JP2007081233A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2007081233A5
JP2007081233A5 JP2005268845A JP2005268845A JP2007081233A5 JP 2007081233 A5 JP2007081233 A5 JP 2007081233A5 JP 2005268845 A JP2005268845 A JP 2005268845A JP 2005268845 A JP2005268845 A JP 2005268845A JP 2007081233 A5 JP2007081233 A5 JP 2007081233A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
dielectric
crystal
laser
fundamental wave
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2005268845A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2007081233A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2005268845A priority Critical patent/JP2007081233A/ja
Priority claimed from JP2005268845A external-priority patent/JP2007081233A/ja
Priority to US11/483,952 priority patent/US20070071041A1/en
Publication of JP2007081233A publication Critical patent/JP2007081233A/ja
Publication of JP2007081233A5 publication Critical patent/JP2007081233A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Claims (4)

  1. 光学結晶を有するレーザ発振装置に於いて、前記光学結晶は励起光を基本波に変換するレーザ結晶と、基本波を2次高調波に変換する波長変換結晶とを有し、両結晶の全面に金属系膜形成され、該金属系膜は前記両結晶それぞれに励起光、基本波、2次高調波が透過する部分を開口部として形成され、前記レーザ結晶と前記波長変換結晶とは前記金属系膜を介在してハンダ付けされ、又は金属拡散により接合されたことを特徴とするレーザ発振装置。
  2. 前記レーザ結晶の入射面に第1誘電体反射膜、射出面に第3誘電体反射膜、前記波長変換結晶の入射端面に第4誘電体反射膜、射出面に第2誘電体反射膜がそれぞれ形成され、前記第3誘電体反射膜と前記第4誘電体反射膜との間に前記金属系膜が介在し、前記第3誘電体反射膜と前記第4誘電体反射膜とが光学的非接触状態とされる請求項のレーザ発振装置。
  3. 前記第1誘電体反射膜は励起光を高透過、基本波を高反射し、前記第2誘電体反射膜は基本波を高反射、2次高調波を高透過し、前記第3誘電体反射膜と前記第4誘電体反射膜とのいずれか一方が前記2次高調波を高反射する様形成された請求項のレーザ発振装置。
  4. 前記光学結晶は前記金属系膜を介して放熱部材にハンダ付けされ、又は金属拡散により接合された請求項1のレーザ発振装置。
JP2005268845A 2005-09-15 2005-09-15 レーザ発振装置 Pending JP2007081233A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005268845A JP2007081233A (ja) 2005-09-15 2005-09-15 レーザ発振装置
US11/483,952 US20070071041A1 (en) 2005-09-15 2006-07-10 Laser oscillation device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005268845A JP2007081233A (ja) 2005-09-15 2005-09-15 レーザ発振装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007081233A JP2007081233A (ja) 2007-03-29
JP2007081233A5 true JP2007081233A5 (ja) 2008-10-30

Family

ID=37893876

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005268845A Pending JP2007081233A (ja) 2005-09-15 2005-09-15 レーザ発振装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20070071041A1 (ja)
JP (1) JP2007081233A (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006310743A (ja) * 2005-03-31 2006-11-09 Topcon Corp レーザ発振装置
CN101636430B (zh) 2007-03-27 2012-07-04 宇部兴产株式会社 燃料部件用成型材料及使用该材料的燃料部件
JP5353121B2 (ja) * 2008-08-26 2013-11-27 アイシン精機株式会社 テラヘルツ波発生装置およびテラヘルツ波発生方法
CN102544995A (zh) * 2010-12-30 2012-07-04 北京中视中科光电技术有限公司 绿光激光器
CN102544996A (zh) * 2010-12-30 2012-07-04 北京中视中科光电技术有限公司 蓝光激光器
JP2012169506A (ja) * 2011-02-16 2012-09-06 Shimadzu Corp 小型固体レーザ素子
US9859676B2 (en) 2015-12-18 2018-01-02 Sharp Kabushiki Kaisha Light source configured for stabilization relative to external operating conditions
US11881676B2 (en) * 2019-01-31 2024-01-23 L3Harris Technologies, Inc. End-pumped Q-switched laser

