JP2007088201A - Method and device for processing substrate - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、被処理基板上に処理液を供給して処理を行う技術に係り、特にスピンレス方式で基板上に処理液を塗布する基板処理技術に関する。 The present invention relates to a technique for supplying a processing liquid onto a substrate to be processed, and more particularly to a substrate processing technique for applying a processing liquid on a substrate by a spinless method.
最近、フラットパネルディスプレイ(FPD)の製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では、被処理基板(たとえばガラス基板)の大型化に有利なレジスト塗布法として、基板に対して長尺型のレジストノズルよりレジスト液を帯状に吐出させながらレジストノズルを相対移動または走査させることにより、回転運動を要することなく基板上に所望の膜厚でレジスト液を塗布するようにしたスピンレス方式が普及している。 Recently, in a photolithography process in a flat panel display (FPD) manufacturing process, as a resist coating method that is advantageous for increasing the size of a substrate to be processed (for example, a glass substrate), a resist solution is applied to a substrate from a long resist nozzle. 2. Description of the Related Art A spinless method is widely used in which a resist solution is applied on a substrate with a desired film thickness without requiring a rotational movement by moving or scanning a resist nozzle while discharging it in a strip shape.
スピンレス方式による従来のレジスト塗布装置は、たとえば特許文献1に記載されるように、ステージ上に水平に固定載置される基板とステージ上方に設けられるレジストノズルの吐出口との間に数百μm以下の微小ギャップを設定し、レジストノズルを走査方向(一般にノズル長手方向と直交する水平方向)に移動させながら基板上にレジスト液を吐出させるようにしている。この種のレジストノズルは、ノズル本体を横長または長尺状に形成して、口径の非常に小さい微細径(たとえば100μm程度)の吐出口からレジスト液を帯状に吐出するように構成されている。このような長尺型レジストノズルの走査による塗布処理が終了すると、当該基板は搬送ロボットまたは搬送アームによりステージから取り出され、装置の外へ搬出される。直後に、後続の新たな基板が搬送ロボットにより装置に搬入され、ステージ上に載置される。そして、この新たな基板に対してレジストノズルの走査により上記と同様の塗布処理が繰り返される。
上記のようなスピンレス方式のレジスト塗布装置では、処理済の基板をステージからアンローディングないし搬出してステージ上面を完全に空状態にしない限り、後続の新たな基板をステージ上に搬入ないし載置することができない。このため、レジストノズルを走査させる動作の所要時間(Tc)に、未処理の基板をステージ上に搬入ないしローディングする動作の所要時間(Tin)と、処理済の基板をステージからアンローディングないし搬出する動作の所要時間(Tout)とを足し合わせた塗布処理1サイクルの所要時間(Tc+Tin+Tout)がそのままタクトタイムになり、タクトタイムの短縮化が難しいという問題がある。 In the spinless type resist coating apparatus as described above, unless a processed substrate is unloaded or unloaded from the stage to completely empty the upper surface of the stage, a subsequent new substrate is loaded or placed on the stage. I can't. For this reason, the time required for scanning the resist nozzle (T c ), the time required for loading or unloading an unprocessed substrate onto the stage (T in ), and the unloading of the processed substrate from the stage There is a problem that the required time (T c + T in + T out ) of one cycle of the coating process that is added to the required time (T out ) of the unloading operation becomes the tact time as it is, and it is difficult to shorten the tact time.
本発明は、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされたもので、スピンレス方式で被処理基板上に処理液を供給ないし塗布する処理動作のタクトタイムを短縮する基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described problems of the prior art, and a substrate processing apparatus and a substrate processing for shortening the tact time of a processing operation for supplying or applying a processing liquid onto a substrate to be processed by a spinless method. It aims to provide a method.
本発明の別の目的は、浮上搬送方式において処理液を供給される基板の浮上高さを設定値付近に安定に保って基板上に処理液の塗布膜をムラのない均一な膜厚で形成できるようにした基板処理装置および基板処理方法を提供することにある。 Another object of the present invention is to form a coating film of the processing liquid on the substrate with a uniform film thickness while keeping the flying height of the substrate to which the processing liquid is supplied in the levitation transport system stably at a set value. An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method which can be performed.
上記の目的を達成するために、本発明の第1の基板処理装置は、気体を噴出する多数の噴出口と気体を吸い込む多数の吸引口とが混在して設けられた第1の浮上領域を有するステージと、被処理基板を前記ステージ上で浮かせた状態で所定の搬送方向に前記第1の浮上領域を通過させる基板搬送部と、前記第1の浮上領域の上方に配置されるノズルを有し、前記基板上に処理液を供給するために前記ノズルより前記処理液を吐出させる処理液供給部と、前記第1の浮上領域における前記ステージ上の前記基板の設定浮上量に対応する圧力設定値に一致ないし近似するように、前記噴出口に供給する気体の圧力および前記吸引口に供給する真空の圧力の少なくとも一方を制御する浮上制御部とを有する。 In order to achieve the above object, the first substrate processing apparatus of the present invention includes a first floating region provided with a mixture of a large number of ejection ports for ejecting gas and a large number of suction ports for sucking gas. A stage having a substrate to be processed, a substrate transport unit that passes the first floating region in a predetermined transport direction in a state where the substrate to be processed is floated on the stage, and a nozzle that is disposed above the first floating region. And a processing liquid supply unit for discharging the processing liquid from the nozzle to supply the processing liquid onto the substrate, and a pressure setting corresponding to a set flying height of the substrate on the stage in the first floating region A levitation control unit that controls at least one of the pressure of the gas supplied to the jet port and the pressure of the vacuum supplied to the suction port so as to match or approximate the value.
また、本発明の第1の基板処理方法は、ステージ上に搬送方向に沿って、被処理基板よりもサイズの大きい搬入領域と、前記基板よりもサイズの小さい塗布領域と、前記基板よりもサイズの大きい搬出領域とをこの順に一列に設定し、前記ステージの上面に設けた多数の噴出口より噴出する気体の圧力で前記基板を浮かせて、少なくとも前記塗布領域では前記ステージの上面に前記噴出口と混在する多数の吸引口を設けて前記塗布領域を通過する前記基板に対して前記噴出口より加えられる垂直上向きの圧力と前記吸引口より加えられる垂直下向きの圧力とのバランスを制御して前記基板にほぼ均一な浮上力を与え、前記第1の浮上領域における前記ステージ上の前記基板の設定浮上量に対応する圧力設定値に一致ないし近似するように、前記噴出口に供給する気体の圧力および前記吸引口に供給する真空の圧力の少なくとも一方を制御し、前記基板を前記搬入領域から前記搬出領域まで搬送する途中、前記塗布領域内で上方に配置したノズルより処理液を吐出させて前記基板上に前記処理液を塗布する。 Further, the first substrate processing method of the present invention includes a carry-in area larger than the substrate to be processed, a coating area smaller than the substrate, and a size larger than the substrate along the transport direction on the stage. Are set in a row in this order, and the substrate is floated by the pressure of gas ejected from a number of jets provided on the upper surface of the stage, and at least in the coating region, the jets are formed on the upper surface of the stage. And controlling the balance between the vertical upward pressure applied from the jet port and the vertical downward pressure applied from the suction port to the substrate passing through the application region by providing a plurality of suction ports mixed with Apply a substantially uniform levitating force to the substrate and match or approximate the pressure set value corresponding to the set levitating amount of the substrate on the stage in the first levitating region. A nozzle disposed above in the coating region while controlling at least one of the pressure of the gas supplied to the jet port and the pressure of the vacuum supplied to the suction port and transporting the substrate from the carry-in region to the carry-out region Then, the processing liquid is discharged to apply the processing liquid onto the substrate.
上記の構成においては、基板がステージの第1の浮上領域(塗布領域)を通過する途中で、ノズルより吐出される処理液の供給を受けることにより、基板上に処理液の塗布膜が形成される。この塗布処理中に、ステージの噴出口に正圧の気体を供給する圧縮気体供給源側に圧力の変動が生じても、あるいはステージの吸引口にバキュームを供給する真空源側に圧力の変動が生じても、浮上制御部により圧力フィードバック制御がかけられ、ステージの塗布領域における基板の浮上量が設定浮上量付近に安定に保持される。このことにより、ノズルと基板との間のギャップが設定値に維持されるとともに、基板の水平度や浮上剛性も安定状態を保ち、基板上に塗布ムラのない一定膜厚の塗布膜が形成される。 In the above configuration, the coating film of the processing liquid is formed on the substrate by receiving the supply of the processing liquid discharged from the nozzle while the substrate passes through the first floating area (coating area) of the stage. The During this coating process, even if pressure fluctuation occurs on the compressed gas supply side that supplies positive pressure gas to the stage outlet, or pressure fluctuation occurs on the vacuum source side that supplies vacuum to the suction port of the stage. Even if it occurs, pressure feedback control is applied by the flying control unit, and the flying height of the substrate in the application region of the stage is stably held near the set flying height. As a result, the gap between the nozzle and the substrate is maintained at a set value, and the levelness and floating rigidity of the substrate are maintained in a stable state, and a coating film having a constant film thickness without application unevenness is formed on the substrate. The
本発明の好適な一態様によれば、浮上制御部が、正圧気体の供給源と噴出口とを結ぶ気体供給路の途中に設けられた比例制御弁と、この比例制御弁の二次側圧力を測定する第1の圧力測定部と、この第1の圧力測定部より得られる二次側圧力測定値が第1の圧力設定値に一致するように比例制御弁の開度を制御する第1のバルブ制御部とを有する。この場合、第1のバルブ制御部は、第1の圧力測定部からの二次側圧力測定値を第1の圧力設定値と比較し、その比較誤差を零にするように比例制御弁の開度を可変制御する。比例制御弁の二次側圧力を第1の圧力設定値に一致させることで、噴出口より基板に加えられる垂直上向きの圧力を所定値に合わせ、ひいては基板の浮上量を設定通りに制御することができる。好ましくは、浮上制御部が、基板の厚さに応じて第1の圧力設定値を与える第1の圧力設定部をさらに有し、これによって基板の厚みサイズがたとえばロット単位で変わっても基板の浮上量を設定浮上量付近に随時安定に合わせることができる。好ましい一態様として、ステージ上で基板の厚さを光学的に測定する基板厚測定部が設けられる。 According to a preferred aspect of the present invention, the levitation control unit includes a proportional control valve provided in the middle of the gas supply path connecting the positive pressure gas supply source and the jet outlet, and the secondary side of the proportional control valve. A first pressure measuring unit that measures pressure, and a second control unit that controls the opening of the proportional control valve so that the secondary pressure measurement value obtained from the first pressure measuring unit matches the first pressure set value. 1 valve control unit. In this case, the first valve control unit compares the secondary pressure measurement value from the first pressure measurement unit with the first pressure set value, and opens the proportional control valve so that the comparison error is zero. Variable control of degree. By adjusting the secondary pressure of the proportional control valve to the first pressure set value, the vertically upward pressure applied to the substrate from the jet outlet is adjusted to a predetermined value, and consequently the floating amount of the substrate is controlled as set. Can do. Preferably, the levitation control unit further includes a first pressure setting unit that gives a first pressure setting value in accordance with the thickness of the substrate, so that even if the thickness size of the substrate changes, for example, on a lot basis, The flying height can be stably adjusted to the set flying height at any time. As a preferred embodiment, a substrate thickness measuring unit that optically measures the thickness of the substrate on the stage is provided.
