JP2007123734A - Substrate processing device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate processing device capable of applying substrate processing with appropriate details to individual substrates or a given number of substrate groups. <P>SOLUTION: The substrate processing device comprises processing units 11 to 14 for applying processing to the substrates, and a main controller 51 for holding recipe data representing the details (processing procedures and processing conditions) of the substrate processing. The processing units 11 to 14 are provided with unit controllers 41 to 44 which are connected to the main controller 51 to be able to communicate therewith, and with a state parameter detecting means for detecting state parameters associated with the state of each of the individual substrates and given number of substrate groups which are supplied to the processing units for being processed. The unit controllers 41 to 44 receive the recipe data from the main controller 51 to correct the received recipe data in response to the result of the detection by the state parameter detecting means, and create recipe data to be finally performed. The substrate processing is performed in accordance with the recipe data to be finally performed. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

この発明は、基板に対して処理を施すための基板処理装置に関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、FED(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などが含まれる。これらの基板に対する処理の例としては、処理流体(処理液または処理ガス)を用いた処理や熱処理(加熱処理または冷却処理)を挙げることができる。   The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate. Examples of substrates to be processed include semiconductor wafers, liquid crystal display substrates, plasma display substrates, FED (Field Emission Display) substrates, optical disk substrates, magnetic disk substrates, magneto-optical disk substrates, photo A mask substrate is included. Examples of the treatment for these substrates include treatment using a treatment fluid (treatment liquid or treatment gas) and heat treatment (heating treatment or cooling treatment).

たとえば、半導体装置の製造工程では、半導体ウエハに対して種々の処理を施すために、基板処理装置が用いられる。基板処理装置は、それぞれ基板に対して処理を施す複数の処理ユニットを備えている。個々の処理ユニットには、当該処理ユニットの各部を制御するためのユニットコントローラが備えられている。複数の処理ユニットに対応した複数のユニットコントローラは、基板処理装置全体の制御を司るメインコントローラに接続されていて、このメインコントローラとの間でデータを授受することができるようになっている。メインコントローラは、さらに、必要に応じて、ホストコンピュータに接続されている。   For example, in a semiconductor device manufacturing process, a substrate processing apparatus is used to perform various processes on a semiconductor wafer. The substrate processing apparatus includes a plurality of processing units for processing each substrate. Each processing unit is provided with a unit controller for controlling each part of the processing unit. The plurality of unit controllers corresponding to the plurality of processing units are connected to a main controller that controls the entire substrate processing apparatus, and can exchange data with the main controller. The main controller is further connected to a host computer as necessary.

メインコントローラには、複数の処理ユニットにおいて実行すべき基板処理の内容を規定するレシピデータを保持したレシピデータベースが備えられている。このレシピデータベースから抽出した適切なレシピデータが、メインコントローラからユニットコントローラへと送信される。ユニットコントローラは、メインコントローラから与えられたレシピデータに従って処理ユニット内の各部を制御し、基板処理を実行する。   The main controller is provided with a recipe database that holds recipe data that defines the contents of substrate processing to be executed in a plurality of processing units. Appropriate recipe data extracted from this recipe database is transmitted from the main controller to the unit controller. The unit controller controls each part in the processing unit according to the recipe data given from the main controller, and executes substrate processing.

ホストコンピュータは、必要に応じて、メインコントローラに対して、レシピデータを補正するための補正データを与える。この場合、メインコントローラは、レシピデータベースから読み出したレシピデータに対して補正データによる補正を施し、補正後のレシピデータをユニットコントローラに送信する。
補正データの一例は、前工程から当該基板処理装置での処理が開始されるまでの基板の待機時間である。たとえば、レジストをマスクとしたドライエッチング(前工程)を行った後の基板表面に残るレジスト残渣(ポリマー)を除去する基板処理装置の場合には、基板上に残留している微少量のエッチングガスのために、基板の待機時間中に化学反応が徐々に進む。この化学反応は、むろん、基板の待機時間が長くなるほど進行する。そこで、基板の待機時間を補正データとしてメインコントローラに与えると、メインコントローラは、その化学反応の進行に合わせてレシピデータを補正する。
The host computer gives correction data for correcting the recipe data to the main controller as necessary. In this case, the main controller corrects the recipe data read from the recipe database using the correction data, and transmits the corrected recipe data to the unit controller.
An example of the correction data is the waiting time of the substrate from the previous process until the processing in the substrate processing apparatus is started. For example, in the case of a substrate processing apparatus that removes a resist residue (polymer) remaining on the substrate surface after dry etching (pre-process) using a resist as a mask, a small amount of etching gas remaining on the substrate Therefore, the chemical reaction gradually proceeds during the waiting time of the substrate. Of course, this chemical reaction proceeds as the standby time of the substrate becomes longer. Therefore, when the waiting time of the substrate is given as correction data to the main controller, the main controller corrects the recipe data in accordance with the progress of the chemical reaction.

補正データの他の例は、基板処理装置が置かれた雰囲気の温度、湿度、気圧等のデータ(雰囲気状態データ)である。基板処理は、これらの雰囲気条件による影響を受ける。そこで、雰囲気状態データをメインコントローラに与えると、メインコントローラは、その雰囲気状態データに合わせてレシピデータを補正する。
一方、基板上に形成されるパターンの微細化および高精細化に伴い、基板処理装置の形態は、複数枚の基板を一括して処理するバッチ型から、基板を一枚ずつ処理する枚葉型へと移行しつつある。枚葉型の基板処理装置は、たとえば、インデクサ部と基板処理部とを備えている。インデクサ部は、複数枚(たとえば25枚)の基板を収容可能なキャリヤ(カセット、ポッドその他の基板収容容器)を保持するキャリヤ保持部と、このキャリヤ保持部に保持されたキャリヤに対して基板を出し入れするインデクサロボットとを備えている。基板処理部は、複数の処理ユニットと、この複数の処理ユニットに対して基板を出し入れする基板搬送ロボットとを備えている。この基板搬送ロボットとインデクサロボットとは、基板の受け渡しを行えるように配置される。
Another example of the correction data is data (atmosphere state data) such as the temperature, humidity, and atmospheric pressure of the atmosphere in which the substrate processing apparatus is placed. Substrate processing is affected by these atmospheric conditions. Therefore, when the atmospheric state data is given to the main controller, the main controller corrects the recipe data in accordance with the atmospheric state data.
On the other hand, with the miniaturization and high definition of the pattern formed on the substrate, the form of the substrate processing apparatus is changed from a batch type that processes a plurality of substrates at once to a single wafer type that processes substrates one by one. It is shifting to. The single wafer type substrate processing apparatus includes, for example, an indexer unit and a substrate processing unit. The indexer unit includes a carrier holding unit that holds a carrier (cassette, pod, or other substrate storage container) that can store a plurality of (for example, 25) substrates, and a substrate that is held by the carrier holding unit. It is equipped with an indexer robot that moves in and out. The substrate processing unit includes a plurality of processing units and a substrate transport robot for taking in and out the substrates with respect to the plurality of processing units. The substrate transfer robot and the indexer robot are arranged so that the substrate can be transferred.

未処理の基板は、いずれかのキャリヤからインデクサロボットによって取り出されて基板搬送ロボットに受け渡される。基板搬送ロボットは、受け取った未処理の基板をいずれかの処理ユニットへと搬送し、その処理ユニットに搬入する。処理済みの基板は、基板搬送ロボットによって処理ユニットから搬出され、インデクサロボットに向けて搬送され、このインデクサロボットに受け渡される。インデクサロボットは、受け取った処理済みの基板をいずれかのキャリヤに収納する。
特開平4−305269号公報
The unprocessed substrate is taken out of any carrier by the indexer robot and transferred to the substrate transport robot. The substrate transfer robot transfers the received unprocessed substrate to one of the processing units, and loads it into the processing unit. The processed substrate is unloaded from the processing unit by the substrate transport robot, transported toward the indexer robot, and delivered to the indexer robot. The indexer robot stores the received processed substrate in one of the carriers.
JP-A-4-305269

一つのキャリヤに収容された複数枚の基板は、当該基板処理装置にセットされてから、実際に処理ユニットによって処理を受けるまでの待機時間が異なっている。
それにも拘わらず、前述の先行技術では、メインコントローラで補正されたレシピデータに従う共通の処理が複数枚の基板に対して施されるようになっている。したがって、個々の基板に対して最適化された処理を施すことができない。
The plurality of substrates accommodated in one carrier have different waiting times from when they are set in the substrate processing apparatus until they are actually processed by the processing unit.
Nevertheless, in the above-described prior art, a common process according to the recipe data corrected by the main controller is performed on a plurality of substrates. Therefore, an optimized process cannot be applied to each substrate.

この問題は、メインコントローラにおいて、個々の基板が実際に処理を受けるまでの時間を予測し、その予測結果に基づいて基板ごとの補正レシピデータを作成することによって解決できると考えられるかもしれない。しかし、基板が実際に処理を受けるまでの時間を正確に予測することは、現実には不可能である。とくに、多数の処理ユニットを備える基板処理装置の場合には、個々の基板がどの処理ユニットで処理を受けるかを事前に予測することが困難な場合が多い。そのため、個々の基板が処理されるまでの待機時間を正確に予測することはできない。しかも、メインコントローラにおいて補正レシピデータを計算する時間のオーバーヘッドが大きくなり、とくに、多数の処理ユニットが備えられる場合には、メインコントローラに処理が集中することにより、無視できないオーバーヘッドが生じるおそれがある。   This problem may be solved by predicting the time until each substrate is actually processed in the main controller and creating correction recipe data for each substrate based on the prediction result. However, it is actually impossible to accurately predict the time until the substrate is actually processed. In particular, in the case of a substrate processing apparatus having a large number of processing units, it is often difficult to predict in advance which processing unit will receive each substrate. Therefore, it is impossible to accurately predict the waiting time until each substrate is processed. In addition, the overhead for calculating the correction recipe data in the main controller becomes large. In particular, when a large number of processing units are provided, the concentration of processing in the main controller may cause overhead that cannot be ignored.

また、前述の先行技術では、基板処理装置の雰囲気状態の検出結果に応じて、複数の処理ユニットで処理される複数枚の基板に対して、共通の補正レシピデータが適用されてしまう。しかし、実際には、個々の処理ユニットごとに雰囲気状態は異なっており、また、個々の基板が処理されるタイミングでの雰囲気状態が一定に保持される保証もない。
したがって、前述の先行技術では、この観点からも、個々の基板に対して最適化された処理を施すことができているとは言えない。
In the above-described prior art, common correction recipe data is applied to a plurality of substrates processed by a plurality of processing units in accordance with the detection result of the atmospheric state of the substrate processing apparatus. However, in actuality, the atmosphere state is different for each processing unit, and there is no guarantee that the atmosphere state at the timing when each substrate is processed is kept constant.
Therefore, in the above-described prior art, it cannot be said that an optimized process can be applied to each substrate from this viewpoint.

そこで、この発明の目的は、個々の基板または所定枚数の基板群に対して適切な内容の基板処理を施すことができる基板処理装置を提供することである。   SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of performing substrate processing with appropriate contents on individual substrates or a predetermined number of substrate groups.

