JP2007049163A - 表面粗部を減らした窓を有する研磨パッド - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体基材のケミカルメカニカルプラナリゼーションにおける研磨の終点を光学的に検知するために用いられる研磨パッドにおいて、より高い光透過性及びより低い光散乱性を有する窓部を有する研磨パッドを提供する。
【解決手段】研磨パッド100は、中に形成された開口部18を有する研磨パッド本体11と、被研磨体である半導体基材の光学計測を研磨中に実施するための、開口部中に固定された窓30を含む。窓30は、そこに入射する光を透過させることができる下面を有する。下面は、下面に存在する表面粗部を除去するためにレーザアブレーションによって処理されている。
【選択図】図2
【解決手段】研磨パッド100は、中に形成された開口部18を有する研磨パッド本体11と、被研磨体である半導体基材の光学計測を研磨中に実施するための、開口部中に固定された窓30を含む。窓30は、そこに入射する光を透過させることができる下面を有する。下面は、下面に存在する表面粗部を除去するためにレーザアブレーションによって処理されている。
【選択図】図2
Description
本発明は、ケミカルメカニカルプラナリゼーション(CMP)に使用される研磨パッドに関し、特に、光学終点検出を実施するために中に形成された窓を有するようなパッドに関する。
集積回路及び他の電子デバイスの製造においては、導体、半導体及び絶縁材料の多数の層を半導体ウェーハの表面に付着させたり同表面から除去したりする。導体、半導体及び絶縁材料の薄い層は、多様な付着技法によって付着させることができる。最新の加工における一般的な付着技法としては、スパッタリングとも知られる物理蒸着法(PVD)、化学蒸着法(CVD)、プラズマ増強化学蒸着法(PECVD)及び電気化学的めっき法(ECP)がある。
材料層が順次付着され、除去されるにつれ、基材の一番上の表面が至るところで非平面的になり、プラナリゼーションを要することがある。表面を平坦化する、又は表面を「研磨する」とは、ウェーハ表面から材料を除去してほぼ平坦な平面を形成する加工である。プラナリゼーションは、望ましくない表面トポグラフィーならびに表面欠陥、たとえば粗面、凝集した材料、結晶格子の損傷、スクラッチ及び汚染された層もしくは材料を除去するのに有用である。プラナリゼーションはまた、フィーチャを埋めるために使用された過剰な付着材料を除去することによって基材上にフィーチャを形成し、後続レベルのメタライゼーション及び加工のための平坦面を設ける際にも有用である。
ケミカルメカニカルプラナリゼーション、又はケミカルメカニカルポリッシング(CMP)は、半導体ウェーハのような基材を平坦化するために使用される一般的な技法である。従来のCMPでは、ウェーハキャリヤ又は研磨ヘッドがキャリヤアセンブリに取り付けられ、CMP装置中で研磨パッドと接する位置に配される。キャリヤアセンブリは、制御可能な圧力を基材に供給して、ウェーハを研磨パッドに当てながら付勢する。パッドは、外部駆動力によって基材に対して動かされる(たとえば回転させられる)。それと同時に、化学組成物(「スラリー」)又は他の流動媒体が基材上かつウェーハと研磨パッドとの間に流される。こうして、ウェーハ表面は、パッド表面及びスラリーの化学的かつ機械的作用により、基材表面から材料を選択的に除去するやり方で研磨される。
ウェーハを平坦化する際に遭遇する問題は、どの時点で加工を止めるのかを知ることである。このために、多様なプラナリゼーション終点検出方式が開発された。一つのそのような方式は、ウェーハ表面のその場光学計測を含むものである。光学的技法は、選択された波長の光を透過させる窓を研磨パッドに設けることを含む。光ビームがこの窓を通してウェーハ表面に当てられると、そこで反射し、窓を逆に通過して検出器、たとえば干渉計に達する。戻り信号に基づき、ウェーハ表面の性質、たとえばその上の膜(たとえば酸化物層)の厚さを測定することができる。
研磨パッド窓には多くのタイプの材料を使用することができるが、実際には、窓は通常、研磨パッドと同じ材料、たとえばポリウレタンでできている。たとえば、米国特許第6,280,290号は、ポリウレタンプラグの形態の窓を有する研磨パッドを開示している。パッドは開口部を有し、窓はこの開口部の中に接着剤で保持される。
