JP2007066936A - 高周波モジュールとその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】高周波モジュール２３を親基板へ搭載したときに、親基板における高周波モジュール２３の占有面積が大きい。
【解決手段】回路基板４９の裏面５３に装着された裏側部品６１と、この裏側部品６１を囲むように配置された端子列基板６９と、この端子列基板６９の中央部に設けられた孔７５と、この孔７５に嵌合される金属製の裏カバー７７とを有し、前記裏カバー７７は、裏側部品６１を覆う天面部８１と、この天面部８１から折り曲げて形成された側板部８３とを有し、側板部８３は裏側部品６１と孔７５の内周側面との間に挿入される。これにより、回路基板４９の裏面５３側にも高周波回路を形成できるので、高周波モジュール２３の面積を小さくできる。
【選択図】図１

Description

本発明は、小型な高周波モジュールとその製造方法に関するものである。

以下、従来の高周波モジュール１について以下図面を用いて説明する。図９は、従来の高周波モジュール１の断面図である。図９において、従来の高周波モジュール１は、回路基板３の表面５側にクリームはんだ７を用いて複数の電子部品９が装着される。そしてこの電子部品９を覆うように金属製のカバー１１が装着され、このカバー側面１３に設けられたカバー脚１５と回路基板３の側面に設けられた切欠き１７とが、クリームはんだ（図示せず）などを介して接続される。なお回路基板３の裏面１９側には、親基板との接続のための接続端子２１が形成されている。

なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
特開平１０−２９０１７４号公報

しかしながらこのような従来の高周波モジュールでは、電子部品が片面に実装されているので、回路基板の面積が大きくなる。従って、高周波モジュールを親基板へ搭載したときに、親基板において高周波モジュールの占有面積が大きくなるという課題を有していた。

そこで本発明は、この問題を解決したもので、親基板へ搭載したときの占有面積が小さな高周波モジュールを提供することを目的としたものである。

この目的を達成するために本発明の高周波モジュールは、回路基板の他方の面には、第二の電子部品と端子列基板とを装着し、この端子列基板に前記第二の電子部品を囲うような孔を設ける。そして、前記第二の電子部品を覆うために、第二のカバーの天面から折り曲げて形成された側板部が、前記電子部品と前記孔の孔側面との間に挿入されるように、金属製の第二のカバーを孔に嵌合するものである。これにより所期の目的を達成することができる。

以上のように本発明によれば、回路基板と、この回路基板の一方の面に装着された第一の電子部品と、この第一の電子部品を覆う金属製の第一のカバーとを備え、前記回路基板の他方の面に装着された第二の電子部品と、この第二の電子部品あるいは前記第一の電子部品と接続されるとともに、前記回路基板の他方の面に装着された端子列基板と、この端子列基板の中央部に前記第二の電子部品を囲うように設けられた孔と、この孔に嵌合される金属製の第二のカバーとを有し、前記第二のカバーは、前記第二の電子部品を覆う天面と、この天面から折り曲げて形成された側板部とを有し、前記側板部は前記電子部品と前記孔の孔側面との間に挿入されたものである。

これにより端子列基板の孔内には、第二の電子部品を装着できるので、回路基板の両面に回路を形成したモジュールを実現できる。従って、回路基板の面積を小さくできるので、親基板におけるモジュールの占有面積を小さくできる。

また、カバーには天面から折り曲げて形成された側面を有しているので、この側面が第二の電子部品と端子基板との間に挿入されることとなる。これにより、第二の電子部品で構成する回路の信号が端子列や親基板の回路などに対して漏洩し難くなるので、回路基板の他方の面側に高周波回路を形成できる。従って、高周波回路が形成された高周波モジュールにおいて、回路基板の面積を小さくできるので、親基板における高周波モジュールの占有面積を小さくできる。

