する。即ち、差動増幅回路15は、4本の信号線S毎に設けられる。差動増幅回路15の接続点seは、TFT14´d又は14´cを夫々介して第(4u+1)列又は第(4u+2)列(但し、uは0以上の整数)の信号線Sに電気的に接続される。また、差動増幅回路15の接続点soは、TFT14´b又は14´aを夫々介して第(4u+3)列又は第(4u+4)列の信号線Sに電気的に接続される。
In FIG. 15, the
TFT14´a〜14´dのゲートには、端子te1〜te4が夫々電気的に接続されている。端子te1〜te4には、例えばTEゲートデコード回路等の外部回路が電気的に接続され、接続制御信号TE1〜TE4が夫々供給される。接続制御信号TE1〜TE4は、差動増幅回路15の接続点so及びseをいずれの信号線Sに電気的に接続するかを決定するための信号である。LOWの接続制御信号TE1〜TE4がゲートに印加されたTFT14´a〜14´dはオフとなり、差動増幅回路15の接続点so及びseと信号線Sとの電気的な接続を夫々切断する。逆に、HIGHの接続制御信号TE1〜TE4がゲートに印加された14´a〜14´dはオンとなり、差動増幅回路15の接続点so及びseと信号線Sとを電気的に接続する。尚、接続制御信号TE1及びTE2が同時にHIGHとされることはなく、接続制御信号TE3及びTE4が同時にHIGHとされることもない。即ち、差動増幅回路15の接続点se及びsoには、第(4u+1)列及び第(4u+3)列の信号線Sの組で、或いは、第(4u+2)列及び第(4u+4)列の信号線Sの組で夫々電気的に接続される。尚、差動増幅回路15の接続点se及びsoに、第(4u+1)列及び第(4u+4)列の信号線Sの組で、或いは、第(4u+2)列及び第(4u+3)列の信号線Sの組で夫々電気的に接続されるように接続制御信号TE1〜TE4を出力するように構成してもよい。
Terminals te1 to te4 are electrically connected to the gates of the TFTs 14'a to 14'd, respectively. For example, an external circuit such as a TE gate decode circuit is electrically connected to the terminals te1 to te4 and supplied with connection control signals TE1 to TE4, respectively. The connection control signals TE1 to TE4 are signals for determining which signal line S the connection points so and se of the
このように構成されているので、例えば、端子te4に接続制御信号TE4が供給されると、TFT14´dがオンとなり、第(4u+1)列の信号線Sが、差動増幅回路15の接続点seに電気的に接続される。これと同時或いは相前後して、端子te2に接続制御信号TE2が供給されると、TFT14´bがオンとなり、第(4u+3)列の信号線Sが、差動増幅回路15の接続点soに電気的に接続される。よって、信号線S1、S5、S9、・・・に夫々電気的に接続された画素部70に予め基準信号を供給しておき、信号線S3、S7、S11、・・・に夫々電気的に接続された画素部70に検査信号を供給しておくことで、第1実施形態と同様に、信号線S3、S7、S11、・・・に夫々電気的に接続された画素部70の良否の検査が行うことができる。同様に、端子te3に接続制御信号TE4が供給されると、TFT14´cがオンとなり、第(4u+2)列の信号線Sが、差動増幅回路15の接続点seに電気的に接続される。これと同時或いは相前後して、端子te1に接続制御信号TE1が供給されると、TFT14´aがオンとなり、第(4u+4)列の信号線Sが、差動増幅回路15の接続点soに電気的に接続される。よって、信号線S2、S6、S10、・・・に夫々電気的に接続された画素部70に予め基準信号を供給しておき、信号線S4、S8、S12、・・・に夫々電気的に接続された画素部70に検査信号を供給しておくことで、第1実施形態と同様に、信号線S4、S8、S12、・・・に夫々電気的に接続された画素部70の良否の検査が行うことができる。
<電子機器>
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。
Thus, for example, when the connection control signal TE4 is supplied to the terminal te4, the
<Electronic equipment>
Next, the case where the liquid crystal device which is the above-described electro-optical device is applied to various electronic devices will be described.
