JP2007123622A - Flexible printed circuit and method of manufacturing same - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a flexible printed circuit with high reliability wherein wiring adhesion strength is high even if forming a micro patterning, and to provide a method of manufacturing the same. <P>SOLUTION: In the method, a photo resist layer is formed on a metal seed layer formed on at least one side of an insulation film, conductor plating is applied to a photo resist pattern obtained by etching the photo resist layer, and the photo resist pattern is exfoliated and removed to form a metal wiring layer, after the photo resist pattern is exfoliated and removed. The side face of the metal wiring layer is etched until an undercut is removed on a lower part of the side face of the metal wiring layer. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、各種電気機器に使用する半導体パッケージ用配線基板及びその製造方法に関するものであって、特に絶縁フィルム上の配線回路をめっき法により形成したフレキシブル配線基板及びその製造方法に関するものである。   The present invention relates to a semiconductor package wiring board used for various electric devices and a method for manufacturing the same, and more particularly to a flexible wiring board in which a wiring circuit on an insulating film is formed by plating and a method for manufacturing the same.

電子機器の発展に伴い、利用度が飛躍的に増加しているTAB(Tape Automated Bonding)テープやプリント配線板には、一般に、ガラスエポキシ板上に銅の被膜を形成させた、いわゆる銅張ガラスエポキシ樹脂基板が多く用いられている。上記の銅張ガラスエポキシ樹脂基板は、予めその表面に接着剤が塗布された接着剤塗布済み銅箔の接着剤塗布面と、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸させて得たガラスエポキシ板とを重ね合わせて接着させて得る方法や、ガラスエポキシ樹脂の積層成形材料と銅箔とを重ね合わせて熱圧着させる方法などによって製造されている。
しかし、プリント配線基板がテレビ、カメラ等の民生用機器類、コンピュータ等の多種産業機器類に幅広く使用されるにつれ、高密度な配線が要求されてきた結果、微細な回路を精度よく形成するために、銅被覆層の薄肉化が一段と進んできた。
従って、銅張ガラスエポキシ樹脂基板は、銅被覆層の薄肉化に伴い、無電解めっきにより銅被膜を形成する開発が進んでいる。
TAB (Tape Automated Bonding) tapes and printed wiring boards, which have dramatically increased in use with the development of electronic equipment, are generally so-called copper-clad glass in which a copper film is formed on a glass epoxy board. Epoxy resin substrates are often used. The copper-clad glass epoxy resin substrate is formed by laminating an adhesive-coated copper foil with an adhesive coated on the surface in advance and a glass epoxy plate obtained by impregnating a glass cloth with an epoxy resin. They are manufactured by a method obtained by bonding them together, a method of laminating a glass epoxy resin laminate molding material and a copper foil, and thermocompression bonding.
However, as printed wiring boards are widely used in consumer equipment such as televisions and cameras, and various industrial equipment such as computers, high-density wiring has been required, so that fine circuits can be formed with high accuracy. In addition, the thickness of the copper coating layer has been further reduced.
Therefore, the development of forming a copper coating by electroless plating is progressing with the copper-clad glass epoxy resin substrate as the copper coating layer becomes thinner.

一般にTABテープやフレキシブル配線基板は、ポリイミドフィルム等の絶縁フィルム上に形成された銅箔にフォトレジスト層を形成し、銅箔をエッチングすることで配線回路を形成するが、近年、配線回路の高密度化の要求から微細配線の形成に有利なセミアディティブ法などが提案さている(例えば、特許文献1参照。)。
セミアディティブ法は、絶縁フィルム上に形成された金属シード層の上にフォトレジストパターンを形成し、フォトレジストパターンに沿って露出する金属シード層の表面に、導体金属のめっきを施すことで金属配線回路を形成し、その後レジストを剥離、除去して残った金属シード層をエッチング除去する方法である。
このようにして得られたフレキシブル配線基板は、金属被膜とガラスエポキシ樹脂との境界面に接着剤を介すことが無いため、回路接着強度の熱的信頼性と回路間電気絶縁性に優れたものとなる利点がある。
また、最近では金属シード層を形成せずに、絶縁フィルム上に金属触媒層を形成し、その後レジスト形成し、導体金属のめっきをして回路形成するフルアディティブ法なども検討されている。
In general, a TAB tape or a flexible wiring board forms a photoresist layer on a copper foil formed on an insulating film such as a polyimide film, and forms a wiring circuit by etching the copper foil. A semi-additive method that is advantageous for forming fine wiring has been proposed because of the demand for higher density (see, for example, Patent Document 1).
In the semi-additive method, a photoresist pattern is formed on a metal seed layer formed on an insulating film, and a conductive metal plating is applied to the surface of the metal seed layer exposed along the photoresist pattern to form a metal wiring. In this method, a circuit is formed, and then the resist is removed and removed, and the remaining metal seed layer is removed by etching.
The flexible wiring board obtained in this way is superior in thermal reliability of circuit adhesive strength and electrical insulation between circuits because no adhesive is interposed on the interface between the metal coating and the glass epoxy resin. There are benefits to be gained.
Recently, a full additive method in which a metal catalyst layer is formed on an insulating film without forming a metal seed layer, a resist is formed, and a metal is plated to form a circuit has been studied.

