JP2007134399A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ゲート幅が大きく、且つ寄生チャネルの形成を防止した構造のトランジスタを作成できるようにした半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Si基板1上にSiGe層3を形成し、SiGe層3上にSi層5を形成する。次に、Si層5及びSiGe層3にSi基板1を露出させる穴hを形成し、Si層5をSi基板1上で支持する支持体7を、穴hが埋め込まれ且つSi層5が覆われるようにしてSi基板1上に形成する。そして、支持体7、Si層5及びSiGe層3を順次、選択的にエッチングして、支持体7下にSiGe層3の側面を露出する開口面Hを形成する。次に、例えば斜めイオン注入によって、トランジスタのチャネル領域端部のSi層5に寄生チャネル防止用のボロンを導入する。その後、開口面Hを介してSiGe層3をエッチングして、Si層5とSi基板1との間に空洞部を形成し、空洞部内に熱酸化膜を形成する。
【選択図】図4
【解決手段】Si基板1上にSiGe層3を形成し、SiGe層3上にSi層5を形成する。次に、Si層5及びSiGe層3にSi基板1を露出させる穴hを形成し、Si層5をSi基板1上で支持する支持体7を、穴hが埋め込まれ且つSi層5が覆われるようにしてSi基板1上に形成する。そして、支持体7、Si層5及びSiGe層3を順次、選択的にエッチングして、支持体7下にSiGe層3の側面を露出する開口面Hを形成する。次に、例えば斜めイオン注入によって、トランジスタのチャネル領域端部のSi層5に寄生チャネル防止用のボロンを導入する。その後、開口面Hを介してSiGe層3をエッチングして、Si層5とSi基板1との間に空洞部を形成し、空洞部内に熱酸化膜を形成する。
【選択図】図4
Description
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に、ゲート幅が大きく、且つ寄生チャネルの形成を防止した構造のトランジスタを作成できるようにしたものである。
近年、半導体分野において、シリコン・オン・インシュレーター(SOI)など、絶縁膜基板上の半導体膜にデバイスを形成する技術の開発が盛んとなってきている。特にSOIデバイスでは、低消費電力・高速で、尚且つ低電圧駆動可能なデバイスが実現できる可能性を備えている。
SOI基板は、SIMOX法、貼り合わせ法等、特殊な製造装置により作製されるため、基板コストは非常に高くなっている(バルク基板と比べて、通常、5〜10倍程度である。)。また、SOI基板を用いたデバイスではその特殊な構造のため、ドレイン耐圧が低下したり、静電破壊レベルが低下したりするなど、デメリットとなる部分もあった。そこで、これらの問題を解決するため、バルク基板上に部分的なSOI構造を作製する方法が提案されている(例えば、特許文献1、非特許文献1参照。)
例えば、非特許文献1に開示されているSBSI(Separation by Bonding Silicon Islands)法は、上記提案されている方法の一つである。SBSI法では、支持体を形成した後、SiGe層を選択エッチし、SOI構造であれば更にBOX酸化を行う。この方法によれば、従来の半導体ラインで作製が可能で、なお且つ、バルク基板の所望とする領域のみSOI構造とすることが出来、安価で高性能なSOIデバイスを実現することが可能である。
SOI基板は、SIMOX法、貼り合わせ法等、特殊な製造装置により作製されるため、基板コストは非常に高くなっている(バルク基板と比べて、通常、5〜10倍程度である。)。また、SOI基板を用いたデバイスではその特殊な構造のため、ドレイン耐圧が低下したり、静電破壊レベルが低下したりするなど、デメリットとなる部分もあった。そこで、これらの問題を解決するため、バルク基板上に部分的なSOI構造を作製する方法が提案されている(例えば、特許文献1、非特許文献1参照。)
例えば、非特許文献1に開示されているSBSI(Separation by Bonding Silicon Islands)法は、上記提案されている方法の一つである。SBSI法では、支持体を形成した後、SiGe層を選択エッチし、SOI構造であれば更にBOX酸化を行う。この方法によれば、従来の半導体ラインで作製が可能で、なお且つ、バルク基板の所望とする領域のみSOI構造とすることが出来、安価で高性能なSOIデバイスを実現することが可能である。
