JP5553189B2 - 素子用電極およびその製造方法と、該素子用電極を備えた電子デバイス - Google Patents
素子用電極およびその製造方法と、該素子用電極を備えた電子デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP5553189B2 JP5553189B2 JP2008101304A JP2008101304A JP5553189B2 JP 5553189 B2 JP5553189 B2 JP 5553189B2 JP 2008101304 A JP2008101304 A JP 2008101304A JP 2008101304 A JP2008101304 A JP 2008101304A JP 5553189 B2 JP5553189 B2 JP 5553189B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- substrate
- electronic device
- conductive
- ink
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
しかしながら、作製した電極の仕事関数を調節するという試みは殆どなされていない。さらに、真空プロセスでは、大面積の電極形成に向かず、製造コストが高いことが問題になっている。また、金属ナノ粒子を用いた導電性ペーストは未だ高価であるため、印刷法などの大量生産プロセスに適応することが困難である。
また、仕事関数を簡便に調製することが可能でかつ低コスト化を図った素子用電極の製造方法を提供することを第二の目的とする。
本発明の素子用電極の製造方法によれば、導電性フィラーのバインダー樹脂中における混合比を変えることにより、簡便に再現性よく、作製する電極の仕事関数を任意に調整することができる。また、低エネルギー製造プロセスを適応できるため、低環境負荷な素子用電極や、該素子用電極を備えた電子デバイスを低コストで作製することができる。
本発明の素子用電極10は、基板1と、基板1の一面1aに配された導電部5とから概略構成されている。また、導電部5は、バインダー樹脂2と、バインダー樹脂2中に粒子状に分散され、異なる仕事関数を有した2以上の導電性フィラー3,4とからなる。
また、第一導電性フィラー3と第二導電性フィラー4のサイズ、粒径は特に限定されるものではないが、微細塗布パターンに適応する場合10μm以下の粒径が好適である。
まず、図2(a)に示すように基板1を準備すると共に、バインダー樹脂2中に導電性フィラー3,4を分散させた導電性ペースト(導電部5)を作製する。
導電性ペーストを基板1の一面1aに配する方法としては、凸版印刷法、凹版印刷法、平版印刷法、グラビア印刷法、オフセット印刷法、スクリーン印刷法、インクジェット法、ディスペンシング法、ドクターブレード法、スピンコート法、キャスティング法、ディップコート法などが挙げられる。
加圧ヘッド25が導電部5と接する面25aの形状は特に限定されるものではないが、平面状、球面状、曲面状、線状、点状のものが好適に用いられる。
また、加圧ヘッド25の材質も特に限定されるものではないが、一般的に好適には、ゴム、プラスチック、テフロン(登録商標)、鉄、ステンレス、アルミニウム、銅等が用いられる。
図3に示すダイオード30は、下部電極10、下部電極10に対向して配された上部電極35、および上部電極10と下部電極35との間に配された半導体層36、から概略構成されている。このダイオードにおいて、下部電極に本発明の素子用電極10を適用することができる。また、上部電極35としては、本発明の素子用電極10のうち、導電部5の部分を適用することができる。さらに、下部電極10と半導体層36との間、または上部電極35(5)と半導体層36との間にショットキー型のエネルギー障壁が形成されるように、導電部5中に配された導電性フィラーの混合状態が適宜調節される。
アントラセン、テトラセン、ペンタセン、またはその末端が置換されたこれらの誘導体。α−セクシチオフェン。ペリレンテトラカルボン酸二無水物(PTCDA)およびその末端が置換された誘導体。ナフタレンテトラカルボン酸二無水物(NTCDA)およびその末端が置換された誘導体。銅フタロシアニンおよびその末端がフッ素などで置換された誘導体。中心金属がニッケル、酸化チタン、またはフッ素化アルミニウム等のフタロシアニン系材料。フラーレン、ルブレン、コロネン、アントラジチオフェン、およびそれらの末端が置換された誘導体。ポリフェニレンビニレン、ポリチオフェン、ポリフルオレン、ポリフェニレン、ポリアセチレン、およびこれらの末端もしくは側鎖が置換された誘導体のポリマー。
図4に示す薄膜電池40は、下部電極10、下部電極10に対向して配された上部電極45(5)、および上部電極45(5)と下部電極10との間に配された電解質層46、から概略構成されている。この薄膜電池40において、下部電極10に本発明の素子用電極10を適用することができる。また、上部電極45としては、本発明の素子用電極10のうち、導電部5の部分を適用することができる。
図5に示す薄膜トランジスタ50は、基板1と、基板1の一面1aのうち、所定の位置にのみ配されたゲート電極5と、基板1の一面1aにあって、ゲート電極5を覆うように配されたゲート絶縁膜59と、ゲート絶縁膜59上に配された半導体層56と、半導体層56上の一端側と他端側にそれぞれ配されたドレイン電極57とゲート電極58とから概略構成されている。この薄膜トランジスタ50において、基板1とゲート電極5とからなる電極に、本発明の素子用電極10(基板1と導電部5)を適用することができる。