以下に、従来のセミアディティブ法について図4を用いて説明する。
先ず、図4(a)示すように、ポリイミド等からなる絶縁フィルム1上に第一の金属シード層2としてニッケル/クロム合金層、第二の金属シード層3として銅スパッタ層が形成された2層CCL(Copper Clad Laminate )基材の表面に、ドライフィルムレジスト等を用いてフォトレジスト層17を形成する。
次に図4(b)に示すように、フォトレジスト層17に所望の回路パターンマスク18を用いて露光し、現像してフォトレジストパターン7を形成する。この際、配線回路用パターンの幅Wは、所望の配線回路幅と同じに形成しておく。図4の場合は、金属配線層の間隔Wは配線回路幅と同じに形成してある場合を示している。
フォトレジスト層17の露光・エッチングに際しては、レジスト層の最深部を垂直にエッチングすることが難しいので、レジスト層の最深部にレジストの張り出し部27が生じる。
次に図4(c)に示すように、フォトレジストパターン7の露出部に硫酸銅めっき浴などを用いてめっきを施し、金属配線層を形成する。その後フォトレジストパターン7を剥離除去する。この際には、先のレジストの張り出し部27に沿って金属配線層にくびれ14が生じる。
The conventional semi-additive method will be described below with reference to FIG.
First, as shown in FIG. 4A, a nickel / chromium alloy layer as a first metal seed layer 2 and a copper sputter layer as a second metal seed layer 3 are formed on an insulating film 1 made of polyimide or the like. A photoresist layer 17 is formed on the surface of a layer CCL (Copper Clad Laminate) substrate using a dry film resist or the like.
Next, as shown in FIG. 4B, the photoresist layer 17 is exposed using a desired circuit pattern mask 18 and developed to form a photoresist pattern 7. At this time, the width W of the wiring circuit pattern is formed to be the same as the desired wiring circuit width. In the case of FIG. 4, the interval W between the metal wiring layers is the same as the wiring circuit width.
When the photoresist layer 17 is exposed and etched, it is difficult to vertically etch the deepest part of the resist layer, so that a resist overhanging part 27 is formed in the deepest part of the resist layer.
Next, as shown in FIG. 4C, the exposed portion of the photoresist pattern 7 is plated using a copper sulfate plating bath or the like to form a metal wiring layer. Thereafter, the photoresist pattern 7 is peeled and removed. At this time, the constriction 14 is generated in the metal wiring layer along the protruding portion 27 of the resist.

次に図4(d)に示すように、金属配線層の間に露出する銅スパッタ層からなる第二の金属シード層3をエッチング除去する。銅スパッタ層からなる第二の金属シード層3のエッチングには、硫酸及び過酸化水素からなるソフトエッチング液などが良く用いられる。
次に図4(e)に示すように、第一の金属シード層2であるニッケル/クロム合金層を市販の専用液でエッチング除去する。
その後図4(f)に示すように、必要に応じて金属配線層4の周囲に絶縁保護膜5を形成する。
このようにして得られた回路基板の配線回路部分の断面構造を拡大して図5に示す。
特開平08−064930号公報
Next, as shown in FIG. 4D, the second metal seed layer 3 made of a copper sputter layer exposed between the metal wiring layers is removed by etching. For etching the second metal seed layer 3 made of a copper sputter layer, a soft etching solution made of sulfuric acid and hydrogen peroxide is often used.
Next, as shown in FIG. 4E, the nickel / chromium alloy layer, which is the first metal seed layer 2, is removed by etching with a commercially available dedicated solution.
Thereafter, as shown in FIG. 4F, an insulating protective film 5 is formed around the metal wiring layer 4 as necessary.
FIG. 5 shows an enlarged cross-sectional structure of the wiring circuit portion of the circuit board thus obtained.
Japanese Patent Application Laid-Open No. 08-064930

しかしながら、上記した従来のフレキシブル配線基板の製造方法では、形成されたフォトレジストパターンの外周下面に発生するレジスト裾残り(レジストの張り出し部)により、めっき後の金属配線層側面の下部には図5に示すように、金属配線層が基板に接合されていない領域、いわゆるアンダーカット9が発生する。
このアンダーカット9により、絶縁フィルム1と金属配線層との接着幅wは、金属配線層の幅Wよりも狭くなり、金属配線層の接着強度を低下させる要因となっていた。このため、特に金属配線層幅Wが15μm以下の微細配線の形成においては、配線回路幅そのものが細くなるため配線回路W幅に対する接着幅wの比率が低くなり、接着強度低下がより深刻な問題となっていた。アンダーカット深さDは(W−w)/2で表され、DがWの7.5%を超えるようになると接着強度低下は深刻な問題となってくる。
本発明の課題とするところはこのような問題点を解決し、微細配線回路の形成においても金属配線層接着強度が高く、信頼性の高いフレキシブル配線基板及びのその製法を提案するものである。
However, in the above-described conventional method for manufacturing a flexible wiring board, the resist bottom portion (resist overhanging portion) generated on the lower surface of the outer periphery of the formed photoresist pattern causes a lower portion of the side surface of the metal wiring layer after plating to be formed as shown in FIG. As shown in FIG. 3, a region where the metal wiring layer is not bonded to the substrate, that is, a so-called undercut 9 occurs.
Due to the undercut 9, the adhesive width w between the insulating film 1 and the metal wiring layer becomes narrower than the width W of the metal wiring layer, which causes a decrease in the adhesive strength of the metal wiring layer. For this reason, particularly in the formation of fine wiring with a metal wiring layer width W of 15 μm or less, the wiring circuit width itself becomes narrow, so the ratio of the bonding width w to the wiring circuit W width decreases, and the decrease in bonding strength becomes more serious. It was. The undercut depth D is expressed by (W−w) / 2, and when D exceeds 7.5% of W, a decrease in adhesive strength becomes a serious problem.
An object of the present invention is to solve such problems and propose a highly reliable flexible wiring board having a high metal wiring layer adhesion strength in the formation of a fine wiring circuit and a method for producing the same.

