JP2007123885A - 白光ledパッケージ構造 - Google Patents
白光ledパッケージ構造 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007123885A JP2007123885A JP2006288472A JP2006288472A JP2007123885A JP 2007123885 A JP2007123885 A JP 2007123885A JP 2006288472 A JP2006288472 A JP 2006288472A JP 2006288472 A JP2006288472 A JP 2006288472A JP 2007123885 A JP2007123885 A JP 2007123885A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- printed circuit
- die
- circuit layer
- white light
- package structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims abstract description 38
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 230000001815 facial effect Effects 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
【課題】射出した光線の顔色および光さが均一になり、製品の良品率が向上になる白光LEDパッケージ構造を提供する。
【解決手段】一つの台座と、少なくとも一つのダイと、少なくとも一本の溶接用ワイヤと、ゲルと、少なくとも一つの蛍光薄膜とを含む白光LEDパッケージ構造において、前記台座は一つのプリント回路層と基板とを含み、前記プリント回路層が前記基板の表面に設けられ、前記プリント回路層の上では電極溶接バンプが少なくとも一つ設けてあり、前記ダイは前記プリント回路層の表面に設けられ、前記溶接用ワイヤは前記ダイと前記プリント回路層の上に設けた電極溶接バンプとを連接し、前記ゲルは前記台座のプリント回路層の表面をカバーし、前記ダイと前記溶接用ワイヤとを覆い、前記蛍光薄膜は前記ゲルの表面に設けられ、ゲルのダイを有する領域をカバーし、予めに作製されたものであることを特徴とする白光LEDパッケージ構造。
【選択図】図2
【解決手段】一つの台座と、少なくとも一つのダイと、少なくとも一本の溶接用ワイヤと、ゲルと、少なくとも一つの蛍光薄膜とを含む白光LEDパッケージ構造において、前記台座は一つのプリント回路層と基板とを含み、前記プリント回路層が前記基板の表面に設けられ、前記プリント回路層の上では電極溶接バンプが少なくとも一つ設けてあり、前記ダイは前記プリント回路層の表面に設けられ、前記溶接用ワイヤは前記ダイと前記プリント回路層の上に設けた電極溶接バンプとを連接し、前記ゲルは前記台座のプリント回路層の表面をカバーし、前記ダイと前記溶接用ワイヤとを覆い、前記蛍光薄膜は前記ゲルの表面に設けられ、ゲルのダイを有する領域をカバーし、予めに作製されたものであることを特徴とする白光LEDパッケージ構造。
【選択図】図2
Description
本発明は、LEDに係り、特に、白光LEDのパッケージ構造に関するものである。
図1に示すのは従来のLEDの構造であって、この構造は、LED10と、発光素子11と、塗装樹脂12と、溶接用ワイヤ13と、パッケージ用ゲル14と、取付用リード15と、内リード16とを含む。
図1に示すように、LED10は、取付用リード15と、内リード16とを有するリードタイプLEDであり、前記LED10の上では発光素子11が一つ設けてあり、前記発光素子11が取付用リード15のキャップ15aの上で設けてあり、キャップ15a内に発光蛍光体を含有した塗装樹脂12を充填し、前記塗装樹脂12により発光素子11をカバーし、且つ溶接用ワイヤ13とパッケージ用ゲル14とを組み合うと従来のLEDが完成した。
従来のLEDの構造において、キャップ15a内に発光蛍光体を含有した塗装樹脂12を充填し前記塗装樹脂12により発光素子11をカバーすることは、発光蛍光体の分布の不均一がよく発生し、これにより、このタイプのLED10の顔色および光さが不均一になり、製品品質が低下になる。
本発明の主な目的は、均一な蛍光薄膜を有し、射出した光線の顔色および光さが均一になる白光LEDパッケージ構造を提供する。
本発明の次の目的は、製品の良品率が向上になる白光LEDパッケージ構造を提供する。
上記目的を達成するためになされた本願の発明は、一つの台座と、少なくとも一つのダイと、少なくとも一本の溶接用ワイヤと、ゲルと、少なくとも一つの蛍光薄膜とを含む白光LEDパッケージ構造において、前記台座は、一つのプリント回路層と基板とを含み、前記プリント回路層が前記基板の表面に設けられ、前記プリント回路層の上では電極溶接バンプが少なくとも一つ設けてあり、前記ダイは、前記プリント回路層の表面に設けられ、前記溶接用ワイヤは、前記ダイと前記プリント回路層の上に設けた電極溶接バンプとを連接し、前記ゲルは、前記台座のプリント回路層の表面をカバーし、前記ダイと前記溶接用ワイヤとを覆い、前記蛍光薄膜は、前記ゲルの表面に設けられ、ゲルのダイを有する領域をカバーし、予めに作製されたものであることを特徴とする白光LEDパッケージ構造であることを要旨としている。
