JP2007123856A - 映像感応装置とその製造方法および映像モジュール - Google Patents

映像感応装置とその製造方法および映像モジュール Download PDF

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Abstract

【課題】入射主光角の変異によりもたらされた輝度差及び入射主光角変位の課題によりもたらされた光学混線効果を解除すると共に、感光素子分布の不均一の問題を解決可能な映像感装置を提供する。
【解決手段】入射角を調整するミクロプリズムと、集光効率を増加するミクロレンズと、光線を受入れて光電変換を行う感光器と、光電を信号に変換して信号処理を行うＩＣ積み重ね層とを備えてなる。この種の映像感応装置の構造は集積回路製造プロセス及び集積光学製造プロセスを利用して製造される。
【選択図】図７

Description

本発明は微小電子の光学製品に関し、特に、微小電子の映像感応装置の構造及びその積み重ね方法に関する。
光電製品の日進月歩にともない、映像感応器に対する需求が不断に増加した。目前、一般の映像感応器はＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ：電荷結合素子）映像感応器とＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ Ｍｅｔａｌ−Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｏｎｄｕｃｔｏｒ：相補型モス）映像感応器との二大類型に分けられる。
映像感応器は映像の光線変化を記録し、さらに光線を電子信号に転化して、処理チップにより記録及び解読された後、新たに映像に還元して出力、再現又は貯蔵する。該映像感応器は数多い複数の感光素子により組成され、該感光素子は通常ＣＣＤまたはＣＭＯＳにより形成されている。
ＣＣＤは細密に配列したＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ：金属酸化物半導体）電容アレイであって、Ｈｏｌｅを利用して電子を捕獲する。その製作方式は先ずＮ型（Ｐ型も可）雑種レス単結晶珪素片上に二酸化珪素層を構成した後、さらに該二酸化珪素上方に一層の光子ふく射を受けるＰＮ型ＭＯＳ電容構造を構成し、このＭＯＳ電荷構造は光電ダイオードと同様に光線を電子信号に変換する働きをする。該ＭＯＳ電容アレイ周辺に絶縁層及び信号伝送回路を配置し、最後細密に単結晶珪素片上に分布するＣＣＤ素子を形成した後電源配置を加入して、集積回路製造プロセスにより整備すると、ＣＣＤ感光素子が完成される。
ＣＭＯＳは光束変化を記録できる半導体であり、その主たる材質はシリコン（Ｓｉ）及びゲルマニウム（Ｇｅ）の２種の元素であって、それをＣＭＯＳ上に共存させるＮ級（陰電気をおびる）及びＰ級（陽電気をおびる）の半導体である。この二つの半導体は相補効能で発生した電流により、処理チップにより記録及び解読された後、新たに映像の方式で出現又は出力する。ＣＣＤとＣＭＯＳとの唯一の区別は、ＣＣＤが半導体単シリコン結晶材料上に形成され、そしてＣＭＯＳが金属酸化物の半導体材料上に形成されていることである。しかし、両者の工作原理は基本上同一である。
映像感応器に彩色映像を感応且つ出力させ得るために、基本上該映像感応器は光電変換を進行できる半導体素子を備える他に、複数のカラー・フィルタを具備しなければならず、通常アレイの形式で存在している。カラー・フィルタ・アレイは通常両三原色組（ｔｈｒｅｅ−ｃｏｌｏｒ ｐｒｉｍａｒｙ ｃｏｎｆｉｇｕｒａｔｉｏｎ）の中の一組が選択され、従来では赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）により組成されたＲＧＢカラー・フィルタ・アレイ、又は黄（Ｙ）、赤（ｍａｇｅｎｔａ，Ｍ）、緑（ｃｙａｎ，Ｃ）により組成されたＹＭＣカラー・フィルタ・アレイが採用されている。
従来では、半導体感光素子はカラー・フィルタ・アレイの下方に配置され、そしてカラー・フィルタ・アレイの上方に複数のミクロレンズ（通常凸レンズ）が設置されており、凸レンズの集光特性を利用して、入射光線を収束、フォーカスすると共に半導体感光素子に投射することにより、該複数のミクロレンズが光線を集光縮小して面積がより小さい光センサ上に投射し、映像感応器全体の感光度を増加する。従って従来の映像感応器はＣＣＤ半導体感光素子またはＣＭＯＳ半導体感光素子のいずれかを採用しても、その全体構造は光線入射方向によって配列すると、概略複数のミクロレンズ、カラー・フィルタ・アレイ及び半導体感光素子を包含する三つの部分に分けられる。
以下、従来のＣＭＯＳ映像感応器を紹介する。図１はＣＭＯＳ感光素子の従来構造見取り図である。この図におけるＣＭＯＳ感光素子は基層１１と、第１の感光ダイオード１２ａと、第２の感光ダイオード１２ｂと、第３の感光ダイオード１２ｃと、金属不透光層１３と、第１のカラー・フィルタ層１４ａと、第２のカラー・フィルタ層１４ｂと、第３のカラー・フィルタ層１４ｃと、ミクロレンズ層１５と、光束１６とを備えてなる。その中、第１のカラー・フィルタ層１４ａは通常緑光線をろ過するのに用いられ、第２のカラー・フィルタ１４ｂは赤光線をろ過するのに用いられ、第３のカラー・フィルタ層１４ｃは通常青光線をろ過するのに用いられている。
通常一つの感光素子は画素（ｐｉｘｅｌ）と称され、それがＣＣＤ又はＣＭＯＳ材質であるか否かを問わず、数多い複数の画素により映像感応器が構成され、即ち、一個の映像感応器は１００万個にのぼる画像から構成されている。映像感応器について言えば、その含む画素の多寡により該映像感応器の結像品質に対して重大な影響がある。ＣＣＤ型の映像感応器については、各欄（ｃｏｌｕｍｎ）毎における各画素に生ずる電子信号は順に緩衝器（ｂｕｆｆｅｒ）中に伝送した後、さらにＣＣＤ傍に位置するＡＤＣ（Ａｎａｌｏｇ ｔｏ Ｄｉｇｉｔａｌ Ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ）変換器に出力して電子信号の増幅及びディジタル信号への変換を進行し、最後処理チップに伝送する。しかしながら、ＣＭＯＳ型の映像感応器については、各画素傍は直接ＡＤＣ変換器に接続しており、各画素に生じた電子信号を直接増幅してディジタル信号に変換し、処理チップに伝送して解読した後映像を形成する。したがって、ＣＣＤ型の映像感応器とＣＭＯＳ型の映像感応器との構造における最大の差異はＡＤＣ変換器の位置及び数量である。
