JP2007048916A - 熱電モジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】 小型で、吸熱量が多い熱電モジュールを提供する。
【解決手段】 一方の面上に下部電極3が形成された下基板1と、一方の面上に上部電極4が形成された上基板2とが、下部電極3と上部電極4とが対向するように相互に平行に配置され、両者の間に複数個のp型熱電素子5p及びn型熱電素子5nが配置され、下部電極3及び上部電極4によりこの複数個のp型熱電素子5p及びn型熱電素子5nが交互に直列に接続されている熱電モジュールにおいて、p型熱電素子5p及びn型熱電素子5nの幅bを、下部電極3及び上部電極4の幅aよりも大きくすると共に、p型熱電素子5p及びn型熱電素子5nを電極上の配列方向及びこの配列方向に垂直の方向で下部電極3及び上部電極4からはみ出るように配置する。
【選択図】 図1
【解決手段】 一方の面上に下部電極3が形成された下基板1と、一方の面上に上部電極4が形成された上基板2とが、下部電極3と上部電極4とが対向するように相互に平行に配置され、両者の間に複数個のp型熱電素子5p及びn型熱電素子5nが配置され、下部電極3及び上部電極4によりこの複数個のp型熱電素子5p及びn型熱電素子5nが交互に直列に接続されている熱電モジュールにおいて、p型熱電素子5p及びn型熱電素子5nの幅bを、下部電極3及び上部電極4の幅aよりも大きくすると共に、p型熱電素子5p及びn型熱電素子5nを電極上の配列方向及びこの配列方向に垂直の方向で下部電極3及び上部電極4からはみ出るように配置する。
【選択図】 図1
Description
本発明はペルチェ効果を利用した電子冷却及びゼーベック効果を利用した熱電発電等に使用される熱電モジュールに関する。
ペルチェ効果又はゼーベック効果を利用した熱電モジュールは、構造が簡単で小型化及び軽量化が容易であり、更に、無音及び無振動で動作し、メンテナンスが不要であることから、特殊な用途向けの小型冷蔵庫、半導体レーザ等の半導体装置内部の温度調節器及び発電装置等、様々な分野への適用が検討されている。
図7(a)は従来の熱電モジュールを示す断面図であり、図7(b)はその斜視図である。なお、図7(a)においては、はんだ等の接合部材部分は省略しており、以下の図も同様である。また、図7(b)においては、モジュール内部の構造を見やすくするため上基板を省略している。更に、各熱電素子のp型及びn型の区別については、図7(b)に「P」及び「N」の符号を付する。図7(a)に示すように、従来の熱電モジュール100は、例えばセラミックス等からなり一方の面に下部電極103及び上部電極104が夫々形成された下基板101及び上基板102が、下部電極103と上部電極104とが対向するように相互に平行に配置され、この下部電極103と上部電極104との間に複数個のp型熱電素子105p及びn型熱電素子105nが配置されている。
その際、図7(b)に示すように、下部電極103及び上部電極104間には、p型熱電素子105p及びn型熱電素子105nが交互に配置され、隣接する1対の下部電極103上に接合された熱電素子のうち隣接するp型熱電素子105p及びn型熱電素子105nの上部を、1個の上部電極104に接合することにより、複数個のp型熱電素子105p及びn型熱電素子105nとが交互に直列に接続されている。そして、この直列接続体の両端部の熱電素子が接合された下部電極103に、夫々リード線106がはんだ等により接合されている。
この従来の熱電モジュール100においては、例えば、下部電極103及び上部電極104により接続されたp型熱電素子105p及びn型熱電素子105nに電流を流すと、電流はn型熱電素子105nの下側から上部電極104を通ってp型熱電素子105pの下側へ流れる。一方、エネルギーはp型熱電素子105pでは電流と同じ方向に、n型熱電素子105nでは電流と逆の方向へ移動するため、上部電極104側ではエネルギーが不足して温度が下がり(吸熱)、下部電極103側ではエネルギーが放出されて温度が上がる(放熱)。