先ず、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。図16は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。この図16に示されるように、プロジェクタ1100内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット1102が設けられている。このランプユニット1102から射出された投射光は、ライトガイド1104内に配置された4枚のミラー1106および2枚のダイクロイックミラー1108によってRGBの3原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル1110R、1110Bおよび1110Gに入射される。
First, a projector using this liquid crystal device as a light valve will be described. FIG. 16 is a plan view showing a configuration example of the projector. As shown in FIG. 16, a
液晶パネル1110R、1110Bおよび1110Gの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるR、G、Bの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム1112に3方向から入射される。このダイクロイックプリズム1112においては、RおよびBの光が90度に屈折する一方、Gの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ1114を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
The configurations of the
ここで、各液晶パネル1110R、1110Bおよび1110Gによる表示像について着目すると、液晶パネル1110Gによる表示像は、液晶パネル1110R、1110Bによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
Here, paying attention to the display images by the
尚、液晶パネル1110R、1110Bおよび1110Gには、ダイクロイックミラー1108によって、R、G、Bの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
Since light corresponding to the primary colors R, G, and B is incident on the
次に、液晶装置を、モバイル型のパーソナルコンピュータに適用した例について説明する。図17は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。図17において、コンピュータ1200は、キーボード1202を備えた本体部1204と、液晶表示ユニット1206とから構成されている。この液晶表示ユニット1206は、先に述べた液晶装置1005の背面にバックライトを付加することにより構成されている。
Next, an example in which the liquid crystal device is applied to a mobile personal computer will be described. FIG. 17 is a perspective view showing the configuration of this personal computer. In FIG. 17, a
更に、液晶装置を、携帯電話に適用した例について説明する。図18は、この携帯電話の構成を示す斜視図である。図18において、携帯電話1300は、複数の操作ボタン1302とともに、反射型の液晶装置1005を備えるものである。この反射型の液晶装置1005にあっては、必要に応じてその前面にフロントライトが設けられる。
Further, an example in which the liquid crystal device is applied to a mobile phone will be described. FIG. 18 is a perspective view showing the configuration of this mobile phone. In FIG. 18, a
尚、図16から図18を参照して説明した電子機器の他にも、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた装置等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。 In addition to the electronic devices described with reference to FIGS. 16 to 18, a liquid crystal television, a viewfinder type, a monitor direct view type video tape recorder, a car navigation device, a pager, an electronic notebook, a calculator, a word processor, a work Examples include a station, a videophone, a POS terminal, a device equipped with a touch panel, and the like. Needless to say, the present invention can be applied to these various electronic devices.
また本発明は、上述の実施形態で説明した液晶装置以外にも、シリコン基板上に素子を形成する反射型液晶装置(LCOS)、プラズマディスプレイ(PDP)、電界放出型ディスプレイ(FED、SED)、有機ELディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス(DMD)、電気泳動装置等にも適用可能である。 In addition to the liquid crystal device described in the above embodiment, the present invention also includes a reflective liquid crystal device (LCOS) in which elements are formed on a silicon substrate, a plasma display (PDP), a field emission display (FED, SED), The present invention can also be applied to an organic EL display, a digital micromirror device (DMD), an electrophoresis apparatus, and the like.
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び該電気光学装置を備えてなる電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。 The present invention is not limited to the above-described embodiments, and can be appropriately changed without departing from the spirit or concept of the invention that can be read from the claims and the entire specification. An electronic apparatus including the electro-optical device is also included in the technical scope of the present invention.
