JP2007108444A - 画像形成装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】現像領域における感光体の表面電位を正確に知ることのできる画像形成装置を実現する。
【解決手段】感光体の表面電位の暗減衰曲線が、aを既知とするV(t)=(V0+a)exp(−b−ct)で表されるとし、帯電してから時間SP1・SP2が経過した2箇所で測定したV01・V02を用いてbおよびcを求めて、暗減衰曲線を決定する。これにより、帯電してから現像領域に達する時間tdevにおける表面電位Vdevを算出する。
【選択図】図1
【解決手段】感光体の表面電位の暗減衰曲線が、aを既知とするV(t)=(V0+a)exp(−b−ct)で表されるとし、帯電してから時間SP1・SP2が経過した2箇所で測定したV01・V02を用いてbおよびcを求めて、暗減衰曲線を決定する。これにより、帯電してから現像領域に達する時間tdevにおける表面電位Vdevを算出する。
【選択図】図1
Description
本発明は、電子写真方式や静電記録方式の画像形成装置における感光体の電気特性の測定に関するものである。
近年、電子写真方式や静電記録方式の画像形成装置に対して、高速機対応の要求が強くなっているため、長寿命の感光体を搭載する必要性が生じている。感光体を長寿命にするためには、感光体膜厚を大きくして、膜減りに対して余裕を持たせる。しかし、それにより、感光体の帯電特性の環境依存性が大きくなって、感度変化がより大きくなるという問題が起こる。また、膜減りに対する感度補正も困難になる。従って、感光体の劣化の程度に対応して正確な帯電補正や現像バイアス補正を行う技術が重要になっている。
特許文献1には、感光体疲労により感光体の帯電量が減少することに対して、感光体の帯電電位を所定位置で検知し、この帯電電位が許容誤差を越えてずれている場合には、帯電チャージャによる感光体の帯電量を変更することが記載されている。このとき、感光体ドラム電位の減衰特性は図7で示されるとしている。この図において、露光後、時間t0(トランジエントタイム)が経過した時点で電位は安定し、V0(明)電位に達するとされている。この場合には、電位検知が露光後、時間L0/Vで行われる(ただし、L0:露光位置と電位検知位置との間の距離、V:感光体ドラムの回転速度)と、検知電位V0’と明電位V0とにずれが生じる。そのため、露光後、電位検知位置で感光体ドラムを停止させてから電位検知を行ったり、明電位となる点に電位検知手段を設けるなどして、検知電位V0’が明電位V0を示すようにしている。そして、検知電位V0’が基準値に対して許容誤差αの範囲内にあるか否かを判断して、上記帯電チャージャによる帯電量の変更を行うか否かを決定する。
特許文献2には、帯電直後の感光体上の初期表面電位をV0、帯電後、時間tで測定した感光体の表面電位をV(t)とすると、
V0=VGRID+A
V(t)=V0+(B0+B1VGRID)t1/4
が成り立つことが記載されている。ただし、VGRIDは帯電コロナ発生器のグリッド上での電圧、Aは帯電装置および感光体表面電圧間の関係によって定められるシステム利得パラメータ、B0は感光体に対する暗減衰率のフィールド独立成分、B1は感光体に対する暗減衰率のフィールド依存成分である。この関係を図示したのが図8である。これにより、VGRIDに対応したV(t)が分るとともに、望ましいV(t)とするためのVGRIDを決定することができるとしている。
V0=VGRID+A
V(t)=V0+(B0+B1VGRID)t1/4
が成り立つことが記載されている。ただし、VGRIDは帯電コロナ発生器のグリッド上での電圧、Aは帯電装置および感光体表面電圧間の関係によって定められるシステム利得パラメータ、B0は感光体に対する暗減衰率のフィールド独立成分、B1は感光体に対する暗減衰率のフィールド依存成分である。この関係を図示したのが図8である。これにより、VGRIDに対応したV(t)が分るとともに、望ましいV(t)とするためのVGRIDを決定することができるとしている。
また、特許文献3には、帯電装置への高圧印加時間を積算することにより感光体の寿命を検知することが記載されており、これは、これまでの製品において実施されている技術の1つである。
特開平1−244478号公報(1989(平成1)年9月28日公開)
特開平6−59560号公報(1994(平成6)年3月4日公開)
特開平5−224482号公報(1993(平成5)年9月3日公開)
「電子写真技術の基礎と応用」,電子写真学会編,コロナ社, 1988年6月発行,第94頁〜第97頁
しかしながら、上記従来技術のいずれにおいても、帯電した感光体が現像領域でいかなる表面電位となるかの正確な値を知ることはできない。
