JP2007123501A

JP2007123501A - 半田端子の形成方法

Info

Publication number: JP2007123501A
Application number: JP2005312855A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Tanitsu; 宏幸谷津; Shuichi Takeda; 秀一武田
Original assignee: Alps Electric Co Ltd
Current assignee: Alps Alpine Co Ltd
Priority date: 2005-10-27
Filing date: 2005-10-27
Publication date: 2007-05-17

Abstract

【課題】十分な高さが得られると共に、剥がれの無い半田端子の形成方法を提供すること。
【解決手段】本発明の半田端子の形成方法において、絶縁基板１に設けられた電極３上に半田固まり体９を載置する工程を経た後、半田固まり体９を加熱する工程を行って、電極３上に半田盛り上がり部からなる半田端子７を形成したため、半田端子７と電極３間の付着が確実で、剥がれの無いものが得られると共に、半田固まり体９の存在によって、半田端子７は十分な高さのあるものが得られる。
【選択図】図３

Description

本発明は、携帯電話機の送受信ユニット等に使用して好適な半田端子の形成方法に関するものである。

従来の半田端子の形成方法に係る図面を説明すると、図５は従来の半田端子の形成方法によって形成された端子を有する回路モジュールの要部断面図、図６は従来の半田端子の形成方法を示す説明図であり、先ず、回路モジュールの構成を図５に基づいて説明すると、絶縁基板５１の上面には、導電体５２に種々の電子部品５３が搭載されて、所望の電気回路が形成されており、この絶縁基板５１には、電子部品５３を覆った状態で箱形のカバー５４が取り付けられている。

また、絶縁基板５１の下面に位置する導電体５２には、半田のみからなる第１の半田端子５５と、球体の表面に半田膜を設けたコア入り半田体からなる第２の半田端子５６が設けられ、このような従来の回路モジュールは、第１，第２の半田端子５５，５６がマザー基板５７上に載置、半田付けされて、面実装されるようになっている（例えば、特許文献１参照）。

次に、従来の半田端子の形成方法を説明すると、先ず、図６に示すように、メタルマスク５８を用いて、導電体５２上にクリーム半田５９を印刷によって形成した後、クリーム半田５９をリフロー装置によって加熱して、図１に示すような第１の半田端子５５を形成し、次に、ここでは図示しないが、第２の半田端子５６を形成する導電体５２上にフラックスを設けた後、このフラックス上にコア入り半田体を載置した状態で、半田膜をリフロー装置によって加熱して、図１に示すような第２の半田端子５６を形成するようになっている（例えば、特許文献１参照）。
特開２００３−２０９３３３号公報

しかし、従来の半田端子の形成方法において、第１の半田端子５５にあっては、印刷されたクリーム半田５９によって形成されるため、導電体５２との付着が確実にできる反面、十分な高さが得られず、また、第２の半田端子５６にあっては、高さが十分得られる反面、半田膜と導電体５２間の付着が弱く、落下等において第２の半田端子５６が剥がれる恐れがあるという問題がある。

本発明は、このような従来技術の実情に鑑みてなされたもので、その目的は、十分な高さが得られると共に、剥がれの無い半田端子の形成方法を提供することにある。

上記の目的を達成するために、本発明の第１の解決手段として、絶縁基板に設けられた電極上に半田固まり体を載置する工程を経た後、前記半田固まり体を加熱する工程を行って、前記電極上に半田盛り上がり部からなる半田端子を形成した形成方法とした。

また、第２の解決手段として、前記電極上、又は前記電極上を含み前記電極の周辺の前記絶縁基板上にクリーム半田を形成する工程を行った後、前記半田固まり体を前記電極上の前記クリーム半田に載置する工程を行い、しかる後、前記半田固まり体と前記クリーム半田を加熱する工程を行って、前記電極上に半田盛り上がり部からなる前記半田端子を形成した形成方法とした。

また、第３の解決手段として、前記クリーム半田が印刷によって形成されると共に、前記半田固まり体と前記クリーム半田がリフロー装置によって加熱された形成方法とした。

また、第４の解決手段として、絶縁基板に設けられた電極上、又は前記電極上を含み前記電極の周辺の前記絶縁基板上にクリーム半田を形成する工程を行った後、球体の表面に半田膜を形成したコア入り半田体を前記電極上の前記クリーム半田に載置する工程を行い、しかる後、前記半田膜と前記クリーム半田を加熱する工程を行って、前記電極上に半田端子を形成した形成方法とした。