本発明の好ましい一態様によれば、浮上制御部が、負圧源と吸引口とを結ぶ排気路の途中に設けられたコンダクタンスバルブと、このコンダクタンスバルブの二次側圧力を測定する第2の圧力測定部と、この第2の圧力測定部より得られる二次側圧力測定値が第2の圧力設定値に一致するように前記コンダクタンスバルブの開度を制御する第2のバルブ制御部とを有する。この場合、第2のバルブ制御部は、第2の圧力測定部からの二次側圧力測定値を第2の圧力設定値と比較し、その比較誤差を零にするようにコンダクタンスバルブの開度を可変制御する。コンダクタンスバルブの二次側圧力を第2の圧力設定値に一致させることで、吸引口より基板に加えられる垂直下向きの圧力を所定値に合わせ、ひいては基板の浮上量を設定通りに制御することができる。好ましくは、浮上制御部が、基板の厚さに応じて第2の圧力設定値を与える第2の圧力設定部をさらに有し、これによって基板の厚みサイズがたとえばロット単位で変わっても基板の浮上量を設定浮上量付近に随時安定に合わせることができる。この場合も、好ましい一態様として、ステージ上で基板の厚さを光学的に測定する基板厚測定部が設けられる。 According to a preferred aspect of the present invention, the levitation control unit includes a conductance valve provided in the middle of the exhaust path connecting the negative pressure source and the suction port, and a second pressure measuring the secondary side pressure of the conductance valve. A pressure measurement unit, and a second valve control unit that controls the opening of the conductance valve so that a secondary pressure measurement value obtained from the second pressure measurement unit matches a second pressure set value. Have. In this case, the second valve control unit compares the secondary pressure measurement value from the second pressure measurement unit with the second pressure setting value, and opens the conductance valve so that the comparison error is zero. Is variably controlled. By making the secondary pressure of the conductance valve coincide with the second pressure setting value, the vertical downward pressure applied to the substrate from the suction port can be adjusted to a predetermined value, and the flying height of the substrate can be controlled as set. it can. Preferably, the levitation control unit further includes a second pressure setting unit that gives a second pressure setting value in accordance with the thickness of the substrate, so that even if the thickness size of the substrate changes, for example, on a lot basis, The flying height can be stably adjusted to the set flying height at any time. Also in this case, as a preferred embodiment, a substrate thickness measuring unit that optically measures the thickness of the substrate on the stage is provided.
また、浮上制御部の別の好ましい一態様として、吸引口に排気路を介して接続されるブロアファンと、排気路内の圧力を測定する第2の圧力測定部と、この第2の圧力測定部より得られる圧力測定値が第2の圧力設定値に一致するようにブロアファンの回転量を制御するブロア制御部とを有する構成も可能である。 Moreover, as another preferable aspect of the levitation control unit, a blower fan connected to the suction port via the exhaust path, a second pressure measurement unit that measures the pressure in the exhaust path, and the second pressure measurement A configuration having a blower control unit that controls the rotation amount of the blower fan so that the pressure measurement value obtained from the unit matches the second pressure set value is also possible.
本発明の第2の基板処理装置は、気体を噴出する多数の噴出口と気体を吸い込む多数の吸引口とが混在して設けられた第1の浮上領域を有するステージと、被処理基板を前記ステージ上で浮かせた状態で所定の搬送方向に前記第1の浮上領域を通過させる基板搬送部と、前記第1の浮上領域の上方に配置されるノズルを有し、前記基板上に処理液を供給するために前記ノズルより前記処理液を吐出させる処理液供給部と、前記第1の浮上領域における前記ステージ上の前記基板の浮上量を測定する浮上量測定部と、前記浮上量測定部より得られる浮上量測定値が設定浮上量に一致するように、前記噴出口に供給する気体の圧力および前記吸引口に供給する真空の圧力の少なくとも一方を制御する浮上制御部とを有する。 The second substrate processing apparatus of the present invention includes a stage having a first floating region provided with a mixture of a large number of ejection ports for ejecting gas and a large number of suction ports for sucking gas, and the substrate to be processed. A substrate transport unit that allows the first floating region to pass in a predetermined transport direction in a state of being floated on a stage; and a nozzle that is disposed above the first floating region; From a processing liquid supply unit that discharges the processing liquid from the nozzle to supply, a flying height measurement unit that measures the flying height of the substrate on the stage in the first floating region, and a flying height measurement unit And a levitation control unit that controls at least one of the pressure of the gas supplied to the ejection port and the pressure of the vacuum supplied to the suction port so that the obtained flying height measurement value matches the set levitation amount.
また、本発明の第2の基板処理方法は、ステージ上に搬送方向に沿って、被処理基板よりもサイズの大きい搬入領域と、前記基板よりもサイズの小さい塗布領域と、前記基板よりもサイズの大きい搬出領域とをこの順に一列に設定し、前記ステージの上面に設けた多数の噴出口より噴出する気体の圧力で前記基板を浮かせて、少なくとも前記塗布領域では前記ステージの上面に前記噴出口と混在する多数の吸引口を設けて前記塗布領域を通過する前記基板に対して前記噴出口より加えられる垂直上向きの圧力と前記吸引口より加えられる垂直下向きの圧力とのバランスを制御して前記基板にほぼ均一な浮上力を与え、前記塗布領域における前記ステージ上の前記基板の浮上量を測定し、前記基板浮上量の測定値が設定浮上量に一致ないし近似するように、前記噴出口に供給する気体の圧力および前記吸引口に供給する真空の圧力の少なくとも一方を制御し、前記基板を前記搬入領域から前記搬出領域まで搬送する途中、前記塗布領域内で上方に配置したノズルより処理液を吐出させて前記基板上に前記処理液を塗布する。 Further, the second substrate processing method of the present invention includes a carry-in area larger than the substrate to be processed, a coating area smaller than the substrate, and a size larger than the substrate along the transport direction on the stage. Are set in a row in this order, and the substrate is floated by the pressure of gas ejected from a number of jets provided on the upper surface of the stage, and at least in the coating region, the jets are formed on the upper surface of the stage. And controlling the balance between the vertical upward pressure applied from the jet port and the vertical downward pressure applied from the suction port to the substrate passing through the application region by providing a plurality of suction ports mixed with A substantially uniform flying force is applied to the substrate, and the flying height of the substrate on the stage in the coating area is measured, and the measured value of the substrate flying height matches or approximates the set flying height. And controlling at least one of the pressure of the gas supplied to the jet port and the pressure of the vacuum supplied to the suction port so that the substrate is transported from the carry-in region to the carry-out region in the coating region. The processing liquid is discharged from a nozzle disposed above to apply the processing liquid on the substrate.
上記の構成においても、基板がステージの第1の浮上領域(塗布領域)を通過する途中で、ノズルより吐出される処理液の供給を受けることにより、基板上に処理液の塗布膜が形成される。この塗布処理中に、ステージの噴出口に正圧の気体を供給する圧縮気体供給源側に圧力の変動が生じても、あるいはステージの吸引口にバキュームを供給する真空源側に圧力の変動が生じても、浮上制御部において基板浮上量の測定値をフィードバックするフィードバック制御がかけられ、ステージの塗布領域における基板の浮上量が設定浮上量付近に高い精度で保持される。これにより、ノズルと基板との間のギャップが高い精度で設定値に保たれるとともに、基板の水平度や浮上剛性も高い精度で安定状態を保ち、基板上に塗布ムラのない一定膜厚の塗布膜が形成される。 Also in the above configuration, a coating film of the processing liquid is formed on the substrate by receiving the supply of the processing liquid discharged from the nozzle while the substrate passes through the first floating area (coating area) of the stage. The During this coating process, even if pressure fluctuation occurs on the compressed gas supply side that supplies positive pressure gas to the stage outlet, or pressure fluctuation occurs on the vacuum source side that supplies vacuum to the suction port of the stage. Even if it occurs, feedback control that feeds back the measurement value of the substrate flying height is applied in the flying control unit, and the substrate flying height in the coating region of the stage is held with high accuracy near the set flying height. As a result, the gap between the nozzle and the substrate is maintained at a set value with high accuracy, and the levelness and floating rigidity of the substrate are kept stable with high accuracy, and a uniform film thickness without uneven coating on the substrate is maintained. A coating film is formed.
本発明の好適な一態様によれば、浮上制御部が、正圧気体の供給源と噴出口とを結ぶ気体供給路の途中に設けられた比例制御弁と、この比例制御弁の二次側圧力を測定する第1の圧力測定部と、この第1の圧力測定部より得られる二次側圧力測定値が第1の圧力設定値に一致するように比例制御弁の開度を制御する第1のバルブ制御部と、浮上量測定値が設定浮上量に一致するように第1の圧力設定値を可変制御する第1の圧力設定部とを有する。この場合、比例制御弁と第1の圧力測定部と第1のバルブ制御部とによって比例制御弁の二次側圧力を第1の圧力設定値に一致させる圧力フィードバックループが形成されるとともに、第1の圧力設定値が第1の圧力設定部により浮上量測定値を設定浮上量に一致させるように可変調整される。こうして、基板の浮上量を直接的に設定通りに制御することができる。 According to a preferred aspect of the present invention, the levitation control unit includes a proportional control valve provided in the middle of the gas supply path connecting the positive pressure gas supply source and the jet outlet, and the secondary side of the proportional control valve. A first pressure measuring unit that measures pressure, and a second control unit that controls the opening of the proportional control valve so that the secondary pressure measurement value obtained from the first pressure measuring unit matches the first pressure set value. 1 valve control unit, and a first pressure setting unit that variably controls the first pressure set value so that the measured flying height matches the set flying height. In this case, the proportional control valve, the first pressure measurement unit, and the first valve control unit form a pressure feedback loop that matches the secondary pressure of the proportional control valve with the first pressure set value, and The pressure setting value of 1 is variably adjusted by the first pressure setting unit so that the flying height measurement value matches the set flying height. Thus, the flying height of the substrate can be directly controlled as set.
また、好適な一態様によれば、浮上制御部が、負圧源と前記吸引口とを結ぶ排気路の途中に設けられたコンダクタンスバルブと、コンダクタンスバルブの二次側圧力を測定する第2の圧力測定部と、この第2の圧力測定部より得られる二次側圧力測定値が第2の圧力設定値に一致するように前記コンダクタンスバルブの開度を制御する第2のバルブ制御部と、浮上量測定値が設定浮上量に一致するように第2の圧力設定値を可変制御する第2の圧力設定部とを有する。この場合、コンダクタンスバルブと第2の圧力測定部と第2のバルブ制御部とによってコンダクタンスバルブの二次側圧力を第2の圧力設定値に一致させる圧力フィードバックループが形成されるとともに、第2の圧力設定値が第2の圧力設定部により浮上量測定値を設定浮上量に一致させるように可変調整される。こうして、基板の浮上量を直接的に設定通りに制御することができる。 According to a preferred aspect, the levitation control unit includes a conductance valve provided in the middle of the exhaust path connecting the negative pressure source and the suction port, and a second pressure measuring the secondary pressure of the conductance valve. A second valve control unit that controls the opening of the conductance valve so that a secondary pressure measurement value obtained from the second pressure measurement unit matches a second pressure set value; And a second pressure setting unit that variably controls the second pressure set value so that the measured flying height matches the set flying height. In this case, the conductance valve, the second pressure measuring unit, and the second valve control unit form a pressure feedback loop for matching the secondary pressure of the conductance valve to the second pressure set value, and the second The pressure set value is variably adjusted by the second pressure setting unit so that the measured flying height matches the set flying height. Thus, the flying height of the substrate can be directly controlled as set.
