JP2007059925A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. 不均一な線幅を有する配線を有し、
   前記配線は、第１の吐出工程により吐出された複数の第１の液滴と、第２の吐出工程により前記複数の第１の液滴の間に吐出された複数の第２の液滴とにより形成され、
   前記複数の第１の液滴のそれぞれの中心は、第１の線上にあり、
   前記複数の第２の液滴のそれぞれの中心は、前記第１の線と一定の間隔を有する第２の線上にあることを特徴とする半導体装置。
2. ゲート電極層と、ゲート絶縁層と、半導体層と、ソース電極層と、ドレイン電極層とを有し、
   前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層は、不均一な線幅を有する配線を有し、
   前記配線は、第１の吐出工程により吐出された複数の第１の液滴と、第２の吐出工程により前記複数の第１の液滴の間に吐出された複数の第２の液滴とにより形成され、
   前記複数の第１の液滴のそれぞれの中心は、第１の線上にあり、
   前記複数の第２の液滴のそれぞれの中心は、前記第１の線と一定の間隔を有する第２の線上にあることを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１又は請求項２において、
   前記配線の側端部は、蛇行していることを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１又は請求項２において、
   前記配線の側端部は、連続した波形形状を有することを特徴とする半導体装置。
5. 不均一な線幅を有する第１の配線、及び不均一な線幅を有する第２の配線を有し、
   前記第１の配線は、第１の吐出工程により吐出された複数の第１の液滴と、第２の吐出工程により前記複数の第１の液滴の間に吐出された複数の第２の液滴とにより形成され、
   前記第２の配線は、前記第１の吐出工程により吐出された複数の第３の液滴と、前記第２の吐出工程により前記複数の第３の液滴間に吐出された複数の第４の液滴とにより形成され、
   前記複数の第１の液滴のそれぞれの中心は、第１の線上にあり、且つ前記複数の第２の液滴のそれぞれの中心は、前記第１の線と一定の間隔を有する第２の線上にあるため、前記第１の配線の側端部は凸部を有し、
   前記複数の第３の液滴のそれぞれの中心は、前記第１の線と平行な第３の線上にあり、且つ前記複数の第４の液滴のそれぞれの中心は、前記第３の線と一定の間隔を有する第４の線上にあるため、前記第２の配線の側端部は凸部を有し、
   前記第１の配線の前記凸部と、前記第２の配線の前記第１の配線側の側端部に設けられた前記凸部とはずれて配置されることを特徴とする半導体装置。
6. ゲート電極層と、ゲート絶縁層と、半導体層と、ソース電極層と、ドレイン電極層とを有し、
   前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層は、不均一な線幅を有する第１の配線、及び不均一な線幅を有する第２の配線のいずれかを有し、
   前記第１の配線は、第１の吐出工程により吐出された複数の第１の液滴と、第２の吐出工程により前記複数の第１の液滴の間に吐出された複数の第２の液滴とにより形成され、
   前記第２の配線は、前記第１の吐出工程により吐出された複数の第３の液滴と、前記第２の吐出工程により前記複数の第３の液滴間に吐出された複数の第４の液滴とにより形成され、
   前記複数の第１の液滴のそれぞれの中心は、第１の線上にあり、且つ前記複数の第２の液滴のそれぞれの中心は、前記第１の線と一定の間隔を有する第２の線上にあるため、前記第１の配線の側端部は凸部を有し、
   前記複数の第３の液滴のそれぞれの中心は、前記第１の線と平行な第３の線上にあり、且つ前記複数の第４の液滴のそれぞれの中心は、前記第３の線と一定の間隔を有する第４の線上にあるため、前記第２の配線の側端部は凸部を有し、
   前記第１の配線の前記凸部と、前記第２の配線の前記第１の配線側の側端部に設けられた前記凸部とはずれて配置されることを特徴とする半導体装置。
7. 請求項５又は請求項６において、
   前記第１及び第２の配線のそれぞれの側端部は、蛇行していることを特徴とする半導体装置。
8. 請求項５又は請求項６において、
   前記第１及び第２の配線のそれぞれの側端部は、連続した波形形状を有することを特徴とする半導体装置。