上記の目的を達成するための請求項1記載の発明は、基板(W)に対して処理を施すための処理ユニット(11〜14,81〜84)と、基板処理の内容(処理手順、処理条件)を表すレシピデータを保持するメインコントローラ(51)と、前記処理ユニットに備えられ、前記メインコントローラと通信可能に接続されたユニットコントローラ(41〜44)と、前記処理ユニットに備えられ、当該処理ユニットに供給されて処理される個々の基板毎または所定枚数の基板群毎の状態に関連する状態パラメータを検出する状態パラメータ検出手段(48,70,71,79)とを含み、前記ユニットコントローラは、前記メインコントローラからレシピデータを受信するレシピデータ受信手段(68,76)と、このレシピデータ受信手段によって受信されたレシピデータに対して、前記状態パラメータ検出手段による検出結果に応じた補正を施して、最終実行レシピデータを作成するレシピデータ補正手段(72,73)と、このレシピデータ補正手段によって補正された最終実行レシピデータに従って基板処理を制御する基板処理制御手段(78)とを含む、基板処理装置である。なお、括弧内の英数字は後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。   The invention described in claim 1 for achieving the above object includes a processing unit (11-14, 81-84) for processing a substrate (W), and the contents of the substrate processing (processing procedure, processing). A main controller (51) that holds recipe data representing a condition), a unit controller (41 to 44) that is provided in the processing unit and connected to be communicable with the main controller, and is provided in the processing unit. State parameter detecting means (48, 70, 71, 79) for detecting a state parameter related to the state of each individual substrate or each predetermined number of substrate groups supplied to the processing unit and processed, and the unit controller The recipe data receiving means (68, 76) for receiving recipe data from the main controller and the recipe data receiving means Therefore, the received recipe data is corrected according to the detection result by the state parameter detecting means, and the recipe data correcting means (72, 73) for creating the final execution recipe data, and the recipe data correcting means. The substrate processing apparatus includes substrate processing control means (78) for controlling the substrate processing in accordance with the corrected final execution recipe data. The alphanumeric characters in parentheses indicate corresponding components in the embodiments described later. The same applies hereinafter.

この構成によれば、処理ユニットには、当該処理ユニットに供給される基板または所定枚数の基板群(とくに同時に一括処理される基板群)の状態パラメータを検出する状態パラメータ検出手段が備えられている。処理ユニットのユニットコントローラに備えられたレシピデータ補正手段は、状態パラメータ検出手段によって検出された状態パラメータに基づいて、レシピデータを補正する。これにより、個々の基板毎または基板群毎に最適化された最終実行レシピデータが得られる。このようにして、個々の基板に対して適切な内容の基板処理を施すことができる。しかも、レシピデータの補正は、メインコントローラではなく、ユニットコントローラにおいて行われるので、個々の基板毎または個々の基板群毎に対して確実に最適化された最終実行レシピが得られるうえ、メインコントローラにおける処理負荷が過大になるおそれもない。   According to this configuration, the processing unit is provided with the state parameter detecting means for detecting the state parameter of the substrate supplied to the processing unit or a predetermined number of substrate groups (particularly, a group of substrates that are simultaneously processed at once). . The recipe data correcting means provided in the unit controller of the processing unit corrects the recipe data based on the state parameter detected by the state parameter detecting means. Thereby, final execution recipe data optimized for each individual substrate or each substrate group is obtained. In this way, substrate processing with appropriate contents can be performed on individual substrates. In addition, the correction of the recipe data is performed not by the main controller but by the unit controller, so that a final execution recipe that is reliably optimized for each individual board or each individual board group can be obtained, and the main controller There is no risk of excessive processing load.

請求項2記載の発明は、前記ユニットコントローラは、さらに、前記レシピデータ補正手段による補正内容を前記メインコントローラに通知する補正内容通知手段(69)を含む、請求項1記載の基板処理装置である。
この構成によれば、個々の処理ユニットにおけるレシピデータの補正内容がメインコントローラに通知されるので、メインコントローラでは、個々の基板または基板群に対する処理の履歴を管理することができる。処理ユニットにおけるレシピデータの補正内容は、メインコントローラにおいて保持され、必要に応じて、ホストコントローラ(55)や使用者によって参照できるようになっていることが好ましい。
The invention according to claim 2 is the substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the unit controller further includes correction content notification means (69) for notifying the main controller of the correction content by the recipe data correction means. .
According to this configuration, the correction content of the recipe data in each processing unit is notified to the main controller, so that the main controller can manage the history of processing for each substrate or group of substrates. The correction contents of the recipe data in the processing unit are preferably held in the main controller and can be referred to by the host controller (55) or the user as necessary.

請求項3記載の発明は、前記状態パラメータ検出手段は、前記処理ユニットにおける基板処理雰囲気の状態(基板処理環境データ:温度、湿度、気圧)を検出する雰囲気状態検出手段(48)を含む、請求項1または2記載の基板処理装置である。
この構成によれば、個々の処理ユニットにおける基板処理雰囲気の状態に応じてレシピデータに補正を施すことができる。その結果、個々の基板毎または個々の基板群毎の処理状況に応じて基板処理内容を最適化することができ、基板処理品質を一層向上できる。例えば、当該基板処理装置に処理対象の基板が搬入されてから、処理ユニットにおいて実際に基板が処理されるまでの間に、処理ユニットにおける基板処理雰囲気(基板処理環境)が変動する場合もある。このような場合であっても、個々の基板または基板群毎に適切な処理を施すことができる。また、逆に、処理ユニットにおける雰囲気管理を厳密に行う必要がなくなることから、高価な空気調和ユニットを省くことが可能になり、装置のコストダウンを図ることができる。
According to a third aspect of the present invention, the state parameter detecting means includes an atmosphere state detecting means (48) for detecting a state of the substrate processing atmosphere (substrate processing environment data: temperature, humidity, pressure) in the processing unit. Item 3. The substrate processing apparatus according to Item 1 or 2.
According to this configuration, the recipe data can be corrected according to the state of the substrate processing atmosphere in each processing unit. As a result, the substrate processing content can be optimized according to the processing status of each individual substrate or each individual substrate group, and the substrate processing quality can be further improved. For example, the substrate processing atmosphere (substrate processing environment) in the processing unit may fluctuate after the substrate to be processed is carried into the substrate processing apparatus and before the substrate is actually processed in the processing unit. Even in such a case, an appropriate process can be performed for each substrate or substrate group. Conversely, since it is not necessary to strictly manage the atmosphere in the processing unit, it is possible to omit an expensive air conditioning unit, and to reduce the cost of the apparatus.

請求項4記載の発明は、前記状態パラメータ検出手段は、当該基板処理装置による処理前の工程である前工程の終了から当該処理ユニットにおいて処理されるまでの個々の基板または前記所定枚数の基板群の待機時間を求める待機時間演算手段(70,71,79)を含む、請求項1ないし3のいずれかに記載の基板処理装置である。
この構成によれば、前工程から実際に処理を受けるまでの待機時間に応じてレシピデータを補正することができる。したがって、前工程の後に基板上で何らかの化学反応が進行し、時間経過に伴って基板表面の状態が刻々と変化していくような場合であっても、処理ユニットでの処理直前の基板の状態に応じた適切な内容の基板処理を行うことができる。これにより、基板処理品質を一層向上することができる。
According to a fourth aspect of the present invention, the state parameter detecting means is configured so that the individual substrate or the predetermined number of substrates from the end of the previous process, which is a process before the processing by the substrate processing apparatus, to the processing in the processing unit. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising standby time calculation means (70, 71, 79) for determining the standby time of the first to third.
According to this configuration, the recipe data can be corrected according to the standby time from the previous process until the actual process is received. Therefore, even if some chemical reaction proceeds on the substrate after the previous process and the state of the substrate surface changes with time, the state of the substrate immediately before processing in the processing unit It is possible to perform substrate processing with an appropriate content according to the conditions. Thereby, the substrate processing quality can be further improved.

請求項5記載の発明は、前記待機時間演算手段は、前工程の終了から当該基板処理装置に搬入されて、当該基板処理装置による処理が開始されるまでの基板の待機時間である第1待機時間に相当するデータを取得する第1待機時間取得手段(68,74)と、当該基板処理装置による処理が開始されてから個々の基板または前記所定枚数の基板群に対する前記処理ユニットによる処理が開始されるまでの待機時間である第2待機時間を計測する第2待機時間計測手段(71)と、前記第1待機時間および第2待機時間を加算して総待機時間を求める総待機時間演算手段(79)とを含む、請求項4記載の基板処理装置である。   According to a fifth aspect of the present invention, the waiting time calculating means is a first waiting time that is a waiting time of a substrate from the end of the previous process until the substrate processing apparatus is loaded and processing by the substrate processing apparatus is started. First standby time acquisition means (68, 74) for acquiring data corresponding to time, and processing by the processing unit for individual substrates or the predetermined number of substrate groups after processing by the substrate processing apparatus is started A second standby time measuring means (71) for measuring a second standby time which is a standby time until the operation is performed, and a total standby time calculating means for obtaining a total standby time by adding the first standby time and the second standby time. The substrate processing apparatus according to claim 4, further comprising:

この構成によれば、ユニットコントローラは、前工程から当該基板処理装置による処理が開始されるまでの第1待機時間を取得する一方、その後の待機時間である第2待機時間を計測し、前記第1および第2待機時間を合算することによって、個々の基板または基板群毎の総待機時間を求めることができる。これにより、前工程からの正確な待機時間に基づいてレシピデータを補正することが可能になり、個々の基板または基板群毎に適切な処理を施すことができる。   According to this configuration, the unit controller acquires the first standby time from the previous process until the processing by the substrate processing apparatus is started, and measures the second standby time that is the subsequent standby time, By adding the first and second standby times, the total standby time for each substrate or group of substrates can be determined. This makes it possible to correct the recipe data based on the accurate standby time from the previous process, and appropriate processing can be performed for each individual substrate or substrate group.

前記第1待機時間は、たとえば、前工程を経た複数枚の基板を収容したキャリヤ(C)が基板処理装置に投入され、このキャリヤに保持された複数枚の基板による処理が開始されるまでの待機時間である。前記第2待機時間は、たとえば、前記第1待機時間取得手段によって第1待機時間が取得されてから、個々の基板または基板群が処理ユニットに運ばれてくるまでの待機時間である。   The first waiting time is, for example, until a carrier (C) containing a plurality of substrates that has undergone a previous process is put into a substrate processing apparatus and processing by a plurality of substrates held by the carrier is started. It is a waiting time. The second standby time is, for example, a standby time from when the first standby time acquisition unit acquires the first standby time to when each substrate or substrate group is carried to the processing unit.

請求項6記載の発明は、前記レシピデータ補正手段は、レシピデータによって指定される複数の処理種別(薬液の種類など)にそれぞれ対応する複数の補正関数または補正テーブルを備え、この補正関数または補正テーブルに従って、前記状態パラメータ検出手段によって検出される状態パラメータに応じた補正をレシピデータに対して施すものである、請求項1ないし5のいずれかに記載の基板処理装置である。   According to a sixth aspect of the present invention, the recipe data correction means includes a plurality of correction functions or correction tables respectively corresponding to a plurality of processing types (chemical liquid types and the like) specified by the recipe data. 6. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein a correction corresponding to the state parameter detected by the state parameter detecting means is performed on the recipe data according to the table.

この構成によれば、ユニットコントローラにおいて、レシピデータの種別に応じて、状態パラメータに対応した適切な補正を行うことができる。これにより、複数種類のレシピデータに対応した補正処理が可能になる。
前記補正関数の係数または補正テーブルの内容は、たとえば、ホストコントローラや使用者によって変更できるようになっていることが好ましい。これにより、レシピデータの補正の態様を変更することができる。
According to this configuration, the unit controller can perform appropriate correction corresponding to the state parameter in accordance with the type of recipe data. This makes it possible to perform correction processing corresponding to a plurality of types of recipe data.
It is preferable that the coefficient of the correction function or the content of the correction table can be changed by, for example, a host controller or a user. Thereby, the aspect of correction | amendment of recipe data can be changed.

請求項7記載の発明は、前記メインコントローラは、レシピデータに対する補正データを外部から受け付ける補正データ受付手段(62,66)を含む、請求項1ないし6のいずれかに記載の基板処理装置である。
補正データに基づくレシピデータの補正は、メインコントローラにおいて行ってもよいし、ユニットコントローラにおいて行ってもよい。ユニットコントローラにおいて少なくとも一部の補正データに基づくレシピデータの補正を行う場合には、当該補正データは、メインコントローラからユニットコントローラへと送信される。
The invention according to claim 7 is the substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the main controller includes correction data receiving means (62, 66) for receiving correction data for recipe data from the outside. .
The correction of the recipe data based on the correction data may be performed by the main controller or the unit controller. When correcting the recipe data based on at least a part of the correction data in the unit controller, the correction data is transmitted from the main controller to the unit controller.