さらに、第二の電子部品で構成する高周波回路がシールドされるので、妨害に強い高周波モジュールを得ることができる。

（実施の形態）
以下、本実施の形態における高周波モジュール２３について図面を用いて説明する。図２は、本実施の形態における高周波モジュール２３の回路ブロック図である。本実施の形態における高周波モジュール２３には、アンテナ２５ａ、アンテナ２５ｂから供給されたテレビ放送の電波（高周波信号の一例として用いている）を選局し、選局した信号を合成、復調して出力端子２７から出力するという高周波受信装置２９が構成される。そしてこの高周波受信装置２９には、デジタルテレビ放送信号を受信するための電子チューナ３１ａ、電子チューナ３１ｂと復調回路３３という高周波回路を含んでいる。つまり本実施の形態における高周波受信装置２９は、移動受信に適したダイバーシティ方式を採用している。具体的には、アンテナ２５ａ、アンテナ２５ｂの夫々の出力が電子チューナ３１ａ、電子チューナ３１ｂとヘ夫々供給される。そして復調回路３３にはこれら電子チューナ３１ａ、電子チューナ３１ｂの出力が供給され、これらの信号を合成することで、移動に対しても受信感度の良好な高周波受信装置２９を実現できるものである。

次にそれぞれの電子チューナ３１ａ、電子チューナ３１ｂについて説明する。電子チューナ３１ａ、電子チューナ３１ｂにおける入力端子３５ａ、入力端子３５ｂには、夫々のアンテナ２５ａ、アンテナ２５ｂに入力された高周波信号が供給される。これらの入力端子３５ａ、入力端子３５ｂに入力された高周波信号は、バンドパスフィルタ３７ａ、バンドパスフィルタ３７ｂへ供給され、このバンドパスフィルタ３７ａ、バンドパスフィルタ３７ｂで受信帯域外の不要な信号を除去している。このバンドパスフィルタ３７ａ、バンドパスフィルタ３７ｂの出力は、夫々増幅器３９ａ、増幅器３９ｂを介して、夫々に混合器４１ａ、混合器４１ｂの一方の入力に供給される。そしてこの混合器４１ａ、混合器４１ｂの他方の入力には局部発振器４３の出力が供給され、直接Ｉ信号とＱ信号とを出力する（いわゆるダイレクトコンバージョン方式の混合器である。）。この混合器４１ａ、混合器４１ｂから出力されたＩ信号とＱ信号とは、ローパスフィルタ４５ａ、ローパスフィルタ４５ｂを介して復調回路３３へ供給される。なお、局部発振器４３には、ＰＬＬ回路４７がループ接続されている。

そしてこれらの電子チューナ３１ａ、３１ｂの出力が供給された復調回路３３では、入力されたＩ信号、Ｑ信号がデジタル信号へと変換されて、復調、合成される。そして合成された信号に訂正を施した信号が出力端子２７より出力される。

ここでこのような高周波モジュール２３は、例えば携帯電話などに内蔵される。つまり、テレビ放送を受信する携帯機器に用いられる訳である。従って、高周波モジュール２３には、小型化が要求される。そして特に昨今の携帯電話のように多くの機能を内蔵するために、親基板上には多くの回路を形成することが必要となる。そこで本願は、親基板に対する実装面積（占有面積）を小さくすることができる高周波モジュール２３を提供し、テレビ放送受信などの機能追加に対し、携帯機器の携帯性を損なわないようにするものである。なお、本実施の形態における高周波モジュール２３は、いわゆるデジタルテレビ放送受信用のチューナとしたが、これは、アナログ放送受信用のチューナや、他の通信機器などに用いる送信や受信用の高周波モジュール２３として用いても良い。

では次に、このような高周波回路が構成された高周波モジュール２３の構成について図面を用いて説明する。図１（ａ）は、本発明の実施の形態１における高周波モジュール２３の断面図であり、図１（ｂ）は、同高周波モジュール２３における他の位置での断面図である。図１において、回路基板４９は６層の多層基板であり、この回路基板４９の表面５１には、電子チューナ３１ａの回路が構成され、裏面５３には電子チューナ３１ｂと復調回路３３とが構成されている。そのために、この回路基板４９の表面５１には、クリームはんだ５５によって、電子チューナ３１ａの回路を構成する表側部品５７が装着され、一方裏面５３には高融点クリームはんだ５９によって、電子チューナ３１ｂと復調回路３３とを構成する裏側部品６１が装着されている。

