JP2007123890A - 改良型ゲートスタックのパターン化用プラズマ - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、塩素をベースとするプラズマの使用のために化学的に非常に反応的な少なくとも一つの物質のスタックをドライエッチングするためのプラズマ組成、及びその使用方法を提供する。
【解決手段】5%から10%までの少量の窒素がBCl3を備えたプラズマに加えられ、異方性ドライエッチング方法に用いられる。これにより、真っ直ぐな断面が得られるように、側面の攻撃から垂直な壁面を保護するために、エッチングされるスタックの垂直な壁面に不動態化フィルムが堆積される。
【選択図】図3A
【解決手段】5%から10%までの少量の窒素がBCl3を備えたプラズマに加えられ、異方性ドライエッチング方法に用いられる。これにより、真っ直ぐな断面が得られるように、側面の攻撃から垂直な壁面を保護するために、エッチングされるスタックの垂直な壁面に不動態化フィルムが堆積される。
【選択図】図3A
Description
本発明は、半導体プロセスの分野に関する。より詳細には、本発明は、改良型ゲートスタックのドライエッチング、特に、スタックを備えた金属ゲート及びスタックを備えた純粋なゲルマニウムへのドライエッチングに関する。
本発明はさらに、エッチングプラズマ組成、並びに、スタックを備えた金属ゲート及びスタックを備えた純粋なゲルマニウムのドライエッチングでそれによりパターニング後、ゲートスタックの垂直断面を保護するための上記エッチングプラズマ組成の使用に関する。
90nm以上のテクノロジーノードに関するCMOS製造シュリンクにおける臨界的寸法のように、従来の(ポリ)シリコンゲートは、金属ゲート(純粋な金属、合金、又は金属窒化物等を意味する)によって取って代わられてきており、ゲート誘電体としてのSiO2は、高い誘電率(いわゆる「高k誘電体」)を有する材料に取り替えられている。重要な挑戦は、従来のゲート・エッチングプロセス工程を金属ゲートスタックに適応させることである。この金属ゲートスタックのエッチングは、ゲートの臨界寸法(CD)に影響せずに金属ゲート断面を形成し、ピッチング又はパンチスルー無しに薄いゲート酸化膜上で止まるプロセスを必要とする。
金属ゲートのエッチングは、金属ゲート、並びに、ゲート酸化膜表面粗さ、CD制御、エッチング選択性、及び低ダメージエッチングに注意を向けて研究されているが、それらのどれも、パターニング後、ゲートスタックの垂直断面を保護することに成功していない。
改良型ゲートスタック(金属ゲートエッチング又は高kの削除)のパターニング用の有望な化学物質のうちの一つは、BCl3である。このプラズマの主な利点は、Si基板に対し合理的な選択性にて金属ゲート及び高kの誘電体の両方をエッチングすることができるということである。しかしながら、それらが余りに反応的であるので、BCl3プラズマと相性の良くないゲートスタック材料が存在する。その結果、BCl3は、ゲート断面を傷つける好ましくない側面のエッチングを生成する。特別な2つの例がGeゲート及びTaN金属ゲートである。純粋なBCl3プラズマが、Ge又はTaNを含むゲートスタックのパターニングの間に作用される場合、側面のエッチングによる断面の歪みが観察される。
本発明は、異方性のドライエッチングパターニング間に、層のスタックを備える構造の垂直断面を保護するドライエッチングプラズマ組成を開示する。
上記プラズマ組成は、さらに、上記スタックのドライエッチングのパターニングの間に、パターン化されたスタックの側面への攻撃が防止されるように上記構造に対抗して除去可能である水溶性のフィルムが上記スタックの側壁に堆積するように特徴付けられる。
好ましくは、本発明のプラズマ組成は、ホウ素ハロゲン化合物及び窒素を備えたプラズマで、窒素に対するホウ素ハロゲン化合物の比率が19:1から9:1までであるプラズマであると特徴づけられる。より好ましくは、本発明のプラズマ組成は、上記プラズマがホウ素ハロゲン化合物、窒素及び任意に不活性な化合物を備えるプラズマ組成として特徴づけられる。好ましい上記ホウ素ハロゲン化合物の大部分は、BCl3である。
好ましくは、本発明のプラズマ組成は、ホウ素ハロゲン化合物、及び(全プラズマ組成の)5〜10%までの窒素を備える(あるいは、からなる)プラズマであると特徴づけられる。
より好ましくは、プラズマ組成は、ホウ素ハロゲン化合物、及び(全プラズマ組成の)10%未満の窒素を備える(あるいは、からなる)。特に、上記のホウ素ハロゲン化合物は、BCl3である。
最も好ましくは、上記プラズマは、(全プラズマ組成に基づいて)5%から10%の窒素をさらに備える(又は加えられる)BCl3プラズマである(即ち、からなる)。
好ましい実施形態では、パターン化される層のスタックは、スタックを備える金属ゲートである。
より好ましくは、スタックを備える上記金属ゲートは、少なくとも一つのTaN層、又はTaN層とTiN層の化合物(TaN/TiN金属ゲートと呼ばれる)を備え、ここで、上記TaN層は、(純粋)BCl3プラズマに非常に敏感である。あるいは、言いかえれば、パターン化される層のスタックは、上記層のスタックの少なくとも一つの層がTaN層であるスタックである。
他の好ましい実施形態では、パターン化される上記層のスタックの少なくとも一つの層は、ゲルマニウムを備えた層である。