また、従来、熱電素子を電極に接合する際の位置ずれによる接続不良を防止し、歩留まりを向上させるために、p型熱電素子とn型熱電素子とを相互に接続する電極、はんだめっき及びはんだペーストの中間部形状が狭隘になるようにした熱電モジュールも提案されている(特許文献1参照)。更に、耐熱ストレス性を向上させて、長寿命化するため、熱電素子及び/又は電極の接合面の略中央部に凹部を形成し、この凹部にはんだ等の接合剤を充填して熱電素子と電極とを接合する熱電気変換装置もある(特許文献2参照)。更にまた、p型熱電素子及びn型熱電素子の電気的特性又は熱的特性の差に起因する性能劣化を防止するため、p型熱電素子及びn型熱電素子の電極面で切った断面積比を、それら電気抵抗値の平均値と熱伝導率の平均値との積が最小付近になるようにした熱電モジュールも提案されている(特許文献3参照)。
しかしながら、前述の従来の技術には以下に示す問題点がある。図7(a)及び(b)並びに特許文献1乃至3に記載の熱電モジュール等の従来の熱電モジュールにおいては、一般に、セラミックス基板上に形成された各電極間には、電気的短絡を避けるために、モジュールを安定して作製できる程度の間隔が設けられている。このため、従来の熱電モジュールは、電極が形成されている部分の面積がセラミックス基板の全面積よりも小さくなっている。更に、従来の熱電モジュールは、吸熱作用に対して熱電材料を有効に利用するため、電極の内側に、即ち、電極からはみ出さないように各熱電素子を配置している。これらの理由から、従来の熱電モジュールでは、セラミックス基板の大きさを変えずに、基板の面積を有効利用して吸熱量を向上させることは困難であるという問題点がある。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、小型で、吸熱量が多い熱電モジュールを提供することを目的とする。
本発明に係る熱電モジュールは、複数の電極上に、各電極に1対のp型及びn型熱電素子が配置されて接合された熱電モジュールにおいて、前記熱電素子における前記電極上の配列方向に垂直の方向の長さはこの方向における前記電極の長さよりも大きく、前記熱電素子は前記電極上の配列方向及びこの配列方向に垂直の方向で前記電極上からはみ出ていることを特徴とする。
本発明においては、熱電素子の配列方向に垂直な方向における熱電素子の長さを電極の長さよりも大きくすると共に、熱電素子を電極上の配列方向及びこの配列方向に垂直の方向で電極上からはみ出るように配置しているため、電極面積にかかわらず熱電素子の断面積を大きくすることができる。その結果、従来の熱電モジュールよりも最大吸熱量Qmaxを増加させることができる。
この熱電モジュールは、前記熱電素子の前記電極側の端面の面積をS0とし、この端面における前記電極上に位置している部分の面積をS1としたとき、S1/S0が0.5以上1未満とすることができる。これにより、効率的に吸熱特性を向上させることができる。
本発明によれば、熱電素子の配列方向に垂直な方向における熱電素子の長さを電極の長さよりも大きくすると共に、熱電素子を電極上の配列方向及びこの配列方向に垂直の方向で電極上からはみ出るように配置しているため、電極面積にかかわらず熱電素子の断面積を大きくすることができ、小型で、吸熱量が多い熱電モジュールが得られる。
以下、本発明の実施の形態に係る熱電モジュールについて、添付の図面を参照して具体的に説明する。図1(a)は本実施形態の熱電モジュールを示す平面図であり、図1(b)はそのA−A線による断面図である。なお、図1(a)においては、モジュール内部の構造を見やすくするために上基板を省略している。また、図2は図1(a)に示す熱電モジュールにおけるp型及びn型熱電素子の配置状態を模式的に示す平面図である。図1(a)、(b)及び図2に示すように、本実施形態の熱電モジュール10は、セラミックス等の絶縁材料からなり一方の面上に下部電極3が形成された下基板1と、セラミックス等の絶縁材料からなり一方の面上に上部電極4が形成された上基板2とが、下部電極3と上部電極4とが対向するように相互に平行に配置されている。