なお、本実施の形態における回路基板４９の裏面５３には、集積回路素子６３がフリップチップ実装されており、この集積回路素子６３と回路基板４９との間は、はんだバンプ６５で電気的に接続されている。そして集積回路素子６３と回路基板４９との間の隙間にエポキシ樹脂６７を流し込むことで、集積回路素子６３と回路基板４９との間の接続強度を補っている。

また回路基板４９の裏面５３に、枠状の端子列基板６９が装着される。なお、端子列基板６９の回路基板連結面７１と回路基板４９の裏面５３とには、夫々複数の接続端子７３が形成され、これらの接続端子７３同士が、互いに対向するような配置で装着される。なお本実施の形態では、これらの接続端子７３同士は、高融点クリームはんだ５９によって接続される。

さらに、枠状の端子列基板６９の中央部に形成される孔７５には、金属製の裏カバー７７が嵌合される。ここで裏カバー７７には、裏側部品６１を覆う天面部８１と、この天面部８１の端を折り曲げて形成された側板部８３とを有している。一方、端子列基板６９の孔７５の内周には、端子列基板切欠き部８５が設けられている。一方端子列基板切欠き部８５の側面には、カバー接続導体８７が形成されている。これにより、カバー接続導体８７と裏カバー７７の側板部８３との間に隙間８９が形成される。そして、この隙間８９にクリームはんだ９１が供給され、裏カバー７７と端子列基板６９とが接続される。

なお、側板部８３の先端は、回路基板４９の裏面５３に当接するまで挿入することが望ましい。これによりクリームはんだ９１が、側板部８３の先端と回路基板４９の裏面５３との間から、裏カバー７７内へ流れ込むようなことは起こり難くなる。従って、クリームはんだ９１による裏カバー７７と裏側部品６１とのショートは起こり難くできる。また、側板部８３によって、回路基板４９の裏面５３と端子列基板６９の回路基板連結面７１との間に生じる空隙９３を遮蔽できる。したがって、回路基板４９の裏面５３に形成された電子チューナ３１ｂや復調回路３３における高周波信号は、空隙９３から漏洩し難くなる。

さらに本実施の形態における回路基板４９の内層には、グランド層を設けている。これによって、裏面部品６１や集積回路素子６３はカバー１１の天面部８１と側板部８３とグランド層とによって囲まれることとなるので、さらに高周波信号が漏洩しにくい高周波モジュール２３を実現できる。

次に端子列基板６９の装着端子形成面９５には親基板（図示せず）と接続するための装着端子９７（端子列の一例として用いた）が設けられる。ここで装着端子形成面９５が、裏カバー７７の外周面より突出するように形成することが重要である。これにより高周波モジュール２３を親基板へ装着した場合に、親基板上の導体パターンと裏カバー７７との短絡などが発生し難くなる。なお端子列基板６９において、装着端子９７と接続端子７３とはスルーホールによって接続されている。

また、本実施の形態では、裏カバー７７の外周面には絶縁膜（図示せず）を形成している。これにより、装着端子形成面９５は、裏カバー７７の外周面からの突出寸法を小さくできるので、高さの低い高周波モジュール２３を実現できる。さらに確実に親基板上の導体パターンと裏カバー７７との短絡などを発生し難くできる。

さらにまた、本実施の形態では、裏カバー７７の内周面にも絶縁膜（図示せず）を形成している。これにより裏側部品６１や集積回路素子６３と裏カバー７７との間の距離を小さくすることができるので、高さの低い高周波モジュール２３を実現できる。ここで、本実施の形態における絶縁膜には、ポリイミド樹脂フィルムを用いている。これは、ポリイミド樹脂は伸びが大きいので、裏カバー７７の折り曲げ近傍においても、絶縁膜の剥がれを少なくできるためである。

回路基板４９の表面５１には、電子部品９を覆う表カバー１０４が装着される。表カバー１０４には天部１０５と、この天部１０５から折り曲げて形成された側部１０７と、この側面から延在された脚１０９とを有している。ここで、回路基板４９の外周には、脚１０９を挿入するための小径切欠き部１１１が設けられる。一方、端子列基板６９には、回路基板４９の小径切欠き部１１１と対応する位置に、この小径切欠き部１１１よりも大きな切欠き寸法の大径切欠き部１１３が形成される。ここで、大径切欠き部１１３と小径切欠き部１１１との径や幅の差は、回路基板４９に対する端子列基板６９の装着ズレ寸法以上の寸法とすると良い。これによって、大径切欠き部１１３の側面が、小径切欠き部１１１の側面より突出し難くなるので、脚１０９は回路基板４９側から容易に挿入することができる。

