JP2007068232A - 弾性表面波フィルタの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板35上に第1の金属膜41を形成することにより、SAW共振子と、このSAW共振子と接続された接続パターンと、この接続パターンと接続されたボンディングパッドとを形成する。更に、接続パターン上に第2の金属膜43を形成する。この第2の金属膜43を形成する工程では、第1の金属膜41が形成された基板35上に、接続パターン形成領域の内側の領域上に位置する第1の金属膜41を露出するレジストパターン42を形成する工程と、そのレジストパターン42が形成された基板35上に第2の金属膜43を形成する工程と、レジストパターン42及びこのレジストパターン42上に形成された第2の金属膜43を除去する工程とを有している。SAW共振子の振動で発生した熱は、第2の金属膜43を伝わって放熱される。
【選択図】図11
Description
図5のSAWフィルタは、例えば図8(a)〜(e)の工程を経て製造される。
入力ボンディングパッド31に図示しないボンディングワイヤを介して信号が印加されると、直列腕SAW共振子30s1〜30s4には電力が通過し、かつ、最初の段になるほど大きな電力がかかる。これは、後段になるほど、途中のSAW共振子で電力が減衰するためである。つまり、直列腕SAW共振子30s1に一番大きな電力がかかり、該直列腕SAW共振子30s1の発熱量が一番おおきくなって、耐電力的に一番厳しくなる。そこで、直列腕SAW共振子30s1の耐電力を説明する。
共振子30s1の出力側電極指から直列腕SAW共振子30s2及び並列腕SAW共振子30p1,30p2にいたるパターン34から、基板35の結晶中に伝わるルートである。放熱ルートR5は、基板35における直列腕SAW共振子30s1の下側の、深さが1波長以下の領域で発生した熱が、該基板35の横方向及び深さ方向へ伝わるルートである。
(2) Alに多量の金属を添加する必要がなく、該添加する金属がエッチング時に残ることがない。
(3) Alに多量の金属を添加する必要がなく、該抵抗値が上昇することがない。
(4) 膜36の上にAuが蒸着されるので、該膜36の膜はがれが防止できる。
(5) 膜36の上にAuが蒸着されるので、該接続パターン34の電気抵抗が下がる。
(6) 各SAW共振子30s2〜30s4,30p1〜30p4での温度上昇が抑えられるので、温度上昇による周波数変化が抑制できる。
(7) 電極金属のAlに、Cu,Ti,Ta等を添加して耐マイグレーション性を向上させる従来の方法とも併用が可能であり、これによる相乗効果も期待できる。
(8) 放熱効果を上げるために、接続パターン、ボンディングパッドを広げる必要がなく、チップサイズを大きくしないですむ。
(9) 放熱効果を上げるために、接続パターン、ボンディングパッドを広げる必要がなく、寄生容量が増加しない。
(12) Alに多量の金属を添加する必要がなく、該添加する金属がエッチング時に残ることがない。
(13) Alに多量の金属を添加する必要がなく、該抵抗値が上昇することがない。
(14) AlまたはAL合金の膜57の下にAuの放熱用の膜56が蒸着されるので、該膜56の膜はがれを防止できる。
(15) 接続パターン54の下にAu薄膜61が蒸着されるので、該接続パターン54のオーミック抵抗が下がる。
(16) 各SAW共振子50s1〜50s4,50p1〜50p4での温度上昇が抑えられるので、温度上昇による周波数変化が抑制できる。
(17) 電極金属のAlに、Cu,Ti,Ta等を添加して耐マイグレーション性を向上させる従来の方法とも併用が可能であり、これによる相乗効果も期待できる。
(22) Alに多量の金属を添加する必要がなく、該添加する金属がエッチング時に残ることがない。
(23) Alに多量の金属を添加する必要がなく、該抵抗値が上昇することがない。
(24) 接続パターン74がAuで構成されるので、デバイスのオーミック損失が低減できる。
