JP2007066557A - チップ型避雷器及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 低背化が可能でかつ低コストで製造することができるチップ型避雷器及びその製造方法を得る。
【解決手段】 絶縁性を有する第1チップ体31と絶縁性を有する第2チップ体32とが接合部材8,20,21を介して一体的に接合された接合チップ体33からなるチップ型避雷器。接合部材8,20,21は接合チップ体33の全周囲にわたって形成されており、その厚みは対向電極6,7の厚みより厚い。第1チップ体31と第2チップ体32の間には接合部材8,20,21を外枠にして形成され、内部に不活性ガスが封入された放電空間30を備えている。この放電空間30の内部の第1チップ体31の接合部材形成面にはマイクロギャップGを有する一対の対向電極6,7が配置されている。
【選択図】 図1
【解決手段】 絶縁性を有する第1チップ体31と絶縁性を有する第2チップ体32とが接合部材8,20,21を介して一体的に接合された接合チップ体33からなるチップ型避雷器。接合部材8,20,21は接合チップ体33の全周囲にわたって形成されており、その厚みは対向電極6,7の厚みより厚い。第1チップ体31と第2チップ体32の間には接合部材8,20,21を外枠にして形成され、内部に不活性ガスが封入された放電空間30を備えている。この放電空間30の内部の第1チップ体31の接合部材形成面にはマイクロギャップGを有する一対の対向電極6,7が配置されている。
【選択図】 図1
Description
本発明は、チップ型避雷器、特に、電子回路や電子部品をサージ電圧から保護するチップ型避雷器及びその製造方法に関する。
従来より、この種のチップ型避雷器として、特許文献1に記載のものが知られている。図6に示すように、特許文献1のチップ型避雷器100は、絶縁性を有するチップ体101と絶縁性を有するチップ体102とが一体的に接合され、接合チップ体103を構成している。
接合チップ体103の接合界面には、マイクロギャップ104を有するように一対の対向電極106,107が配設されている。接合チップ体103の外面両端部には一対の端子電極108,109が形成されており、それぞれビアホール導体111を介して対向電極106,107に電気的に接続されている。チップ体102には、マイクロギャップ104が臨む位置に凹部102aが形成されている。凹部102aの内部には不活性ガスが封入されている。
しかし、チップ型避雷器100はチップ体102に凹部102aを形成する必要があるため、機械的強度低下を防止するためチップ体102を厚くしなければならず、低背化が困難であった。また、凹部102aを形成するための工程が必要なため、製造工程が複雑で高コストの一因となっていた。
特開平8−236260号公報
そこで、本発明の目的は、低背化が可能でかつ低コストで製造することができるチップ型避雷器及びその製造方法を提供することにある。
前記目的を達成するため、本発明に係るチップ型避雷器は、絶縁性を有する第1チップ体と絶縁性を有する第2チップ体とが接合部材を介して一体的に接合された接合チップ体と、第1チップ体又は第2チップ体の接合部材形成面にマイクロギャップを有するように形成された一対の対向電極と、を備え、第1チップ体と第2チップ体の間に接合部材を外枠にして放電空間が形成され、該放電空間の内部には不活性ガスが封入され、接合部材の厚みが対向電極の厚みより厚いこと、を特徴とする。
本発明に係るチップ型避雷器では、チップ体に凹部を形成しなくても、放電空間が確保されることになる。
本発明に係るチップ型避雷器においては、一対の対向電極にそれぞれ接続され、接合チップ体の外面両端部に設けられた一対の端子電極を備えていてもよい。さらに、対向電極と端子電極との間に電気的に接続され、第1チップ体と第2チップ体の間に架かるように放電空間内に設けられた一対の放電電極を備えていてもよい。マイクロギャップに加えて放電電極を備えることで、放電が分散してマイクロギャップの損傷が抑えられる。
本発明に係るチップ型避雷器の製造方法は、
第1チップ体を形成するための絶縁性を有する第1ウエハと第2チップ体を形成するための絶縁性を有する第2ウエハとを作製する工程と、
第1ウエハ又は第2ウエハの一面にマイクロギャップを有するように一対の対向電極を形成する工程と、
一対の対向電極が第1ウエハと第2ウエハの間に配置されるように、対向電極の厚みより厚い接合部材を介して第1ウエハと第2ウエハを不活性ガス雰囲気中で一体的に接合する工程と、