本願の発明では、更に、少なくとも一つの貫通孔を有するフリップチップボンディング層を含み、前記フリップチップボンディング層は、前記台座のプリント回路層の上で設けられ、前記貫通孔内に前記ダイとゲルとが収容されることを特徴とする請求項1に記載の白光LEDパッケージ構造であることを要旨としている。
本願の発明では、更に、一つのレアーを含み、前記レアーが前記蛍光薄膜の表面に設けられたことを特徴とする請求項1に記載の白光LEDパッケージ構造であることを要旨としている。
本願の発明では、前記レアーは、光透過薄膜やレンズやガラスや光学素子のうちの何れか一つを採用したものであることを特徴とする請求項3に記載の白光LEDパッケージ構造であることを要旨としている。
本願の発明では、前記前記レアーの寸法は前記フリップチップボンディング層の貫通孔よりも大きいことを特徴とする請求項3に記載の白光LEDパッケージ構造であることを要旨としている。
本発明に係る白光LEDパッケージ構造によれば、射出した光線の顔色および光さが均一になり、製品の良品率が向上になる。
以下、添付図面を参照して本発明の好適な実施の形態を詳細に説明する。
まず、図2を参照する。本発明に係る白光LEDのパッケージ構造は、台座20と、ダイ22と、溶接用ワイヤ23と、フリップチップボンディング層24と、ゲル25と、蛍光薄膜26と、レンズ27とを含む。
図2に示すように、前記台座20は、プリント回路層202と基板201とを含み、前記基板201の上では電極溶接バンプ2021を有するプリント回路層202が設けてあり、前記プリント回路層202の表面には貫通孔241を有するフリップチップボンディング層24が別に設けてあり、前記貫通孔241内に前記ダイ22が収容され、前記溶接用ワイヤ23の一端がダイ22に連接し、他端がプリント回路層202の電極溶接バンプ2021に連接し、ダイ22と溶接用ワイヤ23と一部ぼプリント回路層202とを覆うために、前記貫通孔241内にゲル25を注入する。
前記ゲル25の上では、プレス技術で予めに作製された蛍光薄膜26が設置してあり、且つ前記蛍光薄膜26が貫通孔241内に位置し、これにより、前記蛍光薄膜26はダイ22から射出した光線を白光に転換でき、且つ前記フリップチップボンディング層24の表面に大きさが前記貫通孔241よりも大きいレンズ27を設置することにより、前記白光を放射する。
図3は本発明に係る実施例のフリップチップボンディング層構造を示す斜視図であり、図4は図3におけるフリップチップボンディング層構造を有する実施例の断面図である。本実施例は図2における実施例と若干に異なるが、ここで、異なる箇所だけについて説明する。
まず、図3を参照する。本実施例のフリップチップボンディング層34は一つの溝341を有し、前記溝341は平面な底部3411を有し、前記底部3411には貫通孔3421A,3421B,3421C,3421D,3421E,3421Fが設けてあり、前記貫通孔3421A,3421B,3421C,3421D,3421E,3421Fは溝341の底部3411の中央に直線状に排列され、前記貫通孔3421A,3421B,3421C,3421D,3421E,3421Fの両側には長形な貫通孔3422A,3422Bがそれぞれ設けてある。
前記貫通孔3422A,3422Bはプリント回路層302の表面31に設けた電極溶接バンプ3021A,3021Bに応じて設けられ、プリント回路層302の表面31にフリップチップボンディング層34を設置すると、電極溶接バンプ3021A,3021Bが前記貫通孔3422A,3422Bから露出可能である。
図4は、図3におけるフリップチップボンディング層構造を有する実施例の断面図であり、図2に係る実施例と異なる箇所は、フリップチップボンディング層34とダイ32との構造およびレーアウトにある。
本実施例では、フリップチップボンディング層34がプリント回路層302の表面31の上で設けられ、これにより、プリント回路層302の電極溶接バンプ3021A,3021Bがそれぞれ貫通孔3422A,3422Bから露出可能であり、且つ貫通孔3421A内にダイ32を設置して、溶接用ワイヤ33A,33Bの一端をダイ22に連接し、他端をそれぞれ貫通孔3422A,3422Bを通過させてプリント回路層302の電極溶接バンプ302A1,3021Bに連接する。
本発明に係る実施例の構造のように、ゲル35はフリップチップボンディング層34の溝341と各貫通孔3421A,3422A,3422Bとを充填してダイ32と電極溶接バンプ3021A,3021Bと溶接用ワイヤ33A,33Bとをカバーして、フリップチップボンディング層34とゲル35の上で蛍光薄膜36を設置して溝341の開口をカバーし、これにより、前記蛍光薄膜36はダイ32から射出した光線を白光に転換でき、そして前記蛍光薄膜36の上でレンズ37を設置する。
図4に示す本発明の実施例は、貫通孔3421Aを例にしたが、実際には、各貫通孔3421A,3421B,3421C,3421D,3421E,3421F内にはダイ32がそれぞれ設けてあり、且つ各ダイ32には溶接用ワイヤ33A,33Bがそれぞれ設けてある。
次に、図5と図6を参照する。図5と図6に示すのは本発明の別の実施例である。図5は本発明に係る実施例に適用されたフリップチップボンディング層構造を示す斜視図であり、図6は図5におけるフリップチップボンディング層構造を有する実施例の断面図である。本実施例は図2における実施例と若干に異なるが、ここで、異なる箇所だけについて説明する。