上記ゲルマニウム層は、本発明のプラズマ組成によってパターン化される層上に位置することができる。上記ゲルマニウム層は、純粋なGe層になりえる。
好ましくは、本発明の(パターニング中の)プラズマは、0とは異なる基板バイアスを有する。
好ましくは、本発明の(パターニング中の)プラズマは、プラズマパワーが100Wから1200Wまでの範囲内である。より好ましい上記プラズマパワーは、約450Wである。
好ましくは、本発明の(パターニング中の)プラズマは、プラズマチャンバー内において、最低0.666Pa(5mT)、最高10.665Pa(80mT)の圧力を有している。より好ましい上記圧力は、0.666Pa(5mT)である。
好ましくは、本発明の(パターニング中の)プラズマは、プラズマチャンバー内において、最低0.666Pa(5mT)、最高10.665Pa(80mT)の圧力を有している。より好ましい上記圧力は、0.666Pa(5mT)である。
好ましくは、本発明の(パターニング中の)プラズマは、100℃より下の温度を有し、ドライエッチングパターニング間の上記プラズマ温度は、約60℃であるのが最も好ましい。
異方性ドライエッチング方法もまた、上記スタックのパターニング間に側面の攻撃が防止される垂直構造を作製するように層のスタックをパターン化するため、上述したように、本発明のプラズマ組成を使用することを開示する。
好ましくは、上記方法は、本発明のプラズマ組成を使用するドライエッチング工程を作用させる第1ステップを備え、ここで、上記エッチングの間、構造の垂直断面が保護され側面の攻撃が防止されるように、保護及び水溶性のフィルムが構造の垂直側壁に堆積される。次のステップでは、上記水溶性のフィルムは、上記構造から除去される。
上記水溶性のフィルムは、水を使用した湿式除去プロセスを用いて、好ましくは除去される。
本発明は、また、プラズマ組成の全量の5%から10%に達するように窒素が添加されるBCl3を備えた(又は、からなる)プラズマで、(適切な)層のスタック(即ち、上記BCL3組成によりエッチング可能な少なくとも一つの層を備える)をエッチングし、同時に、側面のエッチングから上記層のスタックの側壁を不動態化する(保護する)プラズマの使用に関する。
本発明は、また、プラズマ組成の全量の5%から10%に達するように窒素が添加されるBCl3を備えた(又は、からなる)プラズマを提供するステップを備え、層のスタックの側壁を不動態化する(保護する)間、及び同時に、(適切な)層のスタックをエッチングする(又は、パターニングする)方法に関する。
上記使用又は上記方法は、少なくとも1層がゲルマニウムである、又は少なくとも1層がTaNである層のスタックに(パターニングするのに)特に有用である。
上述の不動態化する(あるいは保護する)効果は、層の上記スタックの側壁にホウ素及び窒素(及びさらに酸素のような化合物)を含むフィルム(あるいは層)の形成及び堆積に起因する。本発明の方法によって得ることができる上記フィルムは、また本発明の対象物である。
上記の使用又は上記の方法は、CMOS製造のフレームワークにて行なうことができる。
全ての図面は、本発明のいくつかの態様及び実施形態の例示である。全ての代案及び選択肢が示されているものではなく、したがって、本発明は、添付の図面内容に限定されるものではない。
例示的な実施形態が図面の参照図にて示される。ここに示された実施形態及び図は、限定的であるというよりむしろ例示であると考えられるべきである。
本発明のコンテキストでは、用語「臨界の寸法」(CD)は、半導体デバイスの生産の間に形成可能な幾何学的な特徴(例えばゲート電極の幅)の中で最も小さな寸法を指す。
本発明のコンテキストでは、用語「バイアス」は、ドライエッチングチャンバーでパターン化することの間に基板に加えられる電圧を指す。
本発明のコンテキストでは、用語「バイアス」は、ドライエッチングチャンバーでパターン化することの間に基板に加えられる電圧を指す。
用語「選択性」は、他の材料への選択された材料のエッチング速度を指す。エッチングされてしまう材料は、他の材料よりずっと高いエッチング速度を有するべきである。
用語「比率」は、第2化合物への第1化合物の量として表現され、例えば9:1の比は、第1化合物の例えば9sccm(毎分標準立方センチメートル)及び第2化合物の1sccmの比率を意味する。
本発明は、堆積が低温(例えば60℃)にてプラズマエッチングチャンバー(例えば、LAM(登録商標)によるVersys 2300 エッチングチャンバー)内で行われ、このことは従来決して報告されていない(BN堆積は、通常、390℃〜650℃の温度範囲にて実行される。)ところの構造のエッチング間にBxNyフィルムを堆積するという、本発明によるプラズマ組成を用いた驚くべき効果に基づく。BxNyフィルムは、圧力、プラズマパワー、ガス流量、及びプラズマ組成(より詳細にはBCl3とN2との比率)に依存する、例えば300nm/minと同じぐらい速い速度にて堆積される。純粋なBNフィルムと対比して、堆積された上記BxNyのようなフィルムは、温度によって容易に分解し(フィルム厚さは100℃を超える温度で減少する)、及び室温で水に溶解可能であることが分かっている。
本発明は、さらに、層のスタックのパターニング、より詳しくは層のスタックのドライエッチングに関する。