接合した第1ウエハと第2ウエハを一対の対向電極を含むようにダイシングし、第1チップ体と第2チップ体からなる接合チップ体を切り出す工程と、
を備えたことを特徴とする。
第1チップ体を形成するための絶縁性を有する第1ウエハと第2チップ体を形成するための絶縁性を有する第2ウエハとを作製する工程と、
第1ウエハ又は第2ウエハの一面にマイクロギャップを有するように一対の対向電極を形成する工程と、
一対の対向電極が第1ウエハと第2ウエハの間に配置されるように、対向電極の厚みより厚い接合部材を介して第1ウエハと第2ウエハを不活性ガス雰囲気中で一体的に接合する工程と、
接合した第1ウエハと第2ウエハを一対の対向電極を含むようにダイシングし、第1チップ体と第2チップ体からなる接合チップ体を切り出す工程と、
を備えたことを特徴とする。
本発明によれば、第1チップ体と第2チップ体を接合する際の接合部材を、対向電極の厚みより厚くすることにより放電空間を形成する。従って、チップ体を加工して凹部を形成する必要がなく、チップ型避雷器の低背化が可能となる。また、接合部材の厚みで放電空間を形成できるので、製造工程を簡略化することができ、低コストで製造できる。
以下に、本発明に係るチップ型避雷器及びその製造方法の実施例について添付図面を参照して説明する。
(第1実施例、図1及び図2)
図1は第1実施例であるチップ型避雷器の断面を示す。このチップ型避雷器は、第1チップ体31と第2チップ体32とが接合部材8,20,21を介して一体的に接合された接合チップ体33と、マイクロギャップGを有するように形成された一対の対向電極6,7と、内部に不活性ガスが封入された放電空間30とで構成されている。
図1は第1実施例であるチップ型避雷器の断面を示す。このチップ型避雷器は、第1チップ体31と第2チップ体32とが接合部材8,20,21を介して一体的に接合された接合チップ体33と、マイクロギャップGを有するように形成された一対の対向電極6,7と、内部に不活性ガスが封入された放電空間30とで構成されている。
このチップ型避雷器は以下のような製造工程によって製作される。まず、図2(A)に示すように、第1チップ体31を形成するための絶縁性を有する第1ウエハ1を作製する。チップ型避雷器の低背化及び第1チップ体31の機械的強度を考慮すれば、第1ウエハ1の厚さは0.1〜0.6mmが望ましい。本第1実施例では、厚さが0.2mmのシリコン基板とした。シリコン基板の表面にさらにSiO2膜などの絶縁層を形成してもよい。なお、第1ウエハ1にはガラス基板などを用いてもよい。
この第1ウエハ1に、Wを主材料とする対向電極6,7をフッ素系ガスを用いたドライエッチング法で形成する。対向電極6,7はマイクロギャップGを有している。対向電極6,7の材料はWに限定するものではなく、例えば、Al,Ag,Au,Ti,TiN,Ta,TaN,Pt,Pd,SnO2,Moなどの1種又は2種以上を用いて、印刷法、リフトオフ法、めっき法などによって形成してもよい。マイクロギャップGの間隔Dは、チップ型避雷器の放電開始電圧に応じて適宜設定される(代表値:0.5〜100μm)。対向電極6,7の厚みは、接合部材8,20,21の接合後の総厚みより薄いことが必要である。本第1実施例では、マイクロギャップGの間隔Dは5μm、対向電極6,7の厚さは1μmとした。
さらに、Au(厚さ代表値:0.1μm)/Cu(厚さ代表値:5.0μm)を主材料とする接合部材8を、第1ウエハ1上にリフトオフ法やめっき法で形成する。
次に、第2チップ体32を形成するための絶縁性を有する第2ウエハ2を作製する。チップ型避雷器の低背化及び第2チップ体32の機械的強度を考慮すれば、第2ウエハ2の厚さは0.1〜0.6mmが望ましい。本第1実施例では、厚さが0.3mmのシリコン基板とした。第2ウエハ2にはガラス基板などの透明性を有する基板を用いてもよい。
この第2ウエハ2に、Cuを主材料とする接合部材20(厚さ代表値:5.0μm)をリフトオフ法や印刷法やめっき法で形成した後、その上にSn(厚さ代表値:7.0μm)/Cu(厚さ代表値:0.1μm)を主材料とする接合部材21をリフトオフ法やめっき法で形成する。
さらに、接合部材20,21を形成した面とは反対の面に、ビアホール開口用及び接合用のアライメントマーク25をリフトオフ法などによって形成する。
