JPH05335679A - 半導体レーザ励起固体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ励起固体レーザ装置Info
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- JPH05335679A JPH05335679A JP16440492A JP16440492A JPH05335679A JP H05335679 A JPH05335679 A JP H05335679A JP 16440492 A JP16440492 A JP 16440492A JP 16440492 A JP16440492 A JP 16440492A JP H05335679 A JPH05335679 A JP H05335679A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体レーザ励起固体レーザ装置で、励起光
スポット中心部の温度上昇を抑制し、固体レーザ出力の
変動を減少させて安定させる。 【構成】 固体レーザ媒質がＮｄ：ＹＶＯ4 結晶で、こ
の結晶の表面に入射部と出射部を除いて、Ａｕ，Ａｇ，
Ｃｕ，Ａｌから選択した少なくとも１つの金属または合
金で被覆する。また結晶を支持するホルダーとの接触部
も同様の被覆で密着する。
スポット中心部の温度上昇を抑制し、固体レーザ出力の
変動を減少させて安定させる。 【構成】 固体レーザ媒質がＮｄ：ＹＶＯ4 結晶で、こ
の結晶の表面に入射部と出射部を除いて、Ａｕ，Ａｇ，
Ｃｕ，Ａｌから選択した少なくとも１つの金属または合
金で被覆する。また結晶を支持するホルダーとの接触部
も同様の被覆で密着する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、固体レーザ装置に係わ
り、特に固体レーザ光の出力変動を低減した半導体レー
ザ励起固体レーザ装置に関する。
り、特に固体レーザ光の出力変動を低減した半導体レー
ザ励起固体レーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザ励起固体レーザ装置（以下
固体レーザ装置という）は、半導体レーザ光により固体
レーザ媒質を励起してレーザ発振を行わせるものであ
り、小型、軽量、長寿命、電気一光変換効率が高い、動
作が安定等の特長を有し、種々の産業分野において利用
が拡大している。また近年、非線形光学素子と固体レー
ザを組み合わせ、可視域のグリーンレーザやブルーレー
ザを実現する試みが盛んである。
固体レーザ装置という）は、半導体レーザ光により固体
レーザ媒質を励起してレーザ発振を行わせるものであ
り、小型、軽量、長寿命、電気一光変換効率が高い、動
作が安定等の特長を有し、種々の産業分野において利用
が拡大している。また近年、非線形光学素子と固体レー
ザを組み合わせ、可視域のグリーンレーザやブルーレー
ザを実現する試みが盛んである。
【０００３】図５は、固体レーザ装置の（ａ）は光学系
を、（ｂ）は装置断面を示している。固体レーザ媒質５
３はＮｄ：ＹＡＧ（ネオジウム・イットリウムアルミニ
ウム酸化物）、Ｎｄ：ＹＶＯ4 ，Ｎｄ：ＹＬＦ（ネオジ
ウム・イットリウムリチウムフッ化物）等が用いられ
る。半導体レーザ５１は該固体レーザ媒質の吸収波長域
である８０８〜８１０ｎｍの発振波長で出力が１００ｍ
Ｗ以上のものが使われる。固体レーザ媒質５３の半導体
レーザ光入射面と、出力ミラー５５の凹面は、固体レー
ザの基本波１０５３〜１０６４ｎｍに対して高反射率の
コーティングがなされ、固体レーザ共振器（以下共振器
という）を構成している。
を、（ｂ）は装置断面を示している。固体レーザ媒質５
３はＮｄ：ＹＡＧ（ネオジウム・イットリウムアルミニ
ウム酸化物）、Ｎｄ：ＹＶＯ4 ，Ｎｄ：ＹＬＦ（ネオジ
ウム・イットリウムリチウムフッ化物）等が用いられ
る。半導体レーザ５１は該固体レーザ媒質の吸収波長域
である８０８〜８１０ｎｍの発振波長で出力が１００ｍ
Ｗ以上のものが使われる。固体レーザ媒質５３の半導体
レーザ光入射面と、出力ミラー５５の凹面は、固体レー
ザの基本波１０５３〜１０６４ｎｍに対して高反射率の
コーティングがなされ、固体レーザ共振器（以下共振器
という）を構成している。
【０００４】集光光学系５２によって半導体レーザ光が
固体レーザ媒質５３に集光されると、共振器内で固体レ
ーザ発振が起こり、その一部が出力ミラー５５を通して
外部に出射される。この共振器内に非線形光学素子を挿
入すると、該非線形光学素子と固体レーザ基本波との相
互作用によって、固体レーザ基本波の第２高調波あるい
は第３高調波が発生する。２次の非線形光学効果の大き
い非線形光学素子を使って第２高調波、即ち固体レーザ
基本波の１／２の波長のレーザを実現する試みが盛んで
ある。
固体レーザ媒質５３に集光されると、共振器内で固体レ
ーザ発振が起こり、その一部が出力ミラー５５を通して
外部に出射される。この共振器内に非線形光学素子を挿