上記パターニングは、上記層の少なくとも1つがエッチング化合物に非常に敏感であるところのプラズマエッチング化合物を利用している。上記プラズマに追加成分を加えることで、スタックが例えば側壁損傷に関して保護されるように、層のスタック上に保護層を堆積することが可能である。上記保護層は、パターニング(ドライエッチング)の間、堆積される。さらに上記保護層は、犠牲でありよって容易に除去可能である。
「保護」層又は「不動態化」層としても呼ばれる上記「犠牲」の層は、ホウ素ハロゲンプラズマへの窒素の付加に起因するフィルムのようなBxNyを意味し、又、BxNyフィルム若しくはフィルムのような窒化ホウ素とも呼ばれ、それは、エッチングの間に堆積される。上記BxNyフィルムは、構造のパターニング/エッチングの間、「保護」又は「不動態化する」フィルムとして使用され、上記BxNyフィルムは、また、パターニングの終了後、上記層が除去されることから、犠牲層として呼ばれる。BxNyフィルムの不安定な特徴及び水溶性の特徴のため、上記BxNyフィルムは、例えば水によるすすぎで容易に除去可能である。
用語「BxNy」フィルムは、主としてホウ素及び窒素を備えるフィルムを意味し、さらに水溶性のフィルムとして特徴付けられる。本発明のBxNyフィルムは、水に溶解しない純粋なBNとは対照的に、水溶性である。したがって、上記BxNyフィルムは、BxNyと呼ばれる。ここで、整数x、yは、プラズマ及び/又はドライエッチング後の雰囲気から吸収可能な水、酸素、及び/又はアンモニアのような、フィルム内の他の成分(不純物)の存在のため、フィルムにおける窒素及びホウ素の比が固定されないことを示している。
より詳細には、本発明は、金属ゲートスタック又はゲルマニウム・ゲートスタックのパターニングに関し、より詳しくは、金属ゲートスタックを備えたTaNのようなゲートスタックのドライエッチング、及びスタックを備えたゲルマニウム(又は、換言すると、例えば純粋なゲルマニウム層を備えたスタック)のドライエッチングに関する。
本発明は、金属ゲートスタック及びゲルマニウムスタックのような改良されたゲートスタックのパターニング間の側面のエッチング及び断面の攻撃という問題を、ゲート断面の制御を改善するため、BCl3プラズマのようなホウ素ハロゲンプラズマへの窒素の少量追加により解決する。BCl3/N2プラズマの混合は、形成されたBxNyのようなフィルムがイオンボンバードにより破壊されるように、側面のエッチングを抑制し垂直のエッチングを抑制しないBxNyのようなフィルムの堆積に帰着する。
プラズマ組成は、スタックのパターニングの間、スタックの垂直断面が保存されスタックの側面の攻撃が防止されるように、保護及び水溶性のフィルムが堆積される金属ゲートスタック及び/又はゲルマニウムスタックをパターン化するために開示される。
より詳細には、プラズマ組成は、上記スタックの少なくとも一つの層がエッチング化合物のうちの一つに敏感である層のスタックをパターン化するために示される。
プラズマ組成は、窒素を少量添加したホウ素ハロゲンを備えたプラズマが好ましい。
ホウ素ハロゲン化合物は、BCl3が好適であり、上記窒素の少量添加は、窒素に対するホウ素ハロゲン化合物の比率が19:1から9:1までの範囲内にあるような状態である。
任意に、不活性な化合物を、ホウ素ハロゲン及び窒素を備えるプラズマに加えることができる。上記不活性な化合物は、例えばアルゴン又はヘリウム(He)が可能であり、及びそれらの化合物は、全プラズマ組成の50%までの濃度にて上記プラズマに加えることができる。
TaN金属ゲート、及びTaN及びTiN(TaN/TiN金属ゲート)の層を備えた金属ゲートのような、TaNを備えた金属ゲートのパターニングのために、窒素に対するホウ素ハロゲン化合物の比率は、9:1未満(より多くのホウ素ハロゲンを有する)であり、より好ましくは、窒素に対するホウ素ハロゲン化合物の上記比率は、11:1未満であり、最も好ましくは、窒素に対するホウ素ハロゲン化合物の上記比率は、19:1である。
TaN金属ゲート、及びTaN及びTiN(TaN/TiN金属ゲート)の化合物を備えた金属ゲートのような、TaNを備えた金属ゲートのパターニングのために、窒素に対するBCl3の比率は、9:1未満であり、より好ましくは、窒素に対するBCl3の上記比率は、11:1未満であり、最も好ましくは、窒素に対するBCl3の上記比率は、19:1である。
ゲルマニウムがスタックの層の少なくとも一つであり、上記ゲルマニウム層は、上記ゲルマニウム層の下に位置する層のパターニングの間に側面の攻撃を防止するために保護される必要があるスタックを備えたゲルマニウムのパターニングのため、窒素に対するホウ素ハロゲン化合物の比率は、19:1よりも大きい。より好ましくは、窒素に対するホウ素ハロゲン化合物の上記比率は、11:1よりも大きく、最も好ましくは、窒素に対するホウ素ハロゲン化合物の上記比率は、9:1である。
ゲルマニウムは、スタックの層の少なくとも一つであり、上記ゲルマニウム層は、上記ゲルマニウム層の下に位置する層のパターニングの間に側面の攻撃を防止するために保護される必要があるスタックを備えたゲルマニウムのパターニングのため、窒素に対するBCl3の比率が19:1よりも大きい。より好ましくは、窒素に対するBCl3の上記比率は、11:1よりも大きく、最も好ましくは、窒素に対するBCl3の上記比率は、9:1である。