このような窓に伴う問題は、窓が表面粗部を有する場合に生じる。たとえば、ポリウレタン製の窓は通常、ポリウレタンブロックから切片をスライスすることによって形成される。残念ながら、スライス加工は、図1に示すように、研磨パッド10の窓1の各側に表面欠陥又は粗部Rを生じさせる。粗部の深さは約10〜約100μmの範囲である。下面の粗部が、ウェーハ表面トポグラフィーを計測するために使用される光を散乱させ、それにより、その場光学計測システムの信号強度を低下させる。上面の粗部は、液体スラリーの存在及びウェーハに対する上面の近接のおかげで、下面の粗部ほど光を散乱させる傾向はない。
窓下面による散乱からの信号強度の損失のせいで、計測解像度が損失を被り、計測のばらつきが問題になる。
したがって、より高い光透過性及びより低い光散乱性を有する改良された窓を有する、ケミカルメカニカルプラナリゼーションのための研磨パッドが要望される。
本発明の一つの態様で、半導体基材のケミカルメカニカルプラナリゼーションを実施するための研磨パッドであって、中に形成された開口部を有する研磨パッド本体と、基材のその場光学計測を実施するための、前記開口部中に固定された窓とを含み、前記窓が、そこに入射する光を受けることができる下面を有し、前記下面が、前記下面に存在する表面粗部を除去するためにレーザアブレーションによって処理されたものである研磨パッドが提供される。
本発明のもう一つの態様で、ケミカルメカニカルプラナリゼーションに有用な研磨パッドであって、基材のその場光学計測を実施するための、中に固定された窓を有する研磨パッド本体を含み、前記窓が、そこに入射する光を透過させることができる下面を有し、前記下面が、前記下面に存在する表面粗部を除去するためにレーザアブレーションによって処理されており、前記下面がさらに、前記レーザアブレーションによって形成されたマイクロレンズを含むものである研磨パッドが提供される。
本発明のもう一つの態様で、ケミカルメカニカルプラナリゼーションに有用な研磨パッドであって、基材のその場光学計測を実施するための、中に固定された窓を有する研磨パッド本体を含み、前記窓が、そこに入射する光を透過させることができる下面を有し、前記下面が、レーザアブレーションによって処理されてマイクロレンズを形成しているものである研磨パッドが提供される。
本発明のもう一つの態様で、半導体基材のケミカルメカニカルプラナリゼーションのための研磨パッドを形成する方法であって、中に形成された開口部を有する研磨パッド本体を用意すること、基材のその場光学計測を実施するための、そこに入射する光を受けることができる下面を有する窓を前記開口部に固定すること、及び前記下面をレーザアブレーションによって処理して前記下面に存在する表面粗部を除去することを含む方法が提供される。
本発明のもう一つの態様で、ケミカルメカニカルプラナリゼーション(CMP)システムにおいて基材のその場光学計測を実施する方法であって、レーザアブレーションによって処理されて下面に存在する表面粗部が除去されている下面を備えた窓を有する研磨パッドをCMPシステムに設けること、第一の光ビームを前記レーザアブレーション処理面及び前記窓に通して基材に当てること、及び前記第一の光ビームを前記基材から反射させて、前記窓及び前記レーザアブレーション処理面を逆に通過する第二の光ビームを形成することを含む方法が提供される。
以下、本発明の実施態様の詳細な説明では、本明細書の一部を構成する、本発明を実施することができる具体的な実施態様が一例として示されている添付図面を参照する。これらの実施態様は、当業者が本発明を実施することを可能にするのに十分な詳細さで記載されているが、他の実施態様を使用することもでき、本発明の範囲を逸することなく変更を加えることもできるということが理解されよう。したがって、以下の詳細な説明は限定的な意味に解釈されるべきではなく、本発明の範囲は請求の範囲のみによって定義される。
図面を参照すると、図2は、研磨パッド100の拡大断面図を示す。研磨パッド100は、上面12及び下面14を含む本体領域11を有する。研磨パッド100は、公知の研磨パッドのいずれであってもよく、たとえばウレタン含浸フェルト、米デラウェア州ニューアークのRohm and Haas Electronic Materials CMP社(「RHEM」)によって商品名POLITEXの下で販売されているタイプの微孔性ウレタンパッド又は充填材入り及び/又はブロー成形複合ウレタン、たとえば同じくRHEM製のICシリーズ及びMHシリーズパッドであってもよい。