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5256164A (en) * 1988-02-02 1993-10-26 Massachusetts Institute Of Technology Method of fabricating a microchip laser
US4860304A (en) * 1988-02-02 1989-08-22 Massachusetts Institute Of Technology Solid state microlaser
JPH05335679A (ja) * 1992-05-29 1993-12-17 Nippon Columbia Co Ltd 半導体レーザ励起固体レーザ装置
US5680412A (en) * 1995-07-26 1997-10-21 Demaria Electrooptics Systems, Inc. Apparatus for improving the optical intensity induced damage limit of optical quality crystals
JPH10256638A (ja) * 1997-03-13 1998-09-25 Ricoh Co Ltd 固体レーザ装置
JP3011136B2 (ja) * 1997-06-12 2000-02-21 日本電気株式会社 励起型固体レーザ装置
JPH114029A (ja) * 1997-06-12 1999-01-06 Nec Corp 励起型固体レーザ装置
JP2000261101A (ja) * 1999-03-09 2000-09-22 Fuji Photo Film Co Ltd 波長変換装置
SE9901470L (sv) * 1999-04-23 2000-10-24 Iof Ab Optisk anordning
JP2001210895A (ja) * 2000-01-25 2001-08-03 Fuji Photo Film Co Ltd 固体レーザーおよびその製造方法
US6611342B2 (en) * 2001-01-08 2003-08-26 Optellios, Inc. Narrow band polarization encoder
JP2005057043A (ja) * 2003-08-04 2005-03-03 Topcon Corp 固体レーザ装置及び波長変換光学部材の製造方法
FR2864699B1 (fr) * 2003-12-24 2006-02-24 Commissariat Energie Atomique Assemblage d'un composant monte sur une surface de report
US7251265B2 (en) * 2004-03-10 2007-07-31 Tektronix, Inc. Micro-cavity laser having increased sensitivity
JP2005332989A (ja) * 2004-05-20 2005-12-02 Topcon Corp レーザ発振装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2007081233A5 (ja)
JP5913662B2 (ja) 電磁波発振素子
TWI584044B (zh) 螢光色輪與應用其的波長轉換裝置
JP2005502904A5 (ja)
US8339697B2 (en) Wavelength conversion laser light source and image display device
ATE555415T1 (de) Wellenlängenumwandlungslasergerät und bildanzeigegerät damit
CN103838068A (zh) 发光装置及其相关投影系统
US20060171429A1 (en) Monoblock laser with reflective substrate
WO2009093439A9 (ja) 波長変換レーザ、画像表示装置、及びレーザ加工装置
JP2009025811A5 (ja)
JP2012222207A5 (ja)
JP2008288616A (ja) 光源装置及び画像表示装置
TW201220627A (en) capable of outputting light having desired wavelength at higher light extraction efficiency
JP2005057043A (ja) 固体レーザ装置及び波長変換光学部材の製造方法
EP1717916A3 (en) Laser oscillation device
JP2011523198A (ja) 緑色光源生成装置およびそれを用いたレーザプロジェクションディスプレイを備える携帯用電子機器
JP2006310743A5 (ja)
JP2004295088A (ja) 波長変換素子
JP2008124428A (ja) 光源装置及び画像表示装置
JP6880916B2 (ja) 波長変換素子およびレーザ照射装置
JP2003207662A5 (ja)
JP2012248558A (ja) レーザ光源装置
JP6744924B2 (ja) 周波数変換レーザのための小型かつ効果的なビームアブソーバ
JP5232884B2 (ja) 紫外レーザ装置
JP4232840B2 (ja) 光源装置及び画像表示装置