図9(A)〜図12(C)は、従来例に係るSBSI法を用いた半導体装置200の製造方法を示す図である。詳しくは、図9〜図12の各図の(A)は半導体装置200の製造方法を示す平面図である。また、図9〜図12の各図の(B)は、上記平面図をX9−X´9〜X12−X´12線でそれぞれ切断したときの断面図であり、図9〜図12の各図の(C)は、上記平面図をY9−Y´9〜Y12−Y´12線でそれぞれ切断したときの断面図である。
図9(A)〜(C)では、まず始めに、バルクのシリコンウエーハであるSi基板201上に、SiGe層203を形成し、その上にSi層205を形成する。これらSiGe層203及びSi層205の形成は、それぞれエピタキシャル成長法により行う。
次に、Si層205及びSiGe層203に支持体用の穴h´を形成する。即ち、穴形成領域を開口し、その他の領域を覆う第1のレジストパターン(図示せず)をSi層205上に形成する。そして、このレジストパターンをマスクにして、Si層205とSiGe層203とを順次エッチングして、レジストパターン下からSi基板201の表面を露出させる。これにより、穴h´を形成する。その後、Si層205上から第1のレジストパターンを取り除く。
次に、Si層205及びSiGe層203に支持体用の穴h´を形成する。即ち、穴形成領域を開口し、その他の領域を覆う第1のレジストパターン(図示せず)をSi層205上に形成する。そして、このレジストパターンをマスクにして、Si層205とSiGe層203とを順次エッチングして、レジストパターン下からSi基板201の表面を露出させる。これにより、穴h´を形成する。その後、Si層205上から第1のレジストパターンを取り除く。
次に、図10(A)〜(C)に示すように、穴h´が形成された後のSi基板201の上方全体に支持体207を形成する。この支持体207は例えばSiO2膜であり、CVDなどの方法により形成する。そして、SOI構造を形成する領域と穴h´とを含む領域を覆い、それ以外の領域を露出する(即ち、覆わない)第2のレジストパターン231を支持体207上に形成する。そして、このレジストパターン231をマスクに、支持体207と、Si層205とSiGe層203とを順次エッチングする。これらのエッチングは、異方性のドライエッチング装置を用いて行う。これにより、SiGe層203の側面の一部と、Si層205の側面の一部とを露出した開口面H´を支持体207下に形成する。開口面H´を形成した後で、例えば硫酸を用いて第2のレジストパターン231を取り除く。
次に、図11(A)〜(C)に示すように、支持体207下からその側面が露出したSi層205の端部205aに寄生チャネルストッパーイオン注入(以下、「ST」という。)を行う。SOI領域に形成するトランジスタがnチャネルの場合には、ST工程で例えばボロン(B)等のp型不純物を注入する。
次に、図12(A)〜(C)に示すように、支持体207下に形成された開口面H´を介して、フッ硝酸等のエッチング液をSiGe層203及びSi層205に触れさせることにより、SiGe層203だけをエッチングして除去し、Si基板201とSi層205との間に空洞部211を形成する。そして、Si基板201を熱酸化する。このとき、O2等の酸化種は、支持体207下から露出したSi基板201の表面だけでなく、開口面H´を通って空洞部211内にも到達する。従って、空洞部211内にSiO2膜が形成される。
次に、図12(A)〜(C)に示すように、支持体207下に形成された開口面H´を介して、フッ硝酸等のエッチング液をSiGe層203及びSi層205に触れさせることにより、SiGe層203だけをエッチングして除去し、Si基板201とSi層205との間に空洞部211を形成する。そして、Si基板201を熱酸化する。このとき、O2等の酸化種は、支持体207下から露出したSi基板201の表面だけでなく、開口面H´を通って空洞部211内にも到達する。従って、空洞部211内にSiO2膜が形成される。