入すると、該非線形光学素子と固体レーザ基本波との相
互作用によって、固体レーザ基本波の第２高調波あるい
は第３高調波が発生する。２次の非線形光学効果の大き
い非線形光学素子を使って第２高調波、即ち固体レーザ
基本波の１／２の波長のレーザを実現する試みが盛んで
ある。
【０００５】かかる固体レーザ装置に於いて、固体レー
ザ媒質としてＮｄ：ＹＶＯ4 結晶を用いた場合、Ｎｄ：
ＹＶＯ4 結晶は、半導体レーザの発振波長である８０８
〜８１０ｎｍの領域の吸収係数がＮｄ：ＹＡＧ結晶の約
４倍であり、また熱伝導度がＮｄ：ＹＡＧ結晶の約１／
２のため、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶の半導体レーザ励起光吸
収部の温度が上昇し、固体レーザ光の出力が変動する。
ザ媒質としてＮｄ：ＹＶＯ4 結晶を用いた場合、Ｎｄ：
ＹＶＯ4 結晶は、半導体レーザの発振波長である８０８
〜８１０ｎｍの領域の吸収係数がＮｄ：ＹＡＧ結晶の約
４倍であり、また熱伝導度がＮｄ：ＹＡＧ結晶の約１／
２のため、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶の半導体レーザ励起光吸
収部の温度が上昇し、固体レーザ光の出力が変動する。
【０００６】例えば、半導体レーザ励起光パワーが５０
０ｍＷ，励起光スポットサイズ１００μｍのとき、Ｎ
ｄ：ＹＶＯ4 結晶の半導体レーザ励起光入射表面の励起
光スポット中心部の温度は約４０度上昇し、それにとも
ない固体レーザ光の出力が１／３に減少することが知ら
れている。（電子情報通信学会技術研究会ＯＱＥ９１−
３０Ｐ７３−７８）
０ｍＷ，励起光スポットサイズ１００μｍのとき、Ｎ
ｄ：ＹＶＯ4 結晶の半導体レーザ励起光入射表面の励起
光スポット中心部の温度は約４０度上昇し、それにとも
ない固体レーザ光の出力が１／３に減少することが知ら
れている。（電子情報通信学会技術研究会ＯＱＥ９１−
３０Ｐ７３−７８）
【０００７】３ｍｍ×３ｍｍ×１ｍｍのＮｄ：ＹＶＯ4
結晶を１０ｍｍ×１０ｍｍ×２ｍｍのアルミニウム製ホ
ルダの中に埋め込み接着剤で固定し、半導体レーザ発振
波長８０９ｎｍ，半導体レーザ励起光パワーが２００ｍ
Ｗ，励起光スポットサイズ１００μｍの条件で該Ｎｄ：
ＹＶＯ4 結晶を励起したときのアルミニウム製ホルダの
温度変動と固体レーザ光の出力変動を測定した結果、固
体レーザ光の出力変動は±１５％であり、アルミニウム
製ホルダの温度変動と概略同期していることが分かっ
た。これは、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶の半導体レーザ励起光
吸収−温度上昇−固体レーザ出力の低下−温度下降−半
導体レーザ励起光吸収増大−温度上昇のサイクルを繰り
返しているものと思われる。
結晶を１０ｍｍ×１０ｍｍ×２ｍｍのアルミニウム製ホ
ルダの中に埋め込み接着剤で固定し、半導体レーザ発振
波長８０９ｎｍ，半導体レーザ励起光パワーが２００ｍ
Ｗ，励起光スポットサイズ１００μｍの条件で該Ｎｄ：
ＹＶＯ4 結晶を励起したときのアルミニウム製ホルダの
温度変動と固体レーザ光の出力変動を測定した結果、固
体レーザ光の出力変動は±１５％であり、アルミニウム
製ホルダの温度変動と概略同期していることが分かっ
た。これは、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶の半導体レーザ励起光
吸収−温度上昇−固体レーザ出力の低下−温度下降−半
導体レーザ励起光吸収増大−温度上昇のサイクルを繰り
返しているものと思われる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、固体
レーザ媒質がＮｄ：ＹＶＯ4 結晶である固体レーザ装置
の出力変動を抑制し、安定した出力の固体レーザ装置を
得ようとするものである。
レーザ媒質がＮｄ：ＹＶＯ4 結晶である固体レーザ装置
の出力変動を抑制し、安定した出力の固体レーザ装置を
得ようとするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体レーザ
と、固体レーザ媒質及び出力ミラーからなる固体レーザ
装置に於いて、該固体レーザ媒質がＮｄ：ＹＶＯ4 結晶
（ネオジウム・イットリウムバナジウム酸化物）であ
り、結晶表面の半導体レーザ励起光入射部と固体レーザ
光出射部を除き、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌから選ばれた
少なくとも１つの金属または合金で被覆したことを特徴
としている。また、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶を支持するホル
ダーとの接触部をＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌから選ばれた
少なくとも１つの金属または合金で被覆したことを特徴
としている。
