JP2007058325A - カレントミラー回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】 カレントミラー回路では、トランジスタ18、17…13に流れる各コレクタ電流のバラツキを抑制する。
【解決手段】 パワーMOSFET10から放熱されて、トランジスタ18〜13には温度勾配が形成されるものの、抵抗素子30〜36の共通接続端子40〜45からトランジスタ18〜13に分圧電圧40〜V45が入力される。トランジスタ18〜13のベース−エミッタ間の電圧には各コレクタ電流のバラツキを抑制するように電圧勾配が形成されている。
【選択図】 図1
【解決手段】 パワーMOSFET10から放熱されて、トランジスタ18〜13には温度勾配が形成されるものの、抵抗素子30〜36の共通接続端子40〜45からトランジスタ18〜13に分圧電圧40〜V45が入力される。トランジスタ18〜13のベース−エミッタ間の電圧には各コレクタ電流のバラツキを抑制するように電圧勾配が形成されている。
【選択図】 図1
Description
本発明は、カレントミラー回路に関する。
従来、半導体集積回路においては、一般的に、基準電流に対する所望比率の電流を流すためのカレントミラー回路が用いられる。例えば、カレントミラー回路では、図5に示すように、トランジスタ11に基準電流Irefが供給されると、トランジスタ12〜17のそれぞれに基準電流Irefと同一電流がコレクタ電流として流れるように構成されている。
このものにおいては、トランジスタ12〜17の温度のバラツキが生じると、トランジスタ12〜17に流れるコレクタ電流の電流値にバラツキが生じるため、所望比率の電流を各コレクタ電流の総和として流すことができなくなる。このため、カレントミラー回路の近くに、トランジスタ12〜17の温度のバラツキを生じさせる、発熱量の大きなデバイスを配置しないようにすることが必要となっている。
しかし、近年、半導体集積回路の高集積化が進み、カレントミラー回路であっても、その近くに発熱量の大きなパワーMOSFETを配置することが必要となっているため、本発明者は、カレントミラー回路の近くにパワーMOSFETを配置することを検討したところ、次のようなことが分かった。
一般的に、パワーMOSFETにおいては中心部に近づくほど温度が高くなり、端部に近づくほど温度が低くなる。このため、図6に示すように、トランジスタ11〜17を順次、パワーMOSFET10の端部10a側から中心部10b側に向けて一列(図6中X方向)に並べると、パワーMOSFET10からの熱により、トランジスタ11〜17には、図7に示すように、トランジスタ11側からトランジスタ17に向かうほど温度が高くなる温度勾配が形成されることになる。
このようにトランジスタ11〜17に温度勾配が形成されると、トランジスタ11〜17のベース−エミッタ間の電圧Vbeにおいても、図8に示すように、
トランジスタ11側からトランジスタ17に向かうほど電圧が低くなる勾配が生じる。これに伴って、トランジスタ12〜17のそれぞれに流れるコレクタ電流値にバラツキが生じる。
トランジスタ11側からトランジスタ17に向かうほど電圧が低くなる勾配が生じる。これに伴って、トランジスタ12〜17のそれぞれに流れるコレクタ電流値にバラツキが生じる。
これに対して、図9に示すように、トランジスタ11をトランジスタ12〜17の中間部に配置して、トランジスタ11〜17の温度のバラツキを小さくして、トランジスタ12〜17のベース−エミッタ間の電圧Vbeのバラツキ、ひいては各コレクタ電流のバラツキを小さくするようにしたものが考えられる。しかし、パワーMOSFET10の動作状態によっては、パワーMOSFET10から発生する熱量が変化するので、トランジスタ11〜17の各電圧Vbe、および各コレクタ電流の値が変化することになる。
本発明は、上記点に鑑み、熱源から発生する熱量の変動に関わらず、各トランジスタに流れる各コレクタ電流のバラツキを抑制するようにしたカレントミラー回路を提供することを目的とする。
本発明は、前記第1のトランジスタのベース−エミッタ間の電圧と前記基準用トランジスタのベース−エミッタ間の電圧との電圧差に基づいて、前記第2〜第nのトランジスタの各ベース端子に制御電圧をそれぞれ出力して、前記第2〜第nのトランジスタの前記温度勾配に基づくコレクタ電流のバラツキを抑制する制御回路(30〜36)を備えることを特徴とする。
したがって、熱源から発生する熱量が変動して、第2〜第nのトランジスタの温度勾配が変化しても、第2〜第nのトランジスタに流れる各コレクタ電流のバラツキを抑制することができる。
図1に、本発明に係るカレントミラー回路の一実施形態の回路構成を示す。
カレントミラー回路は、図1に示すように、トランジスタ11、12、13、…18および抵抗素子30、31…36を備えている。なお、上記した従来技術と同一部分には、同一符号を付して説明を簡素化する。
本実施形態では、トランジスタ11は、ベース端子およびコレクタ端子が接続された状態で、定電流源20aから一定の基準電流Irefが供給される。定電流源20aは、基準電流Iref以外に、後述する抵抗素子30、31…36にも一定の電流Δiを供給する。
トランジスタ12は、ベース端子およびコレクタ端子が接続された状態で、定電流源20およびグランドの間に配置されている。電流源20は、一定の基準電流Irefをトランジスタ12に供給する。