その後、CVDなどの方法によりSi基板201の上方全面に素子分離用のSiO2膜を形成する。そして、CMPにより、Si基板201の上方全面を平坦化処理し、Si層205の上方から素子分離用のSiO2膜や支持体207を取り除く。これにより、Si層205の上面が露出し、且つその下方及び側方がSiO2膜や支持体207等の絶縁膜で素子分離された構造(即ち、SOI構造)をSi基板201に完成させる。SOI構造の完成以降は、通常のプロセスによりSOIトランジスタを作製する。
特開2004−349702号公報
T.Sakai et al.,Second International SiGe Technology and Device Meeting,Meeting Abstract,pp.230−231,May(2004)
ところで、上記のSBSI法では、図12(A)の矢印で示すように、Y方向の両側からSiGe層をエッチングして空洞部211を形成するが、開口面H´を介して支持体207下の奥深い部分までフッ硝酸を行き渡らせることは難しい。
このような事情から、SiGe層のエッチングの進む距離には限界があり、支持体207のY方向に沿った長さには制限がある。それゆえ、SOI領域を広く獲得しようとした場合には、支持体207の平面視での形状はX方向に沿った細長い形状とせざるを得ない。また、SBSI法で形成されるSOI領域の平面視での形状も支持体207の形状を反映して細長いものとなる。従って、SBSI法によって形成されるSOI領域に、特にゲート幅Wの大きなトランジスタを形成する場合には、ゲート電極をY方向に沿って形成するのではなく、X方向に沿って形成する方がレイアウト上は有利である。
このような事情から、SiGe層のエッチングの進む距離には限界があり、支持体207のY方向に沿った長さには制限がある。それゆえ、SOI領域を広く獲得しようとした場合には、支持体207の平面視での形状はX方向に沿った細長い形状とせざるを得ない。また、SBSI法で形成されるSOI領域の平面視での形状も支持体207の形状を反映して細長いものとなる。従って、SBSI法によって形成されるSOI領域に、特にゲート幅Wの大きなトランジスタを形成する場合には、ゲート電極をY方向に沿って形成するのではなく、X方向に沿って形成する方がレイアウト上は有利である。
しかしながら、上記のSBSI法では、ST工程で、Y方向側のSi層205の端部205aにはp型不純物がイオン注入されるが、X方向側のSi層205の端部205b(図11(A)参照。)は支持体207によって厚く覆われているので、このX方向側のSi層205の端部205bには上記p型不純物を注入することができていなかった。
このため、ゲート幅の増大を目的にゲート電極をX方向に沿って形成した場合には、ソースとドレインとに挟まれたチャネル領域の穴側の端部にチャネルストッパ層が形成されず、寄生チャネルの形成を防止することができない、という問題があった。
このため、ゲート幅の増大を目的にゲート電極をX方向に沿って形成した場合には、ソースとドレインとに挟まれたチャネル領域の穴側の端部にチャネルストッパ層が形成されず、寄生チャネルの形成を防止することができない、という問題があった。
そこで、この発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、ゲート幅が大きく、且つ寄生チャネルの形成を防止した構造のトランジスタを作成できるようにした半導体装置の製造方法の提供を目的とする。
上記目的を達成するために、発明1の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に第1半導体層を形成する工程と、前記第1半導体層よりもエッチングの選択比が小さな第2半導体層を前記第1半導体層上に形成する工程と、前記第2半導体層及び前記第1半導体層に前記半導体基板を露出させる穴を形成する工程と、前記第2半導体層を前記半導体基板上で支持する支持体を、前記穴が埋め込まれ且つ当該第2半導体層が覆われるようにして該半導体基板上に形成する工程と、前記支持体、前記第2半導体層及び前記第1半導体層を順次、選択的にエッチングして、前記支持体下に前記第1半導体層の側面を露出する開口面を形成する工程と、前記第2半導体層に形成されるトランジスタのソースとドレインとによって挟まれるチャネル領域の前記穴側の端部の前記第2半導体層に寄生チャネル防止用の不純物を導入する工程と、前記開口面を介して前記第1半導体層をエッチングすることにより、前記第2半導体層と前記半導体基板との間に空洞部を形成する工程と、前記半導体基板に熱酸化処理を施して前記空洞部内に熱酸化膜を形成する工程と、を含むことを特徴とするものである。