本発明の好ましい実施形態では、プラズマ組成は、ホウ素ハロゲン化合物及び窒素、又は、換言すればホウ素ハロゲンプラズマにおける窒素の少量添加を備える(あるいは、からなる)プラズマであるのが好ましい。
好ましくは、上記プラズマは、ホウ素ハロゲン化合物、及び(全プラズマ組成物の)5%〜10%の窒素を備える(あるいは、からなる)。
より好ましくは、プラズマ組成は、ホウ素ハロゲン化合物及び(全プラズマ組成の)10%未満の窒素を備え(あるいは、からなり)、最も好ましくは、上記ホウ素ハロゲン化合物は、BCl3である。
ゲルマニウム層の下に位置する層のパターニングの間の側面の攻撃を防止するために上記ゲルマニウム層が保護される必要があるスタックを備えたゲルマニウムのパターニングのため、全BCl3/N2プラズマ組成へのN2の量は、5%を超え、より好ましくは、全BCl3/N2プラズマ組成へのN2の量は8%を超え、最も好ましくは、全BCl3/N2プラズマ組成へのN2の量は10%である。
TaN、及び/又は、TaN及びTiN(TaN/TiN金属ゲート)の化合物のような金属ゲートのパターニングのため、全BCl3/N2プラズマ組成へのN2の量が10%未満であり、より好ましくは、全BCl3/N2プラズマ組成へのN2の量が8%未満であり、最も好ましくは、全BCl3/N2プラズマ組成へのN2の量は5%である。
好ましくは、本発明の(パターニング中の)プラズマは、0とは異なる基板バイアスを有している。
好ましくは、本発明の(パターニング中の)プラズマは、パワーが100Wから1200Wまでの範囲内にあるプラズマを有する。より好ましくは、上記プラズマパワーは約450Wである。
好ましくは、本発明の(パターニング中の)プラズマは、プラズマチャンバー内で、最低0.666Pa(5mT)及び最大10.665Pa(80mT)の圧力を有する。より好ましくは、上記圧力は、0.666Pa(5mT)である。
好ましくは、本発明の(パターニング中の)プラズマは、プラズマチャンバー内で、最低0.666Pa(5mT)及び最大10.665Pa(80mT)の圧力を有する。より好ましくは、上記圧力は、0.666Pa(5mT)である。
好ましくは、本発明の(パターニング中の)プラズマは、100℃未満の温度を有しており、最も好ましくは、ドライエッチングパターニング間の上記プラズマ温度は、約60℃である。高温で堆積されたホウ素窒素(BxNyまたはBN)フィルムは、除去がより困難又は完全に不可能な、より少ない(または無しの)不純物を含む高品質フィルムと等しい。
ゲートスタックを備えた非Siのドライエッチング用の方法を提供することが本発明のさらなる目的であり、上記ゲートスタックを備えた非Siは、ゲートスタックを備えたTaNのようなゲートスタックを備えた金属ゲートであるのが好ましく、及び(純粋な)ゲルマニウム層を備えた金属ゲートスタックであるのが好ましい。
より詳細には、本発明のドライエッチング方法は、上記スタックの少なくとも一つの層がエッチング化合物のうちの一つに非常に敏感であるプラズマ組成を用いる。
上記ドライエッチング方法は、上記ゲートスタックの垂直断面がエッチング後に保存されているという点で特徴づけられる。本発明の方法は、エッチングの間に犠牲層を堆積することにより、ドライエッチング後に消極的に傾斜したゲート断面の問題を解決する。上記犠牲層は、ゲートスタックの垂直断面又はCDが保存されるように、ドライエッチングの間、不動態化層として作用する。
本発明のドライエッチング方法は、金属ゲートスタック及びスタックを備えたゲルマニウムのような改良型ゲートスタックのパターニングの間、側面エッチング及び断面攻撃の問題を、ゲート断面制御を改善するためにBCL3プラズマのようなホウ素ハロゲンプラズマに少量の窒素を加えることにより、解決する。BCl3/N2プラズマの混合物は、形成されたBxNyのようなフィルムがイオンボンバードにより破壊されるように、側面のエッチングを抑制するが、垂直エッチングを抑制しないBxNyのようなフィルムの堆積に帰着する。
好ましくは、本発明の方法は、本発明のプラズマ組成を使用したドライエッチング工程を最初に作用させるステップを備え、それにより、エッチングの間に、構造の垂直断面が保護され側面攻撃が防止されるように、保護及び水溶性のフィルムが上記構造の垂直側壁上に堆積される。次のステップで、上記水溶性のフィルムは、上記構造から取り除かれる。
上記水溶性のフィルムは、湿式の除去プロセスを用いて除去されるのが好ましく、上記湿式の除去は水を使用するのが最も好ましい。
本発明のドライエッチング方法は、少量の窒素を添加したホウ素ハロゲンを備えたプラズマを用いる。
ホウ素ハロゲン化合物は、BCl3が好適であり、及び、窒素の上記少量の添加は、窒素に対するホウ素ハロゲン化合物の比率が19:1から9:1までの範囲にあるような状態である。
任意に、不活性な化合物は、ホウ素ハロゲン及び窒素を備えるプラズマに加えることができる。上記不活性な化合物は、例えばアルゴンまたはヘリウム(He)とすることができ、これらの化合物は、全プラズマ組成の50%までの濃度でプラズマに加えることができる。
TaN及びTiN(TaN/TiN金属ゲート)の組み合わせを備えるTaN金属ゲート及び金属ゲートのような金属ゲートをパターン化する本発明の方法において、窒素に対するホウ素ハロゲン化合物の比率は、9:1未満であるのが好ましい。より好ましくは、窒素に対するホウ素ハロゲン化合物の上記比率は、11:1未満であり、最も好ましくは、窒素に対するホウ素ハロゲン化合物の上記比率は、19:1である。