ここで、小径切欠き部１１１の側面には、回路基板４９の表面５１と裏面５３とを接続する小径切欠き導体が設けられ、大径切欠き部１１３の側面には、端子列基板６９の回路基板連結面７１と装着端子形成面９５とを接続する大径切欠き導体が形成される。そして、これら小径切欠き導体や大径切欠き導体は、電子チューナ３１ａ、３１ｂや復調回路３３のグランド端子としても用いられる。なお本実施の形態において脚１０９は、クリームはんだ９１によって小径切欠き導体と大径切欠き導体との双方に対して接続される。これによって、回路基板４９上の高周波回路のグランドを確りと取れるので、良好なシールドを実現できる。

以上のように、端子列基板６９の孔７５内に、裏側部品６１を装着できるので、回路基板４９の両面に高周波回路を形成したモジュールを実現できる。従って、回路基板４９の面積を小さくできるので、親基板における高周波モジュール２３の占有面積を小さくできる。

また、裏カバー７７には天面部８１から折り曲げて形成された側板部８３を有しているので、この側板部８３が裏側部品６１と端子列基板６９との間に挿入されることとなる。これにより、裏面５３に形成された電子チューナ３１ｂや復調回路３３の信号が装着端子９７などを介して、親基板の回路へ漏洩し難くなるので、回路基板４９の裏面５３側にも高周波回路を形成できる。従って、高周波モジュール２３において、回路基板４９の面積を小さくできるので、親基板における高周波モジュール２３の占有面積を小さくできる。さらに、電子チューナ３１や復調回路３３をシールドすることができるので、妨害に強い高周波モジュール２３を得ることができる。

次に、本実施の形態における高周波モジュール２３の製造方法について図面を用いて説明する。図３は、本実施の形態における高周波モジュール２３の製造フローチャートである。ではこの図３に示した工程の順で、本実施の形態における高周波モジュール２３の製造方法について説明する。

図４は、図３に示した表側部品実装工程１１９における高周波モジュール２３の断面図である。表側部品実装工程１１９では、図４に示すように回路基板４９が複数枚連結されたシート状基板１２１の表面５１側に表側部品５７などを実装する工程である。そしてこの工程では、予めスクリーン印刷などでシート状基板１２１の表面５１（回路基板４９の表面５１と同じ）にクリームはんだ５５を印刷し、その後で表側部品５７を実装し、リフローはんだ付けを行う。なお表側部品５７としては、チップ部品やパッケージ型の半導体などが用いられる。そして本実施の形態では縦、横に夫々３枚づつの回路基板４９が連結され、計９枚の回路基板４９で一枚のシート状基板１２１が構成される。

図５は、図３に示した裏側接続部材印刷工程１２３における高周波モジュール２３の断面図である。裏側接続部材印刷工程１２３では、表側部品実装工程１１９の後で、図５に示すようにスクリーン印刷などを用いてシート状基板１２１の裏面５３（回路基板４９の裏面５３と同じ）に高融点クリームはんだ５９や、フラックス６０などを印刷する。そしてこの裏側接続部材印刷工程１２３の後に裏側部品装着工程１２５では、裏側部品６１（チップ部品）や集積回路素子６３をシート状基板１２１の裏面５３に実装する。このとき、裏側部品６１や集積回路素子６３は、回路基板４９の外周部近傍を除いた位置に装着される。つまり回路基板４９の裏面５３の外周部には、裏側部品６１や集積回路素子６３などの電子部品非装着領域が形成される。

図６は、端子基板実装工程１２７における高周波モジュール２３の断面図である。そしてこの端子基板実装工程１２７は、裏側部品装着工程１２５の後でシート状基板１２１の裏面５３の電子部品非装着領域に、端子列基板６９が装着される。これにより、裏側部品６１や集積回路素子６３は、端子列基板６９によって囲まれることとなる。なおこのとき、端子列基板６９に設けられた大径スルーホール１３９が、シート状基板１２１に設けられた小径スルーホール１３７に対応するように装着される。