あるいは、別の好適な一態様として、浮上制御部が、吸引口に排気路を介して接続されるブロアファンと、排気路内の圧力を測定する第2の圧力測定部と、この第2の圧力測定部より得られる圧力測定値が第2の圧力設定値に一致するようにブロアファンの回転量を制御するブロア制御部と、浮上量測定値が設定浮上量に一致するように第2の圧力設定値を可変制御する第2の圧力設定部と有する構成も可能である。 Alternatively, as another preferred aspect, the levitation control unit includes a blower fan connected to the suction port via the exhaust path, a second pressure measurement unit that measures the pressure in the exhaust path, and the second A blower control unit that controls the rotation amount of the blower fan so that the pressure measurement value obtained from the pressure measurement unit matches the second pressure setting value, and the second value so that the flying height measurement value matches the set flying height. A configuration having a second pressure setting unit that variably controls the pressure setting value is also possible.
好適な一態様として、上記浮上量測定部が、基板とステージの上面との距離を光学的に測定するための光学式距離センサを有する。また、ノズルを鉛直方向で昇降移動させるためのノズル昇降部が設けられる。 As a preferred embodiment, the flying height measuring unit includes an optical distance sensor for optically measuring the distance between the substrate and the upper surface of the stage. In addition, a nozzle raising / lowering unit for moving the nozzle up and down in the vertical direction is provided.
また、好適な一態様によれば、ステージの搬送方向において第1の浮上領域の上流側には基板を浮かせる第2の浮上領域が設けられ、この第2の浮上領域内に基板を搬入するための搬入部が設けられる。また、ステージの搬送方向において第1の浮上領域の下流側には基板を浮かせる第3の浮上領域が設けられ、この第3の浮上領域内に基板を搬出するための搬出部が設けられる。 According to a preferred aspect, there is provided a second levitation area for floating the substrate upstream of the first levitation area in the stage conveyance direction, and the substrate is carried into the second levitation area. Is provided. Further, a third floating region for floating the substrate is provided on the downstream side of the first floating region in the stage transport direction, and a carry-out unit for carrying the substrate out is provided in the third floating region.
また、好適な一態様によれば、基板搬送部が、基板の移動する方向と平行に延びるようにステージの片側または両側に配置されるガイドレールと、このガイドレールに沿って移動可能なスライダと、このスライダをガイドレールに沿って移動するように駆動する搬送駆動部と、スライダからステージの中心部に向かって延在し、基板の側縁部を着脱可能に保持する保持部とを有する。 Further, according to a preferred aspect, the substrate transporting section is arranged on one or both sides of the stage so as to extend in parallel with the direction in which the substrate moves, and a slider movable along the guide rail, The conveyance driving unit drives the slider so as to move along the guide rail, and the holding unit extends from the slider toward the center of the stage and detachably holds the side edge of the substrate.
本発明の基板処理装置および基板処理方法によれば、上記のような構成および作用により、スピンレス方式で被処理基板上に処理液を供給ないし塗布する処理動作のタクトタイムを短縮できるだけでなく、浮上搬送方式において処理液を供給される基板の浮上高さを設定値付近に安定に保って基板上に処理液の塗布膜をムラのない均一な膜厚で形成することができる。 According to the substrate processing apparatus and the substrate processing method of the present invention, due to the configuration and operation as described above, not only can the tact time of the processing operation of supplying or coating the processing liquid on the substrate to be processed by the spinless method be reduced, but also floating In the transport method, the flying height of the substrate to which the processing liquid is supplied can be stably maintained near the set value, and the coating film of the processing liquid can be formed on the substrate with a uniform film thickness without unevenness.
以下、添付図を参照して本発明の好適な実施形態を説明する。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
図1に、本発明の基板処理装置および基板処理方法の適用可能な構成例として塗布現像処理システムを示す。この塗布現像処理システムは、クリーンルーム内に設置され、たとえばLCD基板を被処理基板とし、LCD製造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベークの各処理を行うものである。露光処理は、このシステムに隣接して設置される外部の露光装置(図示せず)で行われる。 FIG. 1 shows a coating and developing treatment system as a configuration example to which the substrate processing apparatus and the substrate processing method of the present invention can be applied. This coating / development processing system is installed in a clean room and uses, for example, an LCD substrate as a substrate to be processed, and performs cleaning, resist coating, pre-baking, development, and post-baking in the photolithography process in the LCD manufacturing process. is there. The exposure process is performed by an external exposure apparatus (not shown) installed adjacent to this system.
この塗布現像処理システムは、大きく分けて、カセットステーション(C/S)10と、プロセスステーション(P/S)12と、インタフェース部(I/F)14とで構成される。 This coating and developing system is roughly divided into a cassette station (C / S) 10, a process station (P / S) 12, and an interface unit (I / F) 14.
システムの一端部に設置されるカセットステーション(C/S)10は、複数の基板Gを収容するカセットCを所定数たとえば4個まで載置可能なカセットステージ16と、このカセットステージ16上の側方でかつカセットCの配列方向と平行に設けられた搬送路17と、この搬送路17上で移動自在でステージ16上のカセットCについて基板Gの出し入れを行う搬送機構20とを備えている。この搬送機構20は、基板Gを保持できる手段たとえば搬送アームを有し、X,Y,Z,θの4軸で動作可能であり、後述するプロセスステーション(P/S)12側の搬送装置38と基板Gの受け渡しを行えるようになっている。
A cassette station (C / S) 10 installed at one end of the system includes a
プロセスステーション(P/S)12は、上記カセットステーション(C/S)10側から順に洗浄プロセス部22と、塗布プロセス部24と、現像プロセス部26とを基板中継部23、薬液供給ユニット25およびスペース27を介して(挟んで)横一列に設けている。
The process station (P / S) 12 includes, in order from the cassette station (C / S) 10 side, a
洗浄プロセス部22は、2つのスクラバ洗浄ユニット(SCR)28と、上下2段の紫外線照射/冷却ユニット(UV/COL)30と、加熱ユニット(HP)32と、冷却ユニット(COL)34とを含んでいる。
The
塗布プロセス部24は、スピンレス方式のレジスト塗布ユニット(CT)40と、減圧乾燥ユニット(VD)42と、上下2段型アドヒージョン/冷却ユニット(AD/COL)46と、上下2段型加熱/冷却ユニット(HP/COL)48と、加熱ユニット(HP)50とを含んでいる。 The coating process unit 24 includes a spinless resist coating unit (CT) 40, a vacuum drying unit (VD) 42, an upper and lower two-stage adhesion / cooling unit (AD / COL) 46, and an upper and lower two-stage heating / cooling. A unit (HP / COL) 48 and a heating unit (HP) 50 are included.
現像プロセス部26は、3つの現像ユニット(DEV)52と、2つの上下2段型加熱/冷却ユニット(HP/COL)53と、加熱ユニット(HP)55とを含んでいる。
The
各プロセス部22,24,26の中央部には長手方向に搬送路36,51,58が設けられ、搬送装置38,54,60がそれぞれ搬送路36,51,58に沿って移動して各プロセス部内の各ユニットにアクセスし、基板Gの搬入/搬出または搬送を行うようになっている。なお、このシステムでは、各プロセス部22,24,26において、搬送路36,51,58の一方の側に液処理系のユニット(SCR,CT,DEV等)が配置され、他方の側に熱処理系のユニット(HP,COL等)が配置されている。
Conveying
システムの他端部に設置されるインタフェース部(I/F)14は、プロセスステーション12と隣接する側にイクステンション(基板受け渡し部)56およびバッファステージ57を設け、露光装置と隣接する側に搬送機構59を設けている。この搬送機構59は、Y方向に延在する搬送路19上で移動自在であり、バッファステージ57に対して基板Gの出し入れを行なうほか、イクステンション(基板受け渡し部)56や隣の露光装置と基板Gの受け渡しを行うようになっている。
The interface unit (I / F) 14 installed at the other end of the system is provided with an extension (substrate transfer unit) 56 and a
図2に、この塗布現像処理システムにおける処理の手順を示す。先ず、カセットステーション(C/S)10において、搬送機構20が、ステージ12上の所定のカセットCの中から1つの基板Gを取り出し、プロセスステーション(P/S)12の洗浄プロセス部22の搬送装置38に渡す(ステップS1)。
FIG. 2 shows a processing procedure in this coating and developing processing system. First, in the cassette station (C / S) 10, the
洗浄プロセス部22において、基板Gは、先ず紫外線照射/冷却ユニット(UV/COL)30に順次搬入され、最初の紫外線照射ユニット(UV)では紫外線照射による乾式洗浄を施され、次の冷却ユニット(COL)では所定温度まで冷却される(ステップS2)。この紫外線洗浄では主として基板表面の有機物が除去される。
In the
次に、基板Gはスクラバ洗浄ユニット(SCR)28の1つでスクラビング洗浄処理を受け、基板表面から粒子状の汚れが除去される(ステップS3)。スクラビング洗浄の後、基板Gは、加熱ユニット(HP)32で加熱による脱水処理を受け(ステップS4)、次いで冷却ユニット(COL)34で一定の基板温度まで冷却される(ステップS5)。これで洗浄プロセス部22における前処理が終了し、基板Gは、搬送装置38により基板受け渡し部23を介して塗布プロセス部24へ搬送される。
Next, the substrate G is subjected to a scrubbing cleaning process by one of the scrubber cleaning units (SCR) 28 to remove particulate dirt from the substrate surface (step S3). After the scrubbing cleaning, the substrate G is subjected to dehydration treatment by heating in the heating unit (HP) 32 (step S4), and then cooled to a constant substrate temperature by the cooling unit (COL) 34 (step S5). Thus, the pretreatment in the
塗布プロセス部24において、基板Gは、先ずアドヒージョン/冷却ユニット(AD/COL)46に順次搬入され、最初のアドヒージョンユニット(AD)では疎水化処理(HMDS)を受け(ステップS6)、次の冷却ユニット(COL)で一定の基板温度まで冷却される(ステップS7)。 In the coating process unit 24, the substrate G is first sequentially carried into an adhesion / cooling unit (AD / COL) 46, and undergoes a hydrophobic treatment (HMDS) in the first adhesion unit (AD) (step S6). The cooling unit (COL) cools to a constant substrate temperature (step S7).
その後、基板Gは、レジスト塗布ユニット(CT)40でスピンレス法によりレジスト液を塗布され、次いで減圧乾燥ユニット(VD)42で減圧による乾燥処理を受ける(ステップS8)。 Thereafter, the substrate G is coated with a resist solution by a spinless method in a resist coating unit (CT) 40, and then subjected to a drying process by reduced pressure in a reduced pressure drying unit (VD) 42 (step S8).