次に、図２はＣＭＯＳ映像感応器部分の画素構造見取り図であり、ＣＭＯＳ感光素子とＡＤＣ変換器とが画素を構成する。図２におけるＣＭＯＳ映像感応器２０は複数画素２１と、ＣＭＯＳ映像感光素子２２と、ＡＤＣ変換器とを備えてなる。該ＣＭＯＳ型の映像感応器において、各画素わきは直接ＡＤＣ変換器に接続しており、各画素に生じた電子信号を直接増幅してディジタル信号に変換し、処理チップに伝送して解読した後映像を形成する。
しかしながら、上記いかなる映像感応器を採用しても、光学混線効果により形成された光の干渉は従来から長い間映像感応器の研究開発者がずっと力を尽して解決を求めてきた難題であった。光学混線効果とは、光束がある画素のミクロレンズに入射した時、該光束角度が該ミクロレンズの法線から離れると、その入射角が過大なために、該光束が隣り合った画素の感応ダイオードに吸収されて光学上の干渉を生ずる現象を指していう。
次に、図３は光学混線効果見取り図である。図３において従来の映像感応器３０は第１のミクロレンズ３１ａと、第２のミクロレンズ３１ｂと、第３のミクロレンズ３１ｃと、第１のカラー・フィルタ３２ａと、第２のカラー・フィルタ３２ｂと、第３のカラー・フィルタ３２ｃと、ライト・シールド３３と、ＩＣ積み重ね層３４と、第１の感光ダイオード３５ａと、第２の感光ダイオード３５ｂと、第３の感光ダイオード３５ｃと、垂線３６と、第１の入射光線３７ａと、第２の入射光線３７ｂと、第１の入射角３８ａと、第２の入射角３８ｂとを備えてなる。その中、第１の入射角３８ａは第１の入射光線３７ａと垂線３６との夾角であり、第２の入射角３８ｂは第２の入射光線３７ｂと垂線３６との夾角である。
正常の無干渉状況において、第２のミクロレンズ３１ｂを経過した光束は第２の感光ダイオード３５ｂに吸収されることになっており、干渉状況は第２のミクロレンズ３１ｂを経過した光束が入射角過大のために、第２の感光ダイオード３５ｂと隣り合った感光ダイオードに吸収され、干渉を引起すこととなる。第１の入射光線３７ａにあっては、入射光線３７ａが第２のミクロレンズ３１ｂ、第２のカラー・フィルタ３２ｂ及びＩＣ積み重ね層３４を透過して第２の感光ダイオード３５ｂに吸収されることは、正常なる無干渉状況に属する。そして第２の入射光線３７ｂは入射角が過大、即ち第２の入射角３８ｂが第２の入射角３８ａよりも大きいために、第２の入射光線３７ｂが第２のミクロレンズ３１ｂ、第２のカラー・フィルタ３２ｂ及びＩＣ積み重ね層３４を透過した後、第１の感光ダイオード３５ａに変移して吸収されるのは干渉の発生状況に属し、光学混線効果と称されている。
輝度差は感光ダイオードに対して言い、当該感光ダイオードは不同角度からの光源を受入れ、即ち不同入射角の入射光線を受入れるのを必須とし、入射角が小さければ小さいほど、入射光線の該感光ダイオード上に形成された光圧は益々強くなり、これに対し、入射角が大きければ大きいほど、入射光線の該感光ダイオードに形成された光圧は益々弱くなり、光信号が電子信号に転ずると、光圧差は明暗の方式で現われ、光圧が強いところは輝度が比較的高く、光圧が弱いところは輝度が比較的弱く、この現象を輝度差という。
感光素子分布均一性とは画素アレイ間に対してそのＣＭＯＳ感光素子とＡＤＣ変換器との間の面積比及びその分布方式を指していう。図１１は感光素子均一偏心分布実例の伏視図であり、該均一偏心分布の部分は画素１１１アレイと、ＣＭＯＳ感光ダイオード素子１１２アレイと、ＡＤＣ変換器１１３アレイと、ミクロレンズ１１４アレイとを包含してなり、その中該感光素子分布の実例は現有の０．３５μｍ製造プロセス技術を採用し、感光ダイオード素子１１２とＡＤＣ変換器１１３との面積比は約４０％〜６０％である。この例において、ＣＭＯＳ感光ダイオード素子１１２は画素１１１の下方に位置しているので、それにマッチングして設計されたミクロレンズは図１１に示すように均一偏心分布してから、ミクロレンズにより集中した光線をダイオード上に導入することができ、０．３５μｍ製造プロセス技術においてＣＭＯＳ感光ダイオード素子は空間的な周期配列特性を有する。しかしながら、０．１３μｍ製造プロセスにおいて、面積比の維持及び信号変換性能の向上を求めるためには、ＡＤＣ変換器をつとめて一組中に分布する必要がある。図１２は感光素子の不均一分布実例の伏視図であり、該不均一偏心分布の部分は、画素１２１アレイと、ＣＭＯＳ感光ダイオード１２２アレイと、ＡＤＣ変換器１２３アレイと、ミクロレンズ１２４アレイとを包含してなる。その中、該感光素子分布実例は現有の０．１３μｍ製造プロセス技術を採用し、ＣＭＯＳ感光ダイオード素子１２２とＡＤＣ変換器１２３との面積比はやはり４０％〜６０％である。この例において、４個の画素１２１は一組の共用対を形成しているので、それにマッチングして設計されたミクロレンズは図１２に示すような不均一偏心分布とする必要があるが、ミクロレンズの重ね問題が発生している。
この光学混線効果、輝度差及び感光素子分布均一性に対して、各会社の映像感応器製造工場は、いずれも映像感応器により出力された映像品質を改善し光学性能を向上するよう力を尽して研究開発し、解決の道を求めている。したがって、本発明の前に、映像感応器の映像品質の改善に関する発明が二つあり、これを以下に説明する。
従来技術１：ＴＷ２００５２５７７３号の台湾発明特許
上記従来技術１の発明の目的は、チップ上の不同区域においてより均一な光エネルギーを得ることが可能な映像センサを提供することにある。該発明の他の目的は混線現象の発生を回避する映像センサを提供することにある。