研磨パッド100はまた、窓30が中に固定されている開口部18を本体11中に含む。一つの典型的な実施態様では、窓30は開口部中に永久的に固定されるが(「一体型窓」)、もう一つの典型的な実施態様では、窓は開口部中に脱着自在に固定される。窓30は、上面32及び下面34を含む本体領域31を有する。窓30は、プラナリゼーションの間に基材(たとえばウェーハW)のその場光学計測を実施するために使用される光の波長に対して透過性である。典型的な波長は190〜3500nmの範囲である。
窓30は、その表面の一つ以上で粗部R(図1)を有するかもしれない任意の材料(たとえばポリマー、たとえばポリウレタン、アクリル樹脂、ポリカーボネート、ナイロン、ポリエステルなど)でできている。粗部Rは、その場終点計測を実施する際に、そこに入射する光の有意量(たとえば10%以上)を散乱させることができる。
先に論じたように、粗部Rは、窓材料の大きめのブロックから切り出すことによって窓を形成するために使用される装置(図示せず)から生じる。しかし、粗部Rは、いかなる数の他の原因からも生じることができ、たとえば材料固有の粗さ、窓材料を研磨しないこと、窓材料を不適切に研磨することなどから生じることができる。
引き続き図2を参照すると、本発明の典型的な実施態様で、窓30は、レーザアブレーション処理された面50を下面34に含む。換言するならば、下面34は、たとえば上記切り出し工程ののち、レーザ51からのレーザビーム53で処理されて、下面34に存在する表面粗部が除去されている。したがって、図1に存在する粗部Rは、微細機械加工によって比較的平坦な下面34まで減らされる。このようにして、より多量の光が窓30を透過して、精巧なケミカルメカニカルプラナリゼーション加工の際によりロバストな終点検出信号及びより高い精度が可能になる。また、窓30の透過性を高めることによってレーザの出力輝度を下げて、レーザの寿命を延ばすこともできる。窓30の光透過性をさらに高めるため、上面32をもレーザアブレーションによって処理してもよいことに留意されたい。
レーザ51は、数多くの設計又は構造に望みどおり適応するため、いかなる方向(すなわち、x、y又はz面)に動かすこともできることに留意されたい。本発明では、支持部材(図示せず)、たとえば研磨パッドを支持するためのテーブルをレーザ51に対して動かさなくてもよい。逆に、レーザ51を、支持部材の動きとは独立して、たとえば表面粗部Rの所望の除去を達成するために動かすことができる。加えて、ノズル(図示せず)から不活性ガスを供給して切断面の酸素を減らし、切断面の縁における燃焼又は炭化を減らしてもよい。また、レーザビームを高圧ウォータジェットとともに使用して、従来のレーザ切断加工によって発生するおそれのある熱を減らしてもよい。
本実施態様では、微細機械加工に使用されるレーザ51は、比較的低いデューティサイクルを有するパルス型エキシマレーザであることができる。場合によっては、レーザ51は、閉鎖時間が長い(すなわち、パルス幅(時間)がパルスとパルスとの間隔に比べて非常に短い)連続レーザであってもよい。典型的なレーザは、Exitech社のMicroAblator(商標)である。エキシマレーザは他の大きめのレーザに比べて低い平均出力を有するが、エキシマレーザのピーク出力は非常に大きくなることに留意されたい。レーザのピーク輝度及びフルエンスは、
輝度(ワット/cm2)=ピーク出力(W)/焦点面積(cm2)
フルエンス(ジュール/cm2)=レーザパルスエネルギー(J)/焦点面積(cm2)
によって求められ、ピーク出力は、
ピーク出力(W)=パルスエネルギー(J)/パルス期間(s)
によって求められる。
輝度(ワット/cm2)=ピーク出力(W)/焦点面積(cm2)
フルエンス(ジュール/cm2)=レーザパルスエネルギー(J)/焦点面積(cm2)
によって求められ、ピーク出力は、
ピーク出力(W)=パルスエネルギー(J)/パルス期間(s)
によって求められる。