次に、基板Gは、加熱/冷却ユニット(HP/COL)48に順次搬入され、最初の加熱ユニット(HP)では塗布後のベーキング(プリベーク)が行われ(ステップS9)、次に冷却ユニット(COL)で一定の基板温度まで冷却される(ステップS10)。なお、この塗布後のベーキングに加熱ユニット(HP)50を用いることもできる。 Next, the substrate G is sequentially carried into the heating / cooling unit (HP / COL) 48, and the first heating unit (HP) performs baking after coating (pre-baking) (step S9), and then the cooling unit ( COL) to cool to a constant substrate temperature (step S10). In addition, the heating unit (HP) 50 can also be used for baking after this application | coating.
上記塗布処理の後、基板Gは、塗布プロセス部24の搬送装置54と現像プロセス部26の搬送装置60とによってインタフェース部(I/F)14へ搬送され、そこから露光装置に渡される(ステップS11)。露光装置では基板G上のレジストに所定の回路パターンを露光される。そして、パターン露光を終えた基板Gは、露光装置からインタフェース部(I/F)14に戻される。インタフェース部(I/F)14の搬送機構59は、露光装置から受け取った基板Gをイクステンション56を介してプロセスステーション(P/S)12の現像プロセス部26に渡す(ステップS11)。
After the coating process, the substrate G is transported to the interface unit (I / F) 14 by the
現像プロセス部26において、基板Gは、現像ユニット(DEV)52のいずれか1つで現像処理を受け(ステップS12)、次いで加熱/冷却ユニット(HP/COL)53の1つに順次搬入され、最初の加熱ユニット(HP)ではポストベーキングが行われ(ステップS13)、次に冷却ユニット(COL)で一定の基板温度まで冷却される(ステップS14)。このポストベーキングに加熱ユニット(HP)55を用いることもできる。
In the
現像プロセス部26での一連の処理が済んだ基板Gは、プロセスステーション(P/S)24内の搬送装置60,54,38によりカセットステーション(C/S)10まで戻され、そこで搬送機構20によりいずれか1つのカセットCに収容される(ステップS1)。
The substrate G that has undergone a series of processing in the
この塗布現像処理システムにおいては、たとえば塗布プロセス部24のレジスト塗布ユニット(CT)40に本発明を適用することができる。以下、図3〜図15につき本発明をレジスト塗布ユニット(CT)40に適用した一実施形態を説明する。 In this coating and developing system, the present invention can be applied to, for example, the resist coating unit (CT) 40 of the coating process unit 24. Hereinafter, an embodiment in which the present invention is applied to a resist coating unit (CT) 40 will be described with reference to FIGS.
図3に、この実施形態におけるレジスト塗布ユニット(CT)40および減圧乾燥ユニット(VD)42の全体構成を示す。 FIG. 3 shows the overall configuration of the resist coating unit (CT) 40 and the vacuum drying unit (VD) 42 in this embodiment.
図3に示すように、支持台または支持フレーム70の上にレジスト塗布ユニット(CT)40と減圧乾燥ユニット(VD)42とがX方向に横一列に配置されている。塗布処理を受けるべき新たな基板Gは、搬送路51側の搬送装置54(図1)により矢印FAで示すようにレジスト塗布ユニット(CT)40に搬入される。レジスト塗布ユニット(CT)40で塗布処理の済んだ基板Gは、支持台70上のガイドレール72に案内されるX方向に移動可能な搬送アーム74により、矢印FBで示すように減圧乾燥ユニット(VD)42に転送される。減圧乾燥ユニット(VD)42で乾燥処理を終えた基板Gは、搬送路51側の搬送装置54(図1)により矢印FCで示すように引き取られる。
As shown in FIG. 3, a resist coating unit (CT) 40 and a vacuum drying unit (VD) 42 are arranged in a horizontal row on the support base or
レジスト塗布ユニット(CT)40は、X方向に長く延びるステージ76を有し、このステージ76上で基板Gを同方向に平流しで搬送しながら、ステージ76の上方に配置された長尺型のレジストノズル78より基板G上にレジスト液を供給して、スピンレス法で基板上面(被処理面)に一定膜厚のレジスト塗布膜を形成するように構成されている。ユニット(CT)40内の各部の構成および作用は後に詳述する。
The resist coating unit (CT) 40 includes a
減圧乾燥ユニット(VD)42は、上面が開口しているトレーまたは底浅容器型の下部チャンバ80と、この下部チャンバ80の上面に気密に密着または嵌合可能に構成された蓋状の上部チャンバ(図示せず)とを有している。下部チャンバ80はほぼ四角形で、中心部には基板Gを水平に載置して支持するためのステージ82が配設され、底面の四隅には排気口83が設けられている。各排気口83は排気管(図示せず)を介して真空ポンプ(図示せず)に通じている。下部チャンバ80に上部チャンバを被せた状態で、両チャンバ内の密閉された処理空間を該真空ポンプにより所定の真空度まで減圧できるようになっている。
The vacuum drying unit (VD) 42 includes a tray or shallow container type
図4および図5に、本発明の一実施形態におけるレジスト塗布ユニット(CT)40内のより詳細な全体構成を示す。 4 and 5 show a more detailed overall configuration in the resist coating unit (CT) 40 in one embodiment of the present invention.
この実施形態のレジスト塗布ユニット(CT)40においては、ステージ76が、従来のように基板Gを固定保持する載置台として機能するのではなく、基板Gを空気圧の力で空中に浮かせるための基板浮上台として機能する。そして、ステージ76の両サイドに配置されている直進運動型の基板搬送部84が、ステージ76上で浮いている基板Gの両側縁部をそれぞれ着脱可能に保持してステージ長手方向(X方向)に基板Gを搬送するようになっている。
In the resist coating unit (CT) 40 of this embodiment, the
詳細には、ステージ76は、その長手方向(X方向)において5つの領域M1,M2,M3,M4,M5に分割されている(図5)。左端の領域M1は搬入領域であり、塗布処理を受けるべき新規の基板Gはこの領域M1内の所定位置に搬入される。この搬入領域M1には、搬送装置54(図1)の搬送アームから基板Gを受け取ってステージ76上にローディングするためにステージ下方の原位置とステージ上方の往動位置との間で昇降移動可能な複数本のリフトピン86が所定の間隔を置いて設けられている。
Specifically, the
この搬入領域M1は浮上式の基板搬送が開始される領域でもあり、この領域内のステージ上面には基板Gを搬入用の浮上高さまたは浮上量Haで浮かせるために高圧または正圧の圧縮空気を噴き出す噴出口88が一定の密度で多数設けられている。ここで、搬入領域M1における基板Gの浮上量Haは、特に高い精度を必要とせず、たとえば100〜150μmの範囲内に保たれればよい。また、搬送方向(X方向)において、搬入領域M1のサイズは基板Gのサイズを上回っているのが好ましい。さらに、搬入領域M1に、基板Gをステージ76上で位置合わせするためのアライメント部(図示せず)も設けられてよい。
The loading area M 1 is also the area substrate transfer of a floating starts, high-pressure or positive pressure to the stage upper surface of the region to float in flying height or flying height H a for carrying the substrate G A number of
ステージ76の中心部に設定された領域M3はレジスト液供給領域または塗布領域であり、基板Gはこの領域M3を通過する際に上方のレジストノズル78からレジスト液Rの供給を受ける。塗布領域M3における基板浮上量Hbはノズル78の下端(吐出口)と基板上面(被処理面)との間のギャップS(たとえば100μm)を規定する。このギャップSはレジスト塗布膜の膜厚やレジスト消費量を左右する重要なパラメータであり、高い精度で一定に維持される必要がある。このことから、塗布領域M3のステージ上面には、たとえば図6に示すような配列または分布パターンで、基板Gを所望の浮上量Hbで浮かせるために高圧または正圧の圧縮空気を噴き出す噴出口88と負圧で空気を吸い込む吸引口90とを混在させて設けている。そして、基板Gの塗布領域M3内を通過している部分に対して、噴出口88から圧縮空気による垂直上向きの力を加えると同時に、吸引口90より負圧吸引力による垂直下向きの力を加えて、相対抗する双方向の力のバランスを制御することで、塗布用の浮上量Hbを設定値HS(たとえば50μm)付近に維持するようにしている。搬送方向(X方向)における塗布領域M3のサイズは、レジストノズル78の直下に上記のような狭い塗布ギャップSを安定に形成できるほどの余裕があればよく、通常は基板Gのサイズよりも小さくてよく、たとえば1/3〜1/4程度でよい。
A region M 3 set at the center of the
図6に示すように、塗布領域M3においては、基板搬送方向(X方向)に対して一定の傾斜した角度をなす直線C上に噴出口88と吸引口90とを交互に配し、隣接する各列の間で直線C上のピッチに適当なオフセットαを設けている。かかる配置パターンによれば、噴出口88および吸引口90の混在密度を均一にしてステージ上の基板浮上力を均一化できるだけでなく、基板Gが搬送方向(X方向)に移動する際に噴出口88および吸引口90と対向する時間の割合を基板各部で均一化することも可能であり、これによって基板G上に形成される塗布膜に噴出口88または吸引口90のトレースまたは転写跡が付くのを防止することができる。塗布領域M3の入口では、基板Gの先端部が搬送方向と直交する方向(Y方向)で均一な浮上力を安定に受けるように、同方向(直線J上)に配列する噴出口88および吸引口90の密度を高くするのが好ましい。また、塗布領域M3においても、ステージ76の両側縁部(直線K上)には、基板Gの両側縁部が垂れるのを防止するために、噴出口88のみを配置するのが好ましい。
As shown in FIG. 6, in the application region M 3 , the
搬入領域M1と塗布領域M3との間に設定された中間の領域M2は、搬送中に基板Gの浮上高さ位置を搬入領域M1における浮上量Haから塗布領域M3における浮上量Hbへ変化または遷移させるための遷移領域である。この遷移領域M2内でもステージ76の上面に噴出口88と吸引口90とを混在させて配置することができる。その場合は、吸引口90の密度を搬送方向に沿って次第に大きくし、これによって搬送中に基板Gの浮上量が漸次的にHaからHbに移るようにしてよい。あるいは、この遷移領域M2においては、吸引口90を含まずに噴出口88だけを設ける構成も可能である。
Middle area M 2 that is set between the loading area M 1 and the application area M 3 are, floating in the coating area M 3 of the flying height of the substrate G during transport from the flying height H a of the loading area M 1 This is a transition region for changing or transitioning to the quantity Hb . Even in the transition region M 2 , the