たとえば、補正データが複数種類の補正要素(ファクター)に関するものを含む場合に、一部の補正要素に関するレシピデータの補正をメインコントローラで行い、残余の補正要素に関するレシピデータの補正をユニットコントローラで行うようにしてもよい。
補正データ受付手段は、ホストコントローラからの補正データを受け付けるものであってもよいし、使用者による補正データの入力を受け付けるものであってもよいし、それらの両方を受け付けるものであってもよい。
For example, when the correction data includes a plurality of types of correction elements (factors), correction of recipe data for some correction elements is performed by the main controller, and recipe data for the remaining correction elements is corrected by the unit controller. You may do it.
The correction data receiving means may receive correction data from the host controller, may receive correction data input by the user, or may receive both of them. .

請求項8記載の発明は、前記メインコントローラは、前記補正データ受付手段によって受け付けられた補正データの一部または全部を前記ユニットコントローラに送信する補正データ送信手段(65)をさらに含む、請求項7記載の基板処理装置である。
この構成により、ユニットコントローラにおいて、外部から与えられた補正データに基づくレシピデータの補正を行うことができる。
The invention according to claim 8 is characterized in that the main controller further includes correction data transmitting means (65) for transmitting a part or all of the correction data received by the correction data receiving means to the unit controller. It is a substrate processing apparatus of description.
With this configuration, the unit controller can correct the recipe data based on the correction data given from the outside.

請求項9記載の発明は、前記補正データ受付手段は、前工程から当該基板処理装置による処理が開始されるまでの基板の待機時間を表す待機時間データを受け付ける手段(62,66)を含み、前記補正データ送信手段は、前記待機時間データを前記処理ユニットに送信する手段(65)を含む、請求項8記載の基板処理装置である。
この構成により、ユニットコントローラにおいて、待機時間データに基づくレシピデータの補正を行うことができる。たとえば、請求項5の構成と組み合わせる場合には、ユニットコントローラにおいて、個々の基板または基板群が実際に処理を受けるまでの前工程からの待機時間を演算することができるので、個々の基板または基板群の実際の待機時間に応じた適切な処理を行うことができる。
The invention according to claim 9 is characterized in that the correction data receiving means includes means (62, 66) for receiving standby time data representing a standby time of the substrate from the previous process until the processing by the substrate processing apparatus is started, 9. The substrate processing apparatus according to claim 8, wherein the correction data transmitting means includes means (65) for transmitting the waiting time data to the processing unit.
With this configuration, the recipe data can be corrected based on the standby time data in the unit controller. For example, when combined with the configuration of claim 5, the unit controller can calculate the waiting time from the previous step until each substrate or group of substrates is actually processed. Appropriate processing can be performed according to the actual waiting time of the group.

待機時間データは、待機時間そのものを表す形式のデータであってもよいし、待機時間に対応したレシピデータ補正値を表すものであってもよい。   The standby time data may be data in a format representing the standby time itself, or may represent a recipe data correction value corresponding to the standby time.

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図解的な平面図である。この基板処理装置は、半導体ウエハ等の基板に対して処理液を用いた処理を施すための枚葉型の装置であり、半導体製造工場等のクリーンルーム内に設置されて用いられるものである。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is an illustrative plan view for explaining the configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. This substrate processing apparatus is a single wafer type apparatus for performing processing using a processing liquid on a substrate such as a semiconductor wafer, and is used by being installed in a clean room such as a semiconductor manufacturing factory.

この基板処理装置は、基板を収容するキャリヤCを保持可能であり、このキャリヤCに対して基板を出し入れするためのインデクサ部1と、このインデクサ部1に結合され、基板に対して処理を施すための処理部2とを備えている。
インデクサ部1は、複数のキャリヤCを所定の水平方向に沿って保持することができるようになっている。このインデクサ部1は、保持された複数のキャリヤCに対して、未処理基板の搬出および処理済み基板の搬入を実行するインデクサロボット3を備えている。キャリヤCは、基板を密閉した状態で収納するFOUP(Front Opening Unified Pod)であってもよく、SMIF(Standard Mechanical Inter Face)ポッドであってもよく、また、OC(Open Cassette)であってもよい。
This substrate processing apparatus can hold a carrier C that accommodates a substrate, and is connected to the indexer unit 1 for loading and unloading the substrate with respect to the carrier C, and to the indexer unit 1, and performs processing on the substrate. And a processing unit 2 for this purpose.
The indexer unit 1 can hold a plurality of carriers C along a predetermined horizontal direction. The indexer unit 1 includes an indexer robot 3 that executes unloading of unprocessed substrates and loading of processed substrates with respect to a plurality of held carriers C. The carrier C may be a FOUP (Front Opening Unified Pod) that accommodates the substrate in a sealed state, a SMIF (Standard Mechanical Interface) pod, or an OC (Open Cassette). Good.

処理部2は、複数(この実施形態では4個)の処理ユニット11〜14と、インデクサロボット3から未処理の基板を受け取っていずれかの処理ユニット11〜14に搬入し、これらの処理ユニット11〜14から処理済みの基板を搬出してインデクサロボット3に受け渡す主搬送ロボット5とを備えている。より具体的には、インデクサ部1におけるキャリヤCの配列方向に直交する方向に沿って搬送路6が形成されている。この搬送路6に主搬送ロボット5が配置されている。そして、搬送路6の一方側に、2つの処理ユニット11,12が搬送路6に沿って配置されており、搬送路6の他方側に残りの2つの処理ユニット13,14が搬送路6に沿って配置されている。   The processing unit 2 receives a plurality (four in this embodiment) of processing units 11 to 14 and an unprocessed substrate from the indexer robot 3 and carries them into one of the processing units 11 to 14. To the main transfer robot 5 which carries out the processed substrates from ˜14 and delivers them to the indexer robot 3. More specifically, the conveyance path 6 is formed along a direction orthogonal to the arrangement direction of the carriers C in the indexer unit 1. A main transfer robot 5 is arranged on the transfer path 6. Two processing units 11 and 12 are arranged along the conveyance path 6 on one side of the conveyance path 6, and the remaining two processing units 13 and 14 are arranged on the conveyance path 6 on the other side of the conveyance path 6. Are arranged along.

処理ユニット11〜14には、たとえば、共通の処理を施すことができるものであり、未処理の基板は、いずれかの処理ユニット11〜14に搬入されて処理を受ける。より具体的には、未処理の一枚の基板がインデクサロボット3によってキャリヤCから搬出されて主搬送ロボット5に受け渡される。主搬送ロボット5は、たとえば、基板をそれぞれ保持することができる一対のハンドを備えており、一方のハンドで、いずれかの処理ユニット11〜14から処理済みの基板を搬出し、他方のハンドで、当該処理ユニットに対して未処理の基板を搬入する。搬出された処理済みの基板は、主搬送ロボット5からインデクサロボット3に受け渡される。インデクサロボット3は、その処理済みの基板をキャリヤCに搬入する。   For example, the processing units 11 to 14 can perform common processing, and unprocessed substrates are carried into any of the processing units 11 to 14 for processing. More specifically, an unprocessed substrate is unloaded from the carrier C by the indexer robot 3 and transferred to the main transfer robot 5. The main transfer robot 5 includes, for example, a pair of hands each capable of holding a substrate. With one hand, a processed substrate is carried out from one of the processing units 11 to 14, and the other hand is used. Then, an unprocessed substrate is carried into the processing unit. The processed substrate carried out is transferred from the main transfer robot 5 to the indexer robot 3. The indexer robot 3 carries the processed substrate into the carrier C.

図2は、処理ユニット11〜14の構成例を説明するための図解図である。この例では、処理ユニット11〜14は、ドライエッチング処理の後の基板Wの表面に残るレジスト残渣(ポリマー)を除去するためのポリマー除去処理を実行する。
処理ユニット11〜14は、基板Wを一枚ずつ処理する枚葉式のポリマー除去処理ユニットであり、基板Wを水平に保持して回転させるためのスピンチャック20を処理室21内に備え、さらに、スピンチャック20に保持された基板Wの上面にポリマー除去のための薬液であるポリマー除去液を供給するための薬液ノズル22と、スピンチャック20に保持された基板Wの上面に純水を供給するための純水ノズル23とを備えている。
FIG. 2 is an illustrative view for explaining a configuration example of the processing units 11 to 14. In this example, the processing units 11 to 14 execute a polymer removal process for removing a resist residue (polymer) remaining on the surface of the substrate W after the dry etching process.
The processing units 11 to 14 are single-wafer type polymer removal processing units for processing the substrates W one by one. The processing units 11 to 14 include a spin chuck 20 for holding and rotating the substrates W horizontally in the processing chamber 21. The pure water is supplied to the upper surface of the substrate W held by the spin chuck 20 and the chemical solution nozzle 22 for supplying a polymer removal liquid which is a chemical solution for removing the polymer to the upper surface of the substrate W held by the spin chuck 20. And a pure water nozzle 23 for the purpose.

ポリマー除去液の例としては、有機アルカリ液を含む液体、有機酸を含む液体、無機酸を含む液体、ふっ化アンモン系物質を含む液体のうちの少なくともいずれか1つが使用できる。そのうち、有機アルカリ液を含む液体としては、DMF(ジメチルホルムアミド)、DMSO(ジメチルスルホキシド)、ヒドロキシルアミン、コリンのうちの少なくともいずれか1つを含む液体が挙げられる。また、有機酸を含む液体としては、クエン酸、蓚酸、イミノジ酸、および琥珀酸のうちの少なくともいずれか1つを含む液体が挙げられる。また、無機酸を含む液体としては、ふっ酸および燐酸のうちの少なくともいずれか1つを含む液体が挙げられる。その他、ポリマー除去液としては、1−メチル−2ピロリドン、テトラヒドロチオフェン1.1−ジオキシド、イソプロパノールアミン、モノエタノールアミン、2−(2アミノエトキシ)エタノール、カテコール、N−メチルピロリドン、アロマティックジオール、パークレン、フェノールを含む液体などのうちの少なくともいずれか1つを含む液体があり、より具体的には、1−メチル−2ピロリドンとテトラヒドロチオフェン1.1−ジオキシドとイソプロパノールアミンとの混合液、ジメチルスルホキシドとモノエターノルアミンとの混合液、2−(2アミノエトキシ)エタノールとヒドロキシアミンとカテコールとの混合液、2−(2アミノエトキシ)エタノールとN−メチルピロリドンとの混合液、モノエタノールアミンと水とアロマティックジオールとの混合液、パーフレンとフェノールとの混合液などのうちの少なくともいずれか1つが挙げられる。その他、トリエタノールアミン、ペンタメチルジエチレントリアミンなどのアミン類、プロピレングリコール、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルなどのうちの少なくともいずれか1つを含む液体が挙げられる。   As an example of the polymer removing liquid, at least one of a liquid containing an organic alkaline liquid, a liquid containing an organic acid, a liquid containing an inorganic acid, and a liquid containing an ammonium fluoride-based substance can be used. Among these, examples of the liquid containing an organic alkaline liquid include a liquid containing at least one of DMF (dimethylformamide), DMSO (dimethyl sulfoxide), hydroxylamine, and choline. Examples of the liquid containing an organic acid include a liquid containing at least one of citric acid, oxalic acid, iminodiacid, and oxalic acid. Examples of the liquid containing an inorganic acid include a liquid containing at least one of hydrofluoric acid and phosphoric acid. Other polymer removal solutions include 1-methyl-2pyrrolidone, tetrahydrothiophene 1.1-dioxide, isopropanolamine, monoethanolamine, 2- (2aminoethoxy) ethanol, catechol, N-methylpyrrolidone, aromatic diol, A liquid containing at least one of parkren, a liquid containing phenol, and the like, more specifically, a mixed liquid of 1-methyl-2-pyrrolidone, tetrahydrothiophene 1.1-dioxide and isopropanolamine, dimethyl Mixed liquid of sulfoxide and monoethanolamine, mixed liquid of 2- (2aminoethoxy) ethanol, hydroxyamine and catechol, mixed liquid of 2- (2aminoethoxy) ethanol and N-methylpyrrolidone, monoethanolamine And water Mixed solution of Roma tick diols include at least any one of a mixed liquid of Pafuren and phenol. In addition, a liquid containing at least one of amines such as triethanolamine and pentamethyldiethylenetriamine, propylene glycol, dipropylene glycol monomethyl ether, and the like can be given.