次に、図2(B)に示すように、一対の対向電極6,7が第1ウエハ1と第2ウエハ2の間に配置されるように、接合部材8,20,21を介して第1ウエハ1と第2ウエハ2を不活性ガス雰囲気中で一体的に接合する。より具体的には、加熱圧着により接合部材8のCuと接合部材21のSnを合金化させる。このとき、接合部材21のSnが溶解し、形成したパターンサイズより大きくなるが、接合部材20がその受け皿となる。従って、接合部材20は必ずしも必要なものではない。接合部材8のCu上の薄いAu層はCuの酸化防止のためのものである。
不活性ガスは高温でイオン化するものであればよく、空気の他にHe,N2,Ar,Ne,SF6,CO2,H2,C2F6などの1種又は2種以上の混合物が用いられる。ガス圧は本第1実施例の場合、800Torrとしたが、チップ型避雷器の放電開始電圧に応じて適宜設定される。
次に、図2(C)に示すように、第1ウエハ1に一定間隔で複数対のビアホール導体11を形成する。具体的には、アルミナ膜をマスクとして使用して、ドライエッチングによりビアホール用孔(代表孔径:80μm)を形成する。マスクはアルミナ膜に限定するものではなく、ドライエッチングに使用するフッ素系ガスでシリコン基板との選択性が得られるものであればよい。ドライエッチングの終点確認を容易にするために対向電極6,7の最下層にPt膜を設けておくことが望ましい。
次に、全面にCuを主電極とする給電膜をめっきで形成するとともに、ビアホール用孔内をCuで充填する。その後、不要な給電膜をウェットエッチングにより除去する。さらに、ビアホール導体11の直上にフォトエッチング法により電極パッド13を形成した後、必要に応じてはんだバンプ14を形成する。このビアホール導体11と電極パッド13とはんだバンプ14は、対向電極6,7にそれぞれ接続され、端子電極として機能する。
なお、チップ型避雷器のさらなる低背化のために、ビアホール用孔を形成する前に第1ウエハ1を機械的研磨、研削、化学的ウェットエッチング、ドライエッチング、あるいはこれらの複合でさらに薄化してもよい。
次に、図2(D)に示すように、接合した第1ウエハ1と第2ウエハ2を一対の対向電極6,7ごとにダイシングし、第1チップ体31と第2チップ体32からなる接合チップ体33を切り出す。この後、ビアホール開口用及び接合用のアライメントマーク25を取り除く。
以上の方法により、チップ型避雷器が生産性良く低コストで製造される。
こうして得られたチップ型避雷器は、図1に示すように、絶縁性を有する第1チップ体31と絶縁性を有する第2チップ体32とが、接合部材8,20,21を介して一体的に接合された接合チップ体33を有している。接合部材8,20,21は接合チップ体33の全周囲にわたって形成されており、その総厚みは対向電極6,7の厚みより厚い。そして、第1チップ体31と第2チップ体32の間に接合部材8,20,21を外枠にして形成され、内部に不活性ガスが封入された放電空間30を備えている。この放電空間30の内部の第1チップ体31の接合部材形成面にはマイクロギャップGを有する一対の対向電極6,7が配置されている。接合チップ体33の外面両端部には一対の端子電極(電極パッド13、はんだバンプ14)が設けられている。
以上のように、第1実施例であるチップ型避雷器は、第1チップ体31と第2チップ体32を接合する際の接合部材8,20,21を、対向電極6,7の厚みより厚くするだけで、放電空間30が形成される。従って、チップ体を加工して凹部を形成する必要がなく、チップ型避雷器の低背化が可能となる。具体的には、図6に示した従来のチップ型避雷器100の高さ寸法が0.8mmであったのに対して、第1実施例であるチップ型避雷器の高さ寸法は0.5〜0.6mmである。
また、接合部材8,20,21の厚みで放電空間30を形成できるので、製造工程を簡略化することができ、低コストで製造できる。ちなみに、得られたチップ型避雷器の放電開始電圧は200V、サージ耐量(8×20μsecにて耐える電流値)は600Aであった。
(第2実施例、図3〜図5)
図3は第2実施例であるチップ型避雷器の断面を示す。このチップ型避雷器は、第1チップ体31と第2チップ体32とが接合部材8,20,21を介して一体的に接合された接合チップ体33と、マイクロギャップGを有するように形成された一対の対向電極6,7と、内部に不活性ガスが封入された放電空間30と、放電空間30内に設けられた放電電極9,22,23とで構成されている。
図3は第2実施例であるチップ型避雷器の断面を示す。このチップ型避雷器は、第1チップ体31と第2チップ体32とが接合部材8,20,21を介して一体的に接合された接合チップ体33と、マイクロギャップGを有するように形成された一対の対向電極6,7と、内部に不活性ガスが封入された放電空間30と、放電空間30内に設けられた放電電極9,22,23とで構成されている。