特に、上記ホウ素ハロゲン化合物は、BCl3である。
スタックを備えたゲルマニウムをパターニングする本発明の方法において、上記ゲルマニウム層は、上記ゲルマニウム層の下に位置する層のパターニングの間に、側面の攻撃を回避するために保護される必要のあるスタックの層であり、窒素に対するホウ素ハロゲン化合物の比率は、19:1を超えるのが好ましい。より好ましくは、窒素に対するホウ素ハロゲン化合物の比率は、11:1よりも高く、最も好ましくは、窒素に対するホウ素ハロゲン化合物の上記比率は9:1である。
特に、上記ホウ素ハロゲン化合物は、BCl3である。
本発明の好ましい実施形態では、本発明の方法で用いられるプラズマ組成は、ホウ素ハロゲン化合物及び窒素、又は換言すればホウ素ハロゲンプラズマに少量の窒素を添加したものを備える(あるいは、からなる)プラズマである。
好ましくは、プラズマは、ホウ素ハロゲン化合物、及び(全プラズマ組成の)5%から10%までの窒素を備える(あるいは、からなる)。
より好ましくは、プラズマ組成は、ホウ素ハロゲン化合物及び(全プラズマ組成の)10%未満の窒素を備え(あるいは、からなり)、さらに、上記ホウ素ハロゲンがBCl3であることが最も好ましい。
上記ゲルマニウム層の下に位置する層のパターニングの間に、側面の攻撃を回避するため、上記ゲルマニウム層は保護される必要のあるスタックを備えるゲルマニウムをパターニングする本発明の方法では、全BCl3/N2プラズマ組成物へのN2の量は、5%を超え、より好ましくは、上記N2の量は、全BCl3/N2プラズマ組成物に対し8%よりも高く、最も好ましくは、上記N2の量は、全BCl3/N2プラズマ組成物に対し10%である。
TaN、及び/又は、TaN及びTiN(TaN/TiN金属ゲート)の組み合わせのような金属ゲートをパターニングする本発明の方法において、全BCl3/N2プラズマ組成に対するN2の量は、10%未満であり、全BCl3/N2プラズマ組成に対するN2の量は、8%未満であり、最も好ましくは、全BCl3/N2プラズマ組成に対するN2の量は、5%である。
好ましくは、(パターニング中の)本発明の方法にて用いられるプラズマは、0とは異なる基板バイアスを有している。
好ましくは、上記のプラズマは、100Wから1200Wまでの範囲のプラズマパワーを有している。より好ましくは、上記プラズマパワーは、約450Wである。
好ましくは、上記プラズマは、プラズマチャンバー内で、最低0.666Pa(5mT)及び最大10.665Pa(80mT)の圧力を有する。より好ましい上記圧力は、0.666Pa(5mT)である。
好ましくは、上記プラズマは、プラズマチャンバー内で、最低0.666Pa(5mT)及び最大10.665Pa(80mT)の圧力を有する。より好ましい上記圧力は、0.666Pa(5mT)である。
好ましくは、上記プラズマは、100℃未満の温度を有し、より好ましくは、ドライエッチングパターニング間の上記プラズマ温度は、約60℃である。
実際に、高温で堆積されたホウ素窒素(BxNyまたはBN)フィルムは、除去するのがより困難又は全く不可能な、より少ない(または無の)不純物を含む、より高品質のフィルムと等しい。
図面に関し、本発明は、また、文章中にて以下のように記述可能である。
ゲートスタックを備えた非Siのドライエッチング方法を提供することが本発明の目的であり、ゲートスタックを備えた上記非Siは、ゲートスタックを備えたTaNのようなゲートスタックを備えた金属ゲートであるのが好ましく、及び金属スタックを備えた純粋なゲルマニウムであるのが好ましい。上記ドライエッチング方法は、上記ゲートスタックの垂直断面がエッチング後に保存されるという点で特徴づけられる。本発明の方法は、エッチングの間に犠牲層を堆積することにより、ドライエッチング後に消極的に傾斜したゲート断面の問題を解決する。上記犠牲層は、ゲートスタックの垂直断面又はCDが保存されるように、ドライエッチングの間、不動態化層として役立つ。
本発明は、塩素をベースとするプラズマに非常に敏感なエッチング材料に使用されるプラズマの組成を開示する。それらの材料がBCl3プラズマのような純粋な塩素をベースとするプラズマでエッチングされる場合、これらの材料が横方向に同様にエッチングされるので、エッチング断面がゆがめられる。上記材料の例は、ゲートスタックを備えるTaN、及び金属スタックを備える純粋なゲルマニウムのようなゲートスタックを備える金属ゲートである。本発明のプラズマは、塩素をベースとしたプラズマにて引き起こされる損傷の問題を解決し、より詳しくは、このことは、塩素をベースとしたプラズマに少量の窒素を加えることにより達成される。ゲートスタックを備えるTaN、及び金属スタックを備える純粋なゲルマニウムのようなゲートスタックを備えた金属ゲートのパターニングに関し、上記塩素化合物は、BCl3が好適である。プラズマに加えられる窒素の量は、5%から10%までの間が好ましい。BCl3のような塩素をベースとしたプラズマへの窒素の添加は、垂直面にBxNyのような不動態化層の形成によって垂直断面を保存する。