また、第５の解決手段として、前記クリーム半田が印刷によって形成されると共に、前記半田膜と前記クリーム半田がリフロー装置によって加熱された形成方法とした。

また、第６の解決手段として、前記絶縁基板の一面側には第１の電子部品が搭載され、前記半田端子が設けられた前記絶縁基板の他面側には第２の電子部品が搭載されて、面実装型の回路モジュールが形成され、前記半田端子が前記第２の電子部品の高さよりも高く形成された形成方法とした。

本発明の半田端子の形成方法において、絶縁基板に設けられた電極上に半田固まり体を載置する工程を経た後、半田固まり体を加熱する工程を行って、電極上に半田盛り上がり部からなる半田端子を形成したため、半田端子と電極間の付着が確実で、剥がれの無いものが得られると共に、半田固まり体の存在によって、半田端子は十分な高さのあるものが得られる。

また、電極上、又は電極上を含み電極の周辺の絶縁基板上にクリーム半田を形成する工程を行った後、半田固まり体を電極上のクリーム半田に載置する工程を行い、しかる後、半田固まり体とクリーム半田を加熱する工程を行うようにしたため、半田固まり体は、クリーム半田に付着した状態となって、位置ズレが無い上に、クリーム半田の存在によって、半田端子はより高いものが得られる。

また、クリーム半田が印刷によって形成されると共に、半田固まり体とクリーム半田がリフロー装置によって加熱されたため、既存の装置が適用できて、設備費を安くできる。

また、絶縁基板に設けられた電極上、又は電極上を含み電極の周辺の絶縁基板上にクリーム半田を形成する工程を行った後、球体の表面に半田膜を形成したコア入り半田体を電極上のクリーム半田に載置する工程を行い、しかる後、半田膜とクリーム半田を加熱する工程を行って、電極上に半田端子を形成したため、半田端子はコア入り半田体によって十分な高さが得られると共に、クリーム半田の存在によって、半田膜の電極への付着が補強されて、剥がれの無いものが得られる上に、コア入り半田体は、クリーム半田に付着した状態となって、位置ズレの無いものが得られる。

また、クリーム半田が印刷によって形成されると共に、半田膜とクリーム半田がリフロー装置によって加熱されたため、既存の装置が適用できて、設備費を安くできる。

また、絶縁基板の一面側には第１の電子部品が搭載され、半田端子が設けられた絶縁基板の他面側には第２の電子部品が搭載されて、面実装型の回路モジュールが形成され、半田端子が第２の電子部品の高さよりも高く形成されたため、回路モジュールは、第２の電子部品に支障なく、面実装可能なものが得られる。

発明の実施の形態について図面を参照して説明すると、図１は本発明の半田端子の形成方法によって形成された端子を有する回路モジュールの要部断面図、図２は本発明の半田端子の形成方法の第１実施例に係る第１工程を示す説明図、図３は本発明の半田端子の形成方法の第１実施例に係る第２工程を示す説明図、図４は本発明の半田端子の形成方法の第２実施例を示す説明図であり、先ず、回路モジュールの構成を図１に基づいて説明すると、絶縁基板１には、両面に設けられた配線パターン２を有し、この配線パターン２は、絶縁基板１の下面の外周部近傍に設けられた複数の電極３を備えており、そして、絶縁基板１の上面に搭載された第１の電子部品４と、絶縁基板１の下面に搭載された第２の電子部品５とで、所望の電気回路が形成されると共に、この絶縁基板１には、第１の電子部品４を覆った状態で箱形のカバー６が取り付けられている。

また、絶縁基板１の下面に位置する電極３には、球面状をなし、半田のみの半田盛り上がり部からなる半田端子７が設けられ、この半田端子７は、第２の電子部品５よりも高くなって形成されており、このような構成を有する本発明の回路モジュールは、半田端子７がマザー基板（図示せず）上に載置された状態で、半田付けされて、面実装されるようになっている。