リフロー工程１２９では、裏側部品６１、集積回路素子６３や端子列基板６９が実装されたシート基板１２１がリフロー炉へ投入される。これによって図６に示すように、高融点クリームはんだ５９やはんだバンプ６５によって裏側部品６１、集積回路素子６３や端子列基板６９が、シート状基板１２１にリフローはんだ付けされる。そしてリフロー工程１２９ではんだ付けされることで、各回路基板４９上には高周波受信装置２９の回路が完成する。

図７は、動作確認工程１３１における高周波モジュール２３の裏面図である。この動作確認工程１３１はリフロー工程１２９の後で、高周波受信装置２９の回路が正常に動作するかどうかを確認する工程である。この動作確認工程１３１では、テストピン（図示せず）を端子列基板６９上に形成された各装着端子９７へ当接させ、所定の電圧を高周波受信装置２９へ供給して各回路へ動作させる。この状態で入力端子３５から検査用の擬似放送信号を供給し、出力端子２７より所定の出力信号が出力されるかどうかを検査する。このようにして検査することで、はんだ付け不良の有無を検査する。なお本実施の形態では、動作確認工程１３１を９個の高周波モジュール２３が連結されたシート状基板１２１の状態で行っているので、生産性が良好である。

図８はカバーはんだ付け工程１３３における高周波モジュール２３の断面図である。図３に示すように、カバーはんだ付け工程１３３には、カバー装着工程１３５と裏カバーはんだ付け工程１４１とカバーリフロー工程１４３とを有している。まずカバー装着工程１３５では、まず動作確認工程１３１で高周波受信装置２９として正常に動作した高周波モジュール２３に対して、表カバー１０４と裏カバー７７とを装着する。このとき、表カバー１０４の脚１０９は、シート状基板１２１の小径スルーホール１３７を貫通し、端子列基板６９の大径スルーホール１３９にまで挿入される。このとき脚１０９は小径スルーホール１３７に対して圧入状態で保持される。

一方裏カバー７７は、端子列基板６９の孔７５内に嵌合されるように装着される。このとき、裏カバー７７の側板部８３先端が、回路基板４９の裏面５３と当接し、この間に隙間が発生しないようにすることが重要である。これにより裏面５３に形成された電子チューナ３１や復調回路３３の信号が漏れ出し、他の回路へ妨害を与えることや、逆に他の回路（例えば携帯電話の発振回路など）の信号が電子チューナ３１や復調回路３３へ飛び込むことを少なくすることができる。

次にカバー装着工程１３５の後でカバーはんだ塗布工程１４１が行われる。このカバーはんだ塗布工程１４１では、スクリーン印刷を用いて、装着端子形成面９５側から端子列基板６９や裏カバー７７に対し、クリームはんだ９１（接続部材の一例として用いた）を一括に塗布する。具体的には、表カバー１０４のはんだ付けのために、大径スルーホール１３９の装着端子形成面９５側にクリームはんだ９１を塗布する。一方裏カバー７７のはんだ付けのために、端子列基板切欠き部８５の装着端子形成面９５側と、裏カバー７７における天面部８１の外側との間に橋渡しされた状態でクリームはんだ９１が塗布される。

そしてカバーはんだ付け工程１３３におけるカバーリフロー工程１４３では、このようにして塗布されたクリームはんだ９１が上を向いた状態でリフロー加熱される。これにより、供給したクリームはんだ９１が、脚１０９と小径スルーホール１３７や大径スルーホール１３９の間との隙間にはんだが流れ込み、脚１０９とシート状基板１２１や端子列基板６９とが接続される。一方、裏カバー７７の側板部８３とカバー接続導体８７とは、供給したクリームはんだ９１が隙間８９内へ流れ込むことで、接続されることとなる。なお裏カバー７７の天面部８１には絶縁膜を設けているので、クリームはんだ９１が天面部８１上で盛り上がらず、隙間８９に確りと流れ込んで接続される。そして本実施の形態ではリフロー炉によって、表カバー１０４と裏カバー７７とを一括にはんだ付けできるので、非常に生産性が良い。

