JP2007081241A - アライメントマークの形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板101の上に、アライメントマークの溝105となる領域を囲むように、該アライメントマークを形成する領域のディッシングを防止するためのディッシング防止膜103を形成する。ディッシング防止膜103を覆うように基板の上に層間絶縁膜104を形成する。層間絶縁膜104の表面を化学的機械的研磨法により研磨する。層間絶縁膜104中に、アライメントマークの溝105を形成する。アライメントマークの溝105の部分で、その表面にマークである溝ができるように、層間絶縁膜104の上に配線膜107を形成する。これにより、配線膜107の表面に、溝であるアライメントマークが形成される。
【選択図】 図1
Description
102 段差
103 ディッシング防止膜
104 層間絶縁膜
105 アライメントマークの溝
106 タングステン膜
107 メタル配線層
301 半導体基板
302 段差
303 層間絶縁膜
304 アライメントマークの溝
305 タングステン膜
306 メタル配線層
Claims (7)
- 配線膜のパターニングを行うためのアライメントマークを形成する方法であって、
基板の上に、前記アライメントマークの溝となる領域を囲むように、該アライメントマークを形成する領域のディッシングを防止するためのディッシング防止膜を形成する第1工程と、
前記ディッシング防止膜を覆うように前記基板の上に層間絶縁膜を形成する第2工程と、
前記層間絶縁膜の表面を化学的機械的研磨法により研磨する第3工程と、
前記層間絶縁膜中に、前記アライメントマークの溝を形成する第4工程と、
前記アライメントマークの溝の部分で、その表面にマークである溝ができるように、前記層間絶縁膜の上に前記配線膜を形成する第5工程とを備えたアライメントマークの形成方法。 - 前記第4工程の後、前記第5工程に先立って、
前記アライメントマークの溝の中を含む前記層間絶縁膜の上に、前記アライメントマークの溝が完全に埋まらないようにタングステン膜を形成し、
前記タングステン膜を前記アライメントマークの溝の底部に一部残しながら、前記層間絶縁膜の表面から除去するように、前記タングステン膜を化学的機械的研磨法により研磨する、請求項1に記載のアライメントマークの形成方法。 - 前記アライメントマークの溝となる領域を、500nm以上1000nm以下の距離を保って外側から囲むように、前記ディッシング防止膜を形成する、請求項1又は2に記載のアライメントマーク形成方法。
- 前記ディッシング防止膜は、前記基板に対して段差として形成できる膜である請求項1又は2に記載のアライメントマークの形成方法。
- 前記ディッシング防止膜は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、金属膜およびポリシリコン膜からなる群より選ばれる膜で形成された単層膜または積層膜で形成される請求項1又は2に記載のアライメントマークの形成方法。
- 前記ディッシング防止膜の膜厚は、100nm以上500nm以下である、請求項1又は2に記載のアライメントマークの形成方法。
- 前記配線膜は、金属又は合金で形成される、請求項1から6のいずれか1項に記載のアライメントマークの形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005269014A JP4630778B2 (ja) | 2005-09-15 | 2005-09-15 | アライメントマークの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2005269014A JP4630778B2 (ja) | 2005-09-15 | 2005-09-15 | アライメントマークの形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007081241A true JP2007081241A (ja) | 2007-03-29 |
JP4630778B2 JP4630778B2 (ja) | 2011-02-09 |
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Family Applications (1)
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---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4630778B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115867148A (zh) * | 2020-06-09 | 2023-03-28 | 丝芭博株式会社 | 仿真肉食品组合物 |
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