(25) 接続パターン74は、Auのみで蒸着・形成されるので、他の金属との密着不良により膜はがれがなくなると共に、Al中拡散による信頼性低下も防止できる。
(26) 各SAW共振子70s1〜70s4,70p1〜70p4での温度上昇が抑えられるので、温度上昇による周波数変化が抑制できる。
(27) 電極金属のAlに、Cu,Ti,Ta等を添加して耐マイグレーション性を向上させる従来の方法とも併用が可能であり、これによる相乗効果も期待できる。
(28) 細い電極指と太い接続パターン74とを同時にエッチングまたはリフトオフすると、過剰に細い電極指をエッチングまたはリフトオフする危険があったが、本実施例では電極指と接続パターン74とが別の工程で形成されるので、制御が容易である。
(32) Alに多量の金属を添加する必要がなく、該添加する金属がエッチング時に残ることがない。
(33) Alに多量の金属を添加する必要がなく、該抵抗値が上昇することがない。
(34) 接続パターン94がAlで構成されるので、特別な工程を追加せずにすむ。
(35) 接続パターン94は、Alのみが蒸着され形成されるので、他の金属との密着不良により膜はがれがなくなると共に、他の金属のAl中拡散による信頼性低下も防止できる。
(36) 各SAW共振子90s2〜90s4,90p1〜90p4での温度上昇が抑えられるので、温度上昇による周波数変化が抑制できる。
(37) 電極金属のAlに、Cu,Ti,Ta等を添加して耐マイグレーション性を向上させる従来の方法とも併用が可能であり、これによる相乗効果も期待できる。
(42) Alに多量の金属を添加する必要がなく、該添加する金属がエッチング時に残ることがない。
(43) Alに多量の金属を添加する必要がなく、該抵抗値が上昇することがない。
(44) 接続パターン114の上側が誘電体の膜116になるので、パターンに保護ができる。
(45) 誘電体の膜116は、接続パターン114やボンディングパッド111〜113以外の電気的特性に影響のでない部分にも蒸着可能であり、該誘電体で放熱構造を構築すれば、さらに、外部への放熱が改善できる。
(46) 各SAW共振子110s1〜110s4,110p1〜110p4での温度上昇が抑えられるので、温度上昇による周波数変化が抑制できる。
(47) 電極金属のAlに、Cu,Ti,Ta等を添加して耐マイグレーション性を向上させる従来の方法とも併用が可能であり、これによる相乗効果も期待できる。
(52) Alに多量の金属を添加する必要がなく、該添加する金属がエッチング時に残ることがない。
(53) Alに多量の金属を添加する必要がなく、該抵抗値が上昇することがない。
(54) Alの膜136上にAuの膜137が蒸着されるので、膜136の膜はがれが防止できる。
(55) Alの膜136上にAuの膜137が蒸着されるので、接続パターン134の断面積が増え、抵抗が減じることができる。
(56) 各SAW共振子130s1〜130s4,130p1〜10p4での温度上昇が抑えられるので、温度上昇による周波数変化が抑制できる。
(57) 電極金属のAlに、Cu,Ti,Ta等を添加して耐マイグレーション性を向上させる従来の方法とも併用が可能であり、これによる相乗効果も期待できる
(58) 接続パターン134の上側が誘電体の膜138になるので、パターンに保護ができる。なおAlで構成されるので特別な工程を追加せずにすむ。
(59) 接続パターン134の最上部が誘電体の膜138になるので、Auの膜137のはがれも防止できる。
(60) 誘電体の膜138は、接続パターン134やボンディングパッド131〜133以外の電気的特性に影響のでない部分にも蒸着可能であり、該誘電体で放熱構造を構築すれば、さらに、外部への放熱が改善できる。
(ii) 第1及び実施例2及び実施例5では、AlまたはAL合金よりも、熱伝導率の高い金属の膜37,56を一層に形成したが、金属を変えて多層にしてもよい。