塗布領域M3の下流側隣の領域M4は、搬送中に基板Gの浮上量を塗布用の浮上量Hbから搬出用の浮上量Hc(たとえば100〜150μm)に変えるための遷移領域である。この遷移領域M2でも、ステージ76の上面に噴出口88と吸引口90とを混在させて配置してもよく、その場合は吸引口90の密度を搬送方向に沿って次第に小さくするのがよい。あるいは、吸引口90を含まずに噴出口88だけを設ける構成も可能である。また、図6に示すように、塗布領域M3と同様に遷移領域M4でも、基板G上に形成されたレジスト塗布膜に転写跡が付くのを防止するために、吸引口90(および噴出口88)を基板搬送方向(X方向)に対して一定の傾斜した角度をなす直線E上に配置し、隣接する各列間で配列ピッチに適当なオフセットβを設ける構成が好ましい。
Downstream region M 4 next to the coating area M 3 are, the transition region for changing the flying height H c for unloading (e.g. 100-150 .mu.m) from flying height H b of coating the flying height of the substrate G during transport It is. Even in the transition region M 2 , the
ステージ76の下流端(右端)の領域M5は搬出領域である。レジスト塗布ユニット(CT)40で塗布処理を受けた基板Gは、この搬出領域M5内の所定位置または搬出位置から搬送アーム74(図3)によって下流側隣の減圧乾燥ユニット(VD)42(図3)へ搬出される。この搬出領域M5には、基板Gを搬出用の浮上量Hcで浮かせるための噴出口88がステージ上面に一定の密度で多数設けられているとともに、基板Gをステージ76上からアンローディングして搬送アーム74(図3)へ受け渡すためにステージ下方の原位置とステージ上方の往動位置との間で昇降移動可能な複数本のリフトピン92が所定の間隔を置いて設けられている。
A region M 5 at the downstream end (right end) of the
レジストノズル78は、ステージ76上の基板Gを一端から他端までカバーできる長さで搬送方向と直交する方向(Y方向)に延びる長尺状のノズル本体を有し、門形または逆さコ字形のノズル支持体140に昇降可能に取り付けられ、レジスト液供給源(図示せず)からのレジスト液供給管94(図4)に接続されている。図4において、レジストノズル78を支持するための鉛直方向に延びる棒体136は、ノズル昇降部138(図11)の駆動軸に接続されている。
The resist
図4、図7および図8に示すように、基板搬送部84は、ステージ76の左右両サイドに平行に配置された一対のガイドレール96と、各ガイドレール96上に軸方向(X方向)に移動可能に取り付けられたスライダ98と、各ガイドレール96上でスライダ98を直進移動させる搬送駆動部100と、各スライダ98からステージ76の中心部に向かって延びて基板Gの左右両側縁部を着脱可能に保持する保持部102とをそれぞれ有している。
As shown in FIGS. 4, 7, and 8, the
ここで、搬送駆動部100は、直進型の駆動機構たとえばリニアモータによって構成されている。また、保持部102は、基板Gの左右両側縁部の下面に真空吸着力で結合する吸着パッド104と、先端部で吸着パッド104を支持し、スライダ98側の基端部を支点として先端部の高さ位置を変えられるように弾性変形可能な板バネ型のパッド支持部106とをそれぞれ有している。吸着パッド104は一定のピッチで一列に配置され、パッド支持部106は各々の吸着パッド104を独立に支持している。これにより、個々の吸着パッド104およびパッド支持部106が独立した高さ位置で(異なる高さ位置でも)基板Gを安定に保持できるようになっている。
Here, the
図7および図8に示すように、この実施形態におけるパッド支持部106は、スライダ98の内側面に昇降可能に取り付けられた板状のパッド昇降部材108に取り付けられている。スライダ98に搭載されているたとえばエアシリンダからなるパッドアクチエータ(図示せず)が、パッド昇降部材108を基板Gの浮上高さ位置よりも低い原位置(退避位置)と基板Gの浮上高さ位置に対応する往動位置(結合位置)との間で昇降移動させるようになっている。
As shown in FIGS. 7 and 8, the
図9に示すように、各々の吸着パッド104は、たとえば合成ゴム製で直方体形状のパッド本体110の上面に複数個の吸引口112を設けている。これらの吸引口112はスリット状の長穴であるが、丸や矩形の小孔でもよい。吸着パッド104には、たとえば合成ゴムからなる帯状のバキューム管114が接続されている。これらのバキューム管114の管路116はパッド吸着用の真空源(図示せず)にそれぞれ通じている。
As shown in FIG. 9, each
保持部102においては、図4に示すように、片側一列の真空吸着パッド104およびパッド支持部106が1組毎に分離している分離型または完全独立型の構成が好ましい。しかし、図10に示すように、切欠き部118を設けた一枚の板バネで片側一列分のパッド支持部120を形成してその上に片側一列の真空吸着パッド104を配置する一体型の構成も可能である。
As shown in FIG. 4, the holding
上記のように、ステージ76の上面に形成された多数の噴出口88およびそれらに浮上力発生用の圧縮空気を供給する圧縮空気供給機構、さらにはステージ76の塗布領域M3内に噴出口88と混在して形成された多数の吸引口90およびそれらに真空の圧力を供給するバキューム供給機構により、搬入領域M1や搬出領域M5では基板Gを搬入出や高速搬送に適した浮上量で浮かせ、塗布領域M3では基板Gを安定かつ正確なレジスト塗布走査に適した設定浮上量HSで浮かせるようにしている。
As described above, a number of
もっとも、圧縮空気供給機構の圧縮空気源およびバキューム供給機構のバキューム源は、通常は工場各部が共有する用力源として配備されており、このレジスト塗布ユニット(CT)40だけでなく他の様々なシステムや装置ユニットにも同時に圧縮空気およびバキュームをそれぞれ配給している。このような工場用力は工場全体の稼働状況に応じて変動するのが常である。このことから、各装置ユニットには、工場用力源からの圧縮空気の圧力を設定値まで下げて安定させるためのレギュレータや、工場用力源からのバキュームの圧力を設定値まで上げて安定させるための絞り弁が設けられている。しかしながら、工場用力源側の圧力変動が非常に大きいときは、その圧力変動がレギュレータまたは絞り弁の二次側に伝わることがある。その場合、このレジスト塗布ユニット(CT)40においては、ステージ塗布領域M3(特にノズル78の直下)の基板浮上量Hbに圧力変動の影響が顕著に現れる。 However, the compressed air source of the compressed air supply mechanism and the vacuum source of the vacuum supply mechanism are usually provided as power sources shared by each part of the factory, and not only the resist coating unit (CT) 40 but also various other systems. At the same time, compressed air and vacuum are also distributed to the equipment unit. Such factory power usually fluctuates according to the operation status of the whole factory. For this reason, each device unit has a regulator for lowering and stabilizing the pressure of compressed air from the factory power source to the set value, and for increasing and stabilizing the vacuum pressure from the factory power source to the set value. A throttle valve is provided. However, when the pressure fluctuation on the factory power source side is very large, the pressure fluctuation may be transmitted to the secondary side of the regulator or the throttle valve. In that case, in the resist coating unit (CT) 40, the influence of pressure fluctuations in the substrate flying height H b of (directly below the particular nozzle 78) stage coating area M 3 is remarkable.
ところで、上記のように塗布領域M3(特にノズル78の直下)において基板Gの浮上量Hbを設定値HSに保持することは、塗布ギャップSを一定に保つだけでなく、基板Gの水平度を保つうえでも重要である。すなわち、浮上量設定値HSは、基板Gがステージ76の上面を擦るおそれがなく、しかも浮上状態の基板Gを水平に保持するのに十分な剛性(基板浮上剛性)を得るうえで最適な浮上高さに選ばれている。実際の基板浮上量Hbが設定値HSよりも大きいと、基板浮上剛性が減少して、基板Gが上下にぶれたり水平度を失い、塗布ムラが生じやすい。一方、基板浮上量Hbが設定値HSよりも小さいと、浮上搬送中の基板Gにステージ76上のゴミ等の異物が当たったり付着するなどの支障が出やすくなる。したがって、工場用力の圧力変動によって塗布領域M3(特にノズル78の直下)の基板浮上量Hbが設定値HS付近に安定に保持できなくなることは、浮上式レジスト塗布法の性能や信頼性を著しく低下させることに帰着する。
By the way, maintaining the flying height H b of the substrate G at the set value H S in the coating region M 3 (particularly immediately below the nozzle 78) as described above not only keeps the coating gap S constant but also the substrate G. It is also important to maintain levelness. In other words, the flying height setting value H S is optimal for obtaining sufficient rigidity (substrate floating rigidity) for holding the floating substrate G horizontally without causing the substrate G to rub the upper surface of the
この実施形態では、以下に述べるような浮上圧力制御機構により、工場用力の圧力に大きな変動があっても、塗布領域M3(特にノズル78の直下)における基板Gの浮上量Hbを設定値HS付近に常時安定に保って、基板G上に塗布ムラのない均一なレジスト膜を形成できるようにしている。 In this embodiment, the flying height control mechanism as described below is used to set the flying height Hb of the substrate G in the coating region M 3 (especially immediately below the nozzle 78) even if there is a large fluctuation in the pressure of the factory force. and constantly stably kept at about H S, is to be able to form a uniform resist film without coating unevenness on the substrate G.
図11に、この実施形態における浮上圧力制御機構の構成を示す。この浮上圧力制御機構は、圧縮空気供給機構とバキューム供給機構とを同時に制御する。 FIG. 11 shows the configuration of the levitation pressure control mechanism in this embodiment. The flying pressure control mechanism controls the compressed air supply mechanism and the vacuum supply mechanism at the same time.