ここで、「半導体基板」は例えばバルクのシリコン(Si)基板であり、「第1半導体層」は例えばエピタキシャル成長によって得られるシリコンゲルマニウム(SiGe)層であり、「第2半導体層」は例えばエピタキシャル成長によって得られるSi層である。また、「支持体」は例えばシリコン酸化膜(SiO2)である。第1半導体層が例えばSiGe層である場合、上記開口面を介してのSiGe層のウエットエッチングには、例えばフッ硝酸を使用する。また、「トランジスタ」は例えばnチャネルの電解効果型トランジスタであり、「トランジスタ」がnチャネルの場合、「寄生チャネル防止用の不純物」は例えばボロン(B)等のp型不純物である。
発明1の半導体装置の製造方法によれば、ゲート幅が大きく、且つ寄生チャネルの形成を防止した構造のトランジスタを作成することができる。
発明2の半導体装置の製造方法は、発明1の半導体装置の製造方法において、前記チャネル領域の前記穴側の端部の前記第2半導体層に前記不純物を導入する工程の前に、前記支持体を選択的にエッチングして、その前記チャネル領域の前記穴側の端部の前記第2半導体層を覆っている部分を薄膜化する工程を含み、前記チャネル領域の前記穴側の端部の前記第2半導体層に前記不純物を導入する工程では、当該端部の前記第2半導体層に前記支持体の前記薄膜化された部分を通して前記不純物をイオン注入する、ことを特徴とするものである。
発明2の半導体装置の製造方法は、発明1の半導体装置の製造方法において、前記チャネル領域の前記穴側の端部の前記第2半導体層に前記不純物を導入する工程の前に、前記支持体を選択的にエッチングして、その前記チャネル領域の前記穴側の端部の前記第2半導体層を覆っている部分を薄膜化する工程を含み、前記チャネル領域の前記穴側の端部の前記第2半導体層に前記不純物を導入する工程では、当該端部の前記第2半導体層に前記支持体の前記薄膜化された部分を通して前記不純物をイオン注入する、ことを特徴とするものである。
発明3の半導体装置の製造方法は、発明2の半導体装置の製造方法において、前記支持体を選択的にエッチングして、その前記チャネル領域の前記穴側の端部の前記第2半導体層を覆っている部分を薄膜化する工程では、前記穴と平面視で重なる領域の前記支持体を選択的にエッチングすることによって、その前記チャネル領域の前記穴側の端部の前記第2半導体層を斜め上方から覆っている部分を薄膜化し、前記チャネル領域の前記穴側の端部の前記第2半導体層に前記不純物を導入する工程では、当該端部の前記第2半導体層にその斜め上方から前記支持体の前記薄膜化された部分を通して前記不純物をイオン注入する、ことを特徴とするものである。
発明2、3の半導体装置の製造方法によれば、半導体基板に熱酸化処理を施す際に、チャネル領域の穴側の端部の第2半導体層は支持体によって薄く覆われているので、例えば熱酸化膜を形成する工程で、その酸化を抑制することができる。これにより、寄生チャネル防止用の不純物が熱酸化膜内に取り込まれてしまうような事態をある程度防ぐことができるので、チャネルストッパ層における不純物濃度の低下を抑制することができる。
発明4の半導体装置の製造方法は、発明3の半導体装置の製造方法において、前記支持体、前記第2半導体層及び前記第1半導体層を順次、選択的にエッチングして前記開口面を形成する工程と、前記穴と平面視で重なる領域の前記支持体を選択的にエッチングすることによって、その前記チャネル領域の前記穴側の端部の前記第2半導体層を斜め上方から覆っている部分を薄膜化する工程と、を一つのマスクパターンを用いたエッチングによって同時に行うことを特徴とするものである。
このような構成であれば、従来技術と比べて、フォトリソグラフィ工程の増加がない。それゆえ、製造コストを低く抑えることができる。
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。