トランジスタ13〜18は、定電圧電源20bおよびグランドの間で並列に接続されており、トランジスタ13〜18には、後述するように、基準電流Irefに応じた電流がコレクタ電流として流れる。
なお、本実施形態のトランジスタ11、12、13、…18としては、同一特性のバイポーラトランジスタが用いられる。
抵抗素子30、31…36は、それぞれ同一抵抗値を有しており、トランジスタ11のコレクタ端子およびトランジスタ12のコレクタ端子の間で直列に接続されている。抵抗素子30、31…36の各共通接続端子40〜44からトランジスタ13、…18の各ベース端子に制御電圧がそれぞれ出力される。なお、抵抗素子30、31…36は、請求項に記載の制御回路を構成している。
次に、カレントミラー回路を構成するトランジスタ11〜18の配置について図2を参照して説明する。
トランジスタ11〜18は、パワーMOSFET10に隣接して配置されており、トランジスタ11〜18は、パワーMOSFET10の端部10a側から中心部10b側に向け、トランジスタ11、18、17、16、15、14、…12の順に一列に並べられている。
ここで、パワーMOSFET10は、端部10a側に向かうほど温度が低くなり、中心部10b側に向かうほど温度が高くなる。このため、トランジスタ11、18、17…12は、パワーMOSFET10からの放熱により、トランジスタ11、18、17…12の各温度T(11)、T(18)、T(17)…、T(12)は、T(11)<T(18)<T(17)<T(16)<T(15)<T(14)<T(13)<T(12)の関係を有している。
さらに、トランジスタ18、17、16、15、14、13は、隣に並べられる2つのトランジスタの温度差がそれぞれ同一値になるように配置されている。例えば、温度T(18)、T(17)の温度差と、温度T(17)、T(16)の温度差とが同一温度になっている。
次に、本実施形態のカレントミラー回路の動作について説明する。
まず、トランジスタ11には、定電流源20aから一定の基準電流Irefが流れ、トランジスタ11のベース端子(コレクタ端子)には、ベース−エミッタ間の電圧Vbe11が発生する。
また、トランジスタ12には、定電流源20から一定の基準電流Irefが流れ、トランジスタ12のベース端子(コレクタ端子)には、ベース−エミッタ間の電圧Vbe12が発生する。
ここで、上述のように、パワーMOSFET10からの放熱により、トランジスタ12の温度T(12)は、トランジスタ11の温度T(11)に比べて高くなっている{T(11)<T(12)}。
そして、トランジスタ11、12は、コレクタ電流が一定値Irefである場合には、T(11)<T(12)の関係を有すると、図3に示すように、ベース−エミッタ間の電圧Vbe11がVbe12に比べて高くなる(Vbe11>Vbe12)。
すなわち、トランジスタ11のベース端子とトランジスタ12のベース端子との間には、電圧差ΔV(=Vbe12−Vbe11)が生じることになる。そして、電圧差ΔV(=Vbe12−Vbe11)が抵抗素子30、31…35によって7等分に分圧される。
これに伴い、抵抗素子30、31の共通接続端子40からトランジスタ18のベース端子に分圧電圧V40{=(6・ΔV)/7}が出力され、抵抗素子31、32の共通接続端子41からトランジスタ17のベース端子に分圧電圧V41{=(5・ΔV)/7}が出力される。抵抗素子32、33の共通接続端子42からトランジスタ16のベース端子に分圧電圧V42{=(4・ΔV)/7}が出力される。抵抗素子33、34の共通接続端子43からトランジスタ15のベース端子に分圧電圧V43{=(3・ΔV)/7}が出力される。抵抗素子34、35の共通接続端子44からトランジスタ14のベース端子に分圧電圧V44{=(2・ΔV)/7}が出力され、抵抗素子35、36の共通接続端子45からトランジスタ13のベース端子に分圧電圧45{=(1・ΔV)/7}が出力される。
このように共通接続端子40〜45からトランジスタ18〜13に出力される分圧電圧は、V40<V41<V42<V43<V44<V45といった関係を有している。さらに、トランジスタ18〜13は、隣に並べられる二つのトランジスタのうち一方に出力される分圧電圧と他方のトランジスタに出力される分圧電圧との電圧差がそれぞれ同一値になっている。例えば、V40およびV41の電圧差と、V41およびV42の電圧差とは、同一値になっている。
また、トランジスタ18、17…13は、上述のごとく、パワーMOSFET10から放熱されて、T(18)<T(17)<T(16)<T(15)<T(14)<T(13)の関係を有し、かつ隣に並べられる2つのトランジスタの温度差がそれぞれ同一値になっている。
ここで、仮に、トランジスタ18、17…13のそれぞれのベース−エミッタ間に同一電圧が加えられていれば、トランジスタ18、17…13のそれぞれのコレクタ電流IC18、1C17…IC13において、IC18>1C17>1C16>1C15>1C14>IC13という関係を有することになる。
これに対して、上述のようにトランジスタ18、17…13に温度勾配が形成されていても、トランジスタ18〜13には分圧電圧40〜V45が共通接続端子40〜45から入力される。
したがって、トランジスタ18、17…13のベース−エミッタ間の電圧Vbe18…Vbe13において、図4に示すように、Vbe18<Vbe17<Vbe16<Vbe15<Vbe14<Vbe13となる電圧勾配が形成されるので、トランジスタ18、17…13に流れるコレクタ電流Iref’のバラツキを抑制することができる。