と、固体レーザ媒質及び出力ミラーからなる固体レーザ
装置に於いて、該固体レーザ媒質がＮｄ：ＹＶＯ4 結晶
（ネオジウム・イットリウムバナジウム酸化物）であ
り、結晶表面の半導体レーザ励起光入射部と固体レーザ
光出射部を除き、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌから選ばれた
少なくとも１つの金属または合金で被覆したことを特徴
としている。また、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶を支持するホル
ダーとの接触部をＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌから選ばれた
少なくとも１つの金属または合金で被覆したことを特徴
としている。
【００１０】
【作用】本発明においては、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶の表面
を、半導体レーザ励起光入射表面の励起光スポット部近
傍まで熱伝導度の大きいＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌから選
ばれた少なくとも１つの金属または合金で被覆されてい
るので、半導体レーザ励起光入射表面の励起光スポット
部と、結晶周辺部の温度差を著しく小さくする事ができ
る。
を、半導体レーザ励起光入射表面の励起光スポット部近
傍まで熱伝導度の大きいＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌから選
ばれた少なくとも１つの金属または合金で被覆されてい
るので、半導体レーザ励起光入射表面の励起光スポット
部と、結晶周辺部の温度差を著しく小さくする事ができ
る。
【００１１】また、上記被覆金属は、直接Ｎｄ：ＹＶＯ
4 結晶表面に被覆されるので、金属膜とＮｄ：ＹＶＯ4
結晶表面の間に空気断熱層が介在する事がない。また、
上記被覆金属は展延性に富むので、ホルダとの接触性が
向上してＮｄ：ＹＶＯ4 結晶とホルダとの温度差著しく
小さくする事ができる。従って、励起光スポット中心部
の温度上昇を抑制し、固体レーザ出力は変動の無い安定
したものとなる。
4 結晶表面に被覆されるので、金属膜とＮｄ：ＹＶＯ4
結晶表面の間に空気断熱層が介在する事がない。また、
上記被覆金属は展延性に富むので、ホルダとの接触性が
向上してＮｄ：ＹＶＯ4 結晶とホルダとの温度差著しく
小さくする事ができる。従って、励起光スポット中心部
の温度上昇を抑制し、固体レーザ出力は変動の無い安定
したものとなる。
【００１２】
【実施例】図１は、本発明による固体レーザ装置の一実
施例を示す概略構成図で、半導体レーザ１１と、コリメ
ートレンズとフォーカスレンズからなる集光光学系１
２、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶１３、出力ミラー１４から構成
されている。半導体レーザ１１は、波長８０９ｎｍ、出
力最大５００ｍＷのマルチモード発振半導体レーザを用
いた。
施例を示す概略構成図で、半導体レーザ１１と、コリメ
ートレンズとフォーカスレンズからなる集光光学系１
２、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶１３、出力ミラー１４から構成
されている。半導体レーザ１１は、波長８０９ｎｍ、出
力最大５００ｍＷのマルチモード発振半導体レーザを用
いた。
【００１３】Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶１３は、図２の説明図
に示すように、３×３×１ｍｍの大きさで半導体レーザ
励起光入射表面の一方は、波長８０９ｎｍに対し無反
射、波長１０６４ｎｍに対し高反射となるようコーティ
ング２１を施し、出力ミラー１４の凹面との間で共振器
を構成した。Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶１３の他方の面は、波
長１０６４ｎｍに対し低反射となるようコーティング２
２を施した。
に示すように、３×３×１ｍｍの大きさで半導体レーザ
励起光入射表面の一方は、波長８０９ｎｍに対し無反
射、波長１０６４ｎｍに対し高反射となるようコーティ
ング２１を施し、出力ミラー１４の凹面との間で共振器
を構成した。Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶１３の他方の面は、波
長１０６４ｎｍに対し低反射となるようコーティング２
２を施した。
【００１４】次に、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶の両面及び側面
に、公知の技術であるスパッタリング法により銅薄膜２
３を２μｍの厚さに被着した。この銅薄膜２３が被着さ
れたＮｄ：ＹＶＯ4 結晶１３の半導体レーザ励起光入射