図1(A)〜図8(C)は、本発明の実施の形態に係る半導体装置100の製造方法を示す図である。詳しくは、図1〜図8の各図の(A)は半導体装置100の製造方法を示す平面図である。また、図1〜図8の各図の(B)は、上記平面図をX1−X´1〜X8−X´8線でそれぞれ切断したときの断面図であり、図1〜図8の各図の(C)は、上記平面図をY1−Y´1〜Y8−Y´8線でそれぞれ切断したときの断面図である。ここでは、SBSI法を用いて、バルクのシリコンウエーハにSOI構造を形成し、このSOI構造のSi層に、X方向に沿った(即ち、支持体の長手方向に沿った)ゲート電極を形成する場合について説明する。
図1(A)〜図8(C)は、本発明の実施の形態に係る半導体装置100の製造方法を示す図である。詳しくは、図1〜図8の各図の(A)は半導体装置100の製造方法を示す平面図である。また、図1〜図8の各図の(B)は、上記平面図をX1−X´1〜X8−X´8線でそれぞれ切断したときの断面図であり、図1〜図8の各図の(C)は、上記平面図をY1−Y´1〜Y8−Y´8線でそれぞれ切断したときの断面図である。ここでは、SBSI法を用いて、バルクのシリコンウエーハにSOI構造を形成し、このSOI構造のSi層に、X方向に沿った(即ち、支持体の長手方向に沿った)ゲート電極を形成する場合について説明する。
図1(A)〜(C)では、まず始めに、バルクのシリコンウエーハであるSi基板1上に、SiGe層3を形成し、その上にSi層5を形成する。SiGe層3及びSi層5は、それぞれエピタキシャル成長によって形成する。SiGe層3の膜厚は例えば10〜200[nm]程度であり、Si層5の膜厚は例えば10〜200[nm]程度である。
次に、図示しないレジストパターンをマスクに、Si層5とSiGe層3とを順次エッチングして、支持体用の穴hを形成する。そして、穴hが形成された後のSi基板1の上方全体に支持体7を形成する。この支持体7は例えばSiO2膜であり、CVDなどの方法により形成する。支持体7の膜厚は、例えば400[nm]程度である。
次に、図示しないレジストパターンをマスクに、Si層5とSiGe層3とを順次エッチングして、支持体用の穴hを形成する。そして、穴hが形成された後のSi基板1の上方全体に支持体7を形成する。この支持体7は例えばSiO2膜であり、CVDなどの方法により形成する。支持体7の膜厚は、例えば400[nm]程度である。
次に、図2(A)〜(C)に示すように、SOI構造を形成する領域と穴hの一部とを覆い、それ以外の領域を露出する(即ち、覆わない)形状のレジストパターン31を支持体7上に形成する。図2(A)〜(C)に示すように、このレジストパターン31には、穴hと平面視で重なり合う領域の内側であって、チャネル領域から近接した部分に開口部32が設けられている。
ここで、チャネル領域とは、Si層に形成されるトランジスタのソースを形成する領域とドレインを形成する領域とに挟まれた領域(即ち、Si層上に形成されるゲート電極と平面視で重なる領域)のことである。開口部32とチャネル領域との寸法距離をαとしたとき、寸法距離αは例えば0.01〜0.2[μm]程度である。また、この開口部31の平面視での形状は例えば矩形であり、開口部31のY方向の寸法長βはトランジスタのゲート長Lと同じである。寸法長βは例えば0.01〜10[μm]程度である。
次に、このレジストパターン31をマスクにして、支持体7と、Si層5とSiGe層3とを順次ドライエッチングする。これにより、図3(A)〜(C)に示すように、SiGe層3の側面の一部と、Si層5の側面の一部とを露出した開口面Hを支持体7下に形成する。また、図3(A)〜(C)に示すように、このエッチングによって、レジストパターン31の開口部32下の支持体7に、開口部32と同一形状の開口部8が形成される。
ここで、支持体7の穴hに埋め込まれた部分(即ち、足の部分)に、このような開口部8を形成することで、従来例と比べて支持体7の強度が低下してしまうおそれがあるが、開口部8を必要以上に大きくしなければ、強度上の問題はない。図3(A)〜(C)に示すように、開口部8のY方向の寸法長をγとしたとき、開口部8のY方向の寸法長βをγの例えば1/20〜1/6程度の長さにすることで、支持体の強度を問題ないレベルに維持することができる。このような開口部8の形成によって、支持体7の「チャネル領域の穴h側の端部(以下、「チャネル領域端部」という。)のSi層5を斜め上方から覆っている」部分は薄膜化される。以下、この支持体7の薄膜化された部分を薄膜部分7aと呼ぶ。