上記課題を解決するため、本発明はめっき後の配線の側面をエッチングすることでレジスト裾残りにより発生するアンダーカット部分を除去するものである。
そのためには、予め金属配線層の幅を太く作製し金属配線層の側面をアンダーカットと共にエッチングした後に所望の寸法が得られるようにする。
こうすることでアンダーカットを容易に減少させることができ、微細配線の形成においても配線の接着強度の高いフレキシブル配線基板の提供が可能となる。
In order to solve the above-described problems, the present invention removes an undercut portion caused by a resist skirt residue by etching a side surface of a wiring after plating.
For this purpose, the width of the metal wiring layer is made thick beforehand, and a desired dimension is obtained after the side surface of the metal wiring layer is etched together with the undercut.
By doing so, undercuts can be easily reduced, and it is possible to provide a flexible wiring board with high wiring adhesive strength even in the formation of fine wiring.

即ち、本発明のフレキシブル配線基板の製造方法の一つは、絶縁フィルムの少なくとも片面に形成された金属シード層上にフォトレジスト層を形成し、該フォトレジスト層をエッチングして得られたフォトレジストパターンに導体めっきを施し、次いで該フォトレジストパターンを剥離除去して金属配線層を形成したフレキシブル配線基板の製造方法において、前記フォトレジストパターンを剥離除去した後、前記金属配線層の側面下部に存在するアンダーカットが除去されるまで該金属配線層の側面をエッチングすることを特徴とするものである。
本発明のフレキシブル配線基板の製造方法の他の一つは、絶縁フィルムの少なくとも片面に形成された金属シード層上にフォトレジスト層を形成し、該フォトレジスト層をエッチングして得られたフォトレジストパターンに導体めっきを施し、次いで該フォトレジストパターンを剥離除去して金属配線層を形成したフレキシブル配線基板の製造方法において、前記フォトレジストパターンを剥離除去した後、前記金属シード層をエッチングすると同時に、前記金属配線層の側面下部に存在するアンダーカットが除去されるまで該金属配線層の側面をエッチングすることを特徴とするものである。
That is, one of the methods for producing a flexible wiring board of the present invention is a photoresist obtained by forming a photoresist layer on a metal seed layer formed on at least one side of an insulating film and etching the photoresist layer. In a method of manufacturing a flexible wiring board in which a conductive plating is applied to a pattern and then the photoresist pattern is peeled and removed to form a metal wiring layer, the photoresist pattern is peeled and removed, and then present on the lower side of the metal wiring layer. The side surface of the metal wiring layer is etched until the undercut is removed.
Another method for producing a flexible wiring board according to the present invention is a photoresist obtained by forming a photoresist layer on a metal seed layer formed on at least one surface of an insulating film and etching the photoresist layer. In the method for manufacturing a flexible wiring board in which a conductive plating is applied to the pattern, and then the photoresist pattern is peeled and removed to form a metal wiring layer, the photoresist pattern is peeled and removed, and then the metal seed layer is etched, The side surface of the metal wiring layer is etched until the undercut existing at the lower side of the side surface of the metal wiring layer is removed.

本発明のフレキシブル配線基板の製造方法においては、前記めっき後の金属配線層の幅が所望の金属配線層の幅よりも1〜5μm広くなるように、フォトレジストパターンを形成することが好ましい。
また、前記金属シード層は銅又は銅合金であることが好ましい。
さらに、前記金属シード層がニッケル、クロムもしくはこれらの合金からなる第一の金属シード層と、銅又は銅合金からなる第二の金属シード層から構成することが好ましい。
In the method for producing a flexible wiring board of the present invention, it is preferable that the photoresist pattern is formed so that the width of the metal wiring layer after plating is 1 to 5 μm wider than the width of the desired metal wiring layer.
The metal seed layer is preferably copper or a copper alloy.
Furthermore, it is preferable that the metal seed layer comprises a first metal seed layer made of nickel, chromium or an alloy thereof and a second metal seed layer made of copper or a copper alloy.

本発明のフレキシブル配線基板の製造方法においては、前記金属配線層及び金属配線層下部のアンダーカットのエッチング除去をスプレーエッチングにより行うことができる。
これらの製造方法を採用すれば、配線接着強度が高く、信頼性の高いフレキシブル配線基板を簡単な方法で確実に提供することができる。
In the method for manufacturing a flexible wiring board according to the present invention, the metal wiring layer and the undercut etching under the metal wiring layer can be removed by spray etching.
If these manufacturing methods are employed, a flexible wiring board having high wiring adhesive strength and high reliability can be reliably provided by a simple method.