次に、本発明の半田端子の形成方法に係る第１実施例を説明すると、先ず、第１工程として図２に示すように、メタルマスク（図示せず）を用いて、電極３上、及び電極３の周辺に位置する絶縁基板１上にクリーム半田８を印刷によって形成する工程を行った後、第２工程として図３に示すように、半田ボール等からなる半田固まり体９を電極３上のクリーム半田８上に載置する工程を行い、しかる後、クリーム半田８と半田固まり体９をリフロー装置（図示せず）によって加熱する工程を行うと、クリーム半田８と半田固まり体９が溶けて電極３に付着して、図１に示すように、表面張力によって球面状をなした半田盛り上がり部からなる背の高い半田端子７が形成されるようになる。

なお、上記実施例では、クリーム半田８が電極３上と絶縁基板１上に設けられたもので説明したが、クリーム半田８は、電極３上のみ、或いは電極３上と絶縁基板１上に設けないものでも良く、また、半田固まり体９は、球体以外に、立方体や直方体等で形成しても良い。

次に、本発明の半田端子の形成方法に係る第２実施例を説明すると、図４に示すように、先ず、第１工程として前記第１実施例と同様に、メタルマスク（図示せず）を用いて、電極３上、及び電極３の周辺に位置する絶縁基板１上にクリーム半田８を印刷によって形成する工程を行った後、第２工程として、球体１０の表面に半田膜１１を形成したコア入り半田体１２を電極３上のクリーム半田８上に載置する工程を行い、しかる後、クリーム半田８と半田膜１１をリフロー装置（図示せず）によって加熱する工程を行うと、クリーム半田８と半田膜１１が溶けて電極３に付着して、第２の電子部品５よりも突出した背の高い半田端子７が形成されるようになる。

なお、上記実施例では、クリーム半田８が電極３上と絶縁基板１上に設けられたもので説明したが、クリーム半田８は、電極３上のみに形成したものでも良い。

本発明の半田端子の形成方法によって形成された端子を有する回路モジュールの要部断面図である。本発明の半田端子の形成方法の第１実施例に係る第１工程を示す説明図である。本発明の半田端子の形成方法の第１実施例に係る第２工程を示す説明図である。本発明の半田端子の形成方法の第２実施例を示す説明図である。従来の半田端子の形成方法によって形成された端子を有する回路モジュールの要部断面図である。従来の半田端子の形成方法を示す説明図である。

符号の説明

１絶縁基板
２配線パターン
３電極
４第１の電子部品
５第２の電子部品
６カバー
７半田端子
８クリーム半田
９半田固まり体
１０球体
１１半田膜
１２コア入り半田体
１３半田端子

Claims

絶縁基板に設けられた電極上に半田固まり体を載置する工程を経た後、前記半田固まり体を加熱する工程を行って、前記電極上に半田盛り上がり部からなる半田端子を形成したことを特徴とする半田端子の形成方法。
前記電極上、又は前記電極上を含み前記電極の周辺の前記絶縁基板上にクリーム半田を形成する工程を行った後、前記半田固まり体を前記電極上の前記クリーム半田に載置する工程を行い、しかる後、前記半田固まり体と前記クリーム半田を加熱する工程を行って、前記電極上に半田盛り上がり部からなる前記半田端子を形成したことを特徴とする請求項１記載の半田端子の形成方法。
前記クリーム半田が印刷によって形成されると共に、前記半田固まり体と前記クリーム半田がリフロー装置によって加熱されたことを特徴とする請求項２記載の半田端子の形成方法。
絶縁基板に設けられた電極上、又は前記電極上を含み前記電極の周辺の前記絶縁基板上にクリーム半田を形成する工程を行った後、球体の表面に半田膜を形成したコア入り半田体を前記電極上の前記クリーム半田に載置する工程を行い、しかる後、前記半田膜と前記クリーム半田を加熱する工程を行って、前記電極上に半田端子を形成したことを特徴とする半田端子の形成方法。
前記クリーム半田が印刷によって形成されると共に、前記半田膜と前記クリーム半田がリフロー装置によって加熱されたことを特徴とする請求項４記載の半田端子の形成方法。
前記絶縁基板の一面側には第１の電子部品が搭載され、前記半田端子が設けられた前記絶縁基板の他面側には第２の電子部品が搭載されて、面実装型の回路モジュールが形成され、前記半田端子が前記第２の電子部品の高さよりも高く形成されたことを特徴とする請求項１から５の何れか１項に記載の半田端子の形成方法。