また、出力電流を効率よく取り出すためにドレイン電極57とソース電極58の電極間距離は小さいほうが望ましいが、塗布パターニング法の分解能に限界があるため、1μmから1000μmが望ましい。
アントラセン、テトラセン、ペンタセン、またはその末端が置換されたこれらの誘導体。α−セクシチオフェン。ペリレンテトラカルボン酸二無水物(PTCDA)およびその末端が置換された誘導体。ナフタレンテトラカルボン酸二無水物(NTCDA)およびその末端が置換された誘導体。銅フタロシアニンおよびその末端がフッ素などで置換された誘導体。中心金属がニッケル、酸化チタン、またはフッ素化アルミニウムなどのフタロシアニン系材料。フラーレン、ルブレン、コロネン、アントラジチオフェンおよびそれらの末端が置換された誘導体。ポリフェニレンビニレン、ポリチオフェン、ポリフルオレン、ポリフェニレン、ポリアセチレンおよびこれらの末端もしくは側鎖が置換された誘導体のポリマー。
ゲート絶縁膜59の厚さは、低電圧駆動を実現するために薄いほうが望ましいが、絶縁性を保つ程度の厚さが必要であるため、0.1μmから10μmが望ましい。
基板としてポリエチレンテレフタレート(PET:東レ社製 両面易接着処理ルミラー(商標登録))を用い、その上にAgインク(Acheson社製 PM−406)に亜鉛粒子(シグマ・アルドリッチ社製 粒径10μm以下)を重量比でそれぞれ20wt%、30wt%、40wt%分散した導電部を塗布して形成し、1cm×1cmのサイズで厚さが約10μmの図1に示す素子用電極を作製した。塗布した導電部に対して、ローラプレス機を用いて加圧処理を行い、表面を平滑化および活性化し、これを実施例1とした。
この実施例1の素子用電極について、大気下で振動容量型仕事関数測定装置(理研計器 FAC−1)により仕事関数測定を行った。その結果を、図6に示す。なお、図6のグラフにおいて、横軸はAgインク内のZn濃度、縦軸は仕事関数を表している。
図7に示すように、大気下光電子分光装置を用いても図6に示した振動容量型仕事関数測定装置の際と同様の傾向が観察された。
実施例1と同様にして、PET基板上にAgインクのみを塗布して作製した1cm×1cmのサイズで厚さが約10μmの下部電極と、PET基板上にAgインクに40wt%の亜鉛粒子を分散したインクを塗布して作成した1cm×1cmのサイズで厚さが約10μmの上部電極とをそれぞれ用意した。これらの上部電極と下部電極で、飽和食塩水をしみこませた濾紙を挟み込み、図4に示した薄膜電池を作製した。これを実施例2とした。
この薄膜電池を、デジタルマルチメータ(三和電気計器株式会社製 PC500)により起電力と初期電流を測定した。その結果、それぞれ0.12Vと10mAという値を得た。
実施例1と同様にして、PET基板上にAgインクのみを塗布して作製した1cm×1cmのサイズで厚さが約10μmの塗布Ag電極上に導電性高分子(ポリ−3−ヘキシルチオフェン(P3HT))の1wt%トルエン溶液を塗布し80℃で30分間乾燥させ、5μmの厚さの半導体層を作製した。その半導体層の上に、Agインクに亜鉛粒子を40wt%添加したインクを塗布し80℃で乾燥させ塗布Ag+Zn電極とし、図3に示したダイオードを作製した。これを実施例3とした。
この実施例3のダイオードに関して、ソースメーター(Keithley社製 2400)とプローバー(株式会社メジャージグ社製 MJ−10)を組み合わせて電流−電圧特性を測定した。その結果を、図8に示す。なお、図8のグラフにおいて、横軸は電圧、縦軸は電流を表している。
図8に示すように、実施例3で作製したダイオードにおいて、整流性が観察された。
実施例1同様にして、PET基板上にAgインクに亜鉛粒子を40wt%添加したインクを塗布して作製した1cm×1cmのサイズで厚さが約10μmの塗布Ag+Zn電極上に、導電性高分子(ポリ−3−ヘキシルチオフェン(P3HT))の1wt%トルエン溶液を塗布し80℃で30分間乾燥させ、5μmの厚さの半導体層を作製した。その半導体層の上に、Agインクのみを塗布し80℃で乾燥させ塗布Ag電極とし、図3に示したダイオード素子を作製した。これを実施例4とした。この実施例4のダイオードの電流電圧特性を実施例3と同等に測定した。その結果を図9に示す。なお、図9のグラフにおいて、横軸は電圧、縦軸は電流を表している。
図9に示すように、実施例3のダイオードと逆の整流性が観察され、塗布Ag電極と塗布Ag+Zn電極を入れ替えることにより整流性が反転するため塗布Ag+Zn電極と半導体層との間にショットキー障壁が形成されていることが示された。
Claims (7)
- 基板と、前記基板の一面に配された導電部とからなる素子用電極であって、
前記導電部は、Agインクに亜鉛粒子を分散してなり、前記Agインク内のZn濃度は、20〜40wt%であり、仕事関数が4.5〜4.7eVであることを特徴とする素子用電極。 - 前記基板は、可撓性を有していることを特徴とする請求項1に記載の素子用電極。
- 基板と、前記基板の一面に配された導電部とからなり、前記導電部は、Agインクに亜鉛粒子を分散してなる素子用電極の製造方法であって、
前記Agインク内のZn濃度が20〜40wt%となるように、前記Agインク中に亜鉛粒子を分散させて導電部を形成する工程、
前記導電部を前記基板の一面に塗布する工程、
および前記導電部を加圧処理する工程、とを少なくとも有し、
前記素子用電極の仕事関数を4.5〜4.7eVとすることを特徴とする素子用電極の製造方法。 - 請求項1または2に記載の素子用電極を備えたことを特徴とする電子デバイス。
- 前記電子デバイスがダイオード又は発光ダイオードであることを特徴とする請求項4に記載の電子デバイス。
- 前記電子デバイスが薄膜電池であることを特徴とする請求項4に記載の電子デバイス。