スピンチャック20としては、たとえば、基板Wのデバイス形成面を上方に向けた状態で、その基板Wの非デバイス形成面(下面)を真空吸着することにより、基板Wをほぼ水平に保持することができる真空吸着式のもの(バキュームチャック)が用いられている。この真空吸着式のスピンチャック20は、たとえば、基板Wを保持した状態で、基板Wのほぼ中心を通る鉛直な回転軸線まわりに回転することにより、その保持した基板Wを水平面内で回転させることができる。むろん、真空吸着式のものに代えて、基板Wの周縁部に当接する複数のチャックピンによって基板Wを挟持する形態のメカニカルチャックを適用することもできる。   For example, the spin chuck 20 can hold the substrate W substantially horizontally by vacuum-sucking the non-device formation surface (lower surface) of the substrate W with the device formation surface of the substrate W facing upward. A vacuum suction type (vacuum chuck) that can be used is used. The vacuum chucking spin chuck 20 rotates, for example, the held substrate W in a horizontal plane by rotating around a vertical rotation axis passing through substantially the center of the substrate W while holding the substrate W. Can do. Of course, a mechanical chuck in which the substrate W is sandwiched by a plurality of chuck pins that abut on the peripheral edge of the substrate W can be applied instead of the vacuum suction type.

スピンチャック20は、処理カップ24内に収容されている。処理カップ24は、スピンチャック20の周囲を取り囲んでいて、底部には、基板Wの処理に用いられた後の純水などを排液するための環状の排液溝25と、基板Wの処理のために用いられた後の薬液を回収するための環状の回収溝26とを有している。排液溝25と回収溝26とは、筒状の仕切壁27で仕切られており、この仕切壁27の下方には、一端が排液溝25に臨んで開口した排気路28が形成されている。排気路28の他端には、カップ内排気ダクト29が接続されている。18は、処理室21内に清浄空気のダウンフローを送り込むファンフィルタユニット(FFU)であり、19は、処理室21内の排気のための処理室内排気ダクトである。   The spin chuck 20 is accommodated in the processing cup 24. The processing cup 24 surrounds the periphery of the spin chuck 20, and an annular drainage groove 25 for draining pure water after being used for processing the substrate W and a processing for the substrate W at the bottom. And an annular recovery groove 26 for recovering the chemical after being used for the purpose. The drainage groove 25 and the recovery groove 26 are partitioned by a cylindrical partition wall 27, and an exhaust path 28 having one end facing the drainage groove 25 is formed below the partition wall 27. Yes. An in-cup exhaust duct 29 is connected to the other end of the exhaust path 28. Reference numeral 18 denotes a fan filter unit (FFU) that sends a downflow of clean air into the processing chamber 21, and reference numeral 19 denotes a processing chamber exhaust duct for exhausting the processing chamber 21.

処理カップ24に関連して、基板Wから飛散する薬液または純水を捕獲するためのスプラッシュガード30が設けられている。スプラッシュガード30は、基板Wの回転軸線に対してほぼ回転対称な形状を有しており、上方部の内面は、基板Wの回転軸線に対向するように開いた断面く字状の排液捕獲部31となっている。また、スプラッシュガード30の下方部には、基板Wの回転半径方向外方に向かうに従って下方に向かう傾斜曲面を有する回収液捕獲部32が形成されている。回収液捕獲部32の上端付近には、処理カップ24の仕切壁27を受け入れるための仕切壁収納溝33が形成されている。   In association with the processing cup 24, a splash guard 30 is provided for capturing chemicals or pure water scattered from the substrate W. The splash guard 30 has a substantially rotationally symmetric shape with respect to the rotation axis of the substrate W, and the inner surface of the upper portion has a square cross-sectional shape that is open so as to face the rotation axis of the substrate W. It is part 31. In addition, a recovery liquid capturing part 32 having an inclined curved surface that goes downward as it goes outward in the rotational radius direction of the substrate W is formed in the lower part of the splash guard 30. A partition wall storage groove 33 for receiving the partition wall 27 of the processing cup 24 is formed in the vicinity of the upper end of the recovered liquid capturing unit 32.

スプラッシュガード30は、処理カップ24に対して昇降可能に構成されており、スピンチャック20に保持された基板Wの周端面に排液捕獲部31または回収液捕獲部32を対向させたり、スピンチャック20に対する基板Wの搬入/搬出の妨げにならないように、スピンチャック20による基板Wの保持位置よりも下方に待避したりすることができる。   The splash guard 30 is configured to be movable up and down with respect to the processing cup 24, and the drainage capture unit 31 or the recovery solution capture unit 32 is opposed to the peripheral end surface of the substrate W held by the spin chuck 20, or the spin chuck The substrate W can be retracted below the holding position of the substrate W by the spin chuck 20 so as not to hinder the loading / unloading of the substrate W with respect to the substrate 20.

排液捕獲部31を基板Wの周端面に対向させた状態では、基板Wから飛散する薬液または純水を排液捕獲部31で捕獲することができる。この排液捕獲部31で捕獲された薬液または純水は、排液捕獲部31を伝って流下し、処理カップ24の排液溝25に集められて、排液溝25から排液配管25Aを通って図外の排液処理設備へ排液される。
また、回収液捕獲部32を基板Wの周端面に対向させた状態では、基板Wから飛散する処理液(主として薬液)を回収液捕獲部32で捕獲することができる。回収液捕獲部32で捕獲された処理液は、回収液捕獲部32を伝って流下し、処理カップ24の回収溝26に集められて、この回収溝26から、使用後の処理液を帰還させる処理液帰還配管である回収配管26Aを通って、薬液キャビネット(図示せず)へと回収される。
In a state where the drainage capture unit 31 faces the peripheral end surface of the substrate W, the chemical solution or pure water scattered from the substrate W can be captured by the drainage capture unit 31. The chemical liquid or pure water captured by the drainage capture unit 31 flows down through the drainage capture unit 31, is collected in the drainage groove 25 of the processing cup 24, and passes through the drainage pipe 25 </ b> A from the drainage groove 25. It is drained to a drainage treatment facility not shown.
Further, in a state in which the recovery liquid capturing unit 32 is opposed to the peripheral end surface of the substrate W, the processing liquid (mainly chemical liquid) scattered from the substrate W can be captured by the recovery liquid capturing unit 32. The processing liquid captured by the recovery liquid capturing section 32 flows down through the recovery liquid capturing section 32, is collected in the recovery groove 26 of the processing cup 24, and the used processing liquid is returned from the recovery groove 26. The liquid is recovered into a chemical liquid cabinet (not shown) through a recovery pipe 26A which is a processing liquid return pipe.

薬液ノズル22には、薬液キャビネットからの薬液を供給する薬液供給配管35が接続されている。この薬液供給配管35の途中部には、薬液供給源側から順に、薬液を処理に適した温度に調節するための温度調節器36と、薬液ノズル22からの薬液の吐出を制御するための薬液供給バルブ37とが介装されている。薬液ノズル22と温度調節器36との間には、薬液供給配管35から分岐する薬液循環配管38が接続されている。この薬液循環配管38は、基板Wの処理に使用される前の処理液を薬液キャビネットへと帰還させる処理液帰還配管であり、薬液供給バルブ37の閉成時に、薬液キャビネットから温度調節器36を通って薬液供給バルブ37の近く(薬液ノズル22の近く)に至り、再び薬液キャビネットへと帰還される薬液循環経路を形成する。   A chemical solution supply pipe 35 for supplying a chemical solution from the chemical solution cabinet is connected to the chemical solution nozzle 22. In the middle of the chemical solution supply pipe 35, a temperature controller 36 for adjusting the chemical solution to a temperature suitable for processing in order from the chemical solution supply source side, and a chemical solution for controlling the discharge of the chemical solution from the chemical solution nozzle 22. A supply valve 37 is interposed. A chemical solution circulation pipe 38 branched from the chemical solution supply pipe 35 is connected between the chemical liquid nozzle 22 and the temperature controller 36. This chemical circulation pipe 38 is a processing liquid return pipe for returning the processing liquid before being used for the processing of the substrate W to the chemical cabinet. When the chemical supply valve 37 is closed, the temperature controller 36 is connected from the chemical cabinet. A chemical solution circulation path is formed that passes through the chemical solution supply valve 37 (near the chemical solution nozzle 22) and returns to the chemical solution cabinet.

純水ノズル23には、純水供給モジュール(図示せず)からの純水を供給する純水供給配管39が接続されている。純水供給配管39の途中部には、純水供給バルブ40が介装されていて、この純水供給バルブ40を開閉することにより、純水ノズル23から基板Wに純水を供給したり、基板Wへの純水の供給を停止したりすることができる。
処理ユニット11〜14には、ユニット内の各部を制御するためのユニットコントローラ41〜44がそれぞれ備えられている。このユニットコントローラ41〜44は、スピンチャック20に回転力を与える回転駆動機構45およびスプラッシュガード30を昇降させる昇降駆動機構46の動作を制御し、薬液供給バルブ37および純水供給バルブ40の開閉を制御し、さらに、温度調節器36の通電制御を行う。また、ユニットコントローラ41〜44には、個々の処理ユニット11〜14の処理室21内の雰囲気の状態を検出する少なくとも1つの雰囲気状態センサ48が接続されている。雰囲気状態センサ48は、基板処理に影響を与える雰囲気状態を検出するものであり、その例としては、処理室内21の温度を検出する温度センサ、処理室21内の湿度を検出する湿度センサ、処理室21内の気圧を検出する気圧センサ、処理室21の排気流量(処理室内排気ダクト19内の排気風量)を検出する排気流量センサを挙げることができる。
A pure water supply pipe 39 for supplying pure water from a pure water supply module (not shown) is connected to the pure water nozzle 23. A pure water supply valve 40 is interposed in the middle of the pure water supply pipe 39. By opening and closing the pure water supply valve 40, pure water is supplied from the pure water nozzle 23 to the substrate W, The supply of pure water to the substrate W can be stopped.
The processing units 11 to 14 are respectively provided with unit controllers 41 to 44 for controlling each part in the unit. The unit controllers 41 to 44 control the operation of the rotary drive mechanism 45 that applies a rotational force to the spin chuck 20 and the lift drive mechanism 46 that raises and lowers the splash guard 30, and opens and closes the chemical solution supply valve 37 and the pure water supply valve 40. In addition, the energization control of the temperature regulator 36 is performed. The unit controllers 41 to 44 are connected to at least one atmosphere state sensor 48 that detects the state of the atmosphere in the processing chamber 21 of each processing unit 11 to 14. The atmosphere state sensor 48 detects an atmosphere state that affects the substrate processing. Examples thereof include a temperature sensor that detects the temperature of the processing chamber 21, a humidity sensor that detects the humidity in the processing chamber 21, and processing. An atmospheric pressure sensor for detecting the atmospheric pressure in the chamber 21 and an exhaust flow rate sensor for detecting the exhaust flow rate in the processing chamber 21 (the exhaust air volume in the exhaust duct 19 in the processing chamber) can be given.