本発明のさらなる目的は、非Siをベースとするスタックのパターニングのため、少量の窒素の添加を伴う、塩素をベースとしたプラズマの使用を開示することである。上記パターニングは、側面のエッチングを防止し、垂直断面を保存するパターニングとしてさらに特徴付けられる。上記スタックは、ゲートスタックを備えたTaNのようなゲートスタックを備えた金属ゲートであるのが好ましく、及び、金属スタックを備えた純粋なゲルマニウムであるのが好ましい。ゲートスタックを備えたTaN、及びゲートスタックを備えた純粋なゲルマニウムをパターニングするため、上記塩素化合物は、BCl3である。
実施例
プラズマとその使用と同様に本発明の方法は、塩素をベースとしたプラズマによりエッチングされるが化学的に非常に反応的であり、及び重要な側面エッチング部分を有するいずれの材料にも適用可能である。上記側面エッチングは、垂直な壁面に堆積したBxNyのような不動態化フィルムにより遮られることができ、一方、その間、垂直エッチングは著しく影響されない。
プラズマとその使用と同様に本発明の方法は、塩素をベースとしたプラズマによりエッチングされるが化学的に非常に反応的であり、及び重要な側面エッチング部分を有するいずれの材料にも適用可能である。上記側面エッチングは、垂直な壁面に堆積したBxNyのような不動態化フィルムにより遮られることができ、一方、その間、垂直エッチングは著しく影響されない。
BCl3/N2プラズマは、実施例1及び実施例2にて記述されるように、2つの異なったスタック、つまり純粋なGeゲート及びTiN/TaNゲートスタックにおけるTaN金属ゲート、のパターニングのために適用される。両方の場合において、ゲート材料の側面の攻撃は、BCl3プラズマへの少量(5%−10%)のN2の追加により防げる。更に、プラズマ設定は、実施例3において最適化され示されている。本発明のBxNyのような堆積された(不動態化)層は、FTIRにて特徴づけられ、実施例4において図示される。
実施例1: TaNゲート断面制御のためのBCl3/N2プラズマの適用。
BCl3/N2プラズマは、TaN金属ゲートをエッチングするために用いられる。ここで示された実施例において、上記TaN金属ゲートは、TiN/TaNゲートスタックに存在し、ここで、15nmのTaNがゲート誘電体と接触して存在し、70nmのTiNがTaNをカバーする、換言すれば、70nmのTiNが15nmのTaN上に位置している。
BCl3/N2プラズマは、TaN金属ゲートをエッチングするために用いられる。ここで示された実施例において、上記TaN金属ゲートは、TiN/TaNゲートスタックに存在し、ここで、15nmのTaNがゲート誘電体と接触して存在し、70nmのTiNがTaNをカバーする、換言すれば、70nmのTiNが15nmのTaN上に位置している。
最も重大なステップは、TiNのパターン化後にTaNをエッチングすることである。BCl3プラズマは、それがSi基板に選択的で、高kの削除として同様に用いることができるように、TaNをパターン化するためにここで用いられる。
TaNが純粋なBCl3プラズマでエッチングされる場合、ノッチ(側面の攻撃)がTaN層に観察される。
図4Aは、純粋なBCl3にてエッチングした後のゲートの断面を示す。矢印は、TaNの側面の攻撃を示す。
BCl3プラズマへの5%N2の追加は、TaN層の側面攻撃が無く、真っ直ぐなTaN断面に帰着する。
N2追加の効果が図4Bに示されている。不動態化層を備えるBxNyは、パターニングの間、スタックの垂直な側壁に堆積され、不動態化層を備える上記BxNyは、パターニングの間にTaNを保護し、側面の攻撃を回避するであろう。
水平面上への層を備えるBxNyの堆積は、垂直方向での連続的なイオンボンバードにより無視可能であろう(言い換えれば、層を含むBxNyは、水平面上への堆積直後に除去されるであろう。)。
このことは、フィルムのようなBxNyの堆積は、側面のエッチングを抑制するが、形成されたフィルムのようなBxNyがイオンボンバードにより破壊されるように、垂直のエッチングを抑制しない、ということを意味する。
図5Bに示されるように、BCl3/O2プラズマ混合物を用いることにより、真っ直ぐなTaN断面を得ることができるかもしれないことは注目されるべきである。しかしながら、エッチングプラズマにおけるO2の存在は、高kの誘電体に有害な影響があるであろう、したがって、回避されるべきである。
ゲートスタックを備えるTaNのパターニングの後、湿式処理(例えば水における削除)によって不動態化層を備えるBxNyを除去することができるかもしれない。
実施例2: 純粋なGeゲート断面制御のためのBCl3/N2プラズマの適用
BCl3/N2プラズマは、高kの誘電体(本ケースでは、高k誘電体はHfO2である)を真下に有する純粋なGeゲートをパターン化するために用いられる。高k誘電体は、下にあるSi基板に選択的に除去されなければならない。
BCl3/N2プラズマは、高kの誘電体(本ケースでは、高k誘電体はHfO2である)を真下に有する純粋なGeゲートをパターン化するために用いられる。高k誘電体は、下にあるSi基板に選択的に除去されなければならない。
パターニング直後の、及び図2に示されるような高kの除去前のGeゲート断面は、真っ直ぐである。
HfO2を除去する従来の方法は、BCl3プラズマ内でのエッチングである。高kがそのようなプラズマにより除去されるならば、図3に示されるように、たとえ除去時間が2倍になっても、BCl3プラズマへの10%のN2の追加が断面を保存している間に、Geゲートは、断面ひずみの損害を受ける。