また、本発明のフレキシブル配線基板の一つは、上記製造方法により得られたフレキシブル配線基板であって、前記金属配線層の幅が5〜15μmの範囲にあって、かつ該金属配線層と絶縁フィルムの間に存在するアンダーカットの深さが金属配線層側面から0.21〜1.0μmの範囲にあることを特徴とするものである。
このような構造のフレキシブル配線基板とすれば、微細配線においても金属配線層の接着強度の高いフレキシブル配線基板とすることができる。
更に、本発明の他のフレキシブル配線基板は、前記絶縁フィルムがポリイミド樹脂からなり、前記金属配線層がニッケル−クロム合金層と銅スパッタ層からなる2層CCL基材の表面に形成されてなることを特徴とするものである。
このような構造のフレキシブル配線基板とすれば、耐久性に優れ、導電性の良い回路配線が形成できるので、微細な回路が形成でき、電子機器の小型化に大いに貢献することができる。
Also, one of the flexible wiring boards of the present invention is a flexible wiring board obtained by the above manufacturing method, wherein the width of the metal wiring layer is in the range of 5 to 15 μm and is insulated from the metal wiring layer. The depth of the undercut existing between the films is in the range of 0.21 to 1.0 μm from the side surface of the metal wiring layer.
If the flexible wiring board having such a structure is used, a flexible wiring board having a high bonding strength of the metal wiring layer can be obtained even in a fine wiring.
Furthermore, in another flexible wiring board of the present invention, the insulating film is made of a polyimide resin, and the metal wiring layer is formed on the surface of a two-layer CCL substrate made of a nickel-chromium alloy layer and a copper sputter layer. It is characterized by.
With a flexible wiring board having such a structure, circuit wiring having excellent durability and good conductivity can be formed, so that a fine circuit can be formed and can greatly contribute to miniaturization of electronic equipment.

上記したように本発明によれば、金属配線層の側面下部のアンダーカットを減少させることができ、微細配線の形成においても配線接着強度が高く、信頼性の高いフレキシブル配線基板を提供できる。   As described above, according to the present invention, it is possible to reduce the undercut at the lower side of the metal wiring layer, and it is possible to provide a flexible wiring board with high wiring adhesion strength and high reliability in the formation of fine wiring.

先ず、本発明のフレキシブル配線基板について説明をする。
図1は、本発明の第1の実施形態に係るフレキシブル配線基板の金属配線層近傍の構造を示す断面図である。図2は、本発明の第2の実施形態に係るフレキシブル配線基板の金属配線層近傍の構造を示す断面図である。
図1に示す本発明の第1の実施形態に係るフレキシブル配線基板は、絶縁フィルム1の片面にめっきによる金属配線層4を形成した配線基板であって、該金属配線層4がその全幅にわたって絶縁フィルム1に接合しているフレキシブル配線基板である。
このフレキシブル配線基板は、金属配線層4と絶縁フィルム1との接触面積が大きいので、微細配線になっても接合強度が高く、信頼性に高いフレキシブル配線基板となっている。
First, the flexible wiring board of the present invention will be described.
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a structure in the vicinity of a metal wiring layer of a flexible wiring board according to a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view showing the structure in the vicinity of the metal wiring layer of the flexible wiring board according to the second embodiment of the present invention.
The flexible wiring board according to the first embodiment of the present invention shown in FIG. 1 is a wiring board in which a metal wiring layer 4 is formed by plating on one side of an insulating film 1, and the metal wiring layer 4 is insulated over its entire width. A flexible wiring board bonded to the film 1.
Since this flexible wiring board has a large contact area between the metal wiring layer 4 and the insulating film 1, it is a flexible wiring board having high bonding strength and high reliability even if it becomes a fine wiring.

図2に示す本発明の第2の実施形態に係るフレキシブル配線基板は、絶縁フィルム1の片面にめっきによる金属配線層4を形成したフレキシブル配線基板であって、該金属配線層4の全幅の85〜95%が絶縁フィルム1に接合しているフレキシブル配線基板である。すなわち、金属配線層4が絶縁フィルム1に接合している幅wは、金属配線層4の幅Wの85〜95%となっている(w/W=0.85〜0.95)。金属配線層4のアンダーカット9の幅dは、d=(W−w)/2の関係になっている。つまり、アンダーカット9の幅dが、d=[1−(0.85〜0.95)]W/2の範囲であれば、接合強度不足に陥ることはなく、信頼性の高いフレキシブル配線基板となる。
フレキシブル配線基板の形成に当たって、金属配線層のアンダーカットを完全に無くすことは製造歩留まりの観点からもかなり難しいことから、多少のアンダーカットが残存していても接合強度向上に寄与することができる。
The flexible wiring board according to the second embodiment of the present invention shown in FIG. 2 is a flexible wiring board in which the metal wiring layer 4 is formed by plating on one side of the insulating film 1, and the entire width of the metal wiring layer 4 is 85. ˜95% is a flexible wiring board bonded to the insulating film 1. That is, the width w at which the metal wiring layer 4 is bonded to the insulating film 1 is 85 to 95% of the width W of the metal wiring layer 4 (w / W = 0.85 to 0.95). The width d of the undercut 9 of the metal wiring layer 4 has a relationship of d = (W−w) / 2. In other words, if the width d of the undercut 9 is in the range of d = [1- (0.85 to 0.95)] W / 2, the bonding strength does not fall short, and the highly reliable flexible wiring board. It becomes.
In forming the flexible wiring board, it is quite difficult from the viewpoint of manufacturing yield to completely eliminate the undercut of the metal wiring layer, so that even if some undercut remains, it can contribute to the improvement of the bonding strength.