上記目的を達成するために、上記発明の第１の実施例において映像センサが設計され、その中ミクロレンズ層はそれぞれ複数の計測区に対応する複数個のミクロレンズを包含してなり、そして該ミクロレンズのサイズはミクロレンズからチップ中心に至る距離の関数であり、且つ、ミクロレンズのサイズはミクロレンズチップ中心に至る距離の増加につれて増加するので、ミクロレンズのサイズの不同を利用して不同区域の入射光線の不均一の問題を解決している。
また、上記目的を達成するために、上記発明の第２の実施例において映像センサが設計され、その中、ミクロレンズ層はそれぞれ複数の計測区に対応する複数個のミクロレンズを包含してなり、そしてミクロレンズ中心から、対応計測区中心に至る距離は対応計測区例えば光ダイオードからチップ中心に至る距離の関数であり、即ちミクロレンズからチップ中心に至る距離の増加につれてミクロレンズがチップ中心に向って移動する。ミクロレンズが移動すると、対応のカラー・フィルタ素子はこれにつれて移動し、入射光線が隣り合うカラー・フィルタ素子を通過しないよう確保することにより、入射光線の不均一の問題を改善することができる。
第２の実施例は１２８４×１０２８画素を具備した計測チップである。各画素の幅は４ミクロメータ、チップ中心から最も遠く離れているエッジ区域ではそのレンズは２．１ミクロメータ移動するのを要し、レンズからチップ中心に至る中心距離の遠近により、画素を３１個族群に区分する。１はチップ中心地点に位置する画素群を代表し、族群３１はチップ中心から最も遠く離れたところの画素群を代表する。
図４は第２の実施例において前三族群１，２，３におけるミクロレンズ・カラーフィルタ素子及び感光素子の修飾前及び修飾後の配列図である。図４において映像センサ４１はミクロレンズ４２と、カラー・フィルタ素子４３と、ＩＣ積み重ね層４４と、計測区４５と、ベース４６と、修飾後Ａと、修飾前Ｂと、各ミクロレンズ中心ｅと、その対応計測区中心ｆとを備えてなる。
族群１Ａにおいて、チップ中心地点に位置しているので、ミクロレンズ４２と、カラー・フィルタ素子４３と、計測区４３とはいずれも同一位置を維持している。族群２Ａにおいて、ミクロレンズ４２及びカラー・フィルタ素子４３は０．０７メーターの距離でチップ中心に向って移動する。ミクロレンズ４２の中心ｅと対応する計測区４５との距離は０．０７ミクロメータである。この規則でその族群のシフト状況を類推すれば、入射光線の不均一な問題を改善することができるが、光学混線効果によりもたらされた光の干渉を改善することができない。
従来の技術２：ＵＳ６８０３２５０号のアメリカ発明特許
上記従来の技術２の特徴は、従来の映像感応器において、ミクロレンズ及び光感応区に凹面レンズ層を嵌入して該映像感応器の光学性能を向上することにある。
図５は上記従来の技術２の発明代表図である。図５における映像感応器５０は基層５１と、光感応区５２と、第１の誘電体層５３と、第１の導体層５４ａと、第１の導体層５４ｂと、第２の誘電体層５５と、第２の導体層５６ａと、第２の導体層５６ｂと、第１の隙間５７と、カラー・フィルタ層５８と、第２の隙間５９と、ミクロレンズ５１０とを備えてなる。
図５において、基層５１は従来の半導体基層である。光感応区５２は従来の感光ダイオードであり、基層５１に嵌め込まれている。第１の誘電体層５３には一対の第１の導体層５４ａ，５４ｂが嵌み込まれてある。第２の誘電体層５５は第１の誘電体層５３の上に位置している。第１の誘電体層５３及び第２の誘電体層５５は透光可能な非導体材料により形成され、入射光束の屈折角を改変することに用いられる。第１の誘電体層５３及び第２の誘電体層５５は酸化珪素、窒化珪素又は窒素酸化珪素により形成される。第１誘電体層５３は凹レンズと同様な効果を有する。上記発明は主として第１の誘電体層５３及び第２の誘電体層５５を利用して入射光束の屈折角を改変することにあるが、完全に光学混線効果及び基度差を消除することができない。
したがって、一般に従来の映像感応器はいかなる策略を採用しても、いずれも同時に光学混線効果及び輝度差を解除できないことから、目前市場の映像感応器は、なお非常に大きな改善空間を有している。
本出願人は従来の技術中に存在している欠失にかんがみ、鋭意試験と研究を重ねた結果、ついに、本出願の「映像感応装置及びその製造方法」を案出した。これにより上記映像感応の従来の欠点を克服できることとなった。
本出願人は反復思考後、ついに新規な映像感応装置を設計した。即ち、ミクロプリズムを利用して、比較的大きな角度の入射角を比較的小さな角度の入射角に修整することにより、入射主光角の変位によりもたらした輝度差（shading）及び入射主光角変位の過大によりもたらした光学混線（optical crosstalk）効果を消除すると共に、感光素子分布の不均一の問題を解決することが可能な映像感応装置を提供するのを主旨とする。この種の映像感応装置は大幅に光学性能を向上することができる。また、この種の映像感応装置の構造は集積回路製造プロセス及び基体光学製造プロセスを利用して構成される。
本発明のアイディアに基づいて、入射角を有する入射光線を受入れる映像感応装置であって、入射光線を映像に還元する映像感応器と、該入射光線の該入射角を修整するミクロプリズムとを備えてなる。
上記本発明により提供される映像感応装置において、該映像感応器は、該入射光線を集中して集光効率を増加するミクロレンズと、該入射光線を受入れて光電変換を行う感光器と、光電を信号に変換して信号処理を行うＩＣ積み重ね層とを備えてなる。
また、上記本発明により提供される映像感応装置において、該ミクロプリズムは比較的大きな角度を有する該入射光線の該入射角を、比較的小さな角度の入射角に修正する。
また、上記本発明により提供される映像感応装置において、該ミクロプリズムは誘電体材料又は高分子材料である。
また、上記本発明により提供される映像感応装置において、該ミクロプリズムの幅は約数ミクロメータ（μｍ）であり、この量級の大きさは該感光器と同一量級である。
好ましくは、本発明により提供される映像感応装置は更に、ミクロレンズ及びミクロプリズムを隔離して比較的よい折光効果を発生する中間層を備えてなる。
