JP2007059431A - 半導体装置の製造方法及びレーザ加工装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板であるウェハ25内に、リン等のn型不純物やボロン等のp型不純物を導入する。そして、ウェハ25に対してその裏面25a側から入射レーザ光6を照射し、それによってウェハ25内の不純物を活性化する。入射レーザ光6は、ウェハ25に対する照射タイミングを互いにずらして重畳された複数のパルスレーザ光1,2から成る。このような入射レーザ光6を使用して不純物の活性化を行うことによって、ウェハ25の溶融を抑制しつつ、当該ウェハ25に対して長時間レーザ光を照射することができる。その結果、半導体装置の性能が向上する。
【選択図】図1
Description
Claims (7)
- (a)第1の主面と、当該第1の主面とは反対側に位置する第2の主面とを有する半導体基板内に不純物を導入する工程と、
(b)前記半導体基板にレーザ光を照射することによって前記不純物を活性化する工程と
を備え、
前記レーザ光は、前記半導体基板に対する照射タイミングを互いにずらして重畳された複数のパルスレーザ光から成る、半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の半導体装置の製造方法であって、
時間経過に伴う前記レーザ光の強度変化を示す波形は、第1強度ピーク値と、当該第1強度ピーク値よりも時間的に後にピークとなり、かつ当該第1ピーク値以上である第2強度ピーク値とを含む、半導体装置の製造方法。 - 請求項1及び請求項2のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法であって、
(c)前記工程(b)の前に、前記半導体基板の前記第1の主面に所定の構造を形成する工程を更に備え、
前記工程(b)では、前記第2の主面側から前記半導体基板に前記レーザ光が照射され、
前記複数のパルスレーザ光のそれぞれの波長は、400nm以上600nm未満である、半導体装置の製造方法。 - 請求項3に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記複数のパルスレーザ光のそれぞれは、Nd:YAGレーザの第2高調波、Nd:YLFレーザの第2高調波及びNd:YVO4レーザの第2高調波のいずれかである、半導体装置の製造方法。 - (a)第1の主面と、当該第1の主面とは反対側に位置する第2の主面とを有する半導体基板内に前記第2の主面側から第1不純物を導入する工程と、
(b)前記半導体基板にレーザ光を照射することによって前記第1不純物を活性化する工程と、
(c)前記工程(b)の後に、前記第2の主面側から前記第1不純物よりも浅く第2不純物を前記半導体基板内に導入する工程と、
(d)前記半導体基板にレーザ光を照射することによって前記第2不純物を活性化する工程と
を備える、半導体装置の製造方法。 - レーザ光を出力するレーザ発振器と、
加工対象物における照射対象面に前記レーザ光を照射する光学系と
を備え、
前記光学系を通過した前記レーザ光は、前記照射対象面に対して斜め方向から入射する、レーザ加工装置。 - レーザ光を出力するレーザ発振器と、
加工対象物における照射対象面に前記レーザ光を照射する光学系と、
前記レーザ発振器の出力端から前記照射対象面までの光軸上に設けられ、前記レーザ光が通過する通過孔を有する光遮蔽部材と
を備える、レーザ加工装置。
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