特許文献1には所定位置で感光体の帯電電位を検知して帯電チャージャの出力にフィードバックすることが記載されているが、現像領域でどのような帯電電位になっているかについての記載はない。
特許文献2には、暗減衰によるV(t)の変化が時間の1/4乗の関数になっていることが記載されているが、理論的にはexp(−kt)の関数であるので、正しい暗減衰曲線を表していない。また、帯電コロナ発生器直下の感光体の表面電位であるV0は、図8のように直線で表されるものではない上、感光体の寿命で変動するものである。さらには、帯電コロナ発生器直下の感光体の表面電位は式で求められるものを用い、それを除く感光体の表面電位を1点しか測定せずに暗減衰曲線を求めているので、暗減衰曲線を正確にプロットすることができない。従って、特許文献2の技術によっても、現像領域における感光体の表面電位を正確に知ることはできない。
特許文献3には現像領域における感光体の表面電位を求める技術は開示されていない。
このように、従来の技術では現像領域における感光体の正確な表面電位を知ることができないので、感光体のライフに応じた適切な帯電電圧や現像バイアスなどのプロセス条件を設定することができないという問題があった。
本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、現像領域における感光体の表面電位を正確に知ることのできる画像形成装置を実現することにある。
本発明の画像形成装置は、上記課題を解決するために、帯電器による帯電から時間t後の感光体の表面電位をV(t)、上記感光体の使用初期の上記帯電器のグリッド電圧をV0、上記感光体の使用開始からの回転時間に応じた上記帯電器の既知のグリッド電圧補正値をa、上記感光体の使用時間に応じた定数をbおよびcとして、上記感光体の表面電位の暗減衰曲線を、V(t)=(V0+a)exp(−b−ct)で表し、上記帯電器直下以外における上記感光体の上記V(t)を測定することにより、上記bおよびcを求めて上記暗減衰曲線を決定し、決定した上記暗減衰曲線から、現像領域における上記V(t)を求めることを特徴としている。
上記の発明によれば、暗減衰曲線をV(t)=(V0+a)exp(−b−ct)で表し、V(t)を測定することでbおよびcを求めて暗減衰曲線を決定する。このとき、測定箇所に、帯電器直下の感光体の表面を含めないようにする。すなわち、帯電器直下以外の感光体表面の少なくとも2箇所に対応するtについて表面電位を測定して暗減衰曲線を決定する。従って、暗減衰曲線の式として正しいものを用い、正確にパラメータを決定するので、現像領域におけるV(t)も正確に求めることができる。
以上により、現像領域における感光体の表面電位を正確に知ることのできる画像形成装置を実現することができるという効果を奏する。
本発明の画像形成装置は、上記課題を解決するために、上記V(t)を測定する箇所に、上記現像領域よりも上記感光体の回転方向下流側の箇所が含まれていることを特徴としている。
上記の発明によれば、V(t)として、現像領域を通過した感光体表面の電位が含まれ、画像形成装置に現像槽が装着されている状態でもV(t)を測定することができる。従って、画像形成装置の機内スペースの関係から帯電−現像プロセス間で2つの電位計を設置できない場合でも、実際の画像形成時に近い感光体の表面電位を測定することができるという効果を奏する。
本発明の画像形成装置は、上記課題を解決するために、求めた上記現像領域における上記V(t)に応じて決定する新たなプロセス条件として、大きさが上記現像領域における上記V(t)の大きさよりも小さく、上記現像領域における上記V(t)との差が100V〜200Vの範囲内にある現像バイアスを設定することを特徴としている。
上記の発明によれば、求めた現像領域におけるV(t)に対して、現像に二成分現像剤を用いる場合の、ベタ画像の濃度不足やキャリア上がり、および現像かぶりを防止することのできる現像バイアス条件を、新たなプロセス条件して設定することができるという効果を奏する。
本発明の画像形成装置は、上記課題を解決するために、上記V(t)を測定する表面電位センサを1つ用い、上記感光体の周速を複数通りに変化させることにより、複数の上記tについて1箇所で上記V(t)を測定することを特徴としている。
上記の発明によれば、1つの表面電位センサを用いて複数箇所に相当するV(t)を測定することができるので、表面電位センサの数を抑制することができるという効果を奏する。
本発明の画像形成装置は、以上のように、上記感光体の表面電位の暗減衰曲線を、V(t)=(V0+a)exp(−b−ct)で表し、上記帯電器直下の感光体以外における上記V(t)を測定することにより、上記bおよびcを求めて上記暗減衰曲線を決定し、決定した上記暗減衰曲線から、現像領域における上記V(t)を求める。
それゆえ、現像領域における感光体の表面電位を正確に知ることのできる画像形成装置を実現することができるという効果を奏する。