本発明により提供される映像感応装置において、該中間層は酸化珪素（ＳｉＯ2 ）、窒化珪素（Ｓｉ2 Ｎ3 ）、窒素酸化珪素及び高分子材料の中の一つである。
また、本発明により提供される映像感応装置において、該中間層は複数の隙間層を備える。
また、本発明により提供される映像感応装置において、該中間層はカラー・フィルタを備える。
また、本発明により提供される映像感応装置において、その配列組合方式は、光線の入射方向に従って、該ＩＣ積み重ね層は該感光器の上層に位置し、該ミクロレンズは該ＩＣ積み重ね層の上層に位置し、該ミクロプリズムは該ミクロレンズの上層に位置するように配列される。
また、本発明により提供される映像感応装置において、その配列組合方式は、光線の入射方向にしたがって、該ＩＣ積み重ね層は該感光器の上層に位置し、該ミクロプリズムは該ＩＣ積み重ね層の上層に位置し、該中間層は該ミクロプリズムの上層に位置し、該ミクロレンズは該中間層の上層に位置するように配列される。
また、本発明により提供される映像感応装置において、その配列組合方式は、光線の入射方向に従って、該ＩＣ積み重ね層は該感光器の上層に位置し、該ミクロレンズは該ＩＣ積み重ね層の上層に位置し、該中間層は該ミクロレンズの上層に位置し、該ミクロプリズムは該中間層の上層に位置するように配列される。
また、本発明により提供される映像感応装置は、効果的に輝度差（shading）及び光学混線（optical crosstalk）効果を低減することを特徴とする。
本発明のアイディアにより提出される映像感応装置の製造方法は、基層を提供するステップと、集積回路の製造プロセスで感光器を製造するステップと、集積光学製造プロセスでＩＣ積み重ね層を製造するステップと、集積光学製造プロセスでミクロレンズを製造するステップと、集積光学製造プロセスでミクロプリズムを製造するステップと、を備えてなる。
また本発明のアイディアにより提出される映像感応装置の製造方法は、基層を提供するステップと、集積回路製造プロセスで感光器を製造するステップと、集積回路製造プロセスでＩＣ積み重ね層を製造するステップと、集積光学製造プロセスでミクロプリズムを製造するステップと、集積光学製造プロセスで中間層を製造するステップと、集積光学製造プロセスでミクロレンズを製造するステップと、を備えてなる。
また、本発明により提出される映像感応装置の製造方法は、基層を提供するステップと、集積回路製造プロセスで感光器を製造するステップと、集積回路製造プロセスでＩＣ積み重ね層を製造するステップと、集積光学製造プロセスでミクロレンズを製造するステップと、集積光学製造プロセスで中間層を製造するステップと、集積光学製造プロセスでミクロプリズムを製造するステップと、を備えてなる。
好ましくは、本発明により提供される映像感応装置において、該基層は半導体基層である。
また、本発明により提供される映像感応装置において、該ミクロプリズムは不透光の誘電体材料に形成されてなる。
また、本発明により提供される映像感応装置において、該ミクロプリズムはグレイ・スケール・マスク製造プロセス、フォトレジスト層製造プロセス及び蝕刻製造プロセスの中の一つを利用して製造される。
また、本発明により提供される映像感応装置において、該中間層はプラズマ補助化学気層沈積（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition：ＰＥＣＶＤ）製造プロセスを利用して、酸化珪素（ＳｉＯ2 ）、窒化珪素（Ｓｉ2 Ｎ3 ）、及び窒素酸化珪素の中の一つを沈積して形成される。
また、本発明により提供される映像感応装置において、該中間層は高分子材料により形成される。
また、本発明により提供される映像感応装置において、該中間層は隙間により形成される。
本発明は以下の実施例の説明により、上記発明の内容をより具体的に理解することができる。
実施の原理
映像感応装置において、各画素毎にミクロプリズムを配置し、光束が不同媒質を透過した際に屈折を発生する自然法則を応用して、光束の進行方向を調整して原来比較的大きい主光角（chief ray angle）を比較的小さい主光角に修整することにより効果的に画素間の光学混線効果を低減する。
図６は本発明がミクロプリズムを利用して主光角を修整する原理見取り図である。図６において、６１は媒質、６２はミクロプリズム、６３はプリズム傾斜角、６４は入射面、６４ａは入射面法線、６５は出射面（exit plan）、６５ａは出射面法線、６６ｘは第１の辺長、６６ｙは第２の辺長、６６ｚは第３の辺長、６７ａは入射光束、６７ｂは出射光束、６８ａは第１の夾角、６８ｂは第２の夾角、６９ａは第１の主光角、６９ｂは第２の主光角、６１０は感光器である。
次に以下の複数個のパラメータを定義する。
α：ミクロプリズム６２の入射面６４と水平線との間の夾角、即ちプリズム傾斜角６３である。
φ1 ：出射光束６７ｂと水平線との間の夾角、即ち第１の主光角６９ａである。
φ2 ：出射光束６７ｂと水平線との間の夾角、即ち第２の主光角６９ｂである。
θ1 ：入射光束６７ａと入射面法線６４ａとの間の夾角、即ち第１の夾角６８ａである。
θ2 ：出射光束６７ｂと入射面法線６４ａとの間の夾角、即ち第２の夾角６８ｂである。
ｎ1 ：媒質６１の第１の屈折率。
ｎ2 ：ミクロプリズム６２の第２の屈折率。
ａ：第１の辺長６６ｘ。
ｂ：第２の辺長６６ｙ。
ｐ：第３の辺長６６ｚ。
該複数個パラメータの互いの間に以下の関係がある。
α＝ｔａｎ-1［ｂ−ａ／ｐ］ 第１式
θ1 ＝α＋φ1 第２式（ａ）
θ2 ＝α＋φ2 第２式（ｂ）
該複数個パラメータは必定スネル定律（Snell’s low）を満足する。この定律は光束が不同光束を透過した時に、光束進行方向の改変は不同媒質が有する不同屈折率に応じて改変することを説明する。該定律は自然法則の必然結果であり、即ち
α＝ｔａｎ-1［ｂ−ａ／ｐ］ 第３式
第２式（ａ），（ｂ）を第３式に入れると
α＝ｔａｎ-1［ｂ−ａ／ｐ］ 第４式
第４式を展開すると