- 前記電子デバイスが薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項4に記載の電子デバイス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008101304A JP5553189B2 (ja) | 2008-04-09 | 2008-04-09 | 素子用電極およびその製造方法と、該素子用電極を備えた電子デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008101304A JP5553189B2 (ja) | 2008-04-09 | 2008-04-09 | 素子用電極およびその製造方法と、該素子用電極を備えた電子デバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009253141A JP2009253141A (ja) | 2009-10-29 |
JP5553189B2 true JP5553189B2 (ja) | 2014-07-16 |
Family
ID=41313534
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008101304A Expired - Fee Related JP5553189B2 (ja) | 2008-04-09 | 2008-04-09 | 素子用電極およびその製造方法と、該素子用電極を備えた電子デバイス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5553189B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101189081B1 (ko) | 2010-12-16 | 2012-10-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 웨이퍼 기판 접합 구조, 이를 포함하는 발광 소자 및 그 제조 방법 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01156565U (ja) * | 1988-04-19 | 1989-10-27 | ||
JP4118459B2 (ja) * | 1999-07-09 | 2008-07-16 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | ショットキーバリアダイオード |
JP4105453B2 (ja) * | 2002-03-06 | 2008-06-25 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置の製造方法、ショットキーバリアダイオードの製造方法及び絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの製造方法並びに半導体装置 |
JP5171003B2 (ja) * | 2005-01-28 | 2013-03-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP5036241B2 (ja) * | 2005-07-27 | 2012-09-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
-
2008
- 2008-04-09 JP JP2008101304A patent/JP5553189B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009253141A (ja) | 2009-10-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Matsuhisa et al. | High-frequency and intrinsically stretchable polymer diodes | |
KR100973018B1 (ko) | 광기전력 소자 및 광기전력 소자의 제조 방법 | |
JP5382763B2 (ja) | 半導体素子及びその製造方法と、該半導体素子を備えた電子デバイス | |
US9520572B2 (en) | Electronic device and method of manufacturing semiconductor device | |
Nawrocki | Super‐and ultrathin organic field‐effect transistors: From flexibility to super‐and ultraflexibility | |
US20120298174A1 (en) | Organic thin film solar cell | |
Wang et al. | Directly patterning conductive polymer electrodes on organic semiconductor via in situ polymerization in microchannels for high-performance organic transistors | |
JP2008258608A (ja) | 両極性トランジスタ設計 | |
Liu et al. | Flexible integrated diode-transistor logic (DTL) driving circuits based on printed carbon nanotube thin film transistors with low operation voltage | |