図3Aは、10秒間の純粋なBCl3プラズマによる高kの除去後のGeゲート断面を示し、図3Bは、20秒間のBCl3/N2(10%のN2)プラズマによる高kの除去後のGeゲート断面を示している。図3Bでは、Ge断面の側面攻撃は、見られない。
高kの除去の間、BCl3プラズマへの少量のN2の追加(本ケースの場合、10%のN2が加えられた)はGeゲートの形を保存する、ということを結論付けることができる。これは、ゲート(垂直)の側壁上へのBxNyのような不動態化フィルムの堆積による。上記BxNyのような不動態化フィルムは、湿式処理によりその後除去可能な犠牲層である。
実施例3: BxNy不動態化フィルムを堆積するのに使用されるプラズマパラメータ。
本発明のプラズマを用いて実施例1にて示したように、TaN金属ゲートのパターン化の間に、BxNy不動態化フィルムの堆積に用いられるプラズマパラメーターは、以下のようであり得る。即ち、
圧力 0.666Pa(5mT)、
プラズマパワー 450W、
BCl3の流れ 95sccm(毎分標準立方センチメートル)、
N2の流れ 5sccm、
基板バイアス: 55V。
本発明のプラズマを用いて実施例1にて示したように、TaN金属ゲートのパターン化の間に、BxNy不動態化フィルムの堆積に用いられるプラズマパラメーターは、以下のようであり得る。即ち、
圧力 0.666Pa(5mT)、
プラズマパワー 450W、
BCl3の流れ 95sccm(毎分標準立方センチメートル)、
N2の流れ 5sccm、
基板バイアス: 55V。
実施例2にて示したように、Geゲートスタックにおける高kの除去の間、BxNy不動態化フィルムの堆積に用いられるプラズマパラメーターは、以下のようであり得る。即ち、
圧力 0.666Pa(5mT)、
プラズマパワー 450W、
基板バイアス: 30V、
BCl3の流れ 90sccm、
N2 10sccm。
圧力 0.666Pa(5mT)、
プラズマパワー 450W、
基板バイアス: 30V、
BCl3の流れ 90sccm、
N2 10sccm。
実施例4: 堆積されたBxNy層の特徴。
本発明のプラズマ組成(BCl3/N2)及び方法を用いることは、BxNy層の堆積に帰着する。上記BxNyフィルムは、フーリエ伝達赤外分光測定法(FTIR)及びX線光電子分光法(XPS)により特徴づけられる。(イオンボンバードを回避するために)バイアスが基板に適用されないならば、BCl3及びN2のプラズマ混合物が(平面の)ウエハ表面上へのBxNyフィルムの堆積に帰着したことが分かる。上記BxNyフィルムは、圧力、プラズマパワー、ガス流れ、及びBCl3とN2との比率に依存して、300nm/minと同じぐらい高い速度にてエッチングチャンバー(LAM Versys 2300)内で、60℃及び275℃にて堆積される。
本発明のプラズマ組成(BCl3/N2)及び方法を用いることは、BxNy層の堆積に帰着する。上記BxNyフィルムは、フーリエ伝達赤外分光測定法(FTIR)及びX線光電子分光法(XPS)により特徴づけられる。(イオンボンバードを回避するために)バイアスが基板に適用されないならば、BCl3及びN2のプラズマ混合物が(平面の)ウエハ表面上へのBxNyフィルムの堆積に帰着したことが分かる。上記BxNyフィルムは、圧力、プラズマパワー、ガス流れ、及びBCl3とN2との比率に依存して、300nm/minと同じぐらい高い速度にてエッチングチャンバー(LAM Versys 2300)内で、60℃及び275℃にて堆積される。
60℃及び275℃(比較用の)で堆積されたBxNyフィルムのFTIRスペクトルが図1に示されている。約1400cm−1における強いピークは、六方晶形の窒化ホウ素(h−BN)に起因する。このピークは、275℃で堆積されたフィルムのスペクトルで優位を占めるが、60℃で堆積されたフィルムのスペクトルは、他のピークを含み、したがってそのフィルムは、純粋なBNではない。
60℃で堆積されたフィルムの表面のXPS分析は、主としてホウ素(約36%)、窒素(約20%)及び酸素(約36%)を示す。いくらかの炭素(約7%)は、大気からの汚染に起因する。塩素の量は、1%を越えない。堆積プラズマがO2を含んでいないように、フィルム内のかなりの量の酸素は、大気にさらされた間のフィルム酸化のしるしである。
堆積されたBxNyのようなフィルムは、温度によって容易に分解し(フィルム厚さは100℃を超える温度で減少する)、及び室温にて水で可溶であることがわかる。これらの特性は、堆積されたいずれの反応抑制物質層の除去を容易にする。水でのすすぎは、ゲートパターニング後に残ったBxNyのようないずれのフィルムを洗浄するのに十分である。
プラズマエッチングチャンバー内でBCl3及びN2を混合することにより、ほとんどCl2を含まないBxNyのようなフィルムを堆積可能であるということが結論付けられる。上記フィルムは、比較的不安定であり、水にて可溶なように、水ですすぐことにより、容易に除去することができる。
Claims (40)
- 層のスタックを備える構造の垂直断面を保存するためのドライエッチングのプラズマ組成であって、
上記スタックのドライエッチングパターニングの間、上記構造に対して除去可能な水溶性のフィルムが上記スタックの側壁上に堆積され、上記パターニングされたスタックの側面攻撃が防止されるように特徴づけられる、プラズマ組成。 - 上記プラズマ組成は、ホウ素ハロゲン化合物及び窒素を備える、請求項1記載のプラズマ組成。