α＝ｔａｎ-1［ｂ−ａ／ｐ］ 第５式
通常、ミクロプリズム６２は透光可能な媒質材料にて製作され且つ媒質６１は空気または低屈折率材料であるので、ｎ2 ＜ｎ1 、そして光束の進行がスネル定律たる自然法則に従うと、θ2 ＜θ１ 、φ2 ＜φ１ となり、ミクロプリズム６２を通して調整した後の光束は第２の主光角６９ｂが第１の主光角６９ａよりも小さいのを、比較的大きい主光角を比較的小さい主光角に修整することができる。したがって、効果的に輝度差及び光学混線（optical crosstalk）効果を低減することができる。
本発明は各類型の映像感応装置に適用され、通常、この類型の映像感応装置のサイズは大きくないので、本発明のミクロプリズム６２の第３の辺長６６ｚ、即ちミクロプリズム６２の幅は約ミクロメータ（μｍ，μ＝１０-6）量級のサイズである。
したがって、適当にミクロプリズムを運用して主光角の能力を修整すると、効果的に光学混線効果、輝度差、及びそれによりもたらしてきた光の干渉を消除することができる。
実施例１
図７（ａ）は実施例１にミクロプリズムを配置していない場合の光学混線効果の見取り図である。図７（ｂ）は実施例１にミクロプリズムを配置して主光角を修整する場合の見取り図である。図７（ａ）及び図７（ｂ）において、７０は基層、７１は感光器、７２はＩＣ積み重ね層、７３は中間層、７４はミクロレンズ、７５はミクロプリズム、７６は小角度（例えば０°）の主光角、７７は大角度（例えば２０°）の主光角、７８ａは第１の辺長、７８ｂは第２の辺長である。
次に図７（ｂ）を参照しながら、以下の積み重ねステップで本発明の映像感応装置を製作する。先ず、集積回路製造プロセスで基層７０を製造し、更に集積回路製造プロセスで基層７０の上方に位置する感光器７１を製造し、更に集積回路製造プロセスで感光器７１の上方に位置するＩＣ積み重ね層７２を製造し、さらに集積回路製造プロセスでＩＣ積み重ね層７２上方に位置する中間層７３を製造し、さらに集積光学製造プロセスで中間層７３上方に位置するミクロレンズ７４を製造し、最後に集積光学製造プロセスでミクロレンズ７４上方に位置するミクロプリズム７５を製造する。
本実施例の場合、ミクロプリズム５５の第１の辺長及び第２の辺長を調整することにより、大角度（例えば２０°）の主光角７７を小角度（例えば０°）の主光角７６に修整して光学混線効果を低減する目的を達成する。本実施例１は軽易に目前いかなる類型の映像感応器の構造にも実施できる。
実施例２
図８（ａ）は実施例２中にミクロプリズムを配置していない場合の光学混線効果の見取り図である。図８（ｂ）は実施例２中にミクロプリズムを配置して主光角を修整する場合の見取り図である。図８（ａ）及び図８（ｂ）において、８０は基層、８１は感光器、８２はＩＣ積み重ね層、８３は中間層、８４はミクロプリズム、８５はミクロレンズ、８６は小角度（例えば０°）の主光角、８７は大角度（例えば２０°）の主光角、８８ａは第１の辺長、８８ｂは第２の辺長である。
次に図８（ｂ）を参照しながら、以下の積み重ねステップで本発明の映像感応装置を製作する。先ず、集積回路製造プロセスで感光器８１を製造し、次に集積回路製造プロセスで感光器８１上方に位置するＩＣ積み重ね層８２を製造し、次に集積回路製造プロセスでＩＣ積み重ね層８２上方に位置する中間層８３を製造し、次に集積光学製造プロセスで中間層８３上方に位置するミクロプリズム８４を製造し、次に集積光学製造プロセスでミクロプリズム８４上方に位置するミクロレンズ８５を製造する。その中ミクロプリズム、ミクロレンズ及び光感応器間は最適化に達し得るように偏心または非偏心分布に設計する。
本実施例の場合、ミクロプリズム８４の第１の辺長高度及び第２の辺長高度を調整することにより、大角度（例えば２０°）の主光角９７を小角度（例えば０°）の主光角９６に修整して光学混線効果を低減する目的を達成する。本実施例２は軽易に目前いかなる類型の映像感応器の構造にも実施できる。
実施例３
図９（ａ）は実施例３中にミクロプリズムを配置していない場合の光学混線効果の見取り図である。図９（ｂ）は実施例３中にミクロプリズムを配置して主光角を修整する場合の見取り図である。図９（ａ）及び図９（ｂ）において９０は基層、９１は感光器、９２はＩＣ積み重ね層、９３はミクロプリズム、９４は中間層、９５はミクロプリズム、９６は小角度（例えば０°）の主光角、９７は大角度（例えば２０°）の主光角、９８ａは第１の辺長、９８ｂは第２の辺長である。
次に図９（ｂ）を参照しながら以下の積み重ねステップで本発明の映像感応装置を製作する。先ず、集積回路製造プロセスで感応器９１を製造し、次に集積回路製造プロセスで感光器９１上方に位置するＩＣ積み重ね層９２を製造し、次に集積光学製造プロセスでＩＣ積み重ね層９２上方に位置するミクロプリズム９３を製造し、次に集積回路製造プロセスでミクロプリズム９３上方に位置する中間層９４を製造し、次に集積光学製造プロセスで中間層９４上方に位置するミクロレンズ９５を製造する。
本実施例の場合、ミクロプリズム９３の第１の辺長高度及び第２の辺長高度を調整することにより、大角度（例えば２０°）の主光角９７を小角度（例えば０°）の主光角９６に修整して光学混線効果を低減する目的を達成する。本実施例３は軽易に目前いかなる類型の映像感応器構造にも実施できる。
実施例４
図１０（ａ）は実施例４中にミクロプリズムを配置していない場合の光学混線効果の見取り図である。図１０（ｂ）は実施例４中にミクロプリズムを配置して主光角を修正する場合の見取り図である。図１０（ａ）及び図１０（ｂ）において、１００は基層、１０１は感光器、１０２はＩＣ積み重ね層、１０３はミクロレンズ、１０４は中間層、１０５はミクロプリズム、１０６は小角度（例えば０°）の主光角、１０７は大角度（例えば２０°）の主光角、１０８ａは第１の辺長、１０８ｂは第２の辺長である。