図3は、前記基板処理装置の電気的構成を説明するためのブロック図である。複数の処理ユニット11〜14に対応したユニットコントローラ41〜44は、ローカルエリアネットワーク50(たとえば、イーサネット(登録商標))に接続されている。このローカルエリアネットワーク50には、基板処理装置全体の制御(搬送スケジュールおよび基板処理内容の制御など)を司るメインコントローラ51が接続されており、さらに、インデクサ部1の制御のためのインデクサコントローラ52、および主搬送ロボット5の制御のための主搬送コントローラ53が接続されている。さらに、必要に応じて、メインコントローラ51に対して補正データ等を外部から与えるためのホストコントローラ55が接続される。このような構成により、メインコントローラ51は、ローカルエリアネットワーク50を介して、ユニットコントローラ41〜44、インデクサコントローラ52、主搬送コントローラ53およびホストコントローラ55との間でデータ通信を行うことができる。また、メインコントローラ51には、操作者とのマンマシンインタフェースを構成する表示部57および操作部58(キーボードやポインティングデバイスなど)が接続されている。   FIG. 3 is a block diagram for explaining an electrical configuration of the substrate processing apparatus. Unit controllers 41 to 44 corresponding to the plurality of processing units 11 to 14 are connected to a local area network 50 (for example, Ethernet (registered trademark)). The local area network 50 is connected to a main controller 51 that controls the entire substrate processing apparatus (control of the transfer schedule and substrate processing contents). Further, an indexer controller 52 for controlling the indexer unit 1, A main transfer controller 53 for controlling the main transfer robot 5 is also connected. Further, a host controller 55 for supplying correction data and the like from the outside to the main controller 51 is connected as necessary. With such a configuration, the main controller 51 can perform data communication with the unit controllers 41 to 44, the indexer controller 52, the main transport controller 53, and the host controller 55 via the local area network 50. The main controller 51 is connected to a display unit 57 and an operation unit 58 (such as a keyboard and a pointing device) that constitute a man-machine interface with the operator.

メインコントローラ51は、処理ユニット11〜14において実行すべき基板処理内容(処理手順および処理条件)を規定する基本レシピデータを保存するためのレシピデータベース60と、基本レシピデータに対して施すべき補正内容を規定する補正データを保存する補正データ記憶部61と、ホストコントローラ55および/または操作部58からの補正データの入力を受け付ける補正制御部62と、補正データに基づいて基本レシピデータに必要な補正を施して実行レシピデータ(補正レシピデータ)を作成する補正処理部63と、作成された実行レシピデータを保存する実行レシピデータ記憶部64と、ユニットコントローラ41〜44等へのデータ送信のためのデータ送信部65と、ユニットコントローラ41〜44およびホストコントローラ55等からの各種データを受け付けるデータ受信部66とを備えている。   The main controller 51 includes a recipe database 60 for storing basic recipe data defining the substrate processing contents (processing procedure and processing conditions) to be executed in the processing units 11 to 14, and correction contents to be applied to the basic recipe data. A correction data storage unit 61 that stores correction data that defines the correction data, a correction control unit 62 that receives input of correction data from the host controller 55 and / or the operation unit 58, and a correction required for basic recipe data based on the correction data The correction processing unit 63 that creates execution recipe data (correction recipe data) by performing the above, the execution recipe data storage unit 64 that stores the created execution recipe data, and data transmission to the unit controllers 41 to 44, etc. Data transmitter 65, unit controllers 41 to 44, and host And a data receiving section 66 for receiving various data from the controller 55 and the like.

基本レシピデータは、操作者が操作部58を操作することによって作成することができるほか、ホストコントローラ55からローカルエリアネットワーク50を介してメインコントローラ51に与え、レシピデータベース60に格納することもできる。
補正制御部62は、ホストコントローラ55または操作部58から、外部入力としての補正データを受け付け、これを補正データ記憶部61に格納する。また、補正処理部63は、レシピデータベース60から基本レシピデータを読み出し、これに対して補正データに基づく補正を施して実行レシピデータを作成して、実行レシピデータ記憶部64に格納する。データ送信部65は、実行レシピデータ記憶部64から実行レシピデータを読み出して、ユニットコントローラ41〜44へと送信する。
The basic recipe data can be created by the operator operating the operation unit 58, or can be given from the host controller 55 to the main controller 51 via the local area network 50 and stored in the recipe database 60.
The correction control unit 62 receives correction data as an external input from the host controller 55 or the operation unit 58 and stores it in the correction data storage unit 61. The correction processing unit 63 reads basic recipe data from the recipe database 60, performs correction based on the correction data, creates execution recipe data, and stores the execution recipe data in the execution recipe data storage unit 64. The data transmission unit 65 reads the execution recipe data from the execution recipe data storage unit 64 and transmits it to the unit controllers 41 to 44.

補正データは、基本レシピデータをチューニングするためのチューニングデータである。補正データには、たとえば、前工程における処理条件に対応した補正データや、前工程からの経過時間を表す補正データ(経過時間データ)が含まれる。前工程からの経過時間とは、より具体的には、前工程であるドライエッチングが完了してから当該基板処理装置に基板Wを収容したキャリヤCがセットされ、このキャリヤCに収容された基板Wに対する処理が開始されるまでの基板Wの待機時間である。この実施形態では、経過時間データに基づくレシピデータの補正処理はメインコントローラ51では行われず、ユニットコントローラ41〜44において行われるようになっている。そのため、補正制御部62は、補正データのうち、経過時間データについては、データ送信部65から、ユニットコントローラ41〜44へと送信させる。   The correction data is tuning data for tuning the basic recipe data. The correction data includes, for example, correction data corresponding to the processing conditions in the previous process and correction data (elapsed time data) indicating the elapsed time from the previous process. More specifically, the elapsed time from the previous process is more specifically the substrate C accommodated in the substrate processing apparatus after the carrier C accommodating the substrate W is set in the substrate processing apparatus after the dry etching as the previous process is completed. This is a waiting time of the substrate W until processing for W is started. In this embodiment, the correction process of the recipe data based on the elapsed time data is not performed by the main controller 51, but is performed by the unit controllers 41 to 44. Therefore, the correction control unit 62 causes the data transmission unit 65 to transmit the elapsed time data among the correction data to the unit controllers 41 to 44.

経過時間データは、前工程からの経過時間を表す数値データとしてホストコントローラ55または操作部58から与えられる場合と、経過時間データに応じた液処理補正時間を表す数値データとしてホストコントローラ55または操作部58から与えられる場合とがある。
図4は、ユニットコントローラ41〜44の電気的構成を説明するためのブロック図である。ユニットコントローラ41〜44は、センサデータ入力部70と、経過時間計測部71と、補正データ処理部72と、補正関数データ保持部73と、メイン補正データ保持部74と、ローカル補正データ保持部75と、実行レシピデータ保持部76と、最終実行レシピデータ保持部77と、基板処理制御部78と、前工程終了から当該処理ユニットにおいて基板Wの処理が開始されるまでの総経過時間を演算する総経過時間演算部79を備えている。さらに、ユニットコントローラ41〜44は、メインコントローラ51からローカルエリアネットワーク50を介してデータを受信するデータ受信部68と、ローカルエリアネットワーク50を介してメインコントローラ51にデータを送信するデータ送信部69とを備えている。
The elapsed time data is given from the host controller 55 or the operation unit 58 as numerical data representing the elapsed time from the previous process, and the host controller 55 or the operation unit as numerical data representing the liquid processing correction time according to the elapsed time data. 58 may be given.
FIG. 4 is a block diagram for explaining the electrical configuration of the unit controllers 41 to 44. The unit controllers 41 to 44 include a sensor data input unit 70, an elapsed time measurement unit 71, a correction data processing unit 72, a correction function data holding unit 73, a main correction data holding unit 74, and a local correction data holding unit 75. The execution recipe data holding unit 76, the final execution recipe data holding unit 77, the substrate processing control unit 78, and the total elapsed time from the end of the previous process until the processing of the substrate W is started in the processing unit. A total elapsed time calculation unit 79 is provided. Furthermore, the unit controllers 41 to 44 include a data receiving unit 68 that receives data from the main controller 51 via the local area network 50, and a data transmitting unit 69 that transmits data to the main controller 51 via the local area network 50. It has.

センサデータ入力部70は、雰囲気状態センサ48からの入力データを受け付ける。経過時間計測部71は、当該基板処理装置に処理対象の基板Wが搬入されてから、個々の基板Wが処理ユニット11〜14へと搬送されてくるまでの経過時間を計測する。より具体的には、経過時間計測部71は、メインコントローラ51から補正データの一部である前記経過時間データがデータ受信部68によって受信されてからの経過時間を計測する。   The sensor data input unit 70 receives input data from the atmosphere state sensor 48. The elapsed time measuring unit 71 measures an elapsed time from when the substrate W to be processed is carried into the substrate processing apparatus until each substrate W is transferred to the processing units 11 to 14. More specifically, the elapsed time measuring unit 71 measures the elapsed time after the elapsed time data, which is a part of the correction data, is received from the main controller 51 by the data receiving unit 68.

メインコントローラ51から与えられる経過時間データ(第1待機時間)は、データ受信部68によって取得され、メイン補正データ保持部74に保持される。総経過時間演算部79は、メイン補正データ保持部74に保持されている経過時間データに経過時間計測部71によって計測される経過時間データ(第2待機時間)を加算することによって、個々の基板Wについて、前工程から当該処理ユニットによる処理を受けるまでの総経過時間を表す総経過時間データ(総待機時間)を演算する。   The elapsed time data (first standby time) given from the main controller 51 is acquired by the data receiving unit 68 and held in the main correction data holding unit 74. The total elapsed time calculation unit 79 adds the elapsed time data (second standby time) measured by the elapsed time measurement unit 71 to the elapsed time data held in the main correction data holding unit 74, thereby allowing each substrate to be added. For W, total elapsed time data (total standby time) representing the total elapsed time from the previous process until receiving the processing by the processing unit is calculated.

補正データ処理部72は、センサデータ入力部70によって取得されたセンサデータおよび総経過時間演算部79によって演算された総経過時間データに基づき、補正関数データ保持部73に保持された補正関数データを参照して、実行レシピデータを補正するための補正データを作成する。この補正データは、ローカル補正データ保持部75に保持される。前記センサデータおよび総経過時間データは、個々の基板Wを処理するときの当該基板Wの状態(基板自体の状態および基板が置かれた環境)を表すので、以下、総称するときには「状態パラメータ」という。   Based on the sensor data acquired by the sensor data input unit 70 and the total elapsed time data calculated by the total elapsed time calculation unit 79, the correction data processing unit 72 converts the correction function data held in the correction function data holding unit 73. With reference, correction data for correcting the execution recipe data is created. This correction data is held in the local correction data holding unit 75. The sensor data and the total elapsed time data represent the state of the substrate W when processing each substrate W (the state of the substrate itself and the environment in which the substrate is placed). That's it.

以下、メインコントローラ51から与えられてメイン補正データ保持部74に保持される補正データ(この実施形態では経過時間データ)を「メイン補正データ」といい、ローカル補正データ保持部75に保持される補正データを「ローカル補正データ」という。
補正関数データ保持部73には、状態パラメータに基づいて実行レシピデータに対して施すべき補正量を表すローカル補正データを計算するための関数式またはテーブルが保存されている。基板処理に適用される処理レシピ毎(または使用薬液毎)にローカル補正データの計算方法が異なる場合には、処理レシピ毎(または使用薬液毎)に、関数式またはテーブルが補正関数データ保持部73に保持されることになる。補正関数データ保持部73に保持される関数の係数またはテーブルの内容は、たとえば、ホストコントローラ55からの指示または操作部58を介する使用者の入力によって、変更可能とされていることが好ましい。
Hereinafter, the correction data (elapsed time data in this embodiment) given from the main controller 51 and held in the main correction data holding unit 74 is referred to as “main correction data”, and the correction held in the local correction data holding unit 75. The data is called “local correction data”.
The correction function data holding unit 73 stores a function formula or table for calculating local correction data representing the correction amount to be applied to the execution recipe data based on the state parameter. When the calculation method of local correction data is different for each processing recipe (or each used chemical solution) applied to the substrate processing, the function formula or table is the correction function data holding unit 73 for each processing recipe (or every used chemical solution). Will be held. It is preferable that the coefficient of the function held in the correction function data holding unit 73 or the contents of the table can be changed by an instruction from the host controller 55 or a user input via the operation unit 58, for example.