次に、本発明におけるフレキシブル配線基板の製造方法の一例について図を用いて説明する。
図3は、本発明のフレキシブル配線基板の製造方法を説明する断面工程図である。
先ず図3(a)に示すように、絶縁樹脂フィルム1の片面にニッケル/クロム合金からなる第一の金属シード層2及び銅スパッタ膜からなる第二の金属シード層3が形成された2層CCL( Copper Clad Laminate ) 基材の、第二の金属シード層3をなす銅スパッタ層の表面にドライフィルムからなるフォトレジスト層17をラミネート法によりを形成する。
次に図3(b)に示すように、フォトレジスト層17に所望の回路パターンマスク18を用いて露光し、現像してフォトレジストパターン7を形成する。このときの回路パターンマスク18は後の工程で回路配線幅がエッチングにより細くなるため、予め回路配線幅が広くなるように補正しておく。すなわち、回路配線用の回路パターンマスク18の幅W’は、所望の金属配線層の幅Wよりもエッチング工程でエッチングすべき幅を見越して広くしておく。反対に金属配線層間の間隔W”は、所望の金属配線層の幅Wよりも狭くしておく。つまり、図3(b)においてW”<W<W’の関係になるようにしておく。広くする割合(W’−W)は、エッチング工程に起因して生じるであろうアンダーカット幅の0.5〜3倍、好ましくは1〜3倍広くしておく。アンダーカット幅はレジストにもよるが、例えば日立化成(株)製のRY3215ではおよそ0.5〜1.5μm発生することがある。この場合の金属配線層幅は目標とする金属配線層幅に対し、レジストパターンにおいて1〜5μm広く補正することが望ましい。
Next, an example of a method for manufacturing a flexible wiring board according to the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 3 is a cross-sectional process diagram illustrating a method for manufacturing a flexible wiring board according to the present invention.
First, as shown in FIG. 3A, two layers in which a first metal seed layer 2 made of nickel / chromium alloy and a second metal seed layer 3 made of a sputtered copper film are formed on one surface of an insulating resin film 1. A photoresist layer 17 made of a dry film is formed on a surface of a copper sputter layer forming the second metal seed layer 3 of a CCL (Copper Clad Laminate) substrate by a laminating method.
Next, as shown in FIG. 3B, the photoresist layer 17 is exposed using a desired circuit pattern mask 18 and developed to form a photoresist pattern 7. The circuit pattern mask 18 at this time is corrected so that the circuit wiring width is widened in advance because the circuit wiring width is reduced by etching in a later process. That is, the width W ′ of the circuit pattern mask 18 for circuit wiring is set wider than the width W of the desired metal wiring layer in anticipation of the width to be etched in the etching process. On the contrary, the interval W ″ between the metal wiring layers is made narrower than the desired width W of the metal wiring layer. That is, the relationship W ″ <W <W ′ is established in FIG. The ratio of widening (W′−W) is set to be 0.5 to 3 times, preferably 1 to 3 times wider than the undercut width that will be generated due to the etching process. Although the undercut width depends on the resist, for example, RY3215 manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd. may generate approximately 0.5 to 1.5 μm. In this case, the width of the metal wiring layer is desirably corrected by 1 to 5 μm wider in the resist pattern than the target metal wiring layer width.

次に図3(c)に示すように、フォトレジストパターン7の開口部に露出する銅スパッタ層表面に重ねて銅めっきを施し金属配線層4の形成を行う。銅めっきは市販の硫酸銅めっき浴が使用できる。その後、フォトレジストパターン7を水酸化ナトリウム水溶液などを用いて剥離除去する。
次に図3(d)に示すように、回路配線間に露出する銅スパッタ層を市販のソフトエッチング液を用いでエッチング除去し、ニッケル/クロム合金層を露出させる。このとき、同時にあるいはその後、金属配線層4の側面4aのエッチングも行うため、従来の銅スパッタのみのエッチングよりも過剰にエッチングを行う。また、回金属路配線上面と金属配線層側面でエッチング速度の選択性を持たせ、金属配線層側面のエッチングが進みやすくさせるためにスプレーエッチングを使用することが好ましい。
また、このとき金属配線層側面がエッチングされることで金属配線層が細くなるが、ここで所望の金属配線層幅Wが得られるようにする。
Next, as shown in FIG. 3C, the metal wiring layer 4 is formed by performing copper plating on the surface of the copper sputter layer exposed at the opening of the photoresist pattern 7. For the copper plating, a commercially available copper sulfate plating bath can be used. Thereafter, the photoresist pattern 7 is peeled off using a sodium hydroxide aqueous solution or the like.
Next, as shown in FIG. 3D, the copper sputter layer exposed between the circuit wirings is removed by etching using a commercially available soft etching solution to expose the nickel / chromium alloy layer. At this time, the side surface 4a of the metal wiring layer 4 is also etched at the same time or thereafter, so that the etching is performed in excess of the conventional copper sputtering only. Further, it is preferable to use spray etching in order to provide selectivity of the etching rate between the upper surface of the circuit metal wiring and the side surface of the metal wiring layer, and to facilitate the etching of the side surface of the metal wiring layer.
Further, at this time, the metal wiring layer is thinned by etching the side surface of the metal wiring layer, but a desired metal wiring layer width W is obtained here.