次に図１０（ｂ）を参照しながら以下の積み重ねステップで本発明の映像感応装置を製作する。先ず、集積回路製造プロセスで感光器１０１を製造し、次に集積回路製造プロセスで感光器１０１上方に位置するＩＣ積み重ね層１０２を製造し、次に集積光学製造プロセスでＩＣ積み重ね層１０２上方に位置する中間層１０４を製造し、次に集積回路製造プロセスで中間層１０４の被覆を受けたミクロレンズ１０３を製造し、次に集積光学製造プロセスで中間層１０４上方に位置するミクロプレズム１０５を製造する。
本実施例の場合、ミクロプリズム１０５の第１の辺長高度及び第２の辺長高度を調整することにより、大角度（例えば２０°）の主光角１０７を小角度（例えば０°）に修整して光学混線効果を低減する目的を達成する。本実施例４は軽易に目前のいかなる類型の映像感応器の構造にも実施できる。
上記４実施例において、基層７０，８０，９０，１００は従来の半導体基層を採用する。感光器７１，８１，９１，１０１を基層７０，８０，９０，１００に嵌め込み、光線を受け入れて光電変換を行うための感光ダイオードとする。感光器７１，８１，９１，１０１は多種の選択があり、その形態はある特定の従来の感光ダイオードに限らず、用途に合う光電変換素子であればいずれも採用可能である。ＩＣ積み重ね層７２，８２，９２，１０２は金属材料を積み重ねてなるもので、光電を信号に変換して信号処理を行うことに用いられる。ミクロレンズ７４，８５，９５，１０３は透光可能な誘電材料により製造され、凸レンズ型に属し、この凸レンズの集光効果を利用して入射光束を集中させ、集光効率を増加する。
その中、ミクロプリズム７５，８４，９３，１０５は入射角の修整に用いられる。ミクロプリズム７５，８４，９３，１０５の第１の辺長７８ａ，８８ａ，９８ａ，１０８ａ及び第２の辺長７８ｂ，８８ｂ，９８ｂ，１０８ｂは映像感応装置の位置に対応する画素の所在に応じて第１の辺長７８ａ，８８ａ，９８ａ，１０８ａと第２の辺長７８ｂ，８８ｂ，９８ｂ，１０８ｂが不同のサイズを有することにより入射角を修整する。ミクロプリズム７５，８４，９３，１０５はグレイ・スケール・マスク製造プロセス、フォトレジスト層製造プロセス及び蝕刻製造プロセスの中の一つを利用して、酸化珪素（ＳｉＯ2 ）、窒化珪素（Ｓｉ2 Ｎ3 ）又は窒素酸化珪素等の透光可能な誘電体材料により製造される。ミクロプリズム７５，８４，９３，１０５の材質は上記の材質に限らず、用途さえ合えばミクロプリズム７５，８４，９３，１０５の材質とすることができる。ミクロプリズム７５，８４，９３，１０５の特徴は効果的に輝度差（ｓｈａｄｉｎｇ）及び光学混線（ｏｐｔｉｃａｌ ｃｒｏｓｓｔａｌｋ）効果を低減することができる。
そして、中間層７３，８３，９４，１０４はプラズマ補助化学気相沈積（Ｐｌａｓｍａ Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＰＥＣＶＤ）製造プロセスを利用して、酸化珪素（酸化珪素（ＳｉＯ2 ）、窒化珪素（Ｓｉ2 Ｎ3 ）又は窒素酸化珪素等の透光可能な材質を沈積して形成される。中間層７３，８３，９４，１０４の材質は上記の材質に限らず、用途にさえ合えば中間層７３，８３，９４，１０４の材質とすることができる。中間層７３，８３，９４，１０４はまた高分子材料又は隙間により形成されることができる。中間層７３，８３，９４，１０４は複数のカラー・フィルタの配置又は光学効率の促進に用いられる。中間層７３，８３，９４，１０４は使用上の需要に応じて選択設置され、又は設置しなくても良い。本発明の実施は中間層の有無により限制されるものでない。
実施例５
図１３は実施例５中にミクロプリズムの映像センサを配置して結像レンズ組の映像モジュールとマッチングした測面図である。図１３の映像感応モジュール１３０は複数のミクロプリズム１３１と、複数のミクロレンズ１３２と、複数の感光器１３３と、レンズ結像鏡組１３４とを備えてなり、ＣＲＡ（ｃｈｉｅｆ ｒａｙ ａｎｇｌｅ）は各ミクロプリズムに対する入射角を指して言う。図１３におけるＣＭＯＳ映像感応装置においては、実施例４の実施方式を採用し、該ＣＭＯＳ映像感応装置に複数のミクロプリズムを配置して不同の入射角を修整している。該不同の入射角は複数のミクロプリズム１３１を通して修正した後、最適な角度である０度で複数の感光器１３３までに投射するので、映像感応モジュール１３０は大幅に感応器エッジの混線を低減すると共に、大幅に感応器エッジの輝度差特性を向上すると共に、大幅に感応器エッジの輝度差特性を向上することができる。したがって、映像感応モジュール１３０の各感応器１３３上にミクロプリズムを１３１を配置することにより、効果的にレンズ結像鏡組１３４によりもたらした主光角の大角度変化を消除できる。そしてレンズ結像鏡組によりもたらした主光角変化の効果をミクロプリズム１３１で効果的に消除できるので、このミクロプリズムをマッチングして設計された映像モジュール１３０は一歩進んでコンパクト・カメラ・モジュール（ＣＣＭ）に設計することができる。ミクロプリズムは図１３に示す離散式分布、つまり隣り合うミクロプリズム間に隙間を残す分布を採用、又は連続式分布、つまり隣り合うミクロプリズム間に隙間を残さない分布を採用することができる。
実施例６
図１４は実施例６中にミクロプリズムの映像センサを配置して結像レンズ組の映像モジュールとマッチングした伏視図である。図１４の映像感応モジュール１４０は複数の画素１４１アレイと、複数のミクロプリズム１４２アレイと、複数のミクロレンズ１４３アレイと、複数の感応器１４４アレイとを備えてなる。この図１４において、映像感応モジュール１４０は複数のミクロプリズム１４０アレイを配置して、不同の入射光線を修整し、不均一に偏心した複数感光器１４４アレイ上に投射する。達成された映像感応器は未来画素が縮小した時に不均一に偏心する問題を解決することができる。
実施例７