図5に示すように、この構造は、フリップチップボンディング層54の表面から予定深さの箇所で第一溝541を設けて、前記第一溝541の底部5411に寸法が第一溝541よりも小さくて予定深さを有する第二溝542を設けて、前記第二溝542の底部5421の中央に直線状に排列された貫通孔5431A,5431B,5431C,5431Dを設けて、前記貫通孔5431A,5431B,5431C,5431Dの円心から成す直線の両側に長方形の貫通孔5432A,5432Bをそれぞれ設ける。
図6に示すように、図5におけるフリップチップボンディング層を本発明の実施例に取付ける場合には、プリント回路層501の表面は長方形の貫通孔5432A,5432Bに応じて電極溶接バンプ5021A,5021Bが設けてあり、そうすると、フリップチップボンディング層54をプリント回路層501の表面に設置するときに、電極溶接バンプ5021A,5021Bは長方形の貫通孔5432A,5432Bから露出可能である。
次に、貫通孔5431A内にダイ52を設置して、溶接用ワイヤ53A,53Bをダイ52から電極溶接バンプ5021A,5021Bに電気的に連接して、第二溝542と貫通孔5431A,5431B,5431C,5431Dとのなかにゲル55を注入し、そうすると、底部524と溶接用ワイヤ53A,53Bとダイ52とがゲル55に覆われる。
次に、フリップチップボンディング層54の第一溝541内に予めに作製された蛍光薄膜56を設置することにより、前記蛍光薄膜56はダイ52から射出した光線を白光に転換でき、且つ前記フリップチップボンディング層54の表面に大きさが前記第一溝541よりも大きいレンズ57を設置すると、白光LEDが完成した。
本発明の各実施例では、蛍光薄膜は、真空吸込み製膜法、パウダー高温高圧圧製法、又はインクジェット法や塗布法で光透過フィルムやレンズ底部などの一側を塗った方法により予めに作製されたものであり、その製造プロセスの説明はここで省略する。また、各実施例のおけるゲルは別の種類の樹脂を使用してもいい。
10 LED
11 発光素子
12 塗装樹脂
13 溶接用ワイヤ
14 パッケージ用ゲル
15 取付用リード
15a キャップ
16 内リード
20 台座
201 基板
202 プリント回路層
2021 電極溶接バンプ
21 表面
22 ダイ
23 溶接用ワイヤ
24 フリップチップボンディング層
241 貫通孔
25 樹脂
26 蛍光薄膜
27 レンズ
30 基板
301 台座
302 プリント回路層
3021A,3021B 電極溶接バンプ
31 表面
32 ダイ
33A,33B 溶接用ワイヤ
34 フリップチップボンディング層
341 溝
3411 底部
3421A,3421B,3421C 貫通孔
3421D,3421E,3421F 貫通孔
3422A,3422B 貫通孔
35 樹脂
36 蛍光薄膜
37 レンズ
50 台座
501 基板
502 プリント回路層
5021A,5021B 電極溶接バンプ
51 表面
52 ダイ
53A,53B 溶接用ワイヤ
54 フリップチップボンディング層
541 第一溝
5411 底部
542 第二溝
5421 底部
5431A,5431B,5431C,5431D 貫通孔
5432A,5432B 貫通孔
55 樹脂
56 蛍光薄膜
57 レンズ
11 発光素子
12 塗装樹脂
13 溶接用ワイヤ
14 パッケージ用ゲル
15 取付用リード
15a キャップ
16 内リード
20 台座
201 基板
202 プリント回路層
2021 電極溶接バンプ
21 表面
22 ダイ
23 溶接用ワイヤ
24 フリップチップボンディング層
241 貫通孔
25 樹脂
26 蛍光薄膜
27 レンズ
30 基板
301 台座
302 プリント回路層
3021A,3021B 電極溶接バンプ
31 表面
32 ダイ
33A,33B 溶接用ワイヤ
34 フリップチップボンディング層
341 溝
3411 底部
3421A,3421B,3421C 貫通孔
3421D,3421E,3421F 貫通孔
3422A,3422B 貫通孔
35 樹脂
36 蛍光薄膜
37 レンズ
50 台座
501 基板
502 プリント回路層
5021A,5021B 電極溶接バンプ
51 表面
52 ダイ
53A,53B 溶接用ワイヤ
54 フリップチップボンディング層
541 第一溝
5411 底部
542 第二溝
5421 底部
5431A,5431B,5431C,5431D 貫通孔
5432A,5432B 貫通孔
55 樹脂
56 蛍光薄膜
57 レンズ
Claims (5)
- 一つの台座と、少なくとも一つのダイと、少なくとも一本の溶接用ワイヤと、ゲルと、少なくとも一つの蛍光薄膜とを含む白光LEDパッケージ構造において、
前記台座は、一つのプリント回路層と基板とを含み、前記プリント回路層が前記基板の表面に設けられ、前記プリント回路層の上では電極溶接バンプが少なくとも一つ設けてあり、
前記ダイは、前記プリント回路層の表面に設けられ、
前記溶接用ワイヤは、前記ダイと前記プリント回路層の上に設けた電極溶接バンプとを連接し、
前記ゲルは、前記台座のプリント回路層の表面をカバーし、前記ダイと前記溶接用ワイヤとを覆い、
前記蛍光薄膜は、前記ゲルの表面に設けられ、ゲルのダイを有する領域をカバーし、予めに作製されたものであることを特徴とする、白光LEDパッケージ構造。 - 更に、少なくとも一つの貫通孔を有するフリップチップボンディング層を含み、前記フリップチップボンディング層は、前記台座のプリント回路層の上で設けられ、前記貫通孔内に前記ダイとゲルとが収容されることを特徴とする、請求項1に記載の白光LEDパッケージ構造。