補正データ処理部72は、実行レシピデータ保持部76に保持された実行レシピデータを参照することによって、補正関数データ保持部73から当該実行レシピデータに適合する関数式またはテーブルを選択し、その選択された関数式またはテーブルを状態パラメータに適用することによって、ローカル補正データを算出し、ローカル補正データ保持部75に格納する。   The correction data processing unit 72 refers to the execution recipe data held in the execution recipe data holding unit 76, selects a function formula or table that matches the execution recipe data from the correction function data holding unit 73, and selects the selection The local correction data is calculated by applying the function expression or table thus obtained to the state parameter, and stored in the local correction data holding unit 75.

補正データ処理部72は、さらに、ローカル補正データ保持部75に保持されたローカル補正データに基づき、実行レシピデータ保持部76に保持された実行レシピデータに対して補正を施す。実行レシピデータは、メインコントローラ51からデータ受信部68によって予め受信され、実行レシピデータ保持部76に保持されるようになっている。
補正データ処理部72は、さらに、補正後のレシピデータである最終実行レシピデータを最終実行レシピデータ保持部77に格納する。この最終実行レシピデータの演算は、この実施形態では、1枚の基板Wを処理する毎に行われる。
The correction data processing unit 72 further corrects the execution recipe data held in the execution recipe data holding unit 76 based on the local correction data held in the local correction data holding unit 75. The execution recipe data is received in advance by the data receiving unit 68 from the main controller 51 and is held in the execution recipe data holding unit 76.
The correction data processing unit 72 further stores the final execution recipe data, which is the corrected recipe data, in the final execution recipe data holding unit 77. In this embodiment, the final execution recipe data is calculated every time one substrate W is processed.

基板処理制御部78は、最終実行レシピデータ保持部77に保持された最終実行レシピデータに従って、スピンチャック20に回転力を与える回転駆動機構45およびスプラッシュガード30を昇降させる昇降駆動機構46の動作を制御し、薬液供給バルブ37および純水供給バルブ40の開閉を制御し、さらに、温度調節器36の通電制御を行う(図1参照)。   The substrate processing control unit 78 operates the rotary drive mechanism 45 that applies a rotational force to the spin chuck 20 and the lift drive mechanism 46 that raises and lowers the splash guard 30 according to the final execution recipe data held in the final execution recipe data holding unit 77. Control is performed to control opening and closing of the chemical solution supply valve 37 and the pure water supply valve 40, and further, energization control of the temperature regulator 36 is performed (see FIG. 1).

一方、補正データ処理部72は、ローカル補正データ保持部75からローカル補正データを読み出して、データ送信部69を介して、メインコントローラ51へと送信する。これにより、ユニットコントローラ41〜44による実行レシピデータの補正内容がメインコントローラ51に通知される。この通知を受けたメインコントローラ51は、内部のメモリ(図示せず)に、受信したローカル補正データを保持する。このローカル補正データは、必要に応じて、ホストコントローラ55によって取得され、また、操作部58を操作することにより、使用者によって閲覧される。   On the other hand, the correction data processing unit 72 reads the local correction data from the local correction data holding unit 75 and transmits it to the main controller 51 via the data transmission unit 69. Thereby, the correction content of the execution recipe data by the unit controllers 41 to 44 is notified to the main controller 51. Receiving this notification, the main controller 51 holds the received local correction data in an internal memory (not shown). The local correction data is acquired by the host controller 55 as necessary, and is viewed by the user by operating the operation unit 58.

図5は、補正関数データ保持部73に関数式またはテーブルの形式で保持される補正関数(補正曲線)の一例を示す図である。この図5には、前工程であるドライエッチング工程終了からの経過時間(待機時間)と、ポリマー除去液を基板Wに供給すべき基本時間(基本レシピデータにより定められる基本液処理時間)に対する補正時間(液処理補正時間)との関係が示されている。より具体的には、処理レシピAで使用する薬液aの補正関数Aaを表す曲線と、別の処理レシピBで使用する薬液bの補正関数Bbを表す曲線とが表されている。   FIG. 5 is a diagram illustrating an example of a correction function (correction curve) held in the correction function data holding unit 73 in the form of a function formula or a table. FIG. 5 shows a correction for the elapsed time (standby time) from the end of the dry etching process, which is the previous process, and the basic time (basic liquid processing time determined by the basic recipe data) for supplying the polymer removal liquid to the substrate W. The relationship with time (liquid processing correction time) is shown. More specifically, a curve representing the correction function Aa for the chemical solution a used in the processing recipe A and a curve representing the correction function Bb for the chemical solution b used in another processing recipe B are represented.

ドライエッチング工程完了後の基板Wの表面には、微量のエッチングガスが残留している。この残留エッチングガスの影響によって、化学反応が進行するが、この化学反応は、経過時間が長いほどより進行することになる。そのため、前工程からの経過時間が長いほど液処理補正時間が長くなる。ただし、経過時間に対する液処理補正時間の関係は、ポリマー除去のために基板Wに供給される薬液の種類(薬液aおよびb)によって異なる。処理レシピA,Bでは異なる種類の薬液a,bが用いられるので、結局、処理レシピによって、経過時間に対する液処理補正時間の関係が異なる。   A trace amount of etching gas remains on the surface of the substrate W after completion of the dry etching process. The chemical reaction proceeds due to the influence of the residual etching gas, but this chemical reaction proceeds more as the elapsed time is longer. Therefore, the longer the elapsed time from the previous step, the longer the liquid treatment correction time. However, the relationship between the liquid processing correction time and the elapsed time differs depending on the types of chemicals (chemicals a and b) supplied to the substrate W for polymer removal. Since different types of chemicals a and b are used in the processing recipes A and B, the relationship between the liquid processing correction time and the elapsed time varies depending on the processing recipe.

前工程完了から当該基板処理装置に基板Wが搬入されるまでの時間t1を表す経過時間データ(メイン補正データ)は、ホストコントローラ55または操作部58から、補正データとして、メインコントローラ51に与えられる。メインコントローラ51は、経過時間データを、ユニットコントローラ41〜44に引き渡す。
経過時間データは、時間t1の形式で与えられる場合と、時間t1に対応した液処理補正時間T1の形式で与えられる場合とがある。液処理補正時間T1の形態で引き渡された場合、ユニットコントローラ41〜44の総経過時間演算部79は、実行レシピデータ保持部76に保持されている実行レシピデータを参照することによって処理レシピの種類(すなわち、使用薬液の種類)を特定し、さらに、当該処理レシピの種類(薬液の種類)に対応する補正関数を補正関数データ保持部73の保持データのなかから参照する。そして、この補正関数に基づいて、経過時間t1を求める。
Elapsed time data (main correction data) representing the time t1 from the completion of the previous process until the substrate W is carried into the substrate processing apparatus is supplied from the host controller 55 or the operation unit 58 to the main controller 51 as correction data. . The main controller 51 passes the elapsed time data to the unit controllers 41 to 44.
The elapsed time data may be given in the form of time t1, or may be given in the form of liquid processing correction time T1 corresponding to time t1. When delivered in the form of the liquid processing correction time T1, the total elapsed time calculation unit 79 of the unit controllers 41 to 44 refers to the execution recipe data held in the execution recipe data holding unit 76, and the type of the processing recipe (Ie, the type of chemical used) is specified, and a correction function corresponding to the type of the processing recipe (type of chemical) is referred to from the data held in the correction function data holding unit 73. Then, an elapsed time t1 is obtained based on this correction function.

さらに、総経過時間演算部79は、個々の基板Wが処理ユニット11〜14に搬入されてポリマー除去液の供給を受ける直前までの時間t2の計測結果を経過時間計測部71から得て、総経過時間t3(=t1+t2)を求める。この総経過時間t3が補正データ処理部72に引き渡される。補正データ処理部72は、総経過時間t3を処理レシピの種類(使用薬液の種類)に対応した補正関数に当てはめることによって、液処理補正時間T3を求め、ローカル補正データとしてローカル補正データ保持部75に格納する。   Further, the total elapsed time calculation unit 79 obtains the measurement result of the time t2 from immediately before each substrate W is loaded into the processing units 11 to 14 and supplied with the polymer removal liquid from the elapsed time measurement unit 71, The elapsed time t3 (= t1 + t2) is obtained. The total elapsed time t3 is delivered to the correction data processing unit 72. The correction data processing unit 72 obtains the liquid processing correction time T3 by applying the total elapsed time t3 to a correction function corresponding to the type of processing recipe (type of chemical used), and the local correction data holding unit 75 as local correction data. To store.

このようにして個々の基板Wごとに、前工程から液処理直前までの総経過時間t3に応じて、実行レシピデータに補正が加えられることになる。
図6は、前記基板処理装置による基板処理の流れを説明するためのフローチャートである。前工程(ドライエッチング工程)を終えた基板Wは、キャリヤCに収容された状態で基板処理装置に搬入される(S1)。その後、ホストコントローラ55または操作部58から、メインコントローラ51に対して、処理条件(レシピの指定および前工程からの経過時間データその他の補正データ)が入力され、さらに、処理開始指示が与えられる(S2)。
In this way, for each individual substrate W, the execution recipe data is corrected according to the total elapsed time t3 from the previous step to immediately before the liquid processing.
FIG. 6 is a flowchart for explaining the flow of substrate processing by the substrate processing apparatus. The substrate W that has finished the previous process (dry etching process) is carried into the substrate processing apparatus while being accommodated in the carrier C (S1). Thereafter, processing conditions (recipe designation and elapsed time data from the previous process and other correction data) are input from the host controller 55 or the operation unit 58 to the main controller 51, and further, a processing start instruction is given ( S2).

メインコントローラ51では、補正処理部63によって、指定されたレシピに対応する基本レシピデータがレシピデータベース60から読み出され、これに対して、経過時間データ以外の補正データ(たとえば前工程での処理条件に応じた補正データ)に基づく補正が施される。こうして、実行レシピデータが作成されて、実行レシピデータ記憶部64に記憶される。その後、メインコントローラ51は、データ送信部65から、実行レシピデータおよび経過時間データをユニットコントローラ41〜44に送信する(S3)。   In the main controller 51, basic correction data corresponding to the designated recipe is read from the recipe database 60 by the correction processing unit 63, and correction data other than the elapsed time data (for example, processing conditions in the previous process) Correction based on the correction data). In this way, execution recipe data is created and stored in the execution recipe data storage unit 64. Thereafter, the main controller 51 transmits execution recipe data and elapsed time data from the data transmission unit 65 to the unit controllers 41 to 44 (S3).

その後、インデクサロボット3および主搬送ロボット5の働きによって基板Wが、1枚ずつ、処理ユニット11〜14へと搬送される(S4)。
ユニットコントローラ41〜44では、センサデータ入力部70から雰囲気状態データを取り込む。また、メインコントローラ51から与えられる経過時間データと経過時間計測部71によって計測される経過時間t2とに基づいて、前工程からの総経過時間t3が算出される(S5)。
Thereafter, the substrates W are transferred one by one to the processing units 11 to 14 by the functions of the indexer robot 3 and the main transfer robot 5 (S4).
In the unit controllers 41 to 44, atmosphere state data is taken from the sensor data input unit 70. Further, the total elapsed time t3 from the previous process is calculated based on the elapsed time data given from the main controller 51 and the elapsed time t2 measured by the elapsed time measuring unit 71 (S5).

補正データ処理部72は、雰囲気状態データおよび総経過時間t3を補正関数データ保持部73に保持されている補正関数に照らして、ローカル補正データを求める(S6)。この求められたローカル補正データは、データ送信部69を介して、メインコントローラ51に通知される(S6)。このローカル補正データは、メインコントローラ51のデータ受信部66によって受信され、前述のとおり、メモリ(図示せず)に記憶されて、プロセスの履歴として保存される。   The correction data processing unit 72 obtains local correction data by comparing the atmosphere state data and the total elapsed time t3 with the correction function held in the correction function data holding unit 73 (S6). The obtained local correction data is notified to the main controller 51 via the data transmission unit 69 (S6). The local correction data is received by the data receiving unit 66 of the main controller 51, stored in a memory (not shown) as described above, and saved as a process history.

