JP2007115775A - 半導体ウェハの洗浄装置及び半導体ウェハの洗浄方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】 ウェハの側端面の塵埃を的確に除去し、ウェハの歩留まりを向上させ、半導体装置の製造コストを低減させる。
【解決手段】 半導体ウェハの洗浄装置100であって、ウェハWが上面に載置されウェハ洗浄時に回転する上面視円形の保持テーブル110と、保持テーブル110に載置されたウェハWの上面に洗浄液を供給する供給手段120と、保持テーブル110の径方向外側及び下側を包囲し供給手段120によりウェハWに供給された洗浄液を回収するためのカップ部材130と、カップ部材130の内側に保持テーブル110と間隔をおいて配され保持テーブル110を径方向外側から覆うガード部材140と、を備え、保持テーブル110はウェハWと側端面が面一となるようウェハWを保持し、ウェハW及び保持テーブル110の側端面と、ガード部材140の内面と、により、ウェハ洗浄時に洗浄液によりほぼ満たされる流通通路150が画成される。
【選択図】 図1

Description

本発明は、半導体ウェハを洗浄液を用いて洗浄する洗浄装置及び洗浄方法に関する。
半導体製造工程における洗浄方式として、ウェハの表面に洗浄液を滴下してウェハを回転させることにより洗浄を行う枚葉式が多く用いられている。
この方式の洗浄装置として、スピンテーブル上にウェハを載置し、ウェハ上にノズルから洗浄液を滴下する洗浄装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。この洗浄装置では、図7に示すように、ウェハを回転させることにより生じる遠心力を利用して洗浄液が拡散させて、ウェハ表面の塵埃、堆積物等の除去が行われる。特許文献1の洗浄装置では、スピンテーブルの径方向外側を覆うようにカップ部材が設けられ、ウェハの周縁から径方向外側へ飛散する洗浄液が捕捉される。
また、他の洗浄装置として、ウェハの周縁を複数のローラで支持し、ウェハの下側にマスクを配するものが提案されている(例えば、特許文献2参照)。この洗浄装置では、マスクとウェハ下面のギャップを0.05〜1.0mm程度として、毛細管現象によりギャップに洗浄液を引き込ませている。
特開2001−176831号公報 特開2002−246364号公報
しかしながら、特許文献1に記載された洗浄装置では、洗浄液がウェハから離隔して飛散するため、ウェハの側端面には洗浄液が供給されず、ウェハ側端面の塵埃が除去されない。
また、特許文献2に記載された洗浄装置は、毛細管現象を利用してギャップに洗浄液を引き込ませるので、ウェハに沿って洗浄液を十分に流通させることができない。すなわち、洗浄液の流速が極めて遅いのでウェハ側端面の塵埃を除去することは困難であり、ウェハ側端面の洗浄効率が極めて悪い。
本発明によれば、ウェハが上面に載置されウェハ洗浄時に回転する上面視円形の保持テーブルと、前記保持テーブルに載置された前記ウェハの上面に洗浄液を供給する供給手段と、前記保持テーブルの径方向外側及び下側を包囲し、前記供給手段により前記ウェハに供給された前記洗浄液を回収するためのカップ部材と、前記カップ部材の内側に前記保持テーブルと間隔をおいて配され、該保持テーブルを径方向外側から覆うガード部材と、を備え、前記保持テーブルは前記ウェハと側端面が面一となるよう該ウェハを保持し、前記ウェハ及び前記保持テーブルの側端面と、前記ガード部材の内面と、により、ウェハ洗浄時に前記洗浄液によりほぼ満たされる流通通路が画成されることを特徴とする半導体ウェハの洗浄装置が提供される。
この半導体ウェハの洗浄装置では、ウェハ洗浄に際しては、保持テーブルとともにウェハを回転させつつ、供給手段から洗浄液をウェハ上面に供給する。ウェハ上面に供給された洗浄液は、遠心力によりウェハ上面を径方向外側へ移動する。そして、洗浄液がウェハの周縁まで到達すると、洗浄液は流通通路を下方へ移動する。
このとき、流通通路は洗浄液で満たされているので、ウェハの側端面に洗浄液が定常的に流通する。また、ウェハと保持テーブルの側端面とが面一であるので、流通通路内におけるウェハ近傍の洗浄液の流れがスムースであり、ウェハ近傍における流速が十分に確保される。