- 更に、一つのレアーを含み、前記レアーが前記蛍光薄膜の表面に設けられたことを特徴とする、請求項1に記載の白光LEDパッケージ構造。
- 前記レアーは、光透過薄膜やレンズやガラスや光学素子のうちの何れか一つを採用したものであることを特徴とする、請求項3に記載の白光LEDパッケージ構造。
- 前記前記レアーの寸法は前記フリップチップボンディング層の貫通孔よりも大きいことを特徴とする、請求項3に記載の白光LEDパッケージ構造。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW094137969A TW200717857A (en) | 2005-10-28 | 2005-10-28 | Packaging structure for a white light LED |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007123885A true JP2007123885A (ja) | 2007-05-17 |
Family
ID=37995095
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006288472A Pending JP2007123885A (ja) | 2005-10-28 | 2006-10-24 | 白光ledパッケージ構造 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20070096140A1 (ja) |
JP (1) | JP2007123885A (ja) |
TW (1) | TW200717857A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010153761A (ja) * | 2008-11-19 | 2010-07-08 | Rohm Co Ltd | Led照明装置 |
JP4926303B1 (ja) * | 2010-12-27 | 2012-05-09 | パナソニック株式会社 | 発光装置およびランプ |
WO2012090350A1 (ja) * | 2010-12-27 | 2012-07-05 | パナソニック株式会社 | 発光装置およびランプ |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2017897A1 (en) * | 2007-07-16 | 2009-01-21 | ILED Photoelectronics Inc. | Package structure for a high-luminance light source |
TWI392124B (zh) * | 2009-06-03 | 2013-04-01 | Silitek Electronic Guangzhou | 一種發光二極體裝置及其封裝方法 |
CN101882615A (zh) * | 2010-07-12 | 2010-11-10 | 陕西科技大学 | 一种纳米粒子配光led |
TWM462822U (zh) * | 2013-04-09 | 2013-10-01 | Unity Opto Technology Co Ltd | 雙晶片發光二極體 |
CN106764561A (zh) * | 2016-12-27 | 2017-05-31 | 江苏稳润光电科技有限公司 | 一种基于倒装led芯片真空封装的一体式灯具及制作方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000174350A (ja) * | 1998-12-10 | 2000-06-23 | Toshiba Corp | 光半導体モジュール |
JP2001148514A (ja) * | 1999-11-18 | 2001-05-29 | Matsushita Electric Works Ltd | 照明光源 |
JP2005033194A (ja) * | 2003-06-20 | 2005-02-03 | Nichia Chem Ind Ltd | パッケージ成型体およびそれを用いた半導体装置 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4077170B2 (ja) * | 2000-09-21 | 2008-04-16 | シャープ株式会社 | 半導体発光装置 |
-
2005
- 2005-10-28 TW TW094137969A patent/TW200717857A/zh unknown
-
2006
- 2006-10-20 US US11/584,170 patent/US20070096140A1/en not_active Abandoned
- 2006-10-24 JP JP2006288472A patent/JP2007123885A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000174350A (ja) * | 1998-12-10 | 2000-06-23 | Toshiba Corp | 光半導体モジュール |
JP2001148514A (ja) * | 1999-11-18 | 2001-05-29 | Matsushita Electric Works Ltd | 照明光源 |