レーザアブレーションの際、いくつかの主要なパラメータを考慮すべきである。重要なパラメータは、最小吸収深さを伴う波長の選択である。これは、速やかかつ完全なアブレーションのために、小さな体積への高エネルギー付着を可能にすべきである。もう一つのパラメータは、ピーク出力を最大化し、周囲の加工材料への伝熱を最小限にするための短いパルス期間である。この組み合わせが応答の振幅を減らす。もう一つのパラメータは、パルス繰返し速度である。この速度が低すぎるならば、アブレーションに使用されなかったエネルギーがアブレーションゾーンを離れて冷却を許す。高いパルス繰返し速度によって残留熱が保持され、伝熱の時間が制限されるならば、アブレーションはより効率的になる。加えて、より多くの入射エネルギーがアブレーションに送られ、周囲の加工材料及び環境への損失が少なくなる。さらに別の重要なパラメータはビームの質である。ビームの質は、明度(エネルギー)、合焦性及び均質性によって評価される。ビームエネルギーは、アブレーション領域に正しく効率的に送ることができないならば、有効利用されない。さらには、ビームが制御されたサイズでないならば、アブレーション領域は望むよりも大きくなり、側壁に過度な傾斜が生じてしまう。
加えて、除去が蒸散によるものであるならば、プルームに特に注意しなければならない。プルームは、分子の断片、中性粒子、遊離電子及びイオンならびに化学反応生成物からなるプラズマ様物質である。プルームは、入射ビームの光吸収及び散乱の原因であり、周囲の加工材料及び/又はビーム送り光学系で凝縮するおそれがある。通常、アブレーション部位は、加圧不活性ガス、たとえば窒素又はアルゴンで浄化される。
下面34は完全な平坦である必要はないことに留意されたい。たとえば、下面34は、光を散乱させず、わずかな角度で反射させるだけである、徐々に変化する表面湾曲を有することができる。理由は、レーザアブレーションによって処理された表面50は、その場光学モニタシステムにおける信号劣化の要因である光の散乱をなくすように設計されているからである。
次に図3を参照すると、本発明のもう一つの実施態様で、窓301にマイクロレンズ5の列が設けられている。マイクロレンズ5は、先に論じたようなレーザ51を使用するレーザアブレーションによって窓301(又はその一部)を処理することによって形成することができる。光レーザアブレーションが好ましい。熱レーザアブレーションを使用することもできる。これらのマイクロレンズ5は、その場光学計測システムからの光ビームを収束し、増強して、より良好な終点検出のためのよりロバストな信号を可能にする。マイクロレンズ5は、レーザ51からの光ビーム53を最適化又は増強するようなサイズであることができる。好ましくは、マイクロレンズ5は、幅5μm〜200μmである。より好ましくは、マイクロレンズ5は、幅10μm〜100μmである。場合によっては、マイクロレンズ5は、図2に関して論じたような表面粗部Rを除去するためのレーザアブレーション加工と同時に形成することができる。また、先の実施態様と同様に、窓30の透過性を高めることによってレーザの出力輝度を下げて、レーザの寿命を延ばすこともできる。
次に、図4を参照して、計測される表面62を有するウェーハWのその場光学計測を実施するための本発明の作動を説明する。作動の際、光源71によって第一の光ビーム70を発生させ、ウェーハ表面62に当てる。第一の光ビーム70は、窓30及びレーザアブレーション処理面50によって透過させられる波長を有する。
第一の光ビーム70は、レーザアブレーション処理面50、窓の下面34、窓の本体部31、窓の上面32及び窓の上面32とウェーハ表面62との隙間Gを通過することによってウェーハ表面62に達する。隙間Gは、実際には屈折率整合性流体として作用して窓の上面32の粗部R(図1)からの光の散乱を減らすスラリー68(図示せず)によって埋められている。第一の光ビーム70、より具体的にはその一部がウェーハ表面62から反射する。ウェーハ表面62は図では略示されている。現実には、ウェーハ表面62は、種々の膜(たとえば酸化物コーティング)のせいでウェーハ上に存在する表面トポグラフィー又は一つ以上の界面を表す。
ウェーハ表面からの第一の光ビーム70の反射が、第一の光ビーム70の入射方向に沿って送り返される第二の光ビーム72を形成する。ウェーハ表面62がその上に存在する一つ以上の膜のせいで多数の界面を含む典型的な実施態様では、反射光ビーム72は、多数の反射による干渉情報を含む。
第二の光ビーム72は、ウェーハ表面62から反射すると、隙間G(その中に存在するスラリーを含む)を横断し、窓の上面32、窓の本体31、窓の下面34及び最後にはレーザアブレーション処理面50を通過する。ウェーハ表面62からの再帰反射のせいで、ウェーハ上の反射を含む各界面からの反射が二倍になるということが注目に価する。換言するならば、光は、実際のウェーハ表面そのものを除き、各界面を二回通過する。