また、下基板1と上基板2との間には、複数個のp型熱電素子5p及びn型熱電素子5nが交互に配置されており、各電極には1対のp型熱電素子5p及びn型熱電素子5nが接合され、一の下部電極3上に接合されたp型熱電素子5pと、この一の下部電極に隣接する他の下部電極3上に接合されたn型熱電素子5nとを、1個の上部電極4に接合することにより、p型熱電素子5pとn型熱電素子5nとが交互に直列に接続されている。更に、この下部電極3のうち、直列接続体の両端部の熱電素子が接合された下部電極3には、1対の熱電素子のうち一方のみが接続されていると共に、夫々リード線6がはんだ等により接合されている。
この熱電モジュール10においては、下部電極3及び上部電極4におけるp型熱電素子5p及びn型熱電素子5nの配列方向に対して垂直な方向の長さを電極幅aとし、p型熱電素子5p及びn型熱電素子5nにおけるその配列方向に対して垂直な方向の長さを熱電素子幅bとしたとき、熱電素子幅bが電極幅aよりも大きく、且つp型熱電素子5p及びn型熱電素子5nは電極上の配列方向及びこの配列方向に垂直の方向で下部電極3及び上部電極4からはみ出ている。本実施形態の熱電モジュール10のように、下部電極3及び上部電極4の幅aよりも熱電素子幅bを大きくして、熱電素子をこれらの電極からはみ出るように配置すると、従来の熱電モジュールよりも熱電素子の総断面積を大きくすることができる。熱電モジュールの最大吸熱量Qmaxは、(熱電素子の総断面積)/(熱電素子の高さ)に比例するため、このようにp型熱電素子5p及びn型熱電素子5nの断面積を大きくすることにより、基板面積を増加させずに最大吸熱量を増加させることができ、その結果、基板サイズ及び素子数が同じである従来の熱電モジュールに比べて最大吸熱量Qmaxを向上させることができる。
また、本実施形態の熱電モジュール10においては、各熱電素子における電極側の端面の面積をS0とし、この端面における電極上に位置している部分の面積をS1としたとき、S1/S0が0.5以上1未満であることが望ましい。前述したように、搭載する熱電素子の総断面積を大きくすると熱電モジュールの最大吸熱量Qmaxを増加させることができるが、各熱電素子における下部電極3と上部電極4とで挟まれていない部分、即ち、電極からはみ出ている部分は、下部電極3と上部電極4とで挟まれている部分よりも吸熱への寄与が小さい。このため、電極からはみ出ている部分が多すぎると、熱電素子の吸熱効率が低下することがある。そこで、本発明者等は鋭意実験研究を行い、熱電素子の電極側の端面の面積S0に対するこの端面における電極上に位置している部分の面積S1の割合(S1/S0)を0.5以上1未満とすることにより、基板の面積を有効に使用して、効率的に吸熱特性を向上できることを見出した。なお、S1/S0が0.5未満の場合、各熱電素子の吸熱効率が低下し、熱電素子の総断面積に見合った最大吸熱量Qmaxが得られないことがある。また、S1/S0が1とは、熱電素子の電極側の端面の面積S0とこの端面における電極上に位置している部分の面積S1とが等しい場合、即ち、熱電素子の端面が全て電極上に配置され、はみ出している部分がない場合である。従って、S1/S0は1未満とする。
次に、前述の如く構成された本実施形態の熱電モジュール10の動作について説明する。本実施形態の熱電モジュール10は、リード線6を介して外部電源(図示せず)から電流が供給されると、下部電極3からn型熱電素子5nに電流が流れ、更に上部電極3を経由してp型熱電素子5pに流れる。一方、エネルギーはp型熱電素子5pでは電流と同じ方向に、n型熱電素子5nでは電流と逆の方向へ移動するため、上部電極4側ではエネルギーが不足して温度が下がり(吸熱)、下部電極3側ではエネルギーが放出されて温度が上がる(放熱)。