JP2005033194A (ja) * | 2003-06-20 | 2005-02-03 | Nichia Chem Ind Ltd | パッケージ成型体およびそれを用いた半導体装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010153761A (ja) * | 2008-11-19 | 2010-07-08 | Rohm Co Ltd | Led照明装置 |
JP4926303B1 (ja) * | 2010-12-27 | 2012-05-09 | パナソニック株式会社 | 発光装置およびランプ |
WO2012090350A1 (ja) * | 2010-12-27 | 2012-07-05 | パナソニック株式会社 | 発光装置およびランプ |
US8421111B2 (en) | 2010-12-27 | 2013-04-16 | Panasonic Corporation | Light-emitting device and lamp |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200717857A (en) | 2007-05-01 |
US20070096140A1 (en) | 2007-05-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
USRE48617E1 (en) | Package of light emitting diode and method for manufacturing the same | |
JP2007123885A (ja) | 白光ledパッケージ構造 | |
US9564567B2 (en) | Light emitting device package and method of fabricating the same | |
JP3768864B2 (ja) | 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法 | |
EP1900040B1 (en) | Light emitting diode and method of fabricating the same | |
US8952404B2 (en) | Light-emitting device package and method of manufacturing the light-emitting device package | |
JP6100778B2 (ja) | スロット内に形成される反射壁部を備えるled混合チャンバ | |
JP2012134531A (ja) | 発光装置 | |
KR100976607B1 (ko) | 씨오엠(com) 형 발광다이오드 패키지, 이를 이용한 발광다이오드 모듈 및 그 제조방법 | |
KR20080010535A (ko) | 표면실장형 발광다이오드 소자 | |
JP2002252376A (ja) | 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法 | |
US20120194067A1 (en) | Led device | |
JP2008027999A (ja) | 発光装置の製造方法および発光装置 | |
TWI389294B (zh) | A package structure for manufacturing a light emitting diode chip which reduces the luminous efficiency of a phosphor due to high temperature and a method of manufacturing the same | |
EP2228843B1 (en) | Light emitting device package | |
CN103210508A (zh) | 发光装置及其制造方法 | |
JP2018032655A (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
EP1850399A1 (en) | Sealing structure for a white light emitting diode | |
JP2003168828A (ja) | 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法 | |
JP2015012203A (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
KR100609971B1 (ko) | 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법 | |
WO2016174892A1 (ja) | Ledパッケージ、発光装置およびledパッケージの製造方法 | |
CN110931626B (zh) | 一种提高黑白对比度并防止串光的cob显示屏及其作业方法 | |
KR20090073602A (ko) | 발광 소자 | |
JP2005026503A (ja) | 半導体発光装置およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091210 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100506 |