圧縮空気供給機構において、工場用力の圧縮空気源140は配管または圧縮空気供給管142を介してステージ76の圧縮空気導入部144に接続されており、この圧縮空気供給管142の途中にたとえば電空レギュレータからなる比例制御弁146が設けられている。さらに、圧縮空気供給管142には、比例制御弁146の二次側に、たとえばゲージ圧力計からなる圧力センサ148も取り付けられている。バルブコントローラ150は、圧力センサ148の出力信号(圧力検出信号)saを入力し、主制御部152より与えられる所定の基準値SAに圧力検出信号saが一致するように比例制御弁146のバルブ開度を制御信号によって可変制御する。ここで、基準値SAは、比例制御弁146の二次側圧力の設定値Aに対応している。なお、ステージ76の圧縮空気導入部144とステージ76上面の噴出口88(図4〜図6)との間には各領域M毎にマニホールド(図示せず)が設けられている。かかる構成によれば、比例制御弁146、圧力センサ148およびバルブコントローラ150により圧力フィードバック制御が働くため、比例制御弁146の一次側圧力つまり工場用力源140のエア圧力が大きく変動しても、比例制御弁146の二次側圧力を常時安定に設定圧力Aに一致させることができる。
In the compressed air supply mechanism, the
バキューム供給機構において、工場用力のバキューム源154は配管またはバキューム管156を介してステージ76のバキューム導入部158に接続されており、このバキューム管156の途中にコンダクタンスバルブ160が設けられている。さらに、バキューム管156には、コンダクタンスバルブ160の二次側に、たとえばゲージ圧力計からなる圧力センサ162も取り付けられている。バルブコントローラ164は、圧力センサ162の出力信号(圧力検出信号)sbを入力し、主制御部152より与えられる所定の基準値SBに圧力検出信号sbが一致するようにコンダクタンスバルブ160のバルブ開度を制御信号によって可変制御する。ここで、基準値SBは、コンダクタンスバルブ160の二次側圧力の設定値Bに対応している。なお、ステージ76のバキューム導入部158とステージ76上面の吸引口90(図4〜図6)との間には各領域M毎にマニホールド(図示せず)が設けられている。かかる構成によれば、コンダクタンスバルブ160、圧力センサ162およびバルブコントローラ164による圧力フィードバック制御が働くため、コンダクタンスバルブ160の一次側圧力つまり工場用力源154のバキューム圧力が大きく変動しても、コンダクタンスバルブ160の二次側圧力を常時安定に設定圧力Bに一致させることができる。
In the vacuum supply mechanism, the factory
上記のように、圧縮空気供給機構において比例制御弁146の二次側圧力が設定圧力A付近に高い精度で安定に保持されることにより、ステージ76の塗布領域M3で噴出口88より基板Gに与えられるエア圧が所定値に高い精度で安定に保持される。また、バキューム供給機構においてコンダクタンスバルブ160の二次側圧力が設定圧力B付近に高い精度で安定に保持されることにより、ステージ76の塗布領域M3で吸引口90より基板Gに与えられるバキューム圧が所定値に高い精度で安定に保持される。こうして、基板Gに同時に与えられるエア圧とバキューム圧との差が所定値に高い精度で安定に保持されることで、塗布領域M3(特にレジストノズル78の直下)における基板浮上量Hbが設定値HS(50μm)付近に安定に維持される。
As described above, in the compressed air supply mechanism, the secondary pressure of the
主制御部152は、マイクロコンピュータからなり、このレジスト塗布ユニット(CT)40内の各部の動作を制御し、塗布領域M3内の浮上圧力制御のために上記のようにバルブコントローラ150,164にそれぞれフィードバック制御用の基準値SA、SBを与える。この主制御部152のメモリには、たとえば図12に示すように、所望の設定浮上量HSに対して基板Gの厚みDi毎に比例制御弁146の二次側圧力(正圧)およびコンダクタンスバルブ160の二次側圧力(負圧)の設定値Ai,Biを対応づけるデータテーブルが構築されている。ここで、基板Gの厚みはガラス基板の製品別にたとえば0.50mm,0.75mm,0.90mmというように幾つかの異なったサイズがあり、基板Gの単位面積当たりの重量を表す指標でもあることから、パラメータとしている。なお、このデータテーブルにおいて、各設定値Ai,Biに代えてそれと対応するフィードバック用の基準値SAi,SBiを設定してもよい。
The
主制御部152は、この塗布現像処理システムの全体を統括制御するシステムコントローラ(図示せず)等ともコマンドやデータのやりとりを行う。その中で、システム内で現在流れている各基板Gの厚みに関するデータを入手できる場合は、上記データテーブル(図12)を参照して当該基板Gの厚みDiに対応する圧力設定値Ai,Biを読み出して、圧縮空気供給機構のバルブコントローラ150およびバキューム供給機構のバルブコントローラ164にそれぞれ圧力設定値Ai,Biに相当する基準値SAi,SBiを与えればよい。
The
また、主制御部152は、各圧力センサ148,162の出力信号(圧力検出信号)sa,sbを監視し、上記のような圧力フィードバック制御によっても各圧力検出信号sa,sbが基準値SA,SBに一致ないし収束しないときは、工場用力源140,154側に調圧不能な異常事態が生じたものと判定し、インターロックをかけてシステムコントローラ等にアラームを送ることもできる。
The
この実施形態は、主制御部152が各基板Gの厚みに関するデータを外部から入手できない場合にも、適切に対応(適応)できる機能を有している。すなわち、このレジスト塗布ユニット(CT)40内で各基板Gの厚みを測定する手段ないし機構を装備している。
This embodiment has a function capable of appropriately responding (adapting) even when the
図3〜図5および図11に示すように、ノズル78と一体的にその一側面または一側方(好ましくは、搬送上流側または搬入部M1側)に下向きの上部光学式距離センサ170が取り付けられている。この上部光学式距離センサ170は、直下の基板Gに向けて光ビームLB1を投光し、基板Gの上面からの反射光を受光して、その受光位置から所定の測定基準高さ位置H1と基板Gの上面との間の距離L1の測定値[L1]を求める。
As shown in FIG. 3 to FIG. 5 and FIG. 11, the upper
さらに、図3、図7および図11に示すように、ステージ76側(好ましくは上部光学式距離センサ170とほぼ向き合う位置)に上向きの下部光学式距離センサ172が取り付けられている。この下部光学式距離センサ172は、直上の基板Gに向けて光ビームLB2を照射し、基板Gの下面からの反射光を受光して、その受光位置から所定の測定基準高さ位置H2と基板Gの下面との間の距離L2の測定値[L2]を求める。上部測定基準高さ位置Z1および下部測定基準高さ位置Z2は既知であるから、その距離間隔(Z1−Z2)をLa(既知の値)とすると、基板Gの厚みの測定値[Di]は下記の式(1)で求められる。
[Di]=La−([L1]+[L2]) ・・・・・・・(1)
Further, as shown in FIGS. 3, 7 and 11, an upward lower
[D i ] = L a − ([L 1 ] + [L 2 ]) (1)
主制御部152は、上記のようにして求めた基板厚み測定値[Di]を基にデータテーブル(図12)を参照して、当該基板Gに対する圧力設定値Ai,Biを読み出し、圧縮空気供給機構のバルブコントローラ150およびバキューム供給機構のバルブコントローラ164にそれぞれ最適な基準値SAi,SBiを与えることができる。なお、基板Gの個体差(バラツキ)によって厚み測定値[Di]が標準の厚みDiと正確に一致しないことがあるので、データテーブルにおいては厚み測定値[Di]に最も近い値の標準板厚Diを参照すればよい。
The
図示の構成例では、上部および下部光学式距離センサ170,172をそれぞれ左右に一対設けて、基板Gの左右両端部の厚みをそれぞれ測定し、両者の平均値を求めるようにしている。
In the illustrated configuration example, a pair of upper and lower
さらに、この実施形態では、ステージ塗布領域M3における基板浮上量Hbを直接測定して、その測定値が浮上量設定値HSに一致するように圧縮空気供給機構およびバキューム供給機構にフィードバック制御をかけることも可能となっている。基板浮上量Hbを直接測定するには、下部光学式距離センサ172より得られる距離測定値[L2]を利用することができる。すなわち、ステージ76の上面の高さ位置Z3は一定(既知の値)であるから、それと下部測定基準高さ位置Z2との距離間隔(Z3−Z2)をLb(既知の値)とすると、基板浮上量Hbの測定値[Hb]は下記の式(2)で求められる。
[Hb]=[L2]−Lb ・・・・・・・(2)
Further, in this embodiment, by directly measuring the substrate flying height H b at stage coating area M 3, the feedback control to the compressed air supply mechanism and the vacuum supply mechanism so that the measured value matches the flying height set value H S It is also possible to apply. In order to directly measure the substrate flying height H b , the distance measurement value [L 2 ] obtained from the lower
[H b ] = [L 2 ] −L b (2)
主制御部152は、上記のようにデータテーブル(図12)から割り出した圧力設定値Ai,Biをそれぞれ初期値とし、そのうえで基板浮上量測定値[Hb]を浮上量設定値HSと比較し、誤差があるときはその比較誤差を零にするようにフィードバック制御用の圧力設定値A,Bを所定のアルゴリズムで可変調整する。
The
図13に、フィードバック制御用の圧力設定値A,Bを可変調整するための好適なアルゴリズムを示す。通常、正圧設定値Aと負圧設定値Bとの間には前者の絶対値|A|が後者の絶対値|B|よりも大きいという関係がある。つまり、ステージ76上で基板Gを浮上させるには、噴出口88のエア圧が吸引口90のバキューム圧よりも大きくなければならないからである。この実施例のアルゴリズムによれば、データテーブルから読み出した初期設定値Ai,Bi間の比率|Ai|:|Bi|と同じ比率を保ちながら、フィードバック制御の正圧設定値A,負圧設定値Bを可変調整する。基板Gに加わる合成の浮上圧力Fが正圧設定値Aと負圧設定値Bの絶対値の差(|A|−|B|)に比例するものと仮定すると、このアルゴリズムにより合成浮上圧力Fを一定変化率(勾配)の直線上で精細に可変調整することができる。
FIG. 13 shows a preferred algorithm for variably adjusting the pressure setting values A and B for feedback control. Usually, there is a relationship between the positive pressure set value A and the negative pressure set value B that the former absolute value | A | is greater than the latter absolute value | B |. That is, in order to float the substrate G on the
次に、この実施形態のレジスト塗布ユニット(CT)40における塗布処理動作を説明する。以下の説明では、ステージ76の塗布領域M3(特にノズル78の直下)における基板浮上量Hbを設定値HS付近に保持するために、上記のように基板浮上量Hbを測定してその浮上量測定値[Hb]をフィードバック制御で浮上量設定値HSに一致させる方式を用いるものとする。 Next, the coating processing operation in the resist coating unit (CT) 40 of this embodiment will be described. In the following description, the substrate flying height H b is measured as described above in order to keep the substrate flying height H b in the application region M 3 of the stage 76 (particularly immediately below the nozzle 78) near the set value H S. It is assumed that a method of matching the flying height measurement value [H b ] with the flying height setting value H S by feedback control is used.
搬送装置54(図1)より未処理の新たな基板Gがステージ76の搬入領域M1に搬入されると、リフトピン86が往動位置で該基板Gを受け取る。搬送装置54が退出した後、リフトピン86が下降して基板Gを搬送用の高さ位置つまり浮上位置Ha(図5)まで降ろす。次いで、アライメント部(図示せず)が作動し、浮上状態の基板Gに四方から押圧部材(図示せず)を押し付けて、基板Gをステージ76上で位置合わせする。アライメント動作が完了すると、その直後に基板搬送部84において吸着パッド104を原位置(退避位置)から往動位置(結合位置)へ上昇させる。吸着パッド104は、その前からバキュームがオンしており、浮上状態の基板Gの側縁部に接触するや否や真空吸着力で結合する。吸着パッド104が基板Gの側縁部に結合した直後に、アライメント部は押圧部材を所定位置へ退避させる。
When the
次に、基板搬送部84は、保持部102で基板Gの側縁部を保持したままスライダ98を搬送始点位置から搬送方向(X方向)へ比較的高速の一定速度で直進移動させる。こうして基板Gがステージ76上を浮いた状態で搬送方向(X方向)へ直進移動し、図14の(A)に示すように、基板Gの前端部が塗布領域M3内(より正確にはノズル78の直下付近)の設定位置に着いたところで、基板搬送部84が第1段階の基板搬送を停止する。この時、レジストノズル78は基板Gから上方に相当離れた基準位置に位置している。
Next, the
基板Gが止まると、図14の(A)に示すように、上部光学式距離センサ170が上記のような光学式測定法により所定の測定基準高さ位置Z1と基板Gの上面との間の距離L1を測定する。一方、下部光学式距離センサ172も、上記のような光学式測定法により所定の測定基準高さ位置Z2と基板Gの下面との間の距離L2を測定する。この結果、主制御部152は、上記のように式(1)から基板Gの厚みの測定値[Di]を求め、式(2)から基板浮上量Hbの測定値[Hb]を求めることができる。そして、データテーブル(図12)を参照して、基板厚み測定値[Di]に対応する圧力設定値Ai,Biを読み出してそれらに対応する基準値SAi,SBiを圧縮空気供給機構のバルブコントローラ150およびバキューム供給機構のバルブコントローラ164にそれぞれ与える。そして、下部光学式距離センサ172からの距離測定値[L2]に基づく基板浮上量測定値[Hb]をフィードバックして、圧力設定値A,Bないし基準値A,Bを上記のようなアルゴリズムにしたがって可変制御し、基板浮上量測定値[Hb]を浮上量設定値HS付近に一致させる。
When the substrate G is stopped, as shown in FIG. 14A, the upper
こうしてレジストノズル78直下付近の基板浮上量Hbを浮上量設定値HSに一致させてから、主制御部152は、ノズル78と基板Gとの間の距離間隔つまり塗布ギャップSが設定値(100μm)になるように、ノズル昇降部138(図11)を通じてレジストノズル78を所定の高さ位置まで降下させる。レジストノズル78の下端(吐出口)の高さ位置を図14の(A)に示す原位置ではZ4(既知の値)、降下後でZ5とすると、ノズル降下距離DZは下記の式(3)で与えられる。
DZ=Z4−Z5
=Z4−(S+[Di]+Hb+Z3) ・・・・・・・(3)
In this way, after the substrate flying height Hb near the resist
DZ = Z 4 −Z 5
= Z 4 − (S + [D i ] + H b + Z 3 ) (3)
こうして塗布ギャップSを設定値(100μm)に合わせてから、主制御部152の制御の下でレジスト液供給機構がレジストノズル78より基板Gの上面に向けてレジスト液Rの吐出を開始させる。この際、最初に微量のレジスト液Rを出してノズル吐出口と基板GとのギャップSを完全に塞いでから、正規の流量で吐出を開始するのが好ましい。一方で、基板搬送部84が第2段階の基板搬送を開始する。この第2段階つまり塗布時の基板搬送は、比較的低速の一定速度で行われる。こうして、塗布領域M3内において、基板Gが水平姿勢を保ちながら一定の浮上量で搬送方向(X方向)に一定速度で移動すると同時に、長尺型のレジストノズル78が直下の基板Gに向けてレジスト液Rを一定の流量で帯状に吐出することにより、図14の(B)に示すように、基板Gの前端側から後端側に向かってレジスト液の塗布膜MRが形成されていく。
After the coating gap S is adjusted to the set value (100 μm) in this way, the resist solution supply mechanism starts discharging the resist solution R from the resist
このレジスト塗布処理の最中に工場用力の圧力(エア圧および/またはバキューム圧)に大きな変動が生じても、上記のような浮上圧力制御機構(図11〜図13)によりステージ塗布領域M3(特にレジストノズル78の直下)における基板Gの浮上量Hbが設定値HS付近に高い精度で安定に保持されることにより、塗布ギャップSが設定値に維持されると同時に基板Gの水平度ないし浮上剛性も安定に保たれるので、基板G上に塗布ムラのない均一な膜厚のレジスト膜MRが形成される。 Even if a large fluctuation occurs in the pressure of the factory force (air pressure and / or vacuum pressure) during the resist coating process, the stage coating region M 3 is controlled by the above floating pressure control mechanism (FIGS. 11 to 13). Since the flying height Hb of the substrate G (particularly immediately below the resist nozzle 78) is stably maintained with high accuracy in the vicinity of the set value H S , the coating gap S is maintained at the set value and at the same time the substrate G is horizontal. Therefore, the resist film MR having a uniform film thickness with no coating unevenness is formed on the substrate G.