補正データ処理部72は、さらに、上記求められたローカル補正データに基づいて、実行レシピデータを補正し、最終実行レシピデータを作成する(S7)。この最終実行レシピデータは最終実行レシピデータ保持部77に保持される。基板処理制御部78は、その最終実行レシピデータに従って、基板処理を実行する(S8)。基板処理が終了すれば(S9)、主搬送ロボット5によって処理済みの基板Wが搬出され、代わって、未処理の基板Wが搬入される。この未処理の基板Wに対して、上記の処理が繰り返される。   The correction data processing unit 72 further corrects the execution recipe data based on the obtained local correction data and creates final execution recipe data (S7). This final execution recipe data is held in the final execution recipe data holding unit 77. The substrate processing control unit 78 executes substrate processing according to the final execution recipe data (S8). When the substrate processing is completed (S9), the processed substrate W is unloaded by the main transfer robot 5, and an unprocessed substrate W is loaded instead. The above processing is repeated for this unprocessed substrate W.

以上のようにこの実施形態によれば、個々の基板Wについて、前工程から液処理直前までの総経過時間が計測され、その総経過時間に応じてレシピデータがユニットコントローラ41〜44において補正(チューニング)される。また、個々の処理ユニット11〜14における雰囲気状態データに基づくレシピデータの補正もユニットコントローラ41〜44において行われる。これによって、個々の基板Wに対して最適化された基板処理を実現することができるので、基板処理品質を格段に向上することができる。また、個々の基板Wに対するレシピデータの最適化をユニットコントローラ41〜44において行う構成であるから、基板処理装置全体の制御を司るメインコントローラ51の処理負荷が過度に大きくなるおそれがなく、オーバーヘッドが生じる心配もない。   As described above, according to this embodiment, the total elapsed time from the previous process to immediately before the liquid processing is measured for each substrate W, and the recipe data is corrected in the unit controllers 41 to 44 according to the total elapsed time ( Tuning). The unit controllers 41 to 44 also correct recipe data based on the atmosphere state data in the individual processing units 11 to 14. As a result, the substrate processing optimized for each substrate W can be realized, so that the substrate processing quality can be remarkably improved. Further, since the recipe data is optimized in the unit controllers 41 to 44 for each substrate W, the processing load on the main controller 51 that controls the entire substrate processing apparatus is not excessively increased, and overhead is increased. There is no worry about it.

図7は、この発明の他の実施形態に係る基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。この図7において、前述の図3に示された各部に対応する部分には、図3の場合と同一の参照符号を付して示す。また、この実施形態の説明において、前述の図4を併せて参照する。
この基板処理装置は、露光機とインライン接続することができる、いわゆるコータ・デベロッパ装置であり、露光機と協働することによって、基板表面にフォトレジストパターンを形成する装置である。より具体的には、この基板処理装置は、基板表面にフォトレジストを塗布するコータユニット81と、基板表面のフォトレジスト膜を加熱するためのベークユニット82と、露光機によって露光された後のフォトレジスト膜を現像するためのデベロッパユニット83と、現像後のフォトレジストパターンをマスクとして、フォトレジストパターン下の薄膜等をエッチングするエッチングユニット84と、処理を終えた基板を検査するための検査ユニット85とを備えている。図7では、コータユニット81、熱処理ユニットとしてのベークユニット82、デベロッパユニット83およびエッチングユニット84が各1個ずつ図示されているが、実際のコータ・デベロッパ装置では、これらのユニットがそれぞれ複数個備えられ、メインコントローラ51は多数の処理ユニットの制御を司ることになる。
FIG. 7 is a block diagram showing an electrical configuration of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention. In FIG. 7, parts corresponding to the parts shown in FIG. 3 are given the same reference numerals as in FIG. In the description of this embodiment, the above-described FIG. 4 is also referred to.
This substrate processing apparatus is a so-called coater / developer apparatus that can be connected in-line with an exposure machine, and forms a photoresist pattern on the substrate surface in cooperation with the exposure machine. More specifically, the substrate processing apparatus includes a coater unit 81 for applying a photoresist to the substrate surface, a bake unit 82 for heating a photoresist film on the substrate surface, and a photo after being exposed by an exposure machine. A developer unit 83 for developing the resist film, an etching unit 84 for etching the thin film under the photoresist pattern using the developed photoresist pattern as a mask, and an inspection unit 85 for inspecting the processed substrate And. In FIG. 7, one coater unit 81, one bake unit 82 as a heat treatment unit, one developer unit 83, and one etching unit 84 are shown. However, an actual coater / developer apparatus includes a plurality of these units. The main controller 51 is responsible for controlling a number of processing units.

コータユニット81、ベークユニット82、デベロッパユニット83およびエッチングユニット84には、それぞれ、ユニットコントローラ41〜44が設けられている。
たとえば、ベークユニット82では、露光機による露光処理後のベーク処理(PEB:Post Exposure Bake)が行われる。このベークユニット82での露光後ベーク処理の条件を規定する基本レシピデータはメインコントローラ51のレシピデータベース60に予め格納されている。
The coater unit 81, the bake unit 82, the developer unit 83, and the etching unit 84 are provided with unit controllers 41 to 44, respectively.
For example, in the bake unit 82, a bake process (PEB: Post Exposure Bake) after the exposure process by the exposure machine is performed. Basic recipe data defining conditions for post-exposure bake processing in the bake unit 82 is stored in advance in the recipe database 60 of the main controller 51.

露光後の基板がベークユニット82に搬入されるのに先だって、ホストコントローラ55は、露光機における処理データ(たとえば露光量)と、前工程としての露光工程完了から当該基板が当該基板処理装置に搬入されるまでの経過時間を表す経過時間データとを、補正データとして、メインコントローラ51に与える。
メインコントローラ51では、補正制御部62によって、処理データ(たとえば露光量)に基づく基本レシピデータの補正が行われ、実行レシピデータが作成される。より具体的には、補正制御部62は、露光量が多いほどベーク処理時間を短くするように基本レシピデータを補正して実行レシピデータを作成する。この実行レシピデータが、ベークユニット82に対応したユニットコントローラ42に与えられる。また、前記経過時間データもユニットコントローラ42に与えられる。
Before the substrate after exposure is carried into the bake unit 82, the host controller 55 carries the processing data (for example, exposure amount) in the exposure machine and the substrate into the substrate processing apparatus after the completion of the exposure process as a previous process. Elapsed time data representing the elapsed time until the operation is given to the main controller 51 as correction data.
In the main controller 51, the correction control unit 62 corrects the basic recipe data based on the processing data (for example, the exposure amount), and creates execution recipe data. More specifically, the correction control unit 62 corrects the basic recipe data so as to shorten the baking processing time as the exposure amount increases, and creates execution recipe data. This execution recipe data is given to the unit controller 42 corresponding to the bake unit 82. The elapsed time data is also given to the unit controller 42.

ユニットコントローラ42では、メインコントローラ51からの実行レシピデータが実行レシピデータ保持部76に格納される一方、経過時間計測部71によって、経過時間の計測が行われる。計測される経過時間は、露光機から当該基板処理装置に基板が戻った時間を起点とする経過時間である。より正確には、経過時間計測部71は、メインコントローラ51から実行レシピデータおよび経過時間データが与えられることに応答して、経過時間の計測を開始する。経過時間計測部71は、前記基板がベークユニット82に搬入されて熱処理を受ける直前までの経過時間を計測する。   In the unit controller 42, the execution recipe data from the main controller 51 is stored in the execution recipe data holding unit 76, while the elapsed time measurement unit 71 measures the elapsed time. The measured elapsed time is an elapsed time starting from the time when the substrate returns from the exposure machine to the substrate processing apparatus. More precisely, the elapsed time measuring unit 71 starts measuring elapsed time in response to execution recipe data and elapsed time data being given from the main controller 51. The elapsed time measuring unit 71 measures the elapsed time until the substrate is carried into the bake unit 82 and immediately before being subjected to heat treatment.

総経過時間演算部79は、メインコントローラ51から与えられる経過時間データ(メイン補正データ)と、経過時間計測部71によって計測される経過時間とを加算することによって、前工程(露光工程)からベーク処理直前までの総経過時間を求める。補正データ処理部72は、求められた総経過時間を、補正関数データ保持部73に保持されている補正関数に照らして、ベーク温度(ベーク処理時の基板温度)の補正値(ローカル補正データ)を求め、この補正値に基づいて実行レシピデータを補正する。この場合、補正関数データ保持部73には、露光工程からの経過時間に対するベーク温度補正値の関係を表す補正関数(関数式またはテーブル)が予め保持されている。   The total elapsed time calculation unit 79 adds the elapsed time data (main correction data) given from the main controller 51 and the elapsed time measured by the elapsed time measurement unit 71, thereby baking from the previous process (exposure process). The total elapsed time until immediately before processing is obtained. The correction data processing unit 72 compares the obtained total elapsed time with a correction function held in the correction function data holding unit 73 and a correction value (local correction data) of the baking temperature (substrate temperature during the baking process). And the execution recipe data is corrected based on the correction value. In this case, the correction function data holding unit 73 holds in advance a correction function (function formula or table) representing the relationship of the baking temperature correction value with respect to the elapsed time from the exposure process.

補正データ処理部72は、さらに、必要に応じて、センサデータ入力部70によって取得される雰囲気状態データを補正関数データ保持部73に保持されている補正関数に照らしてローカル補正データを作成し、このローカル補正データによって実行レシピデータを補正する。
このようにして、実行レシピデータをユニットコントローラ42において補正した最終実行レシピデータが得られ、基板処理制御部78は、その最終実行レシピデータに従って、露光後ベーク処理を実行する。
The correction data processing unit 72 further creates local correction data according to the correction function held in the correction function data holding unit 73 with respect to the atmosphere state data acquired by the sensor data input unit 70, if necessary. The execution recipe data is corrected by the local correction data.
In this way, final execution recipe data obtained by correcting the execution recipe data in the unit controller 42 is obtained, and the substrate processing control unit 78 executes post-exposure baking processing according to the final execution recipe data.

このように、この実施形態によれば、露光機における処理データ(露光量)に基づく基本レシピデータの補正をメインコントローラ51において行い、露光処理から基板処理までの経過時間(待機時間)に基づくレシピデータの補正はユニットコントローラ42において行うようにしている。露光処理を受けたフォトレジスト中では、時間経過に伴って、化学反応が進行し、この経過時間がCD(Critical Dimension:微小線幅)値に影響を与える。そこで、露光工程からベーク処理までの経過時間を個々の基板毎に計測してレシピデータを補正するこの実施形態の構成を採用することにより、個々の基板に対して、適切な露光後ベーク処理を行うことができ、安定したCD値を得ることができる。   As described above, according to this embodiment, the basic recipe data is corrected in the main controller 51 based on the processing data (exposure amount) in the exposure machine, and the recipe is based on the elapsed time (standby time) from the exposure processing to the substrate processing. Data correction is performed in the unit controller 42. In the exposed photoresist, a chemical reaction proceeds with time, and this elapsed time affects a CD (Critical Dimension) value. Therefore, by adopting the configuration of this embodiment in which the elapsed time from the exposure process to the baking process is measured for each substrate and the recipe data is corrected, an appropriate post-exposure baking process is performed on each substrate. And a stable CD value can be obtained.