次に図3(e)に示すように、露出したニッケル/クロム合金層を市販のニッケル/クロム選択エッチング液などを用いて除去する。
その後図3(f)に示すように、従来の技術同様に必要に応じて金属配線層4の周囲に絶縁保護膜5を形成する。
Next, as shown in FIG. 3E, the exposed nickel / chromium alloy layer is removed using a commercially available nickel / chromium selective etching solution or the like.
Thereafter, as shown in FIG. 3F, an insulating protective film 5 is formed around the metal wiring layer 4 as necessary, as in the conventional technique.

上記工程によると隙間が狭いアンダーカット部分はエッチングが進みにくく、エッチング液の循環が良い金属配線層側面はエッチング進み易くなる。このために予め金属配線層幅を大きく形成しておき、前記図3(d)の工程において過剰なエッチングを行うことでアンダーカットを減少させることが可能となる。
また、上記3(d)の工程で先ず従来通りの銅スパッタのエッチングのみ行い、その後図3(e)の工程の後に回路配線側面のエッチングを行っても同様の効果が得られる。
[実施例及び比較例]
以下に本発明よる実施例及び比較例を示して説明する。
According to the above process, the etching is difficult to proceed in the undercut portion where the gap is narrow, and the side surface of the metal wiring layer where the circulation of the etching solution is good is likely to proceed. For this purpose, it is possible to reduce the undercut by forming a large metal wiring layer width in advance and performing excessive etching in the step of FIG.
Further, the same effect can be obtained by performing only the conventional copper sputter etching in the step 3 (d) and then etching the side surfaces of the circuit wiring after the step of FIG. 3 (e).
[Examples and Comparative Examples]
Hereinafter, examples and comparative examples according to the present invention will be described.

図3に示す工程図に従って、フレキシブル回路基板を作製した。
本実施例においては厚さ38μmのポリイミドフィルム上にスパッタリング法で形成された厚さ170Åのニッケル/クロム層及び厚さ0.1μmの銅スパッタ層が形成された2層CCL基材を使用した。
先ず図3(a)に示すように、銅スパッタ層の表面にドライフィルムレジスト(品名RY−3215:日立化成(株)製)をラミネートした。
次に図3(b)に示すように、照度40mJで露光し、温度30℃の1%炭酸ナトリウム水溶液にレジストフィルムを接して現像を行い、レジスト回路パターンの形成を行った。このとき露光パターンマスクは最終目標とするライン/スペース幅;10μm/10μmに対して、13μm/7μmと回路配線パターンの幅が3μm大きくなるようにした。
A flexible circuit board was produced according to the process diagram shown in FIG.
In this example, a two-layer CCL substrate in which a nickel / chrome layer having a thickness of 170 mm and a copper sputter layer having a thickness of 0.1 μm formed on a polyimide film having a thickness of 38 μm by a sputtering method was used.
First, as shown in FIG. 3A, a dry film resist (product name RY-3215: manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) was laminated on the surface of the copper sputter layer.
Next, as shown in FIG. 3B, exposure was performed at an illuminance of 40 mJ, a resist film was brought into contact with a 1% sodium carbonate aqueous solution at a temperature of 30 ° C., and development was performed to form a resist circuit pattern. At this time, the exposure pattern mask had a final line / space width of 10 μm / 10 μm, and the width of the circuit wiring pattern was increased by 3 μm to 13 μm / 7 μm.

次に図3(c)に示すように市販の硫酸銅めっき浴を用い、厚さ約9μmの銅めっきを行なった。その後、ドライフィルムレジストを濃度5%の水酸化ナトリウム水溶液を用いて剥離除去した。
次に図3(d)に示すように、主成分が硫酸及び過酸化水素からなるソフトエッチング液(品名CPE800:菱江化学(株)製)を用いて、温度30℃、圧力0.1MPaの条件で約30秒間スプレー処理を行った。
Next, as shown in FIG.3 (c), about 9 micrometers thick copper plating was performed using the commercially available copper sulfate plating bath. Thereafter, the dry film resist was peeled and removed using an aqueous sodium hydroxide solution having a concentration of 5%.
Next, as shown in FIG. 3 (d), using a soft etching solution (product name: CPE800: manufactured by Hishie Chemical Co., Ltd.) whose main components are sulfuric acid and hydrogen peroxide, a temperature of 30 ° C. and a pressure of 0.1 MPa. For about 30 seconds.