なお、このエッチング工程では、そのエッチングプロセスをSiGe層3で止めずにSi基板1まで続けて行っても良い(即ち、オーバエッチングしても良い。)。支持体7のエッチングには例えばCF4を含むガスをエッチングガスとして使用し、Si層5/SiGe層3のエッチングには例えばCl2とO2とを含むガスをエッチングガスとして使用する。
次に、例えば硫酸(H2SO4)でSi基板1を洗浄処理し、レジストパターン31を除去する(即ち、硫酸剥離する。)。そして、図4(A)〜(C)に示すように、支持体7をマスクにして、寄生チャネル防止用の不純物を斜めイオン注入する(ST工程)。ここで、Si層5に形成するトランジスタがnチャネルの場合、寄生チャネル防止用の不純物は、例えばボロン(B)等のp型不純物である。また、斜めイオン注入の(Si基板1表面を通る垂線に対する)傾斜角θは、例えば7〜30[゜]程度である。
このような斜めイオン注入によって、寄生チャネル防止用の不純物(例えば、ボロン)は、支持体7の薄膜部分7aを通って、チャネル領域端部EのSi層5にイオン注入される。そして、後の熱工程(例えば、ゲート絶縁膜の形成工程や、ソース、ドレイン形成用のアニール工程)で、上記寄生チャネル防止用の不純物は熱拡散し、チャネル領域端部EのSi層5にチャネルストッパ層50(図8(A)及び(B)参照。)が形成される。このチャネルストッパ層50によって、寄生チャネルの形成は防止される。
なお、この斜めイオン注入工程では、チャネル領域端部EのSi層5は、支持体7の薄膜部分7aによってその斜め上方が薄く覆われている。それゆえ、チャネル領域端部EのSi層5では、ST工程のイオン注入ダメージ(即ち、結晶欠陥の発生)が抑えられる。
次に、図5(A)〜(C)に示すように、支持体7に形成された開口面Hを介して、フッ硝酸等のエッチング液をSiGe層3及びSi層5に接触させることにより、SiGe層3だけをエッチングして除去する。これにより、Si基板1とSi層5との間に空洞部11を形成する。
次に、図5(A)〜(C)に示すように、支持体7に形成された開口面Hを介して、フッ硝酸等のエッチング液をSiGe層3及びSi層5に接触させることにより、SiGe層3だけをエッチングして除去する。これにより、Si基板1とSi層5との間に空洞部11を形成する。
次に、図6(A)〜(C)に示すように、Si基板1を熱酸化する。このとき、O2等の酸化種は、支持体7下から露出したSi基板1の表面だけでなく、開口面を通って空洞部内にも到達する。従って、空洞部内にSiO2膜13が形成される。この空洞部1111内に形成されるSiO2膜13がSOI構造の一部であるBOX層となる。
なお、この熱酸化工程では、チャネル領域の穴側端部のSi層は支持体によって薄く覆われているので、その酸化を抑制することができる。これにより、熱酸化膜による不純物の取り込みをある程度防ぐことができ、チャネルストッパ層における不純物濃度の低下を抑制することができる。
なお、この熱酸化工程では、チャネル領域の穴側端部のSi層は支持体によって薄く覆われているので、その酸化を抑制することができる。これにより、熱酸化膜による不純物の取り込みをある程度防ぐことができ、チャネルストッパ層における不純物濃度の低下を抑制することができる。
次に、図7(A)〜(C)では、CVDなどの方法によりSi基板1の上方全面に素子間分離用のSiO2膜15を形成する。そして、CMPにより、Si基板1の上方全面を平坦化処理し、Si層5の上方から、素子分離用のSiO2膜15や支持体7を取り除く。これにより、Si層5の上面が露出し、且つSi層5の下方及び側方がSiO2膜13,15や支持体7等の絶縁膜で素子分離された構造(即ち、SOI構造)をSi基板1に完成させる。
次に、図8(A)〜(C)に示すように、Si層5の表面を熱酸化してゲート絶縁膜41を形成する。そして、ゲート絶縁膜41が形成されたSi層5上にゲート電極43を形成する。この実施の形態では、ゲート電極43が、穴hに埋め込まれた絶縁膜上と、チャネル領域端部Eのチャネルストッパ層50上とを通るように、ゲート電極43を支持体の長手方向(即ち、X方向)に沿って形成する。そして、このゲート電極43等をマスクとして、As、Pなどの不純物をSi層5内にイオン注入し、続けてSi基板1をアニールする。これにより、図8(A)〜(C)に示すように、X方向に沿って形成されたゲート電極43の両側にソース45、ドレイン46を形成し、SOI構造の電界効果型トランジスタ(即ち、SOIトランジスタ)を完成させる。