(iii) 第5及び実施例6では、基板よりも熱伝導率の高い誘電体をAl2 O3 としたが、AINやSi3 N4 も利用可能である。AINやSi3 N4 の熱伝導率は、200[W/(m・K)],5.5[W/(m・K)]である。また、AgやCuも熱伝導率が高く、それぞれ426[W/(m・K)],398[W/(m・K)]なので、これらを利用しても同様の効果が得られる。
(iv) 第5及び実施例6では、基板よりも熱伝導率の高い誘電体の膜116,138を1層にしたが、多層にしてもよい。
(v) 実施例3の膜76の上、或いは実施例4の膜96の上に、基板よりも熱伝導率の高い誘電体のAl2 O3 を積層してもよい。
(vi) 第1から実施例6で説明した製造工程では、AlやAl2 O3 にリフトオフを適用したが、エッチングを行うようにしてもよい。
〜50s4,50p1〜50p4,70s1〜70s4,70p1〜70p4,90s1〜90s4
,90p1〜90p4,110s1〜110s4,110p1〜110p4,130s1〜130s4,130p1〜130p4 SAW共振子
11〜13,31〜33,51〜53,71〜73,91〜93,111〜113,131〜133 ボンディングパッド
14,34,54,74,94,114,134 接続パターン
15,35,55,75,95,115,135 基板
10a,30a,50a,70a,90a,110a,130a IDT
36,57,94,134 AlまたはAl合金膜
37,56,74,137 Au膜
116,138 誘電体膜
Claims (3)
- 弾性表面波共振子形成領域と前記弾性表面波共振子形成領域と隣接する接続パターン形成領域と前記接続パターン形成領域と隣接するボンディングパッド形成領域とを有する表面を具えた基板を準備する工程と、
前記基板の前記弾性表面波共振子形成領域上と前記接続パターン形成領域上と前記ボンディングパッド形成領域上とに第1の金属膜を形成することにより、弾性表面波共振子と前記弾性表面波共振子と接続された接続パターンと前記接続パターンと接続されたボンディングパッドとを前記基板上に形成する工程と、
前記接続パターン上に第2の金属膜を形成する工程とを有し、
前記第2の金属膜を形成する工程は、
前記第1の金属膜が形成された前記基板上に、前記接続パターン形成領域の内側の領域上に位置する前記第1の金属膜を露出するレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンが形成された前記基板上に前記第2の金属膜を形成する工程と、
前記レジストパターン及び前記レジストパターン上に形成された前記第2の金属膜を除去する工程とを有することを特徴とする弾性表面波フィルタの製造方法。 - 前記第2の金属膜を形成する工程は、前記接続パターン上及び前記ボンディングパッド上に前記第2の金属膜を形成する工程であり、
前記レジストパターンを形成する工程は、前記接続パターン形成領域の内側の領域上に位置する前記第1の金属膜及び前記ボンディングパッド形成領域上に位置する前記第1の金属膜を露出する前記レジストパターンを形成する工程であることを特徴とする請求項1記載の弾性表面波フィルタの製造方法。 - 基板を準備する工程と、
前記基板上に弾性表面波共振子を形成する工程と、
前記弾性表面波共振子が形成された前記基板上に、前記弾性表面波共振子と接続する接続パターン及び前記接続パターンと接続するボンディングパッドを同時に形成する工程とを有し、
前記接続パターン及び前記ボンディングパッドを同時に形成する工程は、
前記弾性表面波共振子が形成された前記基板上に、前記接続パターンと前記ボンディングパッドとを形成するためのレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンが形成された前記基板上に、前記弾性表面波共振子よりも前記接続パターン及び前記ボンディングパッドが厚くなるように金属膜を形成する工程と、
前記レジストパターン及び前記レジストパターン上に形成された前記金属膜を除去する工程とを有することを特徴とする弾性表面波フィルタの製造方法。
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