次いで、図3(e)に示すように、露出したニッケル/クロム合金層を市販のニッケル/クロム選択エッチング液(品名CH1920:メック(株)製)を用いて温度40℃で2秒間浸漬してニッケル/クロム合金層を除去した。
得られたフレキシブル配線基板の配線ピール強度測定と断面による回路配線寸法の測定を行い表1の結果を得た。
Next, as shown in FIG. 3 (e), the exposed nickel / chromium alloy layer was immersed for 2 seconds at a temperature of 40 ° C. using a commercially available nickel / chromium selective etching solution (product name CH1920: manufactured by MEC Co., Ltd.). The nickel / chromium alloy layer was removed.
The results of Table 1 were obtained by measuring the wiring peel strength of the obtained flexible wiring board and measuring the circuit wiring dimensions by the cross section.

Figure 2007123622
Figure 2007123622

(比較例1)
図4の工程図に基づいてフレキシブル回路基板を作製した。
本比較例においては上記実施例1と同様に厚さ38μmのポリイミドフィルム上にスパッタリング法で形成された厚さ170Åのニッケル/クロム層及び厚さ0.1μmの銅スパッタ層が形成された2層CCL基材を用いた。
先ず図4(a)に示すように、本発明における実施例1と同様に銅スパッタ層の表面にドライフィルムレジスト(品名RY−3215:日立化成(株)製)をラミネート法により形成した。
次に図4(b)に示すように、照度40mJで露光し、温度30℃の1%炭酸ナトリウム水溶液にレジストフィルムを接して現像を行った。また、このとき露光パターンマスクは最終目標通りのライン/スペース幅が10μm/10μmとなるようにした。
(Comparative Example 1)
A flexible circuit board was produced based on the process diagram of FIG.
In this comparative example, two layers in which a nickel / chromium layer having a thickness of 170 mm and a copper sputter layer having a thickness of 0.1 μm formed on a polyimide film having a thickness of 38 μm and a copper sputtering layer having a thickness of 0.1 μm were formed on a polyimide film having a thickness of 38 μm. A CCL substrate was used.
First, as shown in FIG. 4A, a dry film resist (product name RY-3215: manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) was formed on the surface of the copper sputter layer by the laminating method as in Example 1 of the present invention.
Next, as shown in FIG. 4B, exposure was performed at an illuminance of 40 mJ, and the resist film was brought into contact with a 1% sodium carbonate aqueous solution at a temperature of 30 ° C. for development. At this time, the exposure pattern mask had a line / space width of 10 μm / 10 μm as the final target.

次に図4(c)に示すように、市販の硫酸銅めっき浴を用い、厚さ約8μmの銅めっきを行った。その後、ドライフィルムレジストを濃度5%の水酸化ナトリウム水溶液を用いて剥離除去した。
次に図2(d)に示すように、主成分が硫酸及び過酸化水素からなるソフトエッチング液(品名CPE800:菱江化学(株)製)を用いて、温度30℃の条件で約15秒間浸漬処理を行った。
最後に図2(e)に示すように露出したニッケル/クロム合金層を市販のニッケル/クロム選択エッチング液(品名CH1920:メック(株)製)を用いて温度40℃で2分間浸漬してニッケル/クロム合金層を除去した。
Next, as shown in FIG.4 (c), about 8 micrometers thick copper plating was performed using the commercially available copper sulfate plating bath. Thereafter, the dry film resist was peeled and removed using an aqueous sodium hydroxide solution having a concentration of 5%.
Next, as shown in FIG. 2 (d), using a soft etching solution (product name: CPE800: manufactured by Hishie Chemical Co., Ltd.) whose main components are sulfuric acid and hydrogen peroxide, immersion is performed for about 15 seconds at a temperature of 30 ° C. Processed.
Finally, as shown in FIG. 2 (e), the exposed nickel / chromium alloy layer is immersed in a commercially available nickel / chromium selective etching solution (product name CH1920: manufactured by MEC Co., Ltd.) for 2 minutes at a temperature of 40 ° C. / The chromium alloy layer was removed.

得られたフレキシブル配線基板の配線ピール強度測定と断面による回路配線寸法の測定を行い、表2の結果を得た。   Measurement of the wiring peel strength of the obtained flexible wiring board and measurement of the circuit wiring dimensions by the cross section were performed, and the results shown in Table 2 were obtained.

Figure 2007123622
Figure 2007123622

表1と表2とを比較すると、比較例1では実施例1に比べてアンダーカット深さが大きく、接合割合が低いので、ピール強度が低いことが確認された。   Comparing Table 1 and Table 2, it was confirmed that in Comparative Example 1, the undercut depth was larger than that in Example 1 and the joining ratio was low, so the peel strength was low.

本発明の第1の実施形態に係るフレキシブル配線基板の構造を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the flexible wiring board which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第2の実施形態に係るフレキシブル配線基板の構造を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the flexible wiring board which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明のフレキシブル配線基板の製造方法を説明する断面工程図である。It is sectional process drawing explaining the manufacturing method of the flexible wiring board of this invention. 従来のフレキシブル配線基板の製造方法を説明する断面工程図である。It is sectional process drawing explaining the manufacturing method of the conventional flexible wiring board. 従来のフレキシブル配線基板の構造を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the structure of the conventional flexible wiring board.