表面及び他方の面の中心部の銅薄膜を、直径２００μｍ
の円形に公知の技術であるエッチング法により除去し
た。除去する銅薄膜の面積は、入射する半導体レーザの
ビーム径と、出射する固体レーザ基本波のビーム径以上
の大きさであって、できるだけ小さい方がよい。
に、公知の技術であるスパッタリング法により銅薄膜２
３を２μｍの厚さに被着した。この銅薄膜２３が被着さ
れたＮｄ：ＹＶＯ4 結晶１３の半導体レーザ励起光入射
表面及び他方の面の中心部の銅薄膜を、直径２００μｍ
の円形に公知の技術であるエッチング法により除去し
た。除去する銅薄膜の面積は、入射する半導体レーザの
ビーム径と、出射する固体レーザ基本波のビーム径以上
の大きさであって、できるだけ小さい方がよい。
【００１５】本実施例で使用した半導体レーザの活性層
のストライブ幅は１００μｍであり、集光光学系１２に
よって集光される半導体レーザのビームスポット径もほ
ぼ１００μｍである。また出射する固体レーザ基本波の
ビーム径は、出力ミラー１４の凹面の曲率半径と共振器
長で決定され、本実施例では曲率半径が５０ｍｍ，共振
器長が７ｍｍであるので、７７μｍである。従って、本
実施例においては光学素子位置調整のための余裕度も考
慮して、除去する銅薄膜の面積を直径２００μｍとし
た。
のストライブ幅は１００μｍであり、集光光学系１２に
よって集光される半導体レーザのビームスポット径もほ
ぼ１００μｍである。また出射する固体レーザ基本波の
ビーム径は、出力ミラー１４の凹面の曲率半径と共振器
長で決定され、本実施例では曲率半径が５０ｍｍ，共振
器長が７ｍｍであるので、７７μｍである。従って、本
実施例においては光学素子位置調整のための余裕度も考
慮して、除去する銅薄膜の面積を直径２００μｍとし
た。
【００１６】Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶１３を支持するホルダ
ー１５は銅製で、開口部直径を２ｍｍとしＮｄ：ＹＶＯ
4 結晶１３を両側から挟む構造とした。Ｎｄ：ＹＶＯ4
結晶１３を支持するホルダー１５の材質は銅に限定する
事無く、アルミニウム、ステンレス、リン青銅、鉄、ニ
ッケル合金等公知の材料を用いる事ができる。
ー１５は銅製で、開口部直径を２ｍｍとしＮｄ：ＹＶＯ
4 結晶１３を両側から挟む構造とした。Ｎｄ：ＹＶＯ4
結晶１３を支持するホルダー１５の材質は銅に限定する
事無く、アルミニウム、ステンレス、リン青銅、鉄、ニ
ッケル合金等公知の材料を用いる事ができる。
【００１７】図３の点線１は、本実施例の固体レーザ装
置の出力の時間変化特性を示し、出力変動は±３％以内
であった。図３の実線３は、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶に銅薄
膜を被着していない事を除いては、本実施例と同じ光学
系と光学素子を用いた、従来例の固体レーザ装置の出力
の時間変化を示し、出力変動は±１５％である。
置の出力の時間変化特性を示し、出力変動は±３％以内
であった。図３の実線３は、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶に銅薄
膜を被着していない事を除いては、本実施例と同じ光学
系と光学素子を用いた、従来例の固体レーザ装置の出力
の時間変化を示し、出力変動は±１５％である。
【００１８】本実施例による固体レーザ装置は、Ｎｄ：
ＹＶＯ4 結晶の表面を、半導体レーザ励起光入射表面の
励起光スポット部近傍まで熱伝導度の大きいＣｕで被覆
されているので、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶の表面の半導体レ
ーザ励起光入射表面の励起光スポット部と、結晶周辺部
の温度差を著しく小さくする事ができ、固体レーザ装置
の出力の時間変化が従来例と比較して５分の１に抑制さ
れている事が分かる。
ＹＶＯ4 結晶の表面を、半導体レーザ励起光入射表面の
励起光スポット部近傍まで熱伝導度の大きいＣｕで被覆
されているので、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶の表面の半導体レ
ーザ励起光入射表面の励起光スポット部と、結晶周辺部
の温度差を著しく小さくする事ができ、固体レーザ装置
の出力の時間変化が従来例と比較して５分の１に抑制さ
れている事が分かる。
【００１９】図４は、本発明の他の一実施例におけるＮ
ｄ：ＹＶＯ4 結晶１３とＮｄ：ＹＶＯ4 結晶１３を支持
するホルダー１５の部分を拡大した部分拡大図であり、
表面を半導体レーザ励起光入射表面の励起光スポット部
近傍まで、熱伝導度の大きいＣｕ２３で被覆している。
Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶１３を支持するホルダー１５のＮ
ｄ：ＹＶＯ4 結晶１３との接触部を、公知の技術である
スパッタリング法により、金薄膜４１を３μｍの厚さに
被着した固体レーザ装置の一例である。
