JP2007096710A - サージ吸収素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 サージ吸収素子SA1は、第1〜第3の端子電極、インダクタ部10及びサージ吸収部20を備える。インダクタ部10は、相互に極性反転結合される第1及び第2の内部導体11,13を有し、第1の内部導体11の一端が第1の端子電極に接続され、第2の内部導体13の一端が第2の端子電極に接続され、第1の内部導体11の他端と第2の内部導体13の他端とが接続される。サージ吸収部20は、第1の内部導体11と第2の内部導体13との接続点に接続された第1の内部電極21と、第3の端子電極に接続された第2の内部電極23とを有する。第1の内部導体11の直流抵抗成分と第2の内部導体13の直流抵抗成分との合成直流抵抗成分は、0Ωより大きく7.5Ω以下に設定されている。
【選択図】 図2
Description
まず、図1及び図2に基づいて、第1実施形態に係るサージ吸収素子SA1の構成を説明する。図1は、第1実施形態に係るサージ吸収素子を示す概略斜視図である。図2は、第1実施形態に係るサージ吸収素子に含まれる素体の構成を説明するための分解斜視図である。
上記(2)式及び(3)式からも分かるように、内部導体11,13間の結合係数Kzを任意に選べるため、柔軟性の高い回路設計が可能となる。
ただし、KzLz≧Leである。このように設計すると、サージ吸収素子SA1に浮遊容量成分73と浮遊インダクタンス成分75が含まれていても、入力インピーダンスZinを特性インピーダンスZoに整合させることができる。
次に、図7及び図8に基づいて、第2実施形態に係るサージ吸収素子SA2の構成を説明する。図7は、第2実施形態に係るサージ吸収素子を示す概略斜視図である。図8は、第2実施形態に係るサージ吸収素子に含まれる素体の構成を説明するための分解斜視図である。第2実施形態に係るサージ吸収素子SA2は、第1の端子電極3、第2の端子電極5、第3の端子電極7、第1の内部導体11、第2の内部導体13、第1の内部電極21、第2の内部電極23、及び外部導体9の数に関して第1実施形態に係るサージ吸収素子SA1と相違する。
次に、図10に基づいて、第3実施形態に係るサージ吸収素子の構成を説明する。図10は、第3実施形態に係るサージ吸収素子に含まれる素体の構成を説明するための分解斜視図である。第3実施形態に係るサージ吸収素子は、キャパシタ部40の構成に関して第1実施形態に係るサージ吸収素子SA1と相違する。
次に、図11に基づいて、第4実施形態に係るサージ吸収素子の構成を説明する。図11は、第4実施形態に係るサージ吸収素子に含まれる素体の構成を説明するための分解斜視図である。第4実施形態に係るサージ吸収素子は、インダクタ部10及びサージ吸収部20の構成に関して第2実施形態に係るサージ吸収素子SA2と相違する。
Claims (11)
- 第1の端子電極、第2の端子電極、及び第3の端子電極と、
相互に極性反転結合される第1の内部導体及び第2の内部導体を有しており、前記第1の内部導体の一端が前記第1の端子電極に接続され、前記第2の内部導体の一端が前記第2の端子電極に接続され、前記第1の内部導体の他端と前記第2の内部導体の他端とが接続されたインダクタ部と、
前記第1の内部導体の他端と前記第2の内部導体の他端とに接続された第1の内部電極と、前記第3の端子電極に接続された第2の内部電極と、を有するサージ吸収部と、
前記第1の端子電極と前記第2の端子電極との間に接続された直流抵抗成分を有する抵抗部と、を備えることを特徴とするサージ吸収素子。 - 前記抵抗部が有する前記直流抵抗成分が、0Ωより大きく7.5Ω以下に設定されていることを特徴とする請求項1に記載のサージ吸収素子。
- 前記抵抗部が有する前記直流抵抗成分が、前記第1の内部導体と前記第2の内部導体とにより形成されることを特徴とする請求項1に記載のサージ吸収素子。
- 前記第1の内部導体の直流抵抗成分と前記第2の内部導体の直流抵抗成分との合成直流抵抗成分が、0Ωより大きく7.5Ω以下に設定されていることを特徴とする請求項3に記載のサージ吸収素子。
- 前記第1の端子電極と前記第2の端子電極との間に接続された容量成分を有するキャパシタ部を更に備えることを特徴とする請求項1に記載のサージ吸収素子。
- 前記キャパシタ部が有する容量成分が、前記第1の内部導体と前記第2の内部導体とにより形成されることを特徴とする請求項5に記載のサージ吸収素子。
- 前記インダクタ部が、前記第1の内部導体が形成されたインダクタ層と前記第2の内部導体が形成されたインダクタ層とが積層されることにより構成され、
前記サージ吸収部が、前記第1の内部電極が形成されたバリスタ層と前記第2の内部電極が形成されたバリスタ層とが積層されることにより構成され、
前記第1の内部導体と前記第2の内部導体とが、前記インダクタ層の積層方向から見て相互に重なり合う領域を含み、
前記第1の内部電極と前記第2の内部電極とが、前記バリスタ層の積層方向から見て相互に重なり合う領域を含んでいることを特徴とする請求項1に記載のサージ吸収素子。 - 前記各バリスタ層が、ZnOを主成分とし、添加物として、希土類及びBiからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素、Coを含有しており、
前記各インダクタ層が、ZnOを主成分とし、Coを実質的に含有していない、ことを特徴とする請求項7に記載のサージ吸収素子。 - 前記第1の端子電極、前記第2の端子電極、及び前記第3の端子電極が、前記インダクタ部、前記サージ吸収部、及び前記抵抗部を含む素体の外表面に形成されており、
前記第1の内部導体の他端、前記第2の内部導体の他端、及び第1の内部電極が、前記素体の外表面に形成された外部導体を通して接続されていることを特徴とする請求項1に記載のサージ吸収素子。 - 前記第1の端子電極が、入力端子電極であり、
前記第2の端子電極が、出力端子電極であり、
前記第1の内部導体と前記第2の内部導体とが、正結合していることを特徴とする請求項1に記載のサージ吸収素子。 - 前記第1の端子電極、前記第2の端子電極、前記第3の端子電極、前記第1の内部導体、前記第2の内部導体、前記第1の内部電極、及び前記第2の内部電極をそれぞれ複数有することを特徴とする請求項1に記載のサージ吸収素子。
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