このように、本発明の実施の形態によれば、SBSI法を用いて、ゲート幅が大きく、且つ寄生チャネルの形成を防止した構造のトランジスタを作成することができる。また、この実施の形態によれば、レジストパターン31を用いて、開口面Hと開口部8とを同時に形成しているので、従来技術と比べてフォトリソグラフィ工程の増加がない。それゆえ、製造コストを低く抑えることができる。
この実施の形態では、Si基板1が本発明の「半導体基板」に対応し、SiGe層3が本発明の「第1半導体層」に対応している。また、Si層5が本発明の「第2半導体層」に対応し、SiO2膜13が本発明の「熱酸化膜」に対応している。さらに、支持体7の薄膜部分7aが本発明の「支持体の薄膜化された部分」に対応し、レジストパターン31が本発明の「マスクパターン」に対応している。
1 Si基板、3 SiGe層、5 Si層、7 支持体、7a (支持体の)薄膜部分、8 (支持体に設けられた)開口部、11 空洞部、13,15 SiO2膜、31 レジストパターン、32 (レジストパターンに設けられた)開口部、41 ゲート絶縁膜、43 ゲート電極、45 ソース、46 ドレイン、50 チャネルストッパ層、100 半導体装置、h 穴、H 開口面
Claims (4)
- 半導体基板上に第1半導体層を形成する工程と、
前記第1半導体層よりもエッチングの選択比が小さな第2半導体層を前記第1半導体層上に形成する工程と、
前記第2半導体層及び前記第1半導体層に前記半導体基板を露出させる穴を形成する工程と、
前記第2半導体層を前記半導体基板上で支持する支持体を、前記穴が埋め込まれ且つ当該第2半導体層が覆われるようにして該半導体基板上に形成する工程と、
前記支持体、前記第2半導体層及び前記第1半導体層を順次、選択的にエッチングして、前記支持体下に前記第1半導体層の側面を露出する開口面を形成する工程と、
前記第2半導体層に形成されるトランジスタのソースとドレインとによって挟まれるチャネル領域の前記穴側の端部の前記第2半導体層に寄生チャネル防止用の不純物を導入する工程と、
前記開口面を介して前記第1半導体層をエッチングすることにより、前記第2半導体層と前記半導体基板との間に空洞部を形成する工程と、
前記半導体基板に熱酸化処理を施して前記空洞部内に熱酸化膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記チャネル領域の前記穴側の端部の前記第2半導体層に前記不純物を導入する工程の前に、
前記支持体を選択的にエッチングして、その前記チャネル領域の前記穴側の端部の前記第2半導体層を覆っている部分を薄膜化する工程を含み、
前記チャネル領域の前記穴側の端部の前記第2半導体層に前記不純物を導入する工程では、当該端部の前記第2半導体層に前記支持体の前記薄膜化された部分を通して前記不純物をイオン注入する、ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記支持体を選択的にエッチングして、その前記チャネル領域の前記穴側の端部の前記第2半導体層を覆っている部分を薄膜化する工程では、
前記穴と平面視で重なる領域の前記支持体を選択的にエッチングすることによって、その前記チャネル領域の前記穴側の端部の前記第2半導体層を斜め上方から覆っている部分を薄膜化し、
前記チャネル領域の前記穴側の端部の前記第2半導体層に前記不純物を導入する工程では、当該端部の前記第2半導体層にその斜め上方から前記支持体の前記薄膜化された部分を通して前記不純物をイオン注入する、ことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記支持体、前記第2半導体層及び前記第1半導体層を順次、選択的にエッチングして前記開口面を形成する工程と、
前記穴と平面視で重なる領域の前記支持体を選択的にエッチングすることによって、その前記チャネル領域の前記穴側の端部の前記第2半導体層を斜め上方から覆っている部分を薄膜化する工程と、を一つのマスクパターンを用いたエッチングによって同時に行うことを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
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