以上、本発明の構成について説明したが、本発明は、これに限られず様々な態様を含む。たとえば、本発明によれば、ウェハが上面に載置されウェハ洗浄時に回転する上面視円形の保持テーブルと、前記保持テーブルと間隔をおいて配され該保持テーブルを径方向外側から覆うガード部材と、を備えた洗浄装置を用いて前記ウェハを洗浄するにあたり、前記ウェハを前記保持テーブルに互いの側端面が面一となるよう保持させて、前記ウェハ及び前記保持テーブルの側端面と前記ガード部材の内面とで前記洗浄液の流通通路を画成する通路画成ステップと、前記保持テーブルをウェハとともに回転させつつ前記ウェハの上面に洗浄液を供給し、前記ウェハの上面を径方向外側へ移動した前記洗浄液を、前記流通通路がほぼ満たされるよう該流通通路に流通させる洗浄液流通ステップと、を含むことを特徴とする半導体ウェハの洗浄方法が提供される。
このように、本発明によれば、ウェハの側端面に、十分な流速が確保された状態で洗浄液を流通させることができ、ウェハの側端面の塵埃を的確に除去することができる。従って、ウェハの歩留まりを向上させ、半導体装置の製造コストを低減させることができる。
図面を参照しつつ、本発明による半導体ウェハの洗浄装置の好適な実施形態について詳細に説明する。尚、図面の説明においては、同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
図1から図3は本発明の一実施形態を示すものであり、図1は半導体ウェハの洗浄装置の模式縦断面図、図2は洗浄装置の模式横断面図、図3はウェハ及び保持テーブルの側端面とガード部材の内面の距離と洗浄効率との関係を示すグラフである。
図1に示すように、この半導体ウェハWの洗浄装置100は、ウェハWが上面に載置されウェハ洗浄時に回転する上面視円形の保持テーブル110と、保持テーブル110に載置されたウェハWの上面に洗浄液を供給する供給管120と、保持テーブル110の径方向外側及び下側を包囲し供給管120によりウェハWに供給された洗浄液を回収するためのカップ部材130と、カップ部材130の内側に保持テーブル110と間隔をおいて配され保持テーブル110を径方向外側から覆うガード部材140と、を備えている。
保持テーブル110は、上面視にてウェハWと同形に形成されたテーブル本体112と、テーブル本体112の下面中央に接続された駆動軸114と、を有する。本実施形態においては、テーブル本体112は扁平な円柱状に形成され、駆動軸114は長尺な円柱状に形成される。駆動軸114は図示しない駆動機構に接続されている。
また、テーブル本体112及び駆動軸114の内部には吸引通路116が形成される。吸引通路116は駆動軸114内を上下に延び、テーブル本体112の上面と連通している。これにより、吸引通路116を通じて下方から空気を吸引することにより、ウェハWがテーブル本体112に吸着保持されることとなる。図1に示すように、保持テーブル110は、ウェハWと側端面が面一となるようウェハWを保持する。
供給管120は、保持テーブル110の上方に配され、洗浄液をウェハWの上面に滴下する。具体的には、供給管120は、ウェハW及び保持テーブル110の中心軸にそって上下に延び、下端開口から洗浄液をウェハWの中央に流出させる。
また、カップ部材130は、上面を開口した直方体状に形成され、下面に洗浄液の排出口132を有している。供給管120からウェハWの上面に供給された洗浄液は、排出口132から排出されて回収される。
ガード部材140は、略円筒状に形成され、カップ部材130の内側に配される。図1に示すように、ウェハW及び保持テーブル110の側端面と、ガード部材140の内面と、により、ウェハ洗浄時に洗浄液によりほぼ満たされる流通通路150が画成される。すなわち、図2に示すように、本実施形態においては、流通通路150は周方向にわたって形成されている。