本発明の一実施形態について図1ないし図6に基づいて説明すると以下の通りである。
図2に、本実施の形態に係る画像形成装置の感光体付近の構成を示す。
この画像形成装置は、感光体ドラム1、帯電器2、現像槽3、および電位計4・5を備えている。感光体ドラム1は外周に有機感光体からなる感光体を備えており、矢印方向に回転駆動される。帯電器2はコロナ帯電器であり、感光体ドラム1の感光体を帯電させる。現像槽3はトナーとキャリアとからなる二成分現像剤を用いて、感光体上に形成された静電潜像を現像する。電位計4・5は表面電位センサであり、感光体ドラム1の周辺の、帯電器2と現像槽3との間に設けられている。電位計4は感光体ドラム1の回転方向上流側に、電位計5は感光体ドラム1の回転方向下流側に設けられており、それぞれ、感光体の表面電位を測定する。
なお、図示しないが、この他に帯電器2により帯電した感光体の表面に静電潜像を形成するための露光を行う露光装置、現像槽3によって現像されたトナー像を記録用紙や転写ベルトに転写する転写装置、転写後に感光体表面に残ったトナーをクリーニングするクリーニング装置、クリーニング後の感光体表面を除電する除電装置などが感光体ドラム1の周辺に設けられる。また、画像が転写された記録媒体上の画像を定着させる定着装置などが記録媒体の搬送経路上に設けられる。
本実施の形態では、感光体の表面電位の暗減衰曲線を、
V(t)=(V0+a)exp(−b−ct) (1)
で表す。
ここで、
V(t):帯電器2による帯電からt秒後の感光体の表面電位
V0:感光体使用初期の帯電器2のグリッド電圧VGRID
a:感光体ドラム1(感光体)の回転時間に応じた帯電器2のグリッド電圧の補正値
b:トラップ電位による影響分
c:自由電子による放出係数
この暗減衰曲線は後述の図1のような曲線となり、a、b、およびcの値により、すなわち感光体のライフ(例えば使用開始からの回転数)により図のように異なった曲線となる。上記式(1)は、非特許文献1に記載されている次の暗減衰の理論曲線を簡易変形したものである。
V(t)=(V0+a)exp(−b−ct) (1)
で表す。
ここで、
V(t):帯電器2による帯電からt秒後の感光体の表面電位
V0:感光体使用初期の帯電器2のグリッド電圧VGRID
a:感光体ドラム1(感光体)の回転時間に応じた帯電器2のグリッド電圧の補正値
b:トラップ電位による影響分
c:自由電子による放出係数
この暗減衰曲線は後述の図1のような曲線となり、a、b、およびcの値により、すなわち感光体のライフ(例えば使用開始からの回転数)により図のように異なった曲線となる。上記式(1)は、非特許文献1に記載されている次の暗減衰の理論曲線を簡易変形したものである。
V=V0exp{(−A1/α)(1−e−αt)−A2t} (2)
(ただし、A1,A2は定数、αはトラップにある電子の寿命に関係した確率因子)
式(1)において、aは感光体のライフに応じた値であり、表1のように予め求められている。
(ただし、A1,A2は定数、αはトラップにある電子の寿命に関係した確率因子)
式(1)において、aは感光体のライフに応じた値であり、表1のように予め求められている。
aは、感光体がライフに応じて膜減りすることによる帯電電位への影響を補正するために用いられ、画像形成装置の内部のメモリに補正テーブルとして予め記憶されている。ライフが長くなるほどaの値は大きくなる。V0+aがライフに応じたグリッド電圧VGRIDとなる。
このように、aは既知であるから、異なる少なくとも2つのtに対応するV(t)を測定すれば、式(1)のbおよびcを求めることができ、暗減衰曲線を決定することができる。本実施の形態では、電位計4・5により、2箇所の表面電位を測定する。また、この測定箇所を、測定の困難な帯電器2の直下を除く箇所とする。
次に、式(1)のbおよびcを求める例を説明する。
感光体ドラム1がプロセス速度で回転し、このとき、電位計4がt=63msの位置の表面電位を測定し、電位計5がt=147msの位置の表面電位を測定するものとする。感光体が、使用初期のものと、画像形成を行った記録用紙の枚数が300K(ライフ300K)のものとのそれぞれについて、電位計4・5により測定した表面電位の結果を表2に示す。ライフが300Kのものについては、表1からa=20となる。なお、このとき、露光は行っていない。また、現像バイアスは低下させた状態にある。
これをグラフにプロットすると、図3のようになる。図3から分かるように、使用初期の感光体と、ライフが300Kの感光体とでは、表面電位そのものだけでなく、電位計4による測定箇所から電位計5による測定箇所に達するまでの電位変化量が異なっている。