このチップ型避雷器は以下のような製造工程によって製作される。まず、図4(A)に示すように、第1チップ体31を形成するための絶縁性を有する第1ウエハ1を作製する。チップ型避雷器の低背化及び第1チップ体31の機械的強度を考慮すれば、第1ウエハ1の厚さは0.1〜0.6mmが望ましい。本第2実施例では、厚さが0.2mmのシリコン基板とした。なお、第1ウエハ1にはガラス基板などを用いてもよい。
この第1ウエハ1に、Au(厚さ代表値:0.1μm)/Cu(厚さ代表値:5.0μm)を主材料とする接合部材8と放電電極9を、リフトオフ法やめっき法で形成する。
次に、第2チップ体32を形成するための絶縁性を有する第2ウエハ2を作製する。チップ型避雷器の低背化及び第2チップ体32の機械的強度を考慮すれば、第2ウエハ2の厚さは0.1〜0.6mmが望ましい。本第2実施例では、厚さが0.3mmのシリコン基板とした。第2ウエハ2にはガラス基板などの透明性を有する基板を用いてもよい。
この第2ウエハ2に、Cuを主材料とする接合部材20と放電電極22(厚さ代表値:5.0μm)をリフトオフ法や印刷法やめっき法で形成する。次に、放電電極22の一部と重なり合うように、Wを主材料とする対向電極6,7をフッ素系ガスを用いたドライエッチング法で形成する。対向電極6,7はマイクロギャップGを有している。対向電極6,7の材料はWに限定するものではなく、例えば、Al,Ag,Au,Ti,TiN,Ta,TaN,Pt,Pd,SnO2,Moなどの1種又は2種以上を用いて、印刷法、リフトオフ法、めっき法などによって形成してもよい。マイクロギャップGの間隔Dは、チップ型避雷器の放電開始電圧に応じて適宜設定される(代表値:0.5〜100μm)。対向電極6,7の厚みは、接合部材8,20,21の接合後の総厚みより薄いことが必要である。本第2実施例では、マイクロギャップGの間隔Dは5μm、対向電極6,7の厚さは1μmとした。
その後、接合部材20と放電電極22の上に、Sn(厚さ代表値:7.0μm)/Cu(厚さ代表値:0.1μm)を主材料とする接合部材21と放電電極23をそれぞれリフトオフ法やめっき法で形成する。さらに、接合部材20,21等を形成した面とは反対の面に、ビアホール開口用及び接合用のアライメントマーク25をリフトオフ法などによって形成する。
次に、図4(B)に示すように、一対の対向電極6,7が第1ウエハ1と第2ウエハ2の間に配置されるように、接合部材8,20,21を介して第1ウエハ1と第2ウエハ2を不活性ガス雰囲気中で一体的に接合する。より具体的には、加熱圧着により接合部材8のCuと接合部材21のSnを合金化させている。このとき、同時に、放電電極9と放電電極23も加熱圧着される。
次に、図4(C)に示すように、第1ウエハ1に一定間隔で複数対のビアホール導体11を形成する。具体的には、アルミナ膜をマスクとして使用して、ドライエッチングによりビアホール用孔(代表孔径:80μm)を形成する。
次に、全面にCuを主電極とする給電膜をめっきで形成するとともに、ビアホール用孔内をCuで充填する。その後、不要な給電膜をウェットエッチングにより除去する。さらに、ビアホール導体11の直上にフォトエッチング法により電極パッド13を形成した後、必要に応じてはんだバンプ14を形成する。ビアホール導体11と電極パッド13とはんだバンプ14は、放電電極9,22,23を介して対向電極6,7にそれぞれ接続され、端子電極として機能する。
なお、チップ型避雷器のさらなる低背化のために、ビアホール用孔を形成する前に第1ウエハ1を機械的研磨、研削、化学的ウェットエッチング、ドライエッチング、あるいはこれらの複合でさらに薄化してもよい。
次に、図4(D)に示すように、接合した第1ウエハ1と第2ウエハ2を一対の対向電極6,7ごとにダイシングし、第1チップ体31と第2チップ体32からなる接合チップ体33を切り出す。この後、ビアホール開口用及び接合用のアライメントマーク25を取り除く。
以上の方法により、チップ型避雷器が生産性良く低コストで製造される。