ガード部材140は、流通通路150の壁部をなし上下へ延びる通路画成部142と、通路画成部142の上端から径方向内側へ傾斜して斜め上方へ延びるフランジ部144と、を有する。通路画成部142は、縦断面においてウェハW及び保持テーブル110の側端面と略平行に形成され、上端はウェハWより上側まで延び、下端は保持テーブル110の下端の上側まで延びる。フランジ部144は、通路画成部142の上端から、上面視にて、ウェハW及び保持テーブル110の周縁の内側まで延びる。また、ガード部材140は、通路画成部142の下端から径方向外側へ延びる所定の幅寸法の支持部146を有する。図2に示すように、支持部146はカップ部材130の内面に接続される。
流通通路150におけるウェハW及び保持テーブル110の側端面とガード部材140の内面の距離cは、ウェハ洗浄時に通路内が洗浄液で満たされるよう設定されており、好ましくは3mm〜10mmである。
以上のように構成された半導体ウェハWの洗浄装置100では、ウェハ洗浄に際して、ウェハWをテーブル本体112に吸着保持させた状態で、駆動機構(図示せず)を作動させて保持テーブル110とともにウェハWを回転させつつ、供給管120から洗浄液をウェハW上面に供給する。ウェハW上面に供給された洗浄液は、遠心力によりウェハW上面を洗浄しつつ径方向外側へ移動する。
そして、洗浄液がウェハWの周縁まで到達すると、洗浄液は流通通路150を下方へ移動する。流通通路150を抜けた洗浄液は、カップ部材130に捕捉されて排出口132より排出される。
このとき、流通通路150は洗浄液で満たされているので、ウェハWの側端面に洗浄液が定常的に流通する。また、ウェハWと保持テーブル110の側端面とが面一であるので、流通通路150内におけるウェハW近傍の洗浄液の流れがスムースであり、ウェハW近傍における流速が十分に確保される。さらに、ウェハWの上面で跳ね上がった洗浄液は、ガード部材140のフランジ部144に衝突するので、ガード部材140の外側へ流出することはなく、流通通路150へ導かれる。これにより、流通通路150内の洗浄液の流量も確保されている。
このように、本実施形態のウェハWの洗浄装置100によれば、ウェハWの側端面に、十分な流速が確保された状態で洗浄液を流通させることができ、ウェハWの側端面の塵埃を的確に除去することができる。従って、ウェハWの歩留まりを向上させ、半導体装置の製造コストを低減させることができる。
本実施形態におけるウェハWの洗浄方法は、ウェハWが上面に載置されウェハ洗浄時に回転する上面視円形の保持テーブル110と、保持テーブル110と間隔をおいて配され保持テーブル110を径方向外側から覆うガード部材140と、を備えた洗浄装置100を用いてウェハWを洗浄するものである。そして、この洗浄方法は、ウェハWを保持テーブル110に互いの側端面が面一となるよう保持させて、ウェハW及び保持テーブル110の側端面とガード部材140の内面とで洗浄液の流通通路150を画成する通路画成ステップと、保持テーブル110をウェハWとともに回転させつつウェハWの上面に洗浄液を供給し、ウェハWの上面を径方向外側へ移動した洗浄液を、流通通路150がほぼ満たされるよう流通通路150に流通させる洗浄液流通ステップと、を含む方法であるということができる。
この洗浄装置100におけるウェハW及び保持テーブル110の側端面とガード部材140の内面の距離cと、洗浄効率との関係を図3のグラフに示す。図3に示すように、洗浄効率は、所定の最適距離でピークとなる。半導体の製造時には、半導体装置の製品の歩留まりや後工程での塵埃の影響を考慮して必要最低洗浄効率が設定され、この必要最低洗浄効率を満たす距離cはピーク値をまたいで所定の範囲となる。ウェハW及び保持テーブル110の直径が200mmのものでは、この距離cが3mm〜10mmであることが確認されている。距離cが3mm程度確保されれば、ガード部材140と保持テーブル110とを相対的に上下移動させる際に互いに干渉することはなく、洗浄装置100における機械的駆動部の精度等により支障が生じることはない。尚、ウェハWの直径が200mmより大きくなると距離cは小さくなる傾向にあり、ウェハWの直径が200mmより小さくなると距離cは大きくなる傾向にある。
図4から図6は本発明の第2の実施形態を示すもので、図4は洗浄装置の模式横断面図、図5は流通通路を閉塞した状態を示す図4のA−O−A断面図、図6は流通通路を開放した状態を示す図4のA−O−A断面図である。第2の実施形態の洗浄装置は、第1の実施形態の洗浄装置とガード部材の構成を異にしている。