この測定結果を用いてbおよびcを求め、式(1)のパラメータを全て決定することにより決定した暗減衰曲線を図1に示す。図1において、SP1は電位計4により表面電位が測定されるt、V01はその測定電位を表す。SP2は電位計5により表面電位が測定されるt、V02はその測定電位を表す。実線で表される曲線が、使用初期の感光体の暗減衰曲線であり、破線で表される曲線が、300Kのライフの感光体の暗減衰曲線である。2つの上記曲線のそれぞれについて、現像領域に達するtdevにおける表面電位を求めることにより、現像領域における感光体の正確な表面電位Vdevを知ることができる。上記パラメータの決定および表面電位Vdevの算出には、画像形成装置が内部に備えるマイクロプロセッサでの演算を用いることができる。
このように、本実施の形態では、暗減衰曲線の式として式(1)という正しいものを用い、正確にパラメータを決定するので、現像領域におけるV(t)も正確に求めることができる。電位測定箇所を帯電器3直下以外とすることによる正確なプロットも、暗減衰曲線の正確な導出に寄与している。これにより、現像領域における感光体の表面電位Vdevを正確に知ることのできる画像形成装置を実現することができる。
次に、こうして求めた現像領域における表面電位Vdevを基に、現像バイアスを設定し、新たなプロセス条件とする。ここで、使用初期の感光体と、300Kのライフの感光体とのそれぞれについて、現像バイアスを何通りか変えて形成される画像の質を評価した。評価結果を表3に示す。表3においてVbiasは現像バイアスを表す。
表3から分るように、Vdev−Vbiasの大きさが大きくなりすぎると、ベタ画像の濃度が得られなくなり、さらにはキャリア上がりが発生し、Vdev−Vbiasの大きさが小さくなりすぎると、トナーが過剰に感光体に付着して現像かぶりが発生することが理解できる。このような対応関係をつぶさに調べた結果、求めたVdevに対して、大きさがVdevの大きさよりも小さく、Vdevとの差|Vdev―Vbias|が100V〜200Vの範囲内にあるVbiasを採用するのが好ましい。
また、感光体の表面電位測定時の現像バイアスVbiasは、キャリア上がりの発生を抑えるために、使用初期のVdevより200V低い値に設定する。その設定により、ライフにおいて、|Vdev―Vbias|が小さくなってきた場合には、若干のトナーが感光体に乗ることになるが、それは後のクリーニング工程で除去することができる。
図4に、以上の暗減衰曲線の決定およびプロセス条件の設定についての処理の流れを示す。
S1で表面電位の測定処理を開始するために感光体ドラム1の1回転目の回転を行い、帯電器2により感光体表面を帯電させる。S2では、電位計4・5により表面電位V01・V02を測定する。S3では、感光体ドラム1に形成されて使用された感光体のこれまでの回転数を検知して、式(1)のaを求める。S4では、S3で求めたaおよびS2で測定したV01・V02を用いて暗減衰曲線を決定し、現像領域における感光体の表面電位Vdevを算出する。S5では、S4で算出された表面電位Vdevを基に、現像バイアスを決定して新たなプロセス条件として設定し、感光体ドラム1の2回転目から、この新たなプロセス条件による画像形成プロセスを可能とする。
なお、本実施の形態では、帯電器2と現像槽3との間に電位計4・5を設けたが、電位計の少なくとも1つを、現像像3よりも感光体ドラム1(感光体)の回転方向下流側の箇所に設ける、すなわち、V(t)を測定する箇所に、現像領域よりも感光体ドラム1(感光体)の回転方向下流側の箇所が含まれるようにしてもよい。
その場合には、上述したように現像バイアスVbiasは初期のVdevより200V低い値に設定し、キャリア上がりを抑えた状態をキープして測定する。そうすれば、画像形成装置に装着されている現像槽3の有無に係わらず、現像領域を通過した感光体表面の電位V(t)が得ることができる。従って、画像形成装置の機内スペースの関係から帯電−現像プロセス間で2つの電位計を設置できない場合でも、実際の画像形成時に近い感光体の表面電位を測定することができる。
また、本実施の形態では、電位計を2つ設けたが、電位計を1つとすることもできる。電位計を1つ用い、例えば、感光体ドラム1(感光体)の周速を複数通りに変化させることにより、複数のtについて1箇所でV(t)を測定する構成が挙げられる。このようにすれば、1つの電位計を用いて複数箇所に相当するV(t)を測定することができるので、電位計の数を抑制することができる。
また、暗減衰曲線は、感光体周辺の環境によっても変化する。
図5および図6に、環境の相違による暗減衰曲線の相違を示す。図5(a)・(b)は、温度/湿度が24℃/14%である環境下のものを示し、図6(a)・(b)は、温度/湿度が5℃/20%である環境下のものを示している。