こうして得られたチップ型避雷器は、図3に示すように、絶縁性を有する第1チップ体31と絶縁性を有する第2チップ体32とが、接合部材8,20,21を介して一体的に接合された接合チップ体33を有している。接合部材8,20,21は接合チップ体33の全周囲にわたって形成されており、その総厚みは対向電極6,7の厚みより厚い。そして、第1チップ体31と第2チップ体32の間に接合部材8,20,21を外枠にして形成され、内部に不活性ガスが封入された放電空間30を備えている。この放電空間30の内部の第2チップ体32の接合部材形成面にはマイクロギャップGを有する一対の対向電極6,7が配置されている。接合チップ体33の外面両端部には一対の端子電極(電極パッド13、はんだバンプ14)が設けられている。さらに、対向電極6,7と端子電極との間に電気的に接続され、第1チップ体31と第2チップ体32の間に架かるように放電空間30内に設けられた一対の放電電極9,22,23を備えている。
以上の構成からなるチップ型避雷器は、前記第1実施例と同様の作用効果を奏するとともに、マイクロギャップGに加えて放電電極9,22,23を備えることで、放電が一対の放電電極9,22,23間でも発生するので、放電が分散してマイクロギャップGの損傷を抑えることができる。ちなみに、得られたチップ型避雷器の放電開始電圧は200V、サージ耐量(8×20μsecにて耐える電流値)は700Aであった。
(他の実施例)
なお、本発明に係るチップ型避雷器及びその製造方法は前記実施例に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更することができる。
なお、本発明に係るチップ型避雷器及びその製造方法は前記実施例に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更することができる。
例えば、前記第1実施例において、接合部材8、20,21の材料として、感光性接着樹脂などを用いてもよい。また、前記第2実施例において、対向電極6,7を形成した後、接合部材20と放電電極22を形成してもよい(図5参照)。
1…第1ウエハ
2…第2ウエハ
6,7…対向電極
8,20,21…接合部材
9,22,23…放電電極
13…電極パッド
14…はんだバンプ
31…第1チップ体
32…第2チップ体
33…接合チップ体
G…マイクロギャップ
2…第2ウエハ
6,7…対向電極
8,20,21…接合部材
9,22,23…放電電極
13…電極パッド
14…はんだバンプ
31…第1チップ体
32…第2チップ体
33…接合チップ体
G…マイクロギャップ
Claims (4)
- 絶縁性を有する第1チップ体と絶縁性を有する第2チップ体とが接合部材を介して一体的に接合された接合チップ体と、
前記第1チップ体又は前記第2チップ体の接合部材形成面にマイクロギャップを有するように形成された一対の対向電極と、を備え、
前記第1チップ体と前記第2チップ体の間に前記接合部材を外枠にして放電空間が形成され、該放電空間の内部には不活性ガスが封入され、
前記接合部材の厚みが前記対向電極の厚みより厚いこと、
を特徴とするチップ型避雷器。 - 前記一対の対向電極にそれぞれ接続され、前記接合チップ体の外面両端部に設けられた一対の端子電極を備えていることを特徴とする請求項1に記載のチップ型避雷器。
- 前記対向電極と前記端子電極との間に電気的に接続され、前記第1チップ体と前記第2チップ体の間に架かるように前記放電空間内に設けられた一対の放電電極を備えていることを特徴とする請求項2に記載のチップ型避雷器。
- 第1チップ体を形成するための絶縁性を有する第1ウエハと第2チップ体を形成するための絶縁性を有する第2ウエハとを作製する工程と、
前記第1ウエハ又は前記第2ウエハの一面にマイクロギャップを有するように一対の対向電極を形成する工程と、
前記一対の対向電極が前記第1ウエハと前記第2ウエハの間に配置されるように、前記対向電極の厚みより厚い接合部材を介して前記第1ウエハと前記第2ウエハを不活性ガス雰囲気中で一体的に接合する工程と、
前記接合した第1ウエハと第2ウエハを前記一対の対向電極を含むようにダイシングし、第1チップ体と第2チップ体からなる接合チップ体を切り出す工程と、
を備えたことを特徴とするチップ型避雷器の製造方法。
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Cited By (2)
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JP2015520598A (ja) * | 2012-05-31 | 2015-07-16 | ノースロップ グラマン システムズ コーポレーション | 集積化されたマイクロプラズマリミッタ |
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