図4に示すように、この洗浄装置200は、ガード部材240が複数の分割部材248から構成されている。具体的には、ガード部材240は3つの上面視円弧状の分割部材248から構成される。各分割部材248は、径方向へ移動自在であり、図5に示すように径方向内側へ移動するとウェハW及び保持テーブル110と当接し、図6に示すように径方向外側へ移動すると流通通路150を画成する。本実施形態においては、隣接する各分割部材248は、周方向に離隔した状態となっている。
図5及び図6に示すように、各分割部材248は、流通通路150の壁部をなし上下へ延びる通路画成部242と、通路画成部242の上端から径方向内側へ傾斜して斜め上方へ延びるフランジ部244と、を有する。また、各分割部材248は、通路画成部242の下端から径方向外側へ延びる所定の幅寸法の支持部246を有する。図4に示すように、支持部246はカップ部材130に形成された挿通孔を通じ、カップ部材130外の移動機構260に接続されている。
各移動機構260は、制御部270に接続されており、洗浄時に所定のタイミングで各分割部材248を移動する。すなわち、洗浄装置200は流通通路150を開閉する開閉手段を備えており、開閉手段はガード部材240を径方向に移動させて流通通路150を開閉する。
具体的に説明すると、制御部270は、ウェハWの洗浄開始前に、各分割部材248をウェハW及び保持テーブル110に当接させて流通通路150を閉塞した状態で、洗浄液をウェハWの上面に供給する(図5参照)。そして、ウェハの洗浄が開始されると、洗浄液がウェハWの上面に充填された状態で、各分割部材248を径方向外側へ移動させて流通通路150を開放して、保持テーブル110を回転させる(図6参照)。これにより、洗浄初期から流通通路150が洗浄液で満たされた状態となり、洗浄効率をさらに向上させることができる。
また、本実施形態のウェハWの洗浄装置200でも、ウェハWの側端面に、十分な流速が確保された状態で洗浄液を流通させることができ、ウェハWの側端面の塵埃を的確に除去することができる。従って、ウェハWの歩留まりを向上させ、半導体装置の製造コストを低減させることができる。
このように、ガード部材240が、周方向について一部が欠落した形状であってもよく、要は、ウェハW及び保持テーブル110と、ガード部材240との間に洗浄液で満たされる流通通路150が画成されていればよい。
本実施形態のウェハの洗浄方法は、第1の実施形態の洗浄方法における洗浄液流通ステップの前に、保持テーブル110を停止した状態で流通通路150を閉塞し、洗浄液をウェハWの上面に供給する洗浄液充填ステップを含み、洗浄液流通ステップにて、流通通路150を開放して保持テーブル110を回転させつつウェハWの上面に洗浄液を供給する方法であるということができる。
尚、第2の実施形態においては、ガード部材240を移動させて流通通路150を開閉するものを示したが、例えば、ガード部材240を固定し、他の部材を流通通路150内に出没させて流通通路150を開閉するようにしてもよく、開閉手段の構成は適宜に変更可能である。
また、第1及び第2の実施形態においては、ガード部材140,240がフランジ部144,244を有するものを示したが、フランジ部144,244を省略する構成としてもよい。また、通路画成部142,242が、側面視にてウェハWの上側から保持テーブル110の下端付近まで延びるものを示したが、側面視にて少なくともウェハWの側端面と重なっていれば、ウェハWの側端面の洗浄効果を得ることができる。換言すると、通路画成部142,242は、上端がウェハWの上端よりも高く、下端がウェハWの下端よりも低く形成されていればよい。
また、ポンプ等により下方から流通通路150の洗浄液を吸引するようにしてもよい。さらに、洗浄液の供給方式や、カップ部材130の形状等も任意であるし、その他、具体的な細部構造等についても適宜に変更可能であることは勿論である。