また、パワーMOSFET10の動作状態によって、パワーMOSFET10の中心部10b側温度と端部10a側温度との差が大きくなると、トランジスタ18、17…13の温度勾配も大きくなるものの、トランジスタ11とトランジスタ12との間の電圧差ΔVも大きくなり、共通接続端子40〜45からトランジスタ18〜13に出力される分圧電圧V40、V41…V45の勾配も大きくなる。したがって、トランジスタ18、17…13の温度勾配が大きくなっても、トランジスタ18、17…13に流れるコレクタ電流Iref’のバラツキを抑制することができる。
以上により、パワーMOSFET10から発生する熱量の変動に関わらず、トランジスタ18、17…13に流れるコレクタ電流Iref’のバラツキを抑制することができる。したがって、トランジスタ18、17…13に流れる各コレクタ電流Iref’を、トランジスタ11(12)に流れる基準電流Irefに近づけることができる。このため、トランジスタ18、17…13に流れる各コレクタ電流Iref’の総和(Iref’×6)を基準電流Irefに対する所望比率(1:6)の電流値(Iref×6)に近づけることができる。
(その他の実施形態)
上述の実施形態では、トランジスタ11〜18としては、バイポーラトランジスタを用いた例について説明したが、これに限らず、電界効果型トランジスタなどの各種のトランジスタを用いても良い。
上述の実施形態では、熱源として、パワーMOSFET10を用いた例を示したが、これに限らず、他のデバイスを用いても良い。
上述の実施形態では、トランジスタ11〜18としては、バイポーラトランジスタを用いた例について説明したが、これに限らず、電界効果型トランジスタなどの各種のトランジスタを用いても良い。
上述の実施形態では、熱源として、パワーMOSFET10を用いた例を示したが、これに限らず、他のデバイスを用いても良い。
11〜18…トランジスタ、30〜35…抵抗素子。
Claims (3)
- 第1のトランジスタ(11)と、この第1のトランジスタとカレントミラー接続された第2〜第n(nは3以上の整数)のトランジスタ(13〜18)とを備え、前記第1のトランジスタに基準電流が流れると、前記基準電流に応じた電流が第2〜第nのトランジスタのそれぞれに流れるように構成されるカレントミラー回路であって、
前記基準電流が流れ、温度によってベース−エミッタ間の電圧が変化する基準用トランジスタ(12)を備えており、
前記第1〜第nのトランジスタおよび前記基準用トランジスタは、所定方向(X)に並べられて、かつ前記第1のトランジスタと前記基準用トランジスタとの間に前記第2〜第nのトランジスタが配置されており、
また前記第1〜第nのトランジスタおよび前記基準用トランジスタには、熱源(10)からの放熱により前記所定方向に向けて温度勾配が形成されるようになっており、
前記第1のトランジスタのベース−エミッタ間の電圧は、温度により変化するようになっており、
前記第1のトランジスタのベース−エミッタ間の電圧と前記基準用トランジスタのベース−エミッタ間の電圧との電圧差に基づいて、前記第2〜第nのトランジスタの各ベース端子に制御電圧をそれぞれ出力して、前記第2〜第nのトランジスタの前記温度勾配に基づくコレクタ電流のバラツキを抑制する制御回路(30〜36)を備えることを特徴とするカレントミラー回路。 - 前記第2〜第nのトランジスタは、隣に並べられる二つのトランジスタの温度差がそれぞれ同一温度になるように配置されており、
前記制御回路から出力される各制御電圧は、前記隣に並べられる二つのトランジスタのうち一方に出力される前記制御電圧と他方のトランジスタに出力される前記制御電圧との電圧差がそれぞれ同一値になるように設定されていることを特徴とする請求項1に記載のカレントミラー回路。 - 前記制御回路は、前記n個の同一抵抗値の抵抗素子(30〜36)を備え、前記n個の抵抗素子は、前記第1のトランジスタのベース端子と前記基準用トランジスタのベース端子との間に、直列接続されており、
前記n個の抵抗素子の各共通接続端子(40〜45)から前記第2〜第nのトランジスタに向けてそれぞれの前記制御電圧が出力されるようになっていることを特徴とする請求項2に記載のカレントミラー回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005240099A JP2007058325A (ja) | 2005-08-22 | 2005-08-22 | カレントミラー回路 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
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JP2007058325A true JP2007058325A (ja) | 2007-03-08 |
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JP2005240099A Withdrawn JP2007058325A (ja) | 2005-08-22 | 2005-08-22 | カレントミラー回路 |
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2005
- 2005-08-22 JP JP2005240099A patent/JP2007058325A/ja not_active Withdrawn
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