塗布領域M3で上記のような塗布処理が済むと、つまり基板Gの後端部がレジストノズル78の直下を過ぎると、レジスト液供給機構がレジストノズル78からのレジスト液Rの吐出を終了させる。その直後に、ノズル昇降部138がレジストノズル78を垂直上方に持ち上げて基板Gから退避させる。一方、基板搬送部84は搬送速度の比較的大きい第3段階の基板搬送に切り替える。そして、基板Gが搬出領域M5内の搬送終点位置に着くと、基板搬送部84は第3段階の基板搬送を停止する。この直後に、吸着パッド104に対するバキュームの供給が止められ、吸着パッド104は往動位置(結合位置)から原位置(退避位置)へ下りて、基板Gの両側端部から分離する。代わって、リフトピン92が基板Gをアンローディングするためにステージ下方の原位置からステージ上方の往動位置へ上昇する。
When the above-described coating process is completed in the coating region M 3 , that is, when the rear end portion of the substrate G passes just below the resist
しかる後、搬出領域M5に搬出機つまり搬送アーム74がアクセスし、リフトピン92から基板Gを受け取ってステージ76の外へ搬出する。基板搬送部84は、基板Gをリフトピン92に渡したなら直ちに搬入領域M1へ高速度で引き返す。搬出領域M5で上記のように処理済の基板Gが搬出される頃に、搬入領域M1では次に塗布処理を受けるべき新たな基板Gについて搬入、アライメントないし搬送開始が行われる。
Thereafter, the unloader, that is, the
上記のように、この実施形態においては、ステージ76上に搬入領域M1、塗布領域M3、搬出領域M5を別々に設け、それらの各領域に基板を順次転送して基板搬入動作、レジスト液供給動作、基板搬出動作を各領域で独立または並列的に行うようにしており、これによって、1枚の基板Gについてステージ76上に搬入する動作に要する時間(TIN)と、ステージ76上で搬入領域M1から搬出領域M5まで搬送するのに要する時間(TC)と、搬出領域M5から搬出するのに要する時間(TOUT)とを足し合わせた塗布処理1サイクルの所要時間(TC+TIN+TOUT)よりも、タクトタイムを短縮することができる。
As described above, in this embodiment, the carry-in area M 1 , the coating area M 3 , and the carry-out area M 5 are separately provided on the
しかも、ステージ76の上面に設けた噴出口88より噴出する気体の圧力を利用して基板Gを空中に浮かせ、浮いている基板Gをステージ76上で搬送しながら長尺型レジストノズル78より基板G上にレジスト液を供給して塗布するようにしたので、基板の大型化に無理なく効率的に対応することができる。
In addition, the substrate G is floated in the air by using the pressure of the gas ejected from the
そして、基板浮上搬送に用いる工場用力の圧力に大きな変動が生じても、ステージ76の塗布領域M3(特にレジストノズル78の直下)における基板Gの浮上量Hbを設定値HS付近に高い精度で安定に保持できるので、基板G上に塗布ムラのない一定膜厚のレジスト膜を形成することができる。 Even if a large fluctuation occurs in the pressure of the factory force used for the substrate floating conveyance, the flying height Hb of the substrate G in the coating region M 3 of the stage 76 (particularly immediately below the resist nozzle 78) is high near the set value H S. Since it can be held stably with high accuracy, a resist film having a constant thickness without application unevenness can be formed on the substrate G.
以上、本発明の好適な実施形態を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その技術的思想の範囲内で種々の変形が可能である。 The preferred embodiment of the present invention has been described above, but the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made within the scope of the technical idea.
たとえば、上記した実施形態の浮上圧力制御機構において、バキューム圧を制御するためにコンダクタンスバルブ160に代えて、図15に示すように、バキューム管156の途中にブロアファン180を設け、このブロアファン180を駆動するインバータ182を通じてブロアコントローラ184によりブロアファン180の回転量ひいてはブロアファン180の二次側(吸気側)の圧力をフィードバック制御することも可能である。この場合、バキューム用の工場用力源154を排気ダクト等で置き換えることもできる。また、上記した実施形態では圧縮空気系およびバキューム系の双方でそれぞれのフィードバック制御を同時に働かせたが、片方だけフィードバック制御をかけることも可能である。
For example, in the levitation pressure control mechanism of the above-described embodiment, a
また、上記した実施形態では、レジスト塗布ユニット(CT)40内で基板Gの厚みを測定するために、基板Gの上面との距離を測定する上部光学式距離センサ170および基板Gの下面との距離を測定する下部光学式距離センサ172を用いた。しかし、基板Gに上方から光ビームを当て、基板Gの上面からの反射光と基板Gの下面(裏面)からの反射光とを受光してそれぞれの受光位置間の距離間隔から基板Gの厚みを測定する方式も可能である。あるいは、基板Gに下方から光ビームを当て、基板Gの下面からの反射光と基板Gの上面(おもて面)からの反射光とを受光してそれぞれの受光位置間の距離間隔から基板Gの厚みを測定する方式も可能である。
In the above-described embodiment, in order to measure the thickness of the substrate G in the resist coating unit (CT) 40, the upper
レジストノズル78を鉛直方向で支持ないし昇降移動させる機構においては、水平の梁状ノズル支持部材にレジストノズル78を取り付け、このノズル支持部材を昇降駆動部の駆動軸に接続する構成とすることも可能である。その場合、光学式距離センサまたは基板厚み測定センサを該ノズル支持部材に取り付けることができる。
In the mechanism in which the resist
上記した実施形態における基板搬送部84の保持部102は真空吸着式のパッド104を有するものであったが、基板Gの側縁部をメカニカルに(たとえば狭着して)保持するパッド等も可能である。パッド104を基板Gの側縁部に着脱自在に結合するための機構にも種々の方式、構成を採用することができる。また、上記実施形態における基板搬送部84は基板Gの左右両側縁部を保持して搬送したが、基板Gの片側の側縁部のみを保持して基板搬送を行うことも可能である。
The holding
上記した実施形態はLCD製造の塗布現像処理システムにおけるレジスト塗布装置に係るものであったが、本発明は被処理基板上に処理液を供給する任意の処理装置やアプリケーションに適用可能である。したがって、本発明における処理液としては、レジスト液以外にも、たとえば層間絶縁材料、誘電体材料、配線材料等の塗布液も可能であり、現像液やリンス液等も可能である。本発明における被処理基板はLCD基板に限らず、他のフラットパネルディスプレイ用基板、半導体ウエハ、CD基板、ガラス基板、フォトマスク、プリント基板等も可能である。 The above-described embodiment relates to a resist coating apparatus in a coating / development processing system for LCD manufacturing. However, the present invention is applicable to any processing apparatus or application that supplies a processing liquid onto a substrate to be processed. Therefore, as the processing liquid in the present invention, in addition to the resist liquid, for example, a coating liquid such as an interlayer insulating material, a dielectric material, and a wiring material can be used, and a developing liquid or a rinsing liquid can also be used. The substrate to be processed in the present invention is not limited to an LCD substrate, and other flat panel display substrates, semiconductor wafers, CD substrates, glass substrates, photomasks, printed substrates, and the like are also possible.
40 レジスト塗布ユニット(CT)
76 ステージ
78 レジストノズル
84 基板搬送部
85 搬入用リフトピン昇降部
86 搬入用リフトピン
88 噴出口
90 吸引口
100 搬送駆動部
102 保持部
104 吸着パッド
138 ノズル昇降部
140 圧縮空気源
142 圧縮空気供給管
146 比例制御弁
148 圧力センサ
150 バルブコントローラ
152 主制御部
154 バキューム源
156 バキューム管
160 コンダクタンスバルブ
162 圧力センサ
164 バルブコントローラ
170 上部光学式距離センサ
172 下部光学式距離センサ
180 ブロアファン
182 インバータ
184 ブロアコントローラ
M1 搬入領域
M3 塗布領域
M5 搬出領域
40 resist coating unit (CT)
76
Claims (20)
被処理基板を前記ステージ上で浮かせた状態で所定の搬送方向に前記第1の浮上領域を通過させる基板搬送部と、
前記第1の浮上領域の上方に配置されるノズルを有し、前記基板上に処理液を供給するために前記ノズルより前記処理液を吐出させる処理液供給部と、
前記第1の浮上領域における前記ステージ上の前記基板の設定浮上量に対応する圧力設定値に一致ないし近似するように、前記噴出口に供給する気体の圧力および前記吸引口に供給する真空の圧力の少なくとも一方を制御する浮上制御部と
を有する基板処理装置。 A stage having a first levitation region provided with a mixture of a number of jets for ejecting gas and a number of suction ports for sucking gas;
A substrate transfer section that passes the first floating region in a predetermined transfer direction in a state where the substrate to be processed is floated on the stage;
A processing liquid supply unit that has a nozzle disposed above the first floating region, and discharges the processing liquid from the nozzle to supply the processing liquid onto the substrate;
The pressure of the gas supplied to the jet port and the pressure of the vacuum supplied to the suction port so as to coincide with or approximate the pressure set value corresponding to the set flying height of the substrate on the stage in the first flying region And a levitation control unit for controlling at least one of the substrate processing apparatus.