6、6´…トランスミッションゲート、10…TFTアレイ基板、10a…画像表示領域、11n、11p、13n、13p…TFT、15…差動増幅回路、20…対向基板、23…イコライズ回路、25…プリチャージ回路、50…液晶層、60A、60B…ボディコンタクト部、61、62、63、64、65、66…ボディコンタクト配線、70…画素部、110…サンプリング回路、101…Xドライバ回路、104…Yドライバ回路、Gj…走査線、Soi、Sei…信号線、 6, 6 '... transmission gate, 10 ... TFT array substrate, 10a ... image display area, 11n, 11p, 13n, 13p ... TFT, 15 ... differential amplifier circuit, 20 ... counter substrate, 23 ... equalize circuit, 25 ... pre Charge circuit, 50 ... liquid crystal layer, 60A, 60B ... body contact part, 61, 62, 63, 64, 65, 66 ... body contact wiring, 70 ... pixel part, 110 ... sampling circuit, 101 ... X driver circuit, 104 ... Y driver circuit, Gj ... scanning line, Soi, Sei ... signal line,
Claims (6)
互いに交差する複数の走査線及び複数の信号線と、
前記複数の走査線及び前記複数の信号線の交差に対応して配置された複数の画素部と、
複数のトランジスタを夫々含んでなると共に、前記複数の信号線のうち所定本数の信号線の組の夫々に対応して設けられており、前記所定本数の信号線のうち一の信号線を介して第1電位信号が供給されると共に他の信号線を介して基準電位としての第2電位信号が供給され、前記第1電位信号の電位と前記第2電位信号の電位とを比較して、(i)前記第1電位信号の電位が前記第2電位信号の電位より低い場合には、前記第1電位信号の電位より低い電位を有する低電位信号を、(ii)前記第1電位信号の電位が前記第2電位信号の電位より高い場合には、前記第1電位信号の電位より高い電位を有する高電位信号を出力する複数の増幅用回路と、
前記複数のトランジスタのうち少なくとも一のトランジスタにおける活性層の延在部に設けられており、前記一のトランジスタにおけるボディコンタクトをとるボディコンタクト手段と
を備えたことを特徴とする電気光学装置。 On the board
A plurality of scanning lines and a plurality of signal lines intersecting each other;
A plurality of pixel portions arranged corresponding to intersections of the plurality of scanning lines and the plurality of signal lines;
Each of the plurality of transistors includes a plurality of transistors, and is provided corresponding to each of a predetermined number of signal lines among the plurality of signal lines, and is provided via one signal line of the predetermined number of signal lines. A first potential signal is supplied and a second potential signal as a reference potential is supplied via another signal line, and the potential of the first potential signal is compared with the potential of the second potential signal. i) When the potential of the first potential signal is lower than the potential of the second potential signal, a low potential signal having a potential lower than the potential of the first potential signal is obtained. (ii) The potential of the first potential signal A plurality of amplifying circuits for outputting a high potential signal having a potential higher than the potential of the first potential signal when the potential is higher than the potential of the second potential signal;
An electro-optical device, comprising: a body contact unit that is provided in an extension portion of an active layer in at least one transistor of the plurality of transistors and takes a body contact in the one transistor.
前記ボディコンタクト手段は、前記一のトランジスタとして、少なくとも前記第1のトランジスタにおけるボディコンタクトをとる
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の電気光学装置。 The plurality of amplifying circuits are provided for each set of the two signal lines, and are equalized including a first transistor for controlling electrical connection between the two signal lines. Each has its own circuit
The electro-optical device according to claim 1, wherein the body contact unit takes a body contact in at least the first transistor as the one transistor.
前記ボディコンタクト手段は、前記一のトランジスタとして、少なくとも前記第2のトランジスタにおけるボディコンタクトをとる
ことを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の電気光学装置。 Each of the plurality of amplifier circuits has a differential amplifier circuit including a plurality of second transistors,
4. The electro-optical device according to claim 1, wherein the body contact unit takes a body contact in at least the second transistor as the one transistor. 5.
前記ボディコンタクト手段は、前記一のトランジスタとして、少なくとも前記第3のトランジスタにおけるボディコンタクトをとる
ことを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の電気光学装置。 Each of the plurality of amplification circuits has a drive circuit including at least one third transistor for supplying power for driving the plurality of amplification circuits.
4. The electro-optical device according to claim 1, wherein the body contact unit makes a body contact in at least the third transistor as the one transistor. 5.
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