ｄ：ＹＶＯ4 結晶１３とＮｄ：ＹＶＯ4 結晶１３を支持
するホルダー１５の部分を拡大した部分拡大図であり、
表面を半導体レーザ励起光入射表面の励起光スポット部
近傍まで、熱伝導度の大きいＣｕ２３で被覆している。
Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶１３を支持するホルダー１５のＮ
ｄ：ＹＶＯ4 結晶１３との接触部を、公知の技術である
スパッタリング法により、金薄膜４１を３μｍの厚さに
被着した固体レーザ装置の一例である。
【００２０】図３の実線２は、本実施例の固体レーザ装
置の出力の時間変化特性を示し、出力変動は±２％であ
る。金は展延性に富むのでＣｕ２３で被覆されているＮ
ｄ：ＹＶＯ4 結晶１３との接触性が向上するので、Ｎ
ｄ：ＹＶＯ4 結晶とホルダとの温度差著しく小さくする
事ができる。従って、本願実施例においては、Ｎｄ：Ｙ
ＶＯ4 結晶の半導体レーザ励起光入射表面の励起光スポ
ット部の温度と、ホルダの温度との差を小さくする事が
でき、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶の表面の半導体レーザ励起光
入射表面の励起光スポット中心部の温度上昇を抑制し、
固体レーザ出力は変動の小さい安定したものとなる。本
実施例の固体レーザ装置の出力の変動は従来例と比較し
て７．５分の１に抑制されている事が分かる。
置の出力の時間変化特性を示し、出力変動は±２％であ
る。金は展延性に富むのでＣｕ２３で被覆されているＮ
ｄ：ＹＶＯ4 結晶１３との接触性が向上するので、Ｎ
ｄ：ＹＶＯ4 結晶とホルダとの温度差著しく小さくする
事ができる。従って、本願実施例においては、Ｎｄ：Ｙ
ＶＯ4 結晶の半導体レーザ励起光入射表面の励起光スポ
ット部の温度と、ホルダの温度との差を小さくする事が
でき、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶の表面の半導体レーザ励起光
入射表面の励起光スポット中心部の温度上昇を抑制し、
固体レーザ出力は変動の小さい安定したものとなる。本
実施例の固体レーザ装置の出力の変動は従来例と比較し
て７．５分の１に抑制されている事が分かる。
【００２１】以上、本発明を実施例を用いて説明した
が、本発明においてＮｄ：ＹＶＯ4 結晶の表面を、半導
体レーザ励起光入射部と固体レーザ光出射部を除き被覆
する金属や、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶と支持するホルダーと
の接触部を被覆する金属は、実施例において示された金
属である銅、金に限定されるものではなく、他の良熱伝
導性であり展延性に富む、例えば銅、金の他銀、アルミ
ニウムを使用する事ができる。
が、本発明においてＮｄ：ＹＶＯ4 結晶の表面を、半導
体レーザ励起光入射部と固体レーザ光出射部を除き被覆
する金属や、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶と支持するホルダーと
の接触部を被覆する金属は、実施例において示された金
属である銅、金に限定されるものではなく、他の良熱伝
導性であり展延性に富む、例えば銅、金の他銀、アルミ
ニウムを使用する事ができる。
【００２２】Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶の表面で半導体レーザ
励起光入射部と固体レーザ光出射部を除き被覆する金属
と、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶を支持するホルダーのＮｄ：Ｙ
ＶＯ4 結晶との接触部を被覆する金属を種々変化させた
ときの本発明による固体レーザ装置の出力変動を測定し
た結果を、表１に示す。
励起光入射部と固体レーザ光出射部を除き被覆する金属
と、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶を支持するホルダーのＮｄ：Ｙ
ＶＯ4 結晶との接触部を被覆する金属を種々変化させた
ときの本発明による固体レーザ装置の出力変動を測定し
た結果を、表１に示す。
【００２３】
【表１】
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶の
半導体レーザ励起光入射表面の励起光スポット部の温度
と、ホルダの温度との差を小さくする事ができるので、
励起光スポット中心部の温度上昇を抑制し、固体レーザ
出力の変動の少ない安定したものとする事ができる。
半導体レーザ励起光入射表面の励起光スポット部の温度
と、ホルダの温度との差を小さくする事ができるので、
励起光スポット中心部の温度上昇を抑制し、固体レーザ
出力の変動の少ない安定したものとする事ができる。
【図１】本発明の一実施例を示す概略構成図。
【図２】本発明の一実施例を説明するための説明図。
【図３】固体レーザ装置の出力の時間変化特性図。
【図４】本発明の他の実施例を示す部分拡大図。
