JP2007116119A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. 複数のノズルが直線上に配置されたヘッドが描画しながら基板と相対的に移動する方向を主走査方向とし、
   主走査方向と交差する副走査方向に対し前記直線が取り付け角度θをなすように、前記ヘッドが固定された液滴吐出装置を用いて、
   ＣＡＤツールで作製した第１の回路設計図面データを、
   Ｘ方向の間隔がＸｄｐ、第１のＹ方向の間隔がＹｄｐである正方格子を１つの単位とする第１ラスタデータに変換し、
   前記第１ラスタデータのＹ方向の格子をＶ（Ｖ＞１）分割し、
   Ｘ方向の間隔がＸｄｐ、Ｙ方向の第２の間隔がＹ’ｄｐ（Ｙ’ｄｐ＝Ｙｄｐ／Ｖ）である細分化された格子を１つの単位とする第２ラスタデータに変換し、
   前記第２ラスタデータからデータを間引いて第３ラスタデータに変換し、
   前記第３ラスタデータを、前記取り付け角度θに基づいて第４ラスタデータに変換し、
   前記第４ラスタデータのＹ方向を主走査方向とし、
   前記第４ラスタデータのＸ方向を副走査方向とし、
   前記第４ラスタデータに従って前記液滴吐出装置から液滴を吐出して前記基板上に材料層を形成する半導体装置の作製方法。
2. 前記第２ラスタデータにおける主走査方向の吐出信号の出現頻度を１／Ｖに間引いて、
   前記第１のラスタデータと同じ吐出信号の出現頻度を有する前記第３ラスタデータに変換する請求項１に記載の半導体装置の作製方法。
3. 前記ノズルが描画するドットの直径がドット径ｄであって、
   前記複数のノズルが配置された間隔がノズルピッチｎｐであって、
   前記Ｘ方向の間隔Ｘｄｐがドット径ｄの０．５倍以上０．９倍以下であって、
   前記ノズルピッチｎｐと前記取り付け角度θから定まるｎｐ×ｃｏｓθがＸｄｐの整数倍である前記液滴吐出装置から液滴を吐出して前記基板上に材料層を形成する請求項１または請求項２に記載の半導体装置の作製方法。
4. 前記ノズルピッチｎｐと、前記取り付け角度θと、前記Ｙ方向の第２の間隔Ｙ’ｄｐから、
   （ｎｐ×ｓｉｎθ）／Ｙ’ｄｐの値を求め、
   前記値を四捨五入して整数値を求め、
   前記第３ラスタデータの第ｎ＋１（ｎは１以上の自然数）列目のデータが第ｎ列目のデータに比べて前記整数値だけ遅れた第４ラスタデータに変換する請求項１乃至請求項３に記載の半導体装置の作製方法。
5. 前記液滴吐出装置の前記ヘッドが基板と相対的に移動する経路に基づいて、
   前記第４ラスタデータを並び替えて補正データに変換し、
   前記補正データに従って前記液滴吐出装置から液滴を吐出して前記基板上に材料層を形成する請求項１乃至請求項４に記載の半導体装置の作製方法。
6. 前記第１の回路設計図面データを設計データベースより複写し、
   自動的に前記第１の回路設計図面データから前記第４ラスタデータに変換するプログラムを実行する制御回路が接続している前記液滴吐出装置を用いる請求項１乃至請求項５に記載の半導体装置の作製方法。