本実施形態の熱電モジュールにおいては、p型熱電素子5p及びn型熱電素子5nの幅bを、下部電極3及び上部電極4の幅aよりも大きくすると共に、p型熱電素子5p及びn型熱電素子5nを夫々、電極上の配列方向及びこの配列方向に垂直の方向で下部電極3及び上部電極4からはみ出るように配置しているため、従来の熱電モジュールよりもp型熱電素子5p及びn型熱電素子5nの総断面積を大きくすることができ、単位面積あたりの吸熱量を向上させることができる。その結果、基板サイズが同等の従来の熱電モジュールに比べて、最大吸熱量Qmaxを向上させることができる。また、従来の熱電モジュールよりも小型の基板を使用して、同等の最大吸熱量Qmaxを得ることができる。
以下、本発明の実施例の効果について、本発明の範囲から外れる比較例と比較して説明する。先ず、本発明の第1の実施例として、夫々チップサイズ又は基板サイズが異なる実施例1、実施例2及び比較例1の熱電モジュールを作製した。図3は本発明の実施例1の熱電モジュールを示す断面図であり、図4は実施例2の熱電モジュールを示す断面図であり、図5は本発明の比較例の熱電モジュールを示す断面図である。なお、図3乃至5は図1(b)に示すB−B線による断面図に相当する。先ず、図3に示すように、下基板11及び上基板として、縦10.0mm、横10.0mm、厚さ0.3mmのセラミックス基板を使用し、各セラミックス基板上に、幅aが0.89mm、長さが1.88mm、厚さが0.07mmの下部電極13又は上部電極を夫々0.1mm間隔で形成した後、縦0.95mm、横0.95mm、高さ1.0mmの熱電素子15(p型熱電素子及びn型熱電素子)を49対配置した後、はんだにより各熱電素子15と下部電極13及び上部電極とを接合して実施例1の熱電モジュールを作製した。その際、熱電素子15を、その電極上の配列方向及びこの配列方向に垂直の方向において下部電極13及び上部電極からはみ出るようにした。この実施例1の熱電モジュールは、熱電素子15の電極側の端面の面積S0が0.90mm2であり、この端面における電極上に位置している部分の面積S1が0.82mm2であった。また、熱電素子15と下部電極13及び上部電極との間に設けられたはんだ層の厚さはいずれも0.03mmであり、熱電モジュール全体の厚さ(高さ)は1.8mmであった。
また、図4に示すように、下基板21及び上基板として、縦7.5mm、横7.5mm、厚さ0.3mmのセラミックス基板を使用し、各セラミックス基板上に、幅aが0.64mm、長さが1.38mm、厚さが0.07mmの下部電極23又は上部電極を夫々0.1mm間隔で形成した後、縦0.70mm、横0.70mm、高さ1.0mmの熱電素子25(p型熱電素子及びn型熱電素子)を49対配置した後、はんだにより各熱電素子25と下部電極23及び上部電極とを接合し、実施例2の熱電モジュールを作製した。その際、熱電素子25を、その電極上の配列方向及びこの配列方向に垂直の方向において下部電極23及び上部電極からはみ出るようにした。この実施例2の熱電モジュールは、熱電素子25の電極側の端面の面積S0が0.49mm2であり、この端面における電極上に位置している部分の面積S1が0.43mm2であった。また、熱電素子25と下部電極23及び上部電極との間に設けられたはんだ層の厚さはいずれも0.03mmであり、熱電モジュール全体の厚さ(高さ)は1.8mmであった。
更に、図5に示すように、下基板11及び上基板として、縦10.0mm、横10.0mm、厚さ0.3mmのセラミックス基板を使用し、各セラミックス基板上に、幅aが0.89mm、長さが1.88mm、厚さが0.07mmの下部電極13又は上部電極を夫々0.1mm間隔で形成した後、縦0.70mm、横0.70mm、高さ1.0mmの熱電素子25(p型熱電素子及びn型熱電素子)を49対配置した後、はんだにより各熱電素子25と下部電極13及び上部電極とを接合し、比較例(従来例)の熱電モジュールを作製した。その際、熱電素子25を、下部電極13及び上部電極からはみ出さないようにした。従って、この比較例の熱電モジュールは、熱電素子25の電極側の端面の面積S0及びこの端面における電極上に位置している部分の面積S1は共に0.49mm2である。また、熱電素子25と下部電極13及び上部電極との間に設けられたはんだ層の厚さはいずれも0.03mmであり、熱電モジュール全体の厚さ(高さ)は1.8mmであった。