以上、この発明の2つの実施形態について説明したが、この発明は、さらに他の形態で実施することも可能である。たとえば、前述の実施形態では、基板を1枚ずつ処理する枚葉式処理ユニットを備えた基板処理装置を例にとったが、この発明は、複数枚の基板に対して一括して処理を施すバッチ式の処理ユニットを備えた基板処理装置に対しても適用することができる。この場合には、一括して同時に処理される複数枚の基板(バッチ)毎に、前工程からの経過時間を求め、それに応じて、ユニットコントローラにおいて、レシピデータの補正を行えばよい。   Although two embodiments of the present invention have been described above, the present invention can be implemented in other forms. For example, in the above-described embodiment, the substrate processing apparatus including the single-wafer processing unit that processes the substrates one by one is taken as an example. However, the present invention collectively processes a plurality of substrates. The present invention can also be applied to a substrate processing apparatus provided with a batch type processing unit. In this case, the elapsed time from the previous process is obtained for each of a plurality of substrates (batch) that are simultaneously processed at once, and the recipe data is corrected in the unit controller accordingly.

また、前述の実施形態では、前工程からの経過時間データが、メインコントローラ51に一旦与えられ、その後に、ユニットコントローラ41〜44に与えられる例について説明したが、経過時間データを、メインコントローラ51を介することなく、ユニットコントローラ41〜44に与える構成としてもよい。
さらに、前述の実施形態では、基板処理装置に基板が投入されてから当該基板が処理ユニットで実際に処理されるまでの経過時間を計測するようにしているが、1枚の基板の処理に要する時間がほぼ一定とみなすことができる場合には、処理された基板の枚数を計数し、その計数結果に基づいて経過時間を推定するようにしてもよい。
In the above-described embodiment, the example in which the elapsed time data from the previous process is once given to the main controller 51 and then given to the unit controllers 41 to 44 has been described. It is good also as a structure given to the unit controllers 41-44, without going through.
Furthermore, in the above-described embodiment, the elapsed time from when the substrate is loaded into the substrate processing apparatus until the substrate is actually processed by the processing unit is measured, but this is necessary for processing one substrate. When the time can be regarded as substantially constant, the number of processed substrates may be counted, and the elapsed time may be estimated based on the counting result.

また、メインコントローラ51からユニットコントローラ41〜44へのデータ(レシピデータおよび経過時間データ)の送信は、ユニットコントローラ41〜44がメインコントローラ51内のデータを参照する形式で行われてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
Transmission of data (recipe data and elapsed time data) from the main controller 51 to the unit controllers 41 to 44 may be performed in a format in which the unit controllers 41 to 44 refer to data in the main controller 51.
In addition, various design changes can be made within the scope of matters described in the claims.

この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図解的な平面図である。It is an illustrative top view for demonstrating the structure of the substrate processing apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 処理ユニットの構成例を説明するための図解図である。It is an illustration figure for demonstrating the structural example of a processing unit. 前記基板処理装置の電気的構成を説明するためのブロック図である。It is a block diagram for demonstrating the electrical structure of the said substrate processing apparatus. ユニットコントローラの電気的構成を説明するためのブロック図である。It is a block diagram for demonstrating the electrical structure of a unit controller. 補正関数データ保持部に関数式またはテーブルの形式で保持される補正関数(補正曲線)の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the correction function (correction curve) hold | maintained in the form of a function type | formula or a table in the correction function data holding part. 前記基板処理装置による基板処理の流れを説明するためのフローチャートである。It is a flowchart for demonstrating the flow of the substrate processing by the said substrate processing apparatus. この発明の他の実施形態に係る基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the electric constitution of the substrate processing apparatus which concerns on other embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 インデクサ部
2 処理部
3 インデクサロボット
5 主搬送ロボット
6 搬送路
11〜14 処理ユニット
18 ファンフィルタユニット
19 処理室内排気ダクト
20 スピンチャック
21 処理室
22 薬液ノズル
23 純水ノズル
24 処理カップ
25 排液溝
25A 排液配管
26 回収溝
26A 回収配管
27 仕切壁
28 排気路
29 カップ内排気ダクト
30 スプラッシュガード
31 排液捕獲部
32 回収液捕獲部
33 仕切壁収納溝
35 薬液供給配管
36 温度調節器
37 薬液供給バルブ
38 薬液循環配管
39 純水供給配管
40 純水供給バルブ
41〜44 ユニットコントローラ
45 回転駆動機構
46 昇降駆動機構
48 雰囲気状態センサ
50 ローカルエリアネットワーク
51 メインコントローラ
52 インデクサコントローラ
53 主搬送コントローラ
55 ホストコントローラ
57 表示部
58 操作部
60 レシピデータベース
61 補正データ記憶部
62 補正制御部
63 補正処理部
64 実行レシピデータ記憶部
65 データ送信部
66 データ受信部
68 データ受信部
69 データ送信部
70 センサデータ入力部
71 経過時間計測部
72 補正データ処理部
73 補正関数データ保持部
74 メイン補正データ保持部
75 ローカル補正データ保持部
76 実行レシピデータ保持部
77 最終実行レシピデータ保持部
78 基板処理制御部
79 総経過時間演算部
81 コータユニット
82 ベークユニット
83 デベロッパユニット
84 エッチングユニット
85 検査ユニット
W 基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Indexer part 2 Processing part 3 Indexer robot 5 Main transfer robot 6 Transfer path 11-14 Processing unit 18 Fan filter unit 19 Processing chamber exhaust duct 20 Spin chuck 21 Processing chamber 22 Chemical solution nozzle 23 Pure water nozzle 24 Processing cup 25 Drainage groove 25A Drainage pipe 26 Recovery groove 26A Recovery pipe 27 Partition wall 28 Exhaust path 29 Exhaust duct in cup 30 Splash guard 31 Drainage capture part 32 Recovery liquid capture part 33 Partition wall storage groove 35 Chemical liquid supply pipe 36 Temperature controller 37 Chemical liquid supply Valve 38 Chemical solution circulation pipe 39 Pure water supply pipe 40 Pure water supply valve 41 to 44 Unit controller 45 Rotation drive mechanism 46 Elevating drive mechanism 48 Atmosphere state sensor 50 Local area network 51 Main controller 52 Indexer control Controller 53 main transport controller 55 host controller 57 display unit 58 operation unit 60 recipe database 61 correction data storage unit 62 correction control unit 63 correction processing unit 64 execution recipe data storage unit 65 data transmission unit 66 data reception unit 68 data reception unit 69 Data transmission unit 70 Sensor data input unit 71 Elapsed time measurement unit 72 Correction data processing unit 73 Correction function data holding unit 74 Main correction data holding unit 75 Local correction data holding unit 76 Execution recipe data holding unit 77 Final execution recipe data holding unit 78 Substrate processing control unit 79 Total elapsed time calculation unit 81 Coater unit 82 Bake unit 83 Developer unit 84 Etching unit 85 Inspection unit W Substrate

Claims (9)

基板に対して処理を施すための処理ユニットと、
基板処理の内容を表すレシピデータを保持するメインコントローラと、
前記処理ユニットに備えられ、前記メインコントローラと通信可能に接続されたユニットコントローラと、
前記処理ユニットに備えられ、当該処理ユニットに供給されて処理される個々の基板毎または所定枚数の基板群毎の状態に関連する状態パラメータを検出する状態パラメータ検出手段とを含み、
前記ユニットコントローラは、
前記メインコントローラからレシピデータを受信するレシピデータ受信手段と、
このレシピデータ受信手段によって受信されたレシピデータに対して、前記状態パラメータ検出手段による検出結果に応じた補正を施して、最終実行レシピデータを作成するレシピデータ補正手段と、
このレシピデータ補正手段によって補正された最終実行レシピデータに従って基板処理を制御する基板処理制御手段とを含む、基板処理装置。
A processing unit for processing a substrate;
A main controller that holds recipe data representing the contents of substrate processing;
A unit controller provided in the processing unit and connected to the main controller in a communicable manner;
A state parameter detection unit that is provided in the processing unit and detects a state parameter related to a state of each individual substrate or a predetermined number of substrates that are supplied to the processing unit and processed;
The unit controller is
Recipe data receiving means for receiving recipe data from the main controller;
Recipe data correction means for applying the correction according to the detection result by the state parameter detection means to the recipe data received by the recipe data receiving means, and creating final execution recipe data;
A substrate processing apparatus including substrate processing control means for controlling substrate processing in accordance with final execution recipe data corrected by the recipe data correcting means.
前記ユニットコントローラは、さらに、前記レシピデータ補正手段による補正内容を前記メインコントローラに通知する補正内容通知手段を含む、請求項1記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the unit controller further includes correction content notification means for notifying the main controller of the correction content by the recipe data correction means. 前記状態パラメータ検出手段は、前記処理ユニットにおける基板処理雰囲気の状態を検出する雰囲気状態検出手段を含む、請求項1または2記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the state parameter detection unit includes an atmosphere state detection unit that detects a state of a substrate processing atmosphere in the processing unit. 前記状態パラメータ検出手段は、当該基板処理装置による処理前の工程である前工程の終了から当該処理ユニットにおいて処理されるまでの個々の基板または前記所定枚数の基板群の待機時間を求める待機時間演算手段を含む、請求項1ないし3のいずれかに記載の基板処理装置。   The state parameter detecting means calculates a standby time for determining a standby time of each substrate or the predetermined number of substrate groups from the end of the previous process, which is a process before the processing by the substrate processing apparatus, to processing in the processing unit. 4. The substrate processing apparatus according to claim 1, comprising means. 前記待機時間演算手段は、
前工程の終了から当該基板処理装置に搬入されて、当該基板処理装置による処理が開始されるまでの基板の待機時間である第1待機時間に相当するデータを取得する第1待機時間取得手段と、
当該基板処理装置による処理が開始されてから個々の基板または前記所定枚数の基板群に対する前記処理ユニットによる処理が開始されるまでの待機時間である第2待機時間を計測する第2待機時間計測手段と、
前記第1待機時間および第2待機時間を加算して総待機時間を求める総待機時間演算手段とを含む、請求項4記載の基板処理装置。
The waiting time calculating means includes:
First standby time acquisition means for acquiring data corresponding to a first standby time which is a standby time of the substrate from the end of the previous process to the substrate processing apparatus until processing by the substrate processing apparatus is started; ,
Second standby time measuring means for measuring a second standby time that is a standby time from the start of processing by the substrate processing apparatus to the start of processing by the processing unit for each substrate or the predetermined number of substrates. When,
5. The substrate processing apparatus according to claim 4, further comprising: a total standby time calculating unit that obtains a total standby time by adding the first standby time and the second standby time.
前記レシピデータ補正手段は、レシピデータによって指定される複数の処理種別にそれぞれ対応する複数の補正関数または補正テーブルを備え、この補正関数または補正テーブルに従って、前記状態パラメータ検出手段によって検出される状態パラメータに応じた補正をレシピデータに対して施すものである、請求項1ないし5のいずれかに記載の基板処理装置。   The recipe data correction means includes a plurality of correction functions or correction tables respectively corresponding to a plurality of processing types specified by recipe data, and the state parameters detected by the state parameter detection means according to the correction functions or correction tables The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein correction corresponding to the above is performed on the recipe data. 前記メインコントローラは、レシピデータに対する補正データを外部から受け付ける補正データ受付手段を含む、請求項1ないし6のいずれかに記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the main controller includes correction data receiving means for receiving correction data for recipe data from the outside. 前記メインコントローラは、前記補正データ受付手段によって受け付けられた補正データの一部または全部を前記ユニットコントローラに送信する補正データ送信手段をさらに含む、請求項7記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 7, wherein the main controller further includes a correction data transmitting unit that transmits a part or all of the correction data received by the correction data receiving unit to the unit controller. 前記補正データ受付手段は、前工程から当該基板処理装置による処理が開始されるまでの基板の待機時間を表す待機時間データを受け付ける手段を含み、
前記補正データ送信手段は、前記待機時間データを前記処理ユニットに送信する手段を含む、請求項8記載の基板処理装置。
The correction data receiving means includes means for receiving standby time data representing standby time of a substrate from the previous process until processing by the substrate processing apparatus is started,
9. The substrate processing apparatus according to claim 8, wherein the correction data transmission means includes means for transmitting the waiting time data to the processing unit.
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