JP2007134464A - 多層膜を有する光学素子及びそれを有する露光装置 - Google Patents

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Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2068326A1 (en) 2007-12-07 2009-06-10 Canon Kabushiki Kaisha Exposure mirror and exposure apparatus having same
JP2011222887A (ja) * 2010-04-14 2011-11-04 Asahi Glass Co Ltd Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク、および該マスクブランク用の機能膜付基板
KR20120098886A (ko) * 2009-12-18 2012-09-05 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 Ｅｕｖ 리소그래피를 위한 반사 마스크
JP2012524391A (ja) * 2009-04-15 2012-10-11 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Ｅｕｖ波長域用のミラー、そのようなミラーを備えるマイクロリソグラフィ用の投影対物鏡、およびそのような投影対物鏡を備えるマイクロリソグラフィ用の投影露光装置
JP2012532467A (ja) * 2009-07-10 2012-12-13 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Ｅｕｖ波長域用のミラー、当該ミラーを備えるマイクロリソグラフィ用の投影対物レンズ、及び当該対物レンズを備えるマイクロリソグラフィ用の投影露光装置
JP2015045821A (ja) * 2013-08-29 2015-03-12 旭硝子株式会社 波長選択光学フィルタ
US9261773B2 (en) 2013-02-20 2016-02-16 Asahi Glass Company, Limited Reflective mask blank for EUV lithography, and reflective layer-coated substrate for EUV lithography
KR20160026887A (ko) * 2013-06-27 2016-03-09 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 디커플링 코팅을 갖는 미러들의 표면 보정
KR20160054585A (ko) * 2013-09-11 2016-05-16 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 Euv 투영 리소그래피를 위한 조명 광학 유닛
JP2016535313A (ja) * 2013-09-11 2016-11-10 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Ｅｕｖ投影リソグラフィのための照明光学系及び照明系
JP2016539368A (ja) * 2013-11-22 2016-12-15 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 反射光学素子及びマイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系
JP2017505925A (ja) * 2014-01-20 2017-02-23 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Ｅｕｖミラー及びｅｕｖミラーを備えた光学系
JP2017076150A (ja) * 2013-05-09 2017-04-20 株式会社ニコン 光学素子、投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法
KR20210114414A (ko) 2019-01-21 2021-09-23 에이지씨 가부시키가이샤 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크, 및 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법
JP2023011647A (ja) * 2014-07-11 2023-01-24 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 薄い吸収体を有する極紫外線マスクブランク作製システム及びその製造システム
US11860533B2 (en) 2020-03-27 2024-01-02 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber materials

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009054653A1 (de) * 2009-12-15 2011-06-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel für den EUV-Wellenlängenbereich, Substrat für einen solchen Spiegel, Verwendung einer Quarzschicht für ein solches Substrat, Projektionsobjektiv für die Mikrolithographie mit einem solchen Spiegel oder einem solchen Substrat und Projetktionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einem solchen Projektionsobjektiv
DE102011077983A1 (de) * 2011-06-22 2012-12-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Herstellung eines reflektiven optischen Elements für die EUV-Lithographie
US9279921B2 (en) * 2013-04-19 2016-03-08 3M Innovative Properties Company Multilayer stack with overlapping harmonics for wide visible-infrared coverage

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4693933A (en) * 1983-06-06 1987-09-15 Ovonic Synthetic Materials Company, Inc. X-ray dispersive and reflective structures and method of making the structures
US4969175A (en) * 1986-08-15 1990-11-06 Nelson Robert S Apparatus for narrow bandwidth and multiple energy x-ray imaging
TWI267704B (en) * 1999-07-02 2006-12-01 Asml Netherlands Bv Capping layer for EUV optical elements
JP2001057328A (ja) * 1999-08-18 2001-02-27 Nikon Corp 反射マスク、露光装置および集積回路の製造方法
US6545809B1 (en) * 1999-10-20 2003-04-08 Flex Products, Inc. Color shifting carbon-containing interference pigments
US6763046B2 (en) * 2001-03-01 2004-07-13 Applied Optoelectronics, Inc. Method and system employing multiple reflectivity band reflector for laser wavelength monitoring
JP2003014893A (ja) * 2001-04-27 2003-01-15 Nikon Corp 多層膜反射鏡及び露光装置
EP1260861A1 (en) * 2001-05-21 2002-11-27 ASML Netherlands B.V. Method of manufacturing a reflector, reflector manufactured thereby, phase shift mask and lithographic apparatus making use of them
DE10150874A1 (de) * 2001-10-04 2003-04-30 Zeiss Carl Optisches Element und Verfahren zu dessen Herstellung sowie ein Lithographiegerät und ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
JP2005056943A (ja) * 2003-08-08 2005-03-03 Canon Inc Ｘ線多層ミラーおよびｘ線露光装置