正圧気体の供給源と前記噴出口とを結ぶ気体供給路の途中に設けられた比例制御弁と、
前記比例制御弁の二次側圧力を測定する第1の圧力測定部と、
前記第1の圧力測定部より得られる二次側圧力測定値が第1の圧力設定値に一致するように前記比例制御弁の開度を制御する第1のバルブ制御部と
を有する請求項1に記載の基板処理装置。 The levitation control unit is
A proportional control valve provided in the middle of a gas supply path connecting a supply source of positive pressure gas and the jet port;
A first pressure measuring unit for measuring a secondary pressure of the proportional control valve;
2. A first valve control unit that controls an opening degree of the proportional control valve so that a secondary pressure measurement value obtained from the first pressure measurement unit matches a first pressure set value. 2. The substrate processing apparatus according to 1.
負圧源と前記吸引口とを結ぶ排気路の途中に設けられたコンダクタンスバルブと、
前記コンダクタンスバルブの二次側圧力を測定する第2の圧力測定部と、
前記第2の圧力測定部より得られる二次側圧力測定値が第2の圧力設定値に一致するように前記コンダクタンスバルブの開度を制御する第2のバルブ制御部と
を有する請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理装置。 The levitation control unit is
A conductance valve provided in the middle of the exhaust path connecting the negative pressure source and the suction port;
A second pressure measuring unit for measuring a secondary pressure of the conductance valve;
2. A second valve control unit that controls the opening of the conductance valve so that a secondary pressure measurement value obtained from the second pressure measurement unit matches a second pressure set value. 4. The substrate processing apparatus according to claim 3.
前記吸引口に排気路を介して接続されるブロアファンと、
前記排気路内の圧力を測定する第2の圧力測定部と、
前記第2の圧力測定部より得られる圧力測定値が第2の圧力設定値に一致するように前記ブロアファンの回転量を制御するブロア制御部と
を有する請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理装置。 The levitation control unit is
A blower fan connected to the suction port via an exhaust path;
A second pressure measuring unit for measuring the pressure in the exhaust passage;
The blower control part which controls the rotation amount of the said blower fan so that the pressure measurement value obtained from the said 2nd pressure measurement part may correspond with a 2nd pressure setting value. 2. The substrate processing apparatus according to 1.
被処理基板を前記ステージ上で浮かせた状態で所定の搬送方向に前記第1の浮上領域を通過させる基板搬送部と、
前記第1の浮上領域の上方に配置されるノズルを有し、前記基板上に処理液を供給するために前記ノズルより前記処理液を吐出させる処理液供給部と、
前記第1の浮上領域における前記ステージ上の前記基板の浮上量を測定する浮上量測定部と、
前記浮上量測定部より得られる浮上量測定値が設定浮上量に一致するように、前記噴出口に供給する気体の圧力および前記吸引口に供給する真空の圧力の少なくとも一方を制御する浮上制御部と
を有する基板処理装置。 A stage having a first levitation region provided with a mixture of a number of jets for ejecting gas and a number of suction ports for sucking gas;
A substrate transfer section that passes the first floating region in a predetermined transfer direction in a state where the substrate to be processed is floated on the stage;
A processing liquid supply unit that has a nozzle disposed above the first floating region, and discharges the processing liquid from the nozzle to supply the processing liquid onto the substrate;
A flying height measuring unit that measures the flying height of the substrate on the stage in the first flying region;
A levitation control unit that controls at least one of the pressure of the gas supplied to the jet port and the pressure of the vacuum supplied to the suction port so that the measured value of the levitation amount obtained from the levitation amount measurement unit matches the set levitation amount And a substrate processing apparatus.
正圧気体の供給源と前記噴出口とを結ぶ気体供給路の途中に設けられた比例制御弁と、
前記比例制御弁の二次側圧力を測定する第1の圧力測定部と、
前記第1の圧力測定部より得られる二次側圧力測定値が第1の圧力設定値に一致するように前記比例制御弁の開度を制御する第1のバルブ制御部と、
前記浮上量測定値が前記設定浮上量に一致するように前記第1の圧力設定値を可変制御する第1の圧力設定部と
を有する請求項8に記載の基板処理装置。 The levitation control unit is
A proportional control valve provided in the middle of a gas supply path connecting a supply source of positive pressure gas and the jet port;
A first pressure measuring unit for measuring a secondary pressure of the proportional control valve;
A first valve control unit for controlling an opening of the proportional control valve so that a secondary pressure measurement value obtained from the first pressure measurement unit matches a first pressure set value;
The substrate processing apparatus according to claim 8, further comprising: a first pressure setting unit that variably controls the first pressure set value so that the measured flying height matches the set flying height.
負圧源と前記吸引口とを結ぶ排気路の途中に設けられたコンダクタンスバルブと、
前記コンダクタンスバルブの二次側圧力を測定する第2の圧力測定部と、
前記第2の圧力測定部より得られる二次側圧力測定値が第2の圧力設定値に一致するように前記コンダクタンスバルブの開度を制御する第2のバルブ制御部と、
前記浮上量測定値が前記設定浮上量に一致するように前記第2の圧力設定値を可変制御する第2の圧力設定部と
を有する請求項8または請求項9に記載の基板処理装置。 The levitation control unit is
A conductance valve provided in the middle of the exhaust path connecting the negative pressure source and the suction port;
A second pressure measuring unit for measuring a secondary pressure of the conductance valve;
A second valve control unit that controls the opening of the conductance valve so that a secondary pressure measurement value obtained from the second pressure measurement unit matches a second pressure setting value;
The substrate processing apparatus according to claim 8, further comprising: a second pressure setting unit that variably controls the second pressure setting value so that the measured flying height matches the set flying height.
前記吸引口に排気路を介して接続されるブロアファンと、
前記排気路内の圧力を測定する第2の圧力測定部と、
前記第2の圧力測定部より得られる圧力測定値が第2の圧力設定値に一致するように前記ブロアファンの回転量を制御するブロア制御部と、
前記浮上量測定値が前記設定浮上量に一致するように前記第2の圧力設定値を可変制御する第2の圧力設定部と
を有する請求項8または請求項9に記載の基板処理装置。 The levitation control unit is
A blower fan connected to the suction port via an exhaust path;
A second pressure measuring unit for measuring the pressure in the exhaust passage;
A blower control unit that controls a rotation amount of the blower fan so that a pressure measurement value obtained from the second pressure measurement unit matches a second pressure setting value;
The substrate processing apparatus according to claim 8, further comprising: a second pressure setting unit that variably controls the second pressure setting value so that the measured flying height matches the set flying height.
前記基板の移動する方向と平行に延びるように前記ステージの片側または両側に配置されるガイドレールと、
前記ガイドレールに沿って移動可能なスライダと、
前記スライダを前記ガイドレールに沿って移動するように駆動する搬送駆動部と、
前記スライダから前記ステージの中心部に向かって延在し、前記基板の側縁部を着脱可能に保持する保持部と
を有する請求項1〜17のいずれか一項に記載の基板処理装置。 The substrate transport unit is
A guide rail disposed on one or both sides of the stage so as to extend in parallel with the direction of movement of the substrate;
A slider movable along the guide rail;
A transport driving unit that drives the slider to move along the guide rail;
The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising: a holding portion that extends from the slider toward a center portion of the stage and detachably holds a side edge portion of the substrate.
前記ステージの上面に設けた多数の噴出口より噴出する気体の圧力で前記基板を浮かせて、少なくとも前記塗布領域では前記ステージの上面に前記噴出口と混在する多数の吸引口を設けて前記塗布領域を通過する前記基板に対して前記噴出口より加えられる垂直上向きの圧力と前記吸引口より加えられる垂直下向きの圧力とのバランスを制御して前記基板にほぼ均一な浮上力を与え、
前記第1の浮上領域における前記ステージ上の前記基板の設定浮上量に対応する圧力設定値に一致ないし近似するように、前記噴出口に供給する気体の圧力および前記吸引口に供給する真空の圧力の少なくとも一方を制御し、
前記基板を前記搬入領域から前記搬出領域まで搬送する途中、前記塗布領域内で上方に配置したノズルより処理液を吐出させて前記基板上に前記処理液を塗布する基板処理方法。 Along the transport direction on the stage, set the loading area larger than the substrate to be processed, the coating area smaller than the substrate, and the unloading area larger than the substrate in this order in a row,
The substrate is floated by the pressure of gas ejected from a number of jets provided on the upper surface of the stage, and at least in the coating region, a plurality of suction ports mixed with the jets are provided on the upper surface of the stage. Controlling the balance between the vertical upward pressure applied from the jet port and the vertical downward pressure applied from the suction port to the substrate passing through the substrate, and giving the substrate a substantially uniform levitation force;
The pressure of the gas supplied to the jet port and the pressure of the vacuum supplied to the suction port so as to coincide with or approximate the pressure set value corresponding to the set flying height of the substrate on the stage in the first flying region Control at least one of
A substrate processing method for applying the processing liquid onto the substrate by discharging the processing liquid from a nozzle disposed above in the application area during the transfer of the substrate from the carry-in area to the carry-out area.
前記ステージの上面に設けた多数の噴出口より噴出する気体の圧力で前記基板を浮かせて、少なくとも前記塗布領域では前記ステージの上面に前記噴出口と混在する多数の吸引口を設けて前記塗布領域を通過する前記基板に対して前記噴出口より加えられる垂直上向きの圧力と前記吸引口より加えられる垂直下向きの圧力とのバランスを制御して前記基板にほぼ均一な浮上力を与え、
前記塗布領域における前記ステージ上の前記基板の浮上量を測定し、
前記基板浮上量の測定値が設定浮上量に一致ないし近似するように、前記噴出口に供給する気体の圧力および前記吸引口に供給する真空の圧力の少なくとも一方を制御し、
前記基板を前記搬入領域から前記搬出領域まで搬送する途中、前記塗布領域内で上方に配置したノズルより処理液を吐出させて前記基板上に前記処理液を塗布する基板処理方法。
Along the transport direction on the stage, set the loading area larger than the substrate to be processed, the coating area smaller than the substrate, and the unloading area larger than the substrate in this order in a row,
The substrate is floated by the pressure of gas ejected from a number of jets provided on the upper surface of the stage, and at least in the coating region, a plurality of suction ports mixed with the jets are provided on the upper surface of the stage. Controlling the balance between the vertical upward pressure applied from the jet port and the vertical downward pressure applied from the suction port to the substrate passing through the substrate, and giving the substrate a substantially uniform levitation force;
Measure the flying height of the substrate on the stage in the application area,
Controlling at least one of the pressure of the gas supplied to the jet port and the pressure of the vacuum supplied to the suction port so that the measured value of the substrate flying height matches or approximates the set flying height;
A substrate processing method for applying the processing liquid onto the substrate by discharging the processing liquid from a nozzle disposed above in the application area during the transfer of the substrate from the carry-in area to the carry-out area.
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