- さらに不活性な化合物を備える、請求項2記載のプラズマ組成。
- 窒素に対するホウ素ハロゲン化合物の比率は、19:1から9:1までである、請求項2記載のプラズマ組成。
- 上記ホウ素ハロゲン化合物はBCl3である、請求項2記載のプラズマ組成。
- 層の上記スタックは、スタックを備えた金属ゲートである、請求項1記載のプラズマ組成。
- スタックを備えた金属ゲートは、TaN、又は、TaN及びTiNの組み合わせ(TaN/TiN金属ゲート)を備える、請求項6記載のプラズマ組成。
- 層の上記スタックの少なくとも一つの層は、ゲルマニウムを備えた層である、請求項6記載のプラズマ組成。
- 上記ゲルマニウム層は、上記プラズマ組成によってパターン化される層上に位置している、請求項8記載のプラズマ組成。
- 基板バイアスは0とは異なる、請求項1又は2記載のプラズマ組成。
- プラズマパワーは、100Wから1200Wまでの範囲内である、請求項1又は2記載のプラズマ組成。
- プラズマパワーは、約450Wである、請求項11記載のプラズマ組成。
- プラズマチャンバー内の圧力は、最小0.666Pa(5mT)で、最大10.665Pa(80mT)である、請求項1又は2記載のプラズマ組成。
- プラズマチャンバー内の圧力は、0.666Pa(5mT)である、請求項1又は2記載のプラズマ組成。
- パターニング間のプラズマの温度は100℃未満である、請求項1又は2記載のプラズマ組成。
- パターニング間のプラズマの温度は約60℃である、請求項1又は2記載のプラズマ組成。
- 上記プラズマ組成は、ホウ素ハロゲン化合物、及び(全プラズマ組成の)5%から10%までの窒素からなる、請求項1記載のプラズマ組成。
- 上記プラズマ組成は、ホウ素ハロゲン化合物、及び(全プラズマ組成の)10%未満の窒素からなる、請求項17記載のプラズマ組成。
- 上記プラズマ組成は、ホウ素ハロゲン化合物、及び(全プラズマ組成の)8%未満の窒素からなる、請求項17又は18記載のプラズマ組成。
- 上記プラズマ組成は、(全プラズマ組成の)5%の窒素を有するBCl3である、請求項1記載のプラズマ組成。
- 垂直構造を作製するため層のスタックをパターニングするためのホウ素ハロゲン化合物及び窒素を備えたプラズマ組成を使用し、上記スタックのパターニングの間、側面の攻撃が回避される異方性ドライエッチング方法であって、
上記プラズマ組成を使用してドライエッチングする工程と、ここで、エッチングの間、上記構造の垂直断面が保存され、側面攻撃が防止されるように、保護及び水溶性フィルムが上記構造の垂直な側壁に堆積され、
上記構造から上記保護及び水溶性フィルムを除去する工程と、
を備えたドライエッチング方法。 - 上記保護及び水溶性フィルムは、水を用いた湿式の除去プロセスを使用して除去される、請求項21記載のドライエッチング方法。
- 窒素に対するホウ素ハロゲン化合物の比率は、19:1から9:1までである、請求項21記載のドライエッチング方法。
- 上記ホウ素ハロゲン化合物はBCl3である、請求項21記載のドライエッチング方法。
- 上記プラズマは、さらに不活性な化合物を備える、請求項21記載のドライエッチング方法。
- 層の上記スタックは、スタックを備えた金属ゲートである、請求項21記載のドライエッチング方法。
- スタックを備えた上記金属ゲートは、TaN層、又は、TaN層及びTiN(TaN/TiN金属ゲート)の組み合わせを備える、請求項26記載のドライエッチング方法。
- 層の上記スタックの少なくとも一つの層は、ゲルマニウム層、又はゲルマニウムを備えた層である、請求項26記載のドライエッチング方法。
- 上記ゲルマニウム(を備えた)層は、上記プラズマ組成によりパターン化される層上に位置する、請求項28記載のドライエッチング方法。
- パターニング間の基板バイアスは0とは異なる、請求項21記載のドライエッチング方法。
- パターニング間のプラズマパワーは、100Wから1200Wまでの範囲内である、請求項21記載のドライエッチング方法。
- パターニング間のプラズマパワーは、約450Wである、請求項21記載のドライエッチング方法。
- パターニング間のプラズマチャンバー内の圧力は、最低0.666Pa(5mT)で、最大10.665Pa(80mT)である、請求項21記載のドライエッチング方法。
- パターニング間のプラズマチャンバー内の圧力は、0.666Pa(5mT)である、請求項21記載のドライエッチング方法。
- パターニング間のプラズマの温度は、100℃未満である、請求項21記載のドライエッチング方法。
- パターニング間のプラズマの温度は、約60℃である、請求項21記載のドライエッチング方法。
- 上記プラズマ組成は、ホウ素ハロゲン化合物、及び(全プラズマ組成の)5%から10%までの窒素からなる、請求項21記載のドライエッチング方法。
- 上記プラズマ組成は、ホウ素ハロゲン化合物、及び(全プラズマ組成の)10%未満の窒素からなる、請求項21記載のドライエッチング方法。
- 上記プラズマ組成は、ホウ素ハロゲン化合物、及び(全プラズマ組成の)8%未満の窒素からなる、請求項21記載のドライエッチング方法。
- 上記プラズマ組成は、(全プラズマ組成の)5%の窒素を有するBCl3である、請求項21記載のドライエッチング方法。
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