【図５】（ａ）は従来例を示す固体レーザ装置の光学系
構成図。（ｂ）は従来例を示す固体レーザ装置の構成断
面図。
構成図。（ｂ）は従来例を示す固体レーザ装置の構成断
面図。
１１，５１ 半導体レーザ １２，５２ 集光光学系 １３ Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶 １４，５５ 出力ミラー １５，５６ ホルダー ２１，２２ コーティング ２３ 銅薄膜 ４１ 金薄膜 ５３ 固体レーザ媒質 ５７ 筐体
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年３月９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２３】
【表１】
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体レーザと、固体レーザ媒質及び出
力ミラーからなる固体レーザ装置に於いて、前記固体レ
ーザ媒質がＮｄ：ＹＶＯ4 結晶（ネオジウム・イットリ
ウムバナジウム酸化物）であり該結晶の表面で半導体レ
ーザ励起光入射部と固体レーザ光出射部を除いた表面に
Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌから選ばれた少なくとも１つの
金属または合金で被覆したことを特徴とする半導体レー
ザ励起固体レーザ装置。 - 【請求項２】 固体レーザ媒質Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶と該
結晶を支持するホルダーとの接触部をＡｕ，Ａｇ，Ｃ
ｕ，Ａｌから選ばれた少なくとも１つの金属または合金
で被覆密着したことを特徴とする請求項１記載の半導体
レーザ励起固体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16440492A JPH05335679A (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16440492A JPH05335679A (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05335679A true JPH05335679A (ja) | 1993-12-17 |
Family
ID=15792497
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16440492A Withdrawn JPH05335679A (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05335679A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0915541A3 (en) * | 1997-11-07 | 2000-03-08 | Presstek, Inc. | Diode-pumped system and method for producing image spots of constant size |
| JP2007081233A (ja) * | 2005-09-15 | 2007-03-29 | Topcon Corp | レーザ発振装置 |
| JP2012033818A (ja) * | 2010-08-02 | 2012-02-16 | Singlemode Corp | 半導体レーザー励起固体レーザー装置 |
| CN109962398A (zh) * | 2017-12-22 | 2019-07-02 | 广东华快光子科技有限公司 | 一种用于微片式激光器的晶体固定装置 |
-
1992
- 1992-05-29 JP JP16440492A patent/JPH05335679A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0915541A3 (en) * | 1997-11-07 | 2000-03-08 | Presstek, Inc. | Diode-pumped system and method for producing image spots of constant size |
| JP2007081233A (ja) * | 2005-09-15 | 2007-03-29 | Topcon Corp | レーザ発振装置 |
| JP2012033818A (ja) * | 2010-08-02 | 2012-02-16 | Singlemode Corp | 半導体レーザー励起固体レーザー装置 |
| CN109962398A (zh) * | 2017-12-22 | 2019-07-02 | 广东华快光子科技有限公司 | 一种用于微片式激光器的晶体固定装置 |
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