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2068326A1 (en) 2007-12-07 2009-06-10 Canon Kabushiki Kaisha Exposure mirror and exposure apparatus having same
JP2012524391A (ja) * 2009-04-15 2012-10-11 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Ｅｕｖ波長域用のミラー、そのようなミラーを備えるマイクロリソグラフィ用の投影対物鏡、およびそのような投影対物鏡を備えるマイクロリソグラフィ用の投影露光装置
JP2012532467A (ja) * 2009-07-10 2012-12-13 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Ｅｕｖ波長域用のミラー、当該ミラーを備えるマイクロリソグラフィ用の投影対物レンズ、及び当該対物レンズを備えるマイクロリソグラフィ用の投影露光装置
KR101714818B1 (ko) * 2009-12-18 2017-03-09 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 Ｅｕｖ 리소그래피를 위한 반사 마스크
JP2013514651A (ja) * 2009-12-18 2013-04-25 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Ｅｕｖリソグラフィ用反射マスク
KR20120098886A (ko) * 2009-12-18 2012-09-05 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 Ｅｕｖ 리소그래피를 위한 반사 마스크
JP2011222887A (ja) * 2010-04-14 2011-11-04 Asahi Glass Co Ltd Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク、および該マスクブランク用の機能膜付基板
US9261773B2 (en) 2013-02-20 2016-02-16 Asahi Glass Company, Limited Reflective mask blank for EUV lithography, and reflective layer-coated substrate for EUV lithography
JP2017076150A (ja) * 2013-05-09 2017-04-20 株式会社ニコン 光学素子、投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法
KR20160026887A (ko) * 2013-06-27 2016-03-09 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 디커플링 코팅을 갖는 미러들의 표면 보정
KR102206308B1 (ko) * 2013-06-27 2021-01-22 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 디커플링 코팅을 갖는 미러들의 표면 보정
JP2016523386A (ja) * 2013-06-27 2016-08-08 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 分離コーティングを有するミラーの表面補正
JP2015045821A (ja) * 2013-08-29 2015-03-12 旭硝子株式会社 波長選択光学フィルタ
JP2016531326A (ja) * 2013-09-11 2016-10-06 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Ｅｕｖ投影リソグラフィのための照明光学ユニット
JP2016535313A (ja) * 2013-09-11 2016-11-10 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Ｅｕｖ投影リソグラフィのための照明光学系及び照明系
KR102344279B1 (ko) * 2013-09-11 2021-12-28 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 Euv 투영 리소그래피를 위한 조명 광학 유닛
KR20160054585A (ko) * 2013-09-11 2016-05-16 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 Euv 투영 리소그래피를 위한 조명 광학 유닛
JP2016539368A (ja) * 2013-11-22 2016-12-15 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 反射光学素子及びマイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系
US10203435B2 (en) 2014-01-20 2019-02-12 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV mirror and optical system comprising EUV mirror
JP2017505925A (ja) * 2014-01-20 2017-02-23 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Ｅｕｖミラー及びｅｕｖミラーを備えた光学系
JP2023011647A (ja) * 2014-07-11 2023-01-24 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 薄い吸収体を有する極紫外線マスクブランク作製システム及びその製造システム
KR20210114414A (ko) 2019-01-21 2021-09-23 에이지씨 가부시키가이샤 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크, 및 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법
US11860533B2 (en) 2020-03-27 2024-01-02 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber materials

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