本発明の第1の実施形態を示す半導体ウェハの洗浄装置の模式縦断面図である。 洗浄装置の模式横断面図である。 ウェハ及び保持テーブルの側端面とガード部材の内面の距離と洗浄効率との関係を示すグラフである。 本発明の第2の実施形態を示す洗浄装置の模式横断面図である。 流通通路を閉塞した状態を示す図4のA−O−A断面図である。 流通通路を開放した状態を示す図4のA−O−A断面図である。 従来の洗浄装置の模式縦断面図である。
符号の説明
100 洗浄装置
110 保持テーブル
112 テーブル本体
114 駆動軸
116 吸引通路
120 供給管
130 カップ部材
132 排出口
140 ガード部材
142 通路画成部
144 フランジ部
146 支持部
150 流通通路
200 洗浄装置
240 ガード部材
242 通路画成部
244 フランジ部
246 支持部
248 分割部材
260 移動機構
270 制御部
W ウェハ

Claims (8)

  1. ウェハが上面に載置されウェハ洗浄時に回転する上面視円形の保持テーブルと、
    前記保持テーブルに載置された前記ウェハの上面に洗浄液を供給する供給手段と、
    前記保持テーブルの径方向外側及び下側を包囲し、前記供給手段により前記ウェハに供給された前記洗浄液を回収するためのカップ部材と、
    前記カップ部材の内側に前記保持テーブルと間隔をおいて配され、該保持テーブルを径方向外側から覆うガード部材と、を備え、
    前記保持テーブルは前記ウェハと側端面が面一となるよう該ウェハを保持し、
    前記ウェハ及び前記保持テーブルの側端面と、前記ガード部材の内面と、により、ウェハ洗浄時に前記洗浄液によりほぼ満たされる流通通路が画成されることを特徴とする半導体ウェハの洗浄装置。
  2. 前記ウェハ及び前記保持テーブルの側端面と前記ガード部材の内面の距離は、3mm〜10mmであることを特徴とする請求項1に記載の半導体ウェハの洗浄装置。
  3. 前記流通通路を開閉する開閉手段を備えたことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体ウェハの洗浄装置。
  4. 前記開閉手段は、前記ガード部材を径方向に移動させて前記流通通路を開閉することを特徴とする請求項3に記載の半導体ウェハの洗浄装置。
  5. 前記ウェハの洗浄開始前に、前記流通通路を閉塞した状態で前記供給手段により前記洗浄液を前記ウェハの上面に供給し、前記ウェハの洗浄が開始されると、前記流通通路を開放するよう構成されたことを特徴とする請求項3または4に記載の半導体ウェハの洗浄装置。
  6. 前記ガード部材は、
    前記流通通路の壁部をなし上下へ延びる通路画成部と、
    前記通路画成部の上端から径方向内側へ傾斜して斜め上方へ延びるフランジ部と、を有することを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の半導体ウェハの洗浄装置。
  7. ウェハが上面に載置されウェハ洗浄時に回転する上面視円形の保持テーブルと、前記保持テーブルと間隔をおいて配され該保持テーブルを径方向外側から覆うガード部材と、を備えた洗浄装置を用いて前記ウェハを洗浄するにあたり、
    前記ウェハを前記保持テーブルに互いの側端面が面一となるよう保持させて、前記ウェハ及び前記保持テーブルの側端面と前記ガード部材の内面とで洗浄液の流通通路を画成する通路画成ステップと、
    前記保持テーブルをウェハとともに回転させつつ前記ウェハの上面に前記洗浄液を供給し、前記ウェハの上面を径方向外側へ移動した前記洗浄液を、前記流通通路がほぼ満たされるよう該流通通路に流通させる洗浄液流通ステップと、を含むことを特徴とする半導体ウェハの洗浄方法。
  8. 前記洗浄液流通ステップの前に、前記保持テーブルを停止した状態で前記流通通路を閉塞し、前記洗浄液を前記ウェハの上面に供給する洗浄液充填ステップを含み、
    前記洗浄液流通ステップにて、前記流通通路を開放して前記保持テーブルを回転させつつ前記ウェハの上面に前記洗浄液を供給することを特徴とする請求項7に記載の半導体ウェハの洗浄方法。
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