図１５Ａ及び図１５Ｂは本発明に替る。前記ミクロプリズム構造のミクロ回折格子の伏視図及び断面図である。これら図に示すように、ミクロ回折格子１６３は特定区域上に規則的に重複したミクロ構造配列を製作して有効ミクロプリズム（Ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ Ｍｉｃｒｏ Ｐｒｉｓｍ）構造としたもので、これにより入射光線主光角を調整する目的を達成する。また、図１５Ｃは本発明において有効ミクロプリズム構造１６３を配置した映像感応モジュール１６０の第７具体実施例である。この図に示すように、映像感応モジュール１６０に入射した入射光線１６２の主光角は有効ミクロプリズム構造１６３の作用を通して角度調整の効果を生じることが出来る。有効ミクロプリズム構造１６３の、映像感応モジュール中における配置は前記各実施例中のミクロプリズム構造の配置方式と全く同一である。他に、図１５Ｄに示される、本設計の他の比較的好適な実施例において、ミクロ回折格子１６３は同時に複数の感光器１６１（ａ）及び１６１（ｂ）上に配置して同様に主光角を調整できる。
要するに、この種の映像感応装置を使用して光束方向を修整し、入射主光角のシフトによりもたらした輝度差、及び入射主光角のシフトが過大なためにもたらした光学混線効果を消除することができ、さらには効果的に映像感応器により出力された映像品質を改善し、光学性能を向上して未来光感応器の不均一偏心の問題を解決することができる。
上記諸実施例は本発明の技術的手段をより具体的に理解できるように挙げたものであるが、本発明の技術的思想は決してこれに限定されず、添付クレームの範囲を逸脱しない限り当業者による単純な設計変更、付加、修飾、置き換等はいずれも本発明の技術的範囲に属する。
複数個のＣＭＯＳ感光素子の従来構造の見取り図である。 ＣＭＯＳ映像感応器の画素構造見取り図である。 光学混線効果見取り図である。 従来の技術１の発明代表図である。 従来の技術２の発明代表図である。 本発明の、ミクロプリズムを利用して主光角を修整する原理見取り図である。 （ａ）は実施例１中にミクロプリズムを配置していない場合の光学混線効果見取り図である。（ｂ）は実施例１中にミクロプリズムを配置して主光角を修整する場合の見取り図である。 （ａ）は実施例２中にミクロプリズムを配置していない場合の光学混線効果見取り図である。（ｂ）は実施例２中にミクロプリズムを配置して主光角を修整する場合の見取り図である。 （ａ）は実施例３中にミクロプリズムを配置していない場合の光学混線効果見取り図である。（ｂ）は実施例３中にミクロプリズムを配置して主光角を修整する場合の見取り図である。 （ａ）は実施例４中にミクロプリズムを配置していない場合の光学混線効果見取り図である。（ｂ）は実施例４中にミクロプリズムを配置して主光角を修整する場合の見取り図である。 感光素子の均一偏心分布の実例伏視図である。 感光素子の不均一偏心分布の実例伏視図である。 実施例５中にミクロプリズムの映像センサを配置して結像レンズ組の映像モジュールとマッチングした場合の側面図である。 実施例６中にミクロプリズムの映像センサを配置して結像レンズ組の映像モジュールとマッチングした場合の伏視図である。 本発明の有効ミクロプリズムのミクロ回折格子構造の伏視図である。 本発明の有効ミクロプリズムのミクロ回折格子構造の断面図である。 実施例７においてミクロ回折格子を配置して有効ミクロプリズムとした映像センサモジュールの見取り図である。 実施例７においてミクロ回折格子を配置して有効ミクロプリズムとした映像センサモジュールの見取り図である。
符号の説明
１０ ＣＭＯＳ感光素子、 １１ 基層、 １２ａ 第１の感光ダイオード、 １２ｂ 第２の感光ダイオード、 １２ｃ 第３の感光ダイオード、 １３ 金属不透光層、 １４ａ 第１のカラー・フィルタ、 １４ｂ 第２のカラー・フィルタ、 １４ｃ 第３のカラー・フィルタ、 １５ ミクロレンズ層、 １６ 光束、 ２０ ＣＭＯＳ映像感応器、 ２１ 複数画素、 ２２ ＣＭＯＳ感光素子、 ２３ ＡＤＣ変換器、 ３０ 従来の映像感応器の部分、 ３１ａ 第１のミクロレンズ、 ３１ｂ 第２のミクロレンズ、 ３１ｃ 第３のミクロレンズ、 ３２ａ 第１のカラー・フィルタ、 ３２ｂ 第２のカラー・フィルタ、 ３２ｃ 第３のカラー・フィルタ、 ３３ ライト・シールド、 ３４ ＩＣ積み重ね層、 ３５ａ 第１の感光ダイオード、 ３５ｂ 第２の感光ダイオード、 ３５ｃ 第３の感光ダイオード、 ３６ 垂線、 ３７ａ 第１の入射光線、 ３７ｂ 第２の入射光線、 ３８ａ 第１の入射角、 ３８ｂ 第２の入射角、 ４１ 映像センサの部分、 ４２ ミクロレンズ、 ４３ カラー・フィルタ素子、 ４４ ＩＣ積み重ね層、 ４５ 計測図、 ４６ ベース、 ５０ 映像感応器の部分、 ５１ 基層、 ５２ 光感応器、 ５３ 第１の誘電体層、 ５４ａ 第１の導体層、 ５４ｂ 第１の導体層、 ５５ 第２の誘電体層、 ５６ａ 第２の導体層、 ５６ｂ 第２の導体層、 ５７ 第１の隙間、 ５８ カラー・フィルタ、 ５９ 第２の隙間、 ５１０ ミクロレンズ、 ６１ 媒質、 ６２ ミクロプリズム、 ６３ プリズム傾斜角、 ６４ 入射面、 ６４ａ 入射面法線、 ６５ 出射面、 ６５ａ 出射面法線、 ６６ｘ 第１の辺長、 ６６ｙ 第２の辺長、 ６６ｚ 第３の辺長、 ６７ａ 入射光束、 ６７ｂ 出射光束、 ６８ａ 第１の夾角、 ６８ｂ 第２の夾角、 ６９ａ 第１の主光角、 ６９ｂ 第２の主光角、 ６１０ 感光層、 ７０ 基層、 ７１ 感光器、 ７２ ＩＣ積み重ね層、 ７３ 中間層、 ７４ ミクロレンズ、 ７５ ミクロプリズム、 ７６ 小角度主光角、 ７７ 大角度主光角、 ７８ａ 第１の辺長、 ７８ｂ 第２の辺長、 ８０ 基層、 ８１ 感光器、 ８２ ＩＣ積み重ね層、 ８３ 中間層、 ８４ ミクロレンズ、 ８５ ミクロプリズム、 ８６ 小角度主光角、 ８７ 大角度主光角、 ８８ａ 第１の辺長、 ８８ｂ 第２の辺長、 ９０ 基層、 １０１ 感光器、 １０２ ＩＣ積み重ね層、 １０３ 中間層、 １０４ ミクロレンズ、 １０５ ミクロプリズム、 １０６ 小角度主光角、 １０７ 大角度主光角、 １０８ａ 第１の辺長、 １０８ｂ 第２の辺長、 １１１ 画素、 １１２ ＣＭＯＳ感光ダイオード、 １１３ ＡＤＣ変換器、 １１４ ミクロレンズ、 １２１ 画素、 １２２ ＣＭＯＳ感光ダイオード素子、 １２３ ＡＤＣ変換器、 １２４ ミクロレンズ、 １３１ 複数のミクロプリズム、 １３２ 複数のミクロレンズ、 １３３ 複数の感光器、 １３４ レンズ結像鏡組、 １４１ 複数の画素、 １４２ 複数のミクロプリズム、 １４３ 複数のミクロレンズ、 １４４ 複数の感光器、 １６０ 映像感応モジュール、 １６１ 感光素子、 １６２ 入射光線、 １６３ 有効ミクロプリズム構造