なお、表カバー１０４の脚１０９間の内寸は、シート状基板１２１の小径スルーホール１３７間の距離より小さくし、脚１０９が小径スルーホール１３７に対して圧入状態で保持されるようにしておく。これにより、カバーリフロー工程１４３で表カバー１０４側が下となるようにリフローしても、表カバー１０４は落下し難くなる。なお脚１０９の先端内側には面取りを施している。これにより、脚１０９を小径スルーホール１３７へ圧入しやすくなる。

そして図３に示すようにシート状基板１２１は、カバーリフロー工程１４３の後のダイシング工程１４５で分割される。そして分割された後に、各高周波モジュール２３の特性検査を行って、高周波モジュール２３が完成する。ここでダイシング工程１４５では、回転するダイヤモンド刃などを用いてシート状基板１２１を所定の間隔で切断し、９個の高周波モジュール２３へと分割する。これにより、回路基板４９と端子列基板６９の４側面夫々には、切断面１４７ａ、切断面１４７ｂ（図１に示す）が形成される。このとき、シート状基板１２１と端子列基板６９は同時に同じダイヤモンド刃で切断されるので、切断面１４７ａと切断面１４７ｂとは略同一平面上に並び、回路基板４９と端子列基板６９の外形は略同一形状、同一寸法で切断されることとなる。さらにこのとき、大径スルーホール１３９と小径スルーホール１３７も分割され、端子列基板６９に大径切欠きが形成されるとともに、回路基板４９に小径切欠きが形成されることとなる。

このようにすることによって、端子列基板６９装着工程において端子列基板６９の枠幅１４９が大きくできるので、自動実装機などで容易に吸着・実装ができる。従って生産性が良好である。また、端子列基板６９は、回路基板４９にはんだ付けされた状態で切断されるので、残り幅１５１（図１に示す）を小さくしても端子列基板６９の割れなどは発生しにくくなる。なお本実施の形態におけるこのダイシング工程１４５では、表カバー１０４の外周側面から０．２ｍｍ外側を回転するダイヤモンド刃が通過する。

さらに、本実施の形態における端子列基板６９は、表カバー１０４や裏カバー７７をはんだ付けした後に切断するので、端子列基板６９は強固に回路基板４９と固定されている。従って、さらに残り幅１５１を小さくしても端子列基板６９の割れなどは発生しにくくなる。これにより、端子列基板６９の残り幅１５１が小さくでき、高周波モジュール２３の面積を小さくできるので、親基板における占有面積を小さくできる。さらにまた端子列基板６９は、回路基板４９と同時に切断するので、生産性が良好である。

なお本実施の形態では、カバーはんだ付け工程１３３の後にダイシング工程１４５を設けたが、これは逆でもよい。この場合、ダイシング工程１４５は、リフロー工程１２９以降であれば良い。このようにすれば、ダイシング工程１４５において表カバー１０４にキズなどを発生させることはない。

また、回路基板４９には小径切欠き部１１１を設け、端子列基板６９には大径切欠き部１１３を設けたが、これは逆としても良い。この場合、表カバー１０４の脚１０９を挿入する側の開口が大きくなり、脚１０９の挿入が容易となるので、表カバー１０４を自動機などで装着しやすくなる。

さらに、表カバー１０４と裏カバー７７とのはんだ付けは、リフロー炉を用いたが、これは、局所加熱ではんだ付けしても良い。この場合、はんだ付けする場所を局所的に加熱するので、表側部品５７や裏側部品６１や集積回路素子６３などに加わる熱履歴の回数を少なくできる。従って、熱履歴に対して弱い電子部品なども用いることが可能となり、部品の選択の幅が広がるので、低価格な部品の使用も可能となる。

本発明にかかる高周波モジュールは、高周波モジュールの実装面積を小さくできるという効果を有し、携帯電話などのように携帯性が重要視され、小型が望まれる携帯用機器に用いる高周波モジュールとして有用である。