符号の説明Explanation of symbols

1 絶縁フィルム
2 第一の金属シード層
3 第二の金属シード層
4 金属配線層
5 絶縁膜
7 フォトレジストパターン
9 アンダーカット
14 くびれ
17 フォトレジスト層
18 パターンマスク
27 張り出し部

DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Insulating film 2 1st metal seed layer 3 2nd metal seed layer 4 Metal wiring layer 5 Insulating film 7 Photoresist pattern 9 Undercut 14 Constriction 17 Photoresist layer 18 Pattern mask 27 Overhang | projection part

Claims (8)

絶縁フィルムの少なくとも片面に形成された金属シード層上にフォトレジスト層を形成し、該フォトレジスト層をエッチングして得られたフォトレジストパターンに導体めっきを施し、次いで該フォトレジストパターンを剥離除去して金属配線層を形成したフレキシブル配線基板の製造方法において、
前記フォトレジストパターンを剥離除去した後、前記金属配線層の側面下部に存在するアンダーカットが除去されるまで該金属配線層の側面をエッチングすることを特徴とするフレキシブル配線基板の製造方法。
A photoresist layer is formed on the metal seed layer formed on at least one surface of the insulating film, the photoresist pattern obtained by etching the photoresist layer is subjected to conductor plating, and then the photoresist pattern is peeled and removed. In the manufacturing method of the flexible wiring board formed with the metal wiring layer,
A method of manufacturing a flexible wiring board, comprising: removing the photoresist pattern and etching the side surface of the metal wiring layer until an undercut existing at a lower portion of the side surface of the metal wiring layer is removed.
絶縁フィルムの少なくとも片面に形成された金属シード層上にフォトレジスト層を形成し、該フォトレジスト層をエッチングして得られたフォトレジストパターンに導体めっきを施し、次いで該フォトレジストパターンを剥離除去して金属配線層を形成したフレキシブル配線基板の製造方法において、
前記フォトレジストパターンを剥離除去した後、前記金属シード層をエッチングすると同時に、前記金属配線層の側面下部に存在するアンダーカットが除去されるまで該金属配線層の側面をエッチングすることを特徴とするフレキシブル配線基板の製造方法。
A photoresist layer is formed on the metal seed layer formed on at least one surface of the insulating film, the photoresist pattern obtained by etching the photoresist layer is subjected to conductor plating, and then the photoresist pattern is peeled and removed. In the manufacturing method of the flexible wiring board formed with the metal wiring layer,
After peeling off the photoresist pattern, the metal seed layer is etched, and at the same time, the side surface of the metal wiring layer is etched until the undercut existing at the lower side of the side surface of the metal wiring layer is removed. Manufacturing method of flexible wiring board.
前記めっき後の金属配線層の幅を、所望の金属配線層の幅よりも1〜5μm広くなるように、前記フォトレジストパターンを形成することを特徴とする請求項1又は2に記載のフレキシブル配線基板の製造方法。   3. The flexible wiring according to claim 1, wherein the photoresist pattern is formed so that a width of the metal wiring layer after plating is 1 to 5 [mu] m wider than a width of a desired metal wiring layer. A method for manufacturing a substrate. 前記金属シード層が銅又は銅合金であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のフレキシブル配線基板の製造方法。   The method of manufacturing a flexible wiring board according to claim 1, wherein the metal seed layer is copper or a copper alloy. 前記金属シード層がニッケル、クロムもしくはこれらの合金からなる第一の金属シード層と、銅又は銅合金からなる第二の金属シード層からなることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のフレキシブル配線基板の製造方法。   The said metal seed layer consists of a 1st metal seed layer which consists of nickel, chromium, or these alloys, and a 2nd metal seed layer which consists of copper or a copper alloy, The any one of Claims 1-4 characterized by the above-mentioned. The manufacturing method of the flexible wiring board as described in a term. 前記金属配線層及び/又は金属配線層下面のアンダーカットのエッチング除去を、スプレーエッチングにより行うことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載のフレキシブル配線基板の製造方法。   6. The method for manufacturing a flexible wiring board according to claim 1, wherein undercut etching removal of the lower surface of the metal wiring layer and / or the metal wiring layer is performed by spray etching. 請求項1〜6のいずれか1項の製造方法により得られたフレキシブル配線基板であって、前記金属配線層の幅が5〜15μmの範囲にあって、かつ該金属配線層と絶縁フィルムの間に存在するアンダーカットの深さが金属配線層側面から0.21〜1.0μmの範囲にあることを特徴とするフレキシブル配線基板。   It is a flexible wiring board obtained by the manufacturing method of any one of Claims 1-6, Comprising: The width | variety of the said metal wiring layer exists in the range of 5-15 micrometers, and between this metal wiring layer and an insulating film. A flexible wiring board having an undercut depth in the range of 0.21 to 1.0 μm from the side surface of the metal wiring layer. 前記絶縁フィルムがポリイミド樹脂からなり、前記金属配線層がニッケル−クロム合金層と銅スパッタ層からなる2層CCL基材の表面に形成されてなることを特徴とする請求項7記載のフレキシブル配線基板。

8. The flexible wiring board according to claim 7, wherein the insulating film is made of a polyimide resin, and the metal wiring layer is formed on the surface of a two-layer CCL base material made of a nickel-chromium alloy layer and a copper sputter layer. .

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