光ビーム72は、レーザアブレーション処理面50を出ると、検出器80によって検出される。典型的な実施態様では、ビームスプリッタ(図示せず)を使用して、第一の光ビーム70と第二の光ビーム72とを分割する。そして、検出器80は、検出した光を電気信号81に変換し、この電気信号がコンピュータ82によって処理されてウェーハWの性質、たとえば膜厚さ、平面度、平坦度などに関する情報が抽出される。
窓30がレーザアブレーション処理面50を含むため、窓の下面34の粗部Rからの散乱による光損失が大幅に減少する。結果として、他のやり方で可能であるよりも大きな信号強度が得られる。好ましくは、レーザアブレーション処理面50を用いた第二の光ビーム72が、信号強度における3倍までの改善を提供することができる。
信号強度におけるこのような改善は、ウェーハ表面パラメータのその場光学計測における有意な改善につながる。特に、信頼性及び計測精度が改善される。さらには、より強い信号は他の信号損失原因をより有意ではなくするため、パッドの寿命を延ばすことができる。別の言い方をするならば、粗部Rからの散乱の減少は、パッド又は窓を交換する必要なく、他の散乱原因、たとえば研磨中の窓の上面の粗さの増大及びプラナリゼーション加工からの研磨くずの増量がより大きくなることを許容する。
Claims (10)
- 半導体基材のケミカルメカニカルプラナリゼーションを実施するための研磨パッドであって、
中に形成された開口部を有する研磨パッド本体と、
基材のその場光学計測を実施するための、前記開口部中に固定された窓と
を含み、前記窓が、そこに入射する光を受けることができる下面を有し、前記下面が、前記下面に存在する表面粗部を除去するためにレーザアブレーションによって処理されたものである研磨パッド。 - 前記レーザアブレーションが光レーザアブレーションである、請求項1記載の研磨パッド。
- 前記下面が、マイクロレンズを前記下面に形成するようにさらに処理されている、請求項1記載の研磨パッド。
- ケミカルメカニカルプラナリゼーションに有用な研磨パッドであって、
基材のその場光学計測を実施するための、中に固定された窓を有する研磨パッド本体を含み、前記窓が、そこに入射する光を透過させることができる下面を有し、前記下面が、前記下面に存在する表面粗部を除去するためにレーザアブレーションによって処理されており、前記下面がさらに、前記レーザアブレーションによって形成されたマイクロレンズを含むものである研磨パッド。 - ケミカルメカニカルプラナリゼーションに有用な研磨パッドであって、
基材のその場光学計測を実施するための、中に固定された窓を有する研磨パッド本体を含み、前記窓が、そこに入射する光を透過させることができる下面を有し、前記下面が、レーザアブレーションによって処理されてマイクロレンズを形成しているものである研磨パッド。 - 半導体基材のケミカルメカニカルプラナリゼーションのための研磨パッドを形成する方法であって、
中に形成された開口部を有する研磨パッド本体を用意すること、
基材のその場光学計測を実施するための、そこに入射する光を受けることができる下面を有する窓を前記開口部に固定すること、及び
前記下面をレーザアブレーションによって処理して前記下面に存在する表面粗部を除去すること
を含む方法。 - 前記レーザアブレーションが光レーザアブレーションである、請求項6記載の方法。
- 前記下面が、マイクロレンズを前記下面に形成するようにさらに処理されている、請求項6記載の方法。
- ケミカルメカニカルプラナリゼーション(CMP)システムにおいて基材のその場光学計測を実施する方法であって、
レーザアブレーションによって処理されて下面に存在する表面粗部が除去されている下面を備えた窓を有する研磨パッドをCMPシステムに設けること、
第一の光ビームを前記レーザアブレーション処理面及び前記窓に通して基材に当てること、及び
前記第一の光ビームを前記基材から反射させて、前記窓及び前記レーザアブレーション処理面を逆に通過する第二の光ビームを形成すること
を含む方法。 - 前記第二の光ビームを検出すること、
検出した第二の光ビームを電気信号に変換すること、及び
前記電気信号を処理して前記基材の一つ以上の性質を演繹すること
をさらに含む、請求項9記載の方法。
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