（ａ）本発明の実施の形態１における高周波モジュールの断面図、（ｂ）同、高周波モジュールにおける他の位置での断面図 同、高周波モジュールの回路ブロック図 同、高周波モジュールの製造フローチャート 同、表側部品実装工程における高周波モジュールの断面図 同、裏側接続部材塗布工程における高周波モジュールの断面図 同、端子基板実装工程における高周波モジュールの断面図 同、動作確認工程における高周波モジュールの裏面図 （ａ）同、クリームはんだ塗布工程での高周波モジュールの断面図、（ｂ）同、クリームはんだ塗布工程での高周波モジュールの他の位置での断面図 従来の高周波モジュールの断面図

符号の説明

４９ 回路基板
５１ 表面
５３ 裏面
５７ 表側部品
６１ 裏側部品
６３ 集積回路素子
６９ 端子列基板
７５ 孔
７７ 裏カバー
８１ 天面部
８３ 側板部
１０４ 表カバー

Claims (14)

1. 回路基板と、この回路基板の一方の面に装着された第一の電子部品と、この第一の電子部品を覆う金属製の第一のカバーとを備え、前記回路基板の他方の面に装着された第二の電子部品と、この第二の電子部品あるいは前記第一の電子部品と接続されるとともに、前記回路基板の他方の面に装着された端子列基板と、この端子列基板の中央部に前記第二の電子部品を囲うように設けられた孔と、この孔に嵌合される金属製の第二のカバーとを設け、前記第二のカバーは、前記第二の電子部品を覆う天面と、この天面から折り曲げて形成された側板部とを有し、前記側板部は前記電子部品と前記孔の孔側面との間に挿入された高周波モジュール。
2. 孔の内周に設けられたカバー接続導体と、このカバー接続導体と第二のカバーの側面との間に設けられた隙間と、この隙間に設けられた接続部材とを有した請求項１に記載の高周波モジュール。
3. 第二のカバーにおける天面の外面には、絶縁膜が形成された請求項１に記載の高周波モジュール。
4. 第二のカバーにおける天面の内面には、絶縁膜が形成された請求項１に記載の高周波モジュール。
5. 端子列基板における回路基板の反対には装着端子形成面を形成し、この装着端子形成面と第二のカバーの天面の外面との間には、隙間が設けられた請求項１に記載の高周波モジュール。
6. 第一のカバーの側面先端から延在して設けられた脚と、回路基板と端子列基板との側面に形成された切欠きとを有し、前記脚は、少なくとも回路基板と端子列基板のいずれか一方の切欠き部と接続された請求項１に記載の高周波モジュール。
7. 脚は回路基板側の切欠きと接続される請求項６に記載の高周波モジュール。
8. 脚の切欠き部と対向する面には、面取りが形成された請求項７に記載の高周波モジュール。
9. 脚と端子列基板側の切欠き部との間に形成される隙間は、脚部と回路基板側の切欠き部との間に形成される隙間よりも大きくした請求項６に記載の高周波モジュール。
10. 脚は端子列基板側の切欠きと接続される請求項６に記載の高周波モジュール。
11. 側板部の先端は、回路基板の他方の面に当接させた請求項１に記載の高周波モジュール。
12. 回路基板が複数個連結されたシート基板の一方の面に第一の電子部品を実装し、その後で前記シート基板の他方の面に第二の電子部品と端子列基板とを実装し、その後で前記シート基板を分割する請求項１に記載の高周波モジュールの製造方法において、少なくとも前記シート基板へ第二の電子部品と端子列基板とを実装した後で第一のカバーと第二のカバーとを装着し、この後で前記シート基板に接続部材を供給し、この接続部材で前記回路基板と前記端子列基板とのいずれか一方と前記第一のカバーとの間と、前記第二のカバーと端子列基板との間とを接続する高周波モジュールの製造方法。
13. 接続部材にはクリームはんだを用い、回路基板と端子列基板とのいずれか一方と第一のカバーとの接続と、前記第二のカバーと端子列基板との接続は、リフロー炉で同時に行う請求項１２に記載の高周波モジュールの製造方法。
14. 接続部材にはクリームはんだを用い、このクリームはんだは端子列基板装着面側から塗布した請求項１２に記載の高周波モジュールの製造方法。

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