さらに図5(a)および図6(a)は、使用初期の感光体(初期感光体と称する)の表面電位V01と表面電位V02との差が露光量に応じてどのように異なるのかを示している。図5(b)および図6(b)は、ある程度使用した感光体(ライフ感光体と称する)の表面電位V01と表面電位V02との差が露光量に応じてどのように異なるのかを示している。全図において露光量を階調で表して横軸としている。図5(a)および図6(a)から分かるように、初期感光体では、露光量の違いによってもV01とV02との差が変化していることが分るが、この差は、図5(b)および図6(b)のライフ感光体では小さくなる。
そして、図5(a)と図6(a)との比較により、また、図5(b)と図6(b)との比較により、環境が異なれば暗減衰曲線が異なることが分かる。従って、環境が変化する場合に、予め定めた環境ごとに、表面電位V01・V02を測定して暗減衰曲線を決定するようにすれば、各環境に応じた正確な表面電位Vdevを知ることができ、それだけ適切な現像バイアスを求めることができる。
また、図5(b)および図6(b)から分かるように、ライフ感光体ではV01とV02との差が小さい。これは、感光体が膜減りすることによって、感光体中に発生したキャリアの移動距離が小さくなって感光体に対するキャリアの移動が各点で充分となり、各点間での電位差が減少するからである。従って、本実施の形態のように、2箇所以上で感光体の表面電位を測定することにより、各t間の微小な差を正確に把握することができるので、暗減衰曲線をそれだけ高い精度で決定することができる。従来のように帯電器より下流側で1点しか測定しないシステムでは、このような微小な電位変化を正確に捉えることはできない。
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。すなわち、請求項に示した範囲で適宜変更した技術的手段を組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
本発明は、電子写真方式や静電記録方式の画像形成装置に好適に使用することができる。
1 感光体ドラム
2 帯電器
3 現像槽
4 電位計(表面電位センサ)
5 電位計(表面電位センサ)
2 帯電器
3 現像槽
4 電位計(表面電位センサ)
5 電位計(表面電位センサ)
Claims (4)
- 帯電器による帯電から時間t後の感光体の表面電位をV(t)、上記感光体の使用初期の上記帯電器のグリッド電圧をV0、上記感光体の使用開始からの回転時間に応じた上記帯電器の既知のグリッド電圧補正値をa、上記感光体の使用時間に応じた定数をbおよびcとして、上記感光体の表面電位の暗減衰曲線を、
V(t)=(V0+a)exp(−b−ct)
で表し、上記帯電器直下以外における上記感光体の上記V(t)を測定することにより、上記bおよびcを求めて上記暗減衰曲線を決定し、決定した上記暗減衰曲線から、現像領域における上記V(t)を求めることを特徴とする画像形成装置。 - 上記V(t)を測定する箇所に、上記現像領域よりも上記感光体の回転方向下流側の箇所が含まれていることを特徴とする請求項1に記載の画像形成装置。
- 求めた上記現像領域における上記V(t)に応じて決定する新たなプロセス条件として、大きさが上記現像領域における上記V(t)の大きさよりも小さく、上記現像領域における上記V(t)との差が100V〜200Vの範囲内にある現像バイアスを設定することを特徴とする請求項1に記載の画像形成装置。
- 上記V(t)を測定する表面電位センサを1つ用い、上記感光体の周速を複数通りに変化させることにより、複数の上記tについて1箇所で上記V(t)を測定することを特徴とする請求項1に記載の画像形成装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005299400A JP2007108444A (ja) | 2005-10-13 | 2005-10-13 | 画像形成装置 |
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Cited By (2)
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---|---|---|---|---|
JP2016109961A (ja) * | 2014-12-09 | 2016-06-20 | シャープ株式会社 | 画像形成装置 |
JP2016142813A (ja) * | 2015-01-30 | 2016-08-08 | 株式会社沖データ | 画像形成装置 |
-
2005
- 2005-10-13 JP JP2005299400A patent/JP2007108444A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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