次に、実施例1、実施例2及び比較例の熱電モジュールについて、放熱側基板の温度(Th)を27℃に固定したときの最大吸熱量Qmaxを測定した。その結果を下記表1に示す。
上記表1に示すように、実施例1の熱電モジュールは、基板サイズが同等である比較例1の熱電モジュールに比べて最大吸熱量Qmaxを増加させることができた。また、実施例2の熱電モジュールは、比較例の熱電モジュールよりも基板サイズが小さいにもかかわらず、比較例の熱電モジュールと同等の最大吸熱量Qmaxが得られた。
次に、本発明の第2の実施例として、熱電素子の端面の面積S0が異なるNo.1乃至No.7の熱電モジュールを作製した。先ず、縦20.0mm、横20.0mm、厚さ0.3mmのセラミックス基板上に、幅aが1.0mm、長さが3.0mmで、厚さが0.07mmの下部電極又は上部電極が、夫々0.1mm間隔で形成された下基板と上基板との間に、縦0.7mm、横0.7mm、高さが1.0mmの熱電素子(p型熱電素子及びn型熱電素子)を161対配置した後、はんだにより各熱電素子と下部電極及び上部電極とを接合してNo.1の熱電モジュールを作製した。また、同様の方法で、素子の縦及び横の長さが、1.0mm、1.2mm、1.4mm、1.6mm、1.8mm又は1.9mmである熱電素子を使用し、No.2乃至0.7の熱電モジュールを作製した。なお、これらの熱電モジュールにおけるはんだ層の厚さはいずれも0.03mmであり、熱電モジュール全体の厚さ(高さ)は1.8mmであった。そして、No.1乃至No.7の各熱電モジュールについて、放熱側基板の温度(Th)を27℃に固定したときの最大吸熱量Qmaxを測定した。その結果を下記表2に示す。また、図6は横軸に熱電素子幅bをとり、縦軸に熱電素子幅bが1.0mmであるときの最大吸熱量Qmax(b=1)に対する最大吸熱量Qmaxの増加率(Qmax/Qmax(b=1))及び熱電素子の電極側の端面の面積S0に対するこの端面における電極上に位置している部分の面積S1の割合(S1/S0)をとって、熱電素子の電極からはみ出ている部分の割合と最大吸熱量Qmax増加率との関係を示すグラフ図である。
上記表2及び図6に示すように、幅aが1.0mmである電極に、幅bが0.7mm以下である熱電素子を接合したNo.1の熱電モジュールの最大吸熱量Qmaxは、規準となるNo.2(従来例)の熱電モジュールの最大吸熱量Qmaxの49%程度しか得られなかった。また、熱電素子の幅bが長くなるに従い、最大吸熱量Qmaxの増加率は大きくなったが、熱電素子の幅bが1.6mm以上であるNo.5の熱電モジュール(S1/S0=0.51)、No.6の熱電モジュール(S1/S0=0.43)及びNo.7の熱電モジュール(S1/S0=0.40)では、最大吸熱量Qmaxの増加率が飽和し、略同程度であった。以上の結果より、各熱電素子の吸熱効率を考慮すると、熱電素子の電極側の端面の面積S0に対するこの端面における電極上に位置している部分の面積S1の割合(S1/S0)は、0.5以上1.0未満とすることが好ましいことが確認された。
1、11、21、101;下基板 2、102;上基板 3、13、23、103;下部電極 4、104;上部電極 5n、105n;n型熱電素子 5p、105p;p型熱電素子 6、106;リード線 10、100;熱電モジュール 15、25;熱電素子 a;電極幅 b;熱電素子幅
Claims (2)
- 複数の電極上に、各電極に1対のp型及びn型熱電素子が配置されて接合された熱電モジュールにおいて、前記熱電素子における前記電極上の配列方向に垂直の方向の長さはこの方向における前記電極の長さよりも大きく、前記熱電素子は前記電極上の配列方向及びこの配列方向に垂直の方向で前記電極上からはみ出ていることを特徴とする熱電モジュール。
- 前記熱電素子の前記電極側の端面の面積をS0とし、この端面における前記電極上に位置している部分の面積をS1としたとき、S1/S0が0.5以上1未満であることを特徴とする請求項1に記載の熱電モジュール。
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