Claims (13)

  1. 入射光を受入れる映像感応装置であって、
    入射角を修整するミクロプリズムと、
    集光用のミクロレンズと、
    光電を信号に変換して信号処理を行うＩＣ積み重ね層と、
    光信号を受信して光電変換を行う感光器と、
    を備えてなる映像感応装置。
  2. 前記ミクロプリズムは比較的大きい角度を有する前記入射光線の入射角を比較的小さい角度に修整し、
    前記ミクロプリズムは媒質材料又は高分子材料であり、及び／又は
    前記ミクロプリズムの幅は約数ミクロメーター（μｍ、その中μ＝１０-6）であり、このような量級の大きさは前記感光品と同一量級である、
    請求項１記載の映像感応装置。
  3. 前記ミクロレンズ及び前記ミクロプリズムを隔離して比較的良好な折光効果を生ずる中間層を備え、その中：
    前記中間層は酸化珪素（ＳｉＯ2 ）、窒化珪素（Ｓｉ2 Ｎ3 ）、窒素酸化珪素（ＳｉＯＮ）及び高分子材料の中の一つであり、
    前記中間層は複数の隙間層を備え、
    前記中間層は複数のカラー・フィルタを備え、
    前記装置の配列方式は光線入射方向に従って配列し、即ち：
    前記ミクロレンズは前記中間層上層に位置し、
    前記中間層は前記ミクロプリズム層上層に位置し、
    前記ミクロプリズムはＩＣ積み重ね層上層に位置し、
    前記ＩＣ積み重ね層は前記感光器上層に位置する、
    請求項１記載の映像感応装置。
  4. 前記ミクロプリズム、前記ミクロレンズ及び前記感光器三者の間は光線入射方向において非偏心分布を採用し、又は
    前記ミクロプリズム、前記ミクロレンズ及び前記感光器三者の間は光線入射方向において偏心分布を採用し、そしてこの偏心分布は規則偏心分布と非偏心分布とを備える、
    請求項１記載の映像感応装置。
  5. 前記配列組合方式は光線入射方向に従って配列組合せられ、即ち
    前記ミクロプリズムは前記ミクロレンズ上層に位置し、
    前記ミクロレンズは前記ＩＣ積み重ね上層に位置し、
    前記ＩＣ積み重ね層上層は前記感光器上層に位置し；
    前記映像感応装置の特徴は前記ミクロプリズムがミクロ回折格子構造により構成された有効ミクロプリズムであることにある、
    請求項１記載の映像感応装置。
  6. 基層を提供するステップと、
    前記基層上において集積回路製造プロセスで感光器を製造するステップと、
    前記感光器上において集積回路製造プロセスでＩＣ積み重ね層を製造するステップと、
    前記ＩＣ積み重ね層上において集積光学製造プロセスでミクロレンズを製造するステップと、
    前記ミクロレンズ上において集積光学製造プロセスでミクロプリズムを製造するステップと、
    を備えてなる映像感応装置の製造方法。
  7. 基層を提供するステップと、
    前記基層上において集積回路製造プロセスで感光器を製造するステップと、
    前記感光器上において集積回路製造プロセスでＩＣ積み重ね層を製造するステップと、
    前記ＩＣ積み重ね層上において集積光学製造プロセスでミクロプリズムを製造するステップと、
    前記ミクロプリズム上において集積光学製造プロセスで中間層を製造するステップと、
    前記中間層上において集積光学製造プロセスでミクロレンズを製造するステップと、
    を備えてなる映像感応装置の製造方法。
  8. 基層を提供するステップと、
    前記基層上において集積回路製造プロセスで感光器を製造するステップと、
    前記感光器上において集積回路製造プロセスでＩＣ積み重ね層を製造するステップと、
    前記ＩＣ積み重ね層上において集積光学製造プロセスでミクロレンズを製造するステップと、
    前記ミクロレンズ上において集積光学製造プロセスで中間層を製造するステップと、
    前記中間層上において集積光学製造プロセスでミクロプリズムを製造するステップと、
    を備えてなる映像感応装置の製造方法。
  9. 前記基層は半導体基層であり、
    前記ミクロプリズムはグレイ・スケール・マスク製造プロセス、フォトレジスト層製造プロセス及び蝕刻製造プロセスを利用して製造される、
    請求項６ないし８のいずれか１項に記載の製造方法。
  10. 前記ミクロプリズムは透光のミクロ回折格子構造及び／又は誘電体材料により形成される請求項６ないし８のいずれか１項に記載の製造方法。
  11. 前記中間層はプラズマ補助化学気相沈積（Ｐｌａｓｍａ Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）製造プロセスで、酸化珪素（ＳｉＯ2 ）、窒化珪素（Ｓｉ2 Ｎ3 ）及び窒素酸化珪素の中の一つを沈積して形成され、又は
    前記中間層は高分子材料により形成される、
    請求項７または８記載の製造方法。
  12. 物の空間映像を像の空間映像に変換する結像レンズ組と、
    像空間映像の光信号を電気信号に変換する映像感応器と、を備えてなり、
    その中、前記映像感応器の特徴はミクロプリズムを具備して不同入射角を修整することにある、
    映像モジュール。
  13. 前記映像感応器は
    前記複数角度の入射光線を調整する複数ミクロプリズムと、
    前記入射光線を焦点に合せて集光効率を増加する複数ミクロレンズと、
    光電を信号に変換して信号処理を行う複数ＩＣ積み重ね層と、
    前記入射光線を受入れて光電変換を行う複数感応器と、
    を備えてなる請求項１２記載の映像モジュール。
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