Sekine et al. | Improvement of mechanical durability on organic TFT with printed electrodes prepared from nanoparticle ink | |
Lai et al. | Combining inkjet printing and chemical vapor deposition for fabricating low voltage, organic field-effect transistors on flexible substrates | |
US10121981B2 (en) | Field effect transistor and method for production thereof | |
Kim et al. | Tuning the work function of printed polymer electrodes by introducing a fluorinated polymer to enhance the operational stability in bottom-contact organic field-effect transistors | |
JP2009246342A (ja) | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置 | |
CN102779949A (zh) | 薄膜元件组装体 | |
KR101811099B1 (ko) | 유기 전자 장치의 제조 방법 및 유기 전자 장치 | |
Bhatt et al. | Metal-free fully solution-processable flexible electrolyte-gated carbon nanotube field effect transistor | |
JP2007273594A (ja) | 電界効果トランジスタ | |
JP5553189B2 (ja) | 素子用電極およびその製造方法と、該素子用電極を備えた電子デバイス | |
JP6226262B2 (ja) | フレキシブル配線基板の実装構造及びその製造方法 | |
Han et al. | Enhanced Stability of All Solution-Processed Organic Thin-Film Transistors Using Highly Conductive Modified Polymer Electrodes | |
Graddage | Components and devices | |
Tong et al. | Intrinsically-Stretchable, Transparent Thin Film Transistors | |
Ohsawa et al. | Electromechanical Reliability of Flexible Transparent Electrode of Gravure Offset Printed Invisible Silver-Grid Laminated with Conductive Polymer | |
Sarkar et al. | Inkjet Printed PEDOT: PSS-based Source/Drain Electrodes for Organic Thin Film Transistors |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110406 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20110406 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20110407 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110415 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110523 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130524 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130604 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130805 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20130806 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130903 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20131101 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131101 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140507 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140515 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5553189 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |