JP2007048690A - 真空デバイス - Google Patents

Abstract

【課題】 小型化された場合であっても真空容器における気密性を十分に維持すること
【解決手段】 光電子増倍管１は、平板状の下側基板４と、その下側基板４上に立設された枠状のフレーム３ｂと、そのフレーム３ｂの開口部に低融点金属を挟んで気密に接合されたフレーム３ａを含む上側基板２と、下側基板４上のフレーム３ｂの内側においてフレーム３ｂに並設された枠状の突起２５ｂとを備える。
【選択図】図２

Description

本発明は、真空封止されたパッケージを有する真空デバイスに関し、特に、該真空デバイスにおけるパッケージの封止構造に関するものである。

従来から電子管、ＣＲＴ等の真空封止された真空容器を有する真空デバイスが知られている。このような真空デバイスの例としては、例えば、下記特許文献１に記載された画像表示装置がある。この画像表示装置は、前面板と背面板とがシール材で接合された構成の真空容器を有している。
特開２００２−３５２７１３号公報

ところで、近年における光電子増倍管を初めとする光センサ等の真空デバイスの用途の多様化により、真空デバイスの小型化の要望が強くなってきている。しかしながら、上述した画像表示装置における真空容器の構成においては、シール材によって形成される接合面が面板全体の面積に比較して広く取れないため、特にデバイスの小型化をすすめた場合に封止が不完全となる場合がある。

そこで、本発明は、かかる課題に鑑みて為されたものであり、小型化された場合であっても真空容器における気密性を十分に維持することが可能な真空デバイスを提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、本発明の真空デバイスは、平板状の基板と、その基板上に立設された枠状の側壁と、その側壁の開口部に低融点金属を挟んで気密に接合された蓋部材と、基板上の側壁の内側において側壁に並設された枠状の突起とを備える。なお、ここでいう真空デバイスとは、パッケージ内部が真空状態にある、或いは、パッケージ内部に特定のガスを封入した電子デバイスである。

このような真空デバイスによれば、平板状の基板に立設された側壁の開口部と、蓋部材とが低融点金属を挟んで封止されており、封止により開口部からはみ出した低融点金属は、基板の中心部に向けて流入することなく側壁と側壁に並設された突起との間に閉じ込められた状態とされている。このような封止部の構成により、側壁と蓋部材との接合面がより広くされる。また、封止部材として使用した低融点金属の表面には、酸化膜が形成されやすく、確実な接合の障害になりうる可能性がある。そこで、突起部を設けて基板の中心部、つまりデバイスとしての機能部に低融点金属が到らないようにした上で、接合時に低融点金属の表面域が容器内へ流入するので、気密維持のために最重要である側壁と蓋部材との接合部分に、封止に適した純度の高い低融点金属を露出させることができる。従って、真空容器が小型化された場合であっても真空容器の気密性が確保される。

また、突起は、側壁と一体的に形成されていることが好ましい。このように突起を側壁と一体的に形成することで、基板と側壁との接合面積を大きくできるとともに、真空デバイスを効率的に製造できる。

さらに、側壁における蓋部材との接合面、及び蓋部材における側壁との接合面の少なくともいずれか一方には、複数の窪み部が形成されていることも好ましい。この場合、接合時における低融点金属の基板の中心部に向けての流出がより少なくされるとともに、接合面積も増加し、かつ接合面の微小範囲ごとに低融点金属の高純度面の露出効果が発揮される。

またさらに、複数の窪み部は、接合面に沿った第１の方向、及び接合面に沿った第１の方向と直交する第２の方向に２次元的に配列されていることも好ましい。このような窪み部の配列により、窪み部を除いた接合面がメッシュ状を成すことになるので、接合面において第１の方向及び第２の方向には低融点金属が均一かつ連続的に配置され、側壁と蓋部材との封止がより確実に行われる。

また、突起を複数有していることも好ましい。複数の突起により、基板の中心部への低融点金属の流入がより確実に阻止される。

またさらに、複数の突起のうち、最も内側に形成されたものを除く突起は、低融点金属を挟んで、蓋部材と気密に接合されていることも好ましい。この場合、蓋部材の接合が多重化されてより確実な気密接合が実現される。

さらにまた、複数の突起は、低融点金属を挟んで蓋部材と気密に接合されており、内側に形成された突起の基板の内面に沿った方向における幅が、外側に形成された突起の内面に沿った方向における幅よりも小さいことも好ましい。このように構成すれば、内側の突起上の低融点金属からのガス放出量が少なく、かつ、外側の突起において接合面積を確保でき、内部へのガスの進入を低減しつつ、確実な接合を実現できる。

また、突起は、突起で囲まれた空間と突起の外側の空間とを連通する溝部を有することも好ましい。かかる溝部を備えることで、接合により発生するガスを外部に排気することによって、内部の気密性をより高めることができる。

本発明による真空デバイスによれば、小型化された場合であっても真空容器における気密性を十分に維持することができる。

以下、図面を参照しつつ本発明に係る真空デバイスの好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明においては同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明を省略する。また、各図面は説明用のために作成されたものであり、説明の対象部位を特に強調するように描かれている。そのため、図面における各部材の寸法比率は、必ずしも実際のものとは一致しない。

図１は、本発明の真空デバイスの一実施形態である光電子増倍管１の構成を示す斜視図である。同図に示すように、光電子増倍管１は、透過型の電子増倍管であって、上側基板２とフレーム（側壁）３と下側基板４とにより構成された真空容器５を有し、真空容器５の内部に光電面６、電子増倍部７、及びアノード８を収納して構成されている。この光電子増倍管１は、光電面６への光の入射方向と電子増倍部７での電子の走行方向とが交差する光電子増倍管である。つまり、光電子増倍管１は、矢印Ａで示された方向から光が入射されると、光電面６から放出された光電子が電子増倍部７に入射し、矢印Ｂで示された方向に該光電子が走行していくことにより二次電子をカスケード増倍する。以下、各構成要素について詳細に説明する。

図１の光電子増倍管１のII−II線に沿った分解断面図である図２に示すように、上側基板２及び下側基板４は、例えば、１５ｍｍ×７ｍｍの大きさを有する矩形状のガラス製の平板であり、フレーム３は、基板面に沿って接合された、２つの中空四角柱状の枠状部材から構成されている。これらの枠状部材のそれぞれは、上側基板２及び下側基板４の周縁部に、各基板の四辺と枠状部材の四辺とが平行になるように接続されている。

すなわち、フレーム３は、枠状部材としてのフレーム３ａとフレーム３ｂとから構成されているより詳細には、上側基板２に接続されたフレーム３ａは、上側基板２の内面２ｒの周縁部に陽極接合されたシリコン（Ｓｉ）製のフレーム本体９ａと、フレーム本体９ａ上にチタン（Ｔｉ）からなる金属膜１１ａ、白金（Ｐｔ）からなる金属膜１２ａ、及び金（Ａｕ）からなる金属膜１３ａが、下側基板４に向かってこの順で積層されてなる多層金属膜１０ａとを有している。同様に、下側基板４に接続されたフレーム３ｂは、下側基板４の内面４ｒの周縁部に陽極接合されたＳｉ製のフレーム本体９ｂと、フレーム本体９ｂ上にチタンからなる金属膜１１ｂ、白金からなる金属膜１２ｂ、及び金からなる金属膜１３ｂが、上側基板２に向かってこの順で積層されてなる多層金属膜１０ｂとを有している。各金属膜の膜厚は、例えば、金属膜１１ａ，１１ｂが30nm、金属膜１２ａ，１２ｂが20nm、金属膜１３ａ，１３ｂが1μｍである。このように、フレーム３ａ，３ｂは、それぞれ、フレーム本体９ａ，９ｂの基板２，４と反対側の端部によって規定される開口を形成し、それぞれの開口には多層金属膜１０ａ，１０ｂが形成された構造を有している。

さらに、下側基板４上におけるフレーム３ｂの内側には、フレーム本体９ｂに平行に枠状の突起２５ｂが設けられている。突起２５ｂは、フレーム本体９ｂに一体的に形成されたフレーム本体９ｂとほぼ同一の厚さ（高さ）を有するＳｉ層２６ｂと、Ｓｉ層２６ｂ上に形成された多層金属膜１０ｂとほぼ同一の組成及び厚さ（高さ）を有する多層金属膜２７ｂとからなる。これにより、フレーム３ｂと突起２５ｂとの間には、下側基板４の縁部に沿って真空容器５の内部を一周するような溝部２８ｂが形成されている。同様に、上側基板２上には、Ｓｉ層２６ａと多層金属膜２７ａとからなる突起２５ａが設けられ、フレーム３ａと突起２５ａとの間には、溝部２８ａが形成されている。

これらのフレーム３ａとフレーム３ｂとは、多層金属膜１０ａと多層金属膜１０ｂとの間にインジウム（Ｉｎ）等の低融点金属を含む接合材料（例えば、Ｉｎ、ＩｎとＳｎの合金、ＩｎとＡｇの合金等を含む）で挟むことによって接合されて、真空容器５の内部が気密に保たれている。ここで、図２には、多層金属膜１０ｂ上に接合材料からなる接合層１４が形成されているが、多層金属膜１０ａ上に接合層を形成してもよい。このような構成において、フレーム３ａを含む上側基板２は、フレーム３ｂの開口に気密に封着される蓋部材としての役割を発揮し、この場合下側基板４が基板、フレーム３ｂが側壁に該当する。一方、フレーム３ｂを含む下側基板４は、フレーム３ａの開口に気密に封着される蓋部材としての役割を発揮し、この場合上側基板２が基板、フレーム３ａが側壁に該当する。そのために、それぞれの多層金属膜１０ａ，１０ｂは、それぞれ、フレーム３ｂ，３ａの開口との接合部分、換言すれば、基板２，４の周縁部に形成されている。

なお、フレーム３は、フレーム３ａとフレーム３ｂの２部材の接合からなるのではなく、Ｓｉ製の１部材から成っていても良い。この場合、枠状突起も１部材からなる。なお、この場合の基板を下側基板４、側壁をフレーム３、蓋部材を上側基板２とすると、陽極接合により下側基板４（基板）とフレーム３（側壁）とを接合した後に、多層金属膜と接合層による接合により光電面６を有する上側基板２（蓋部材）とフレーム３（側壁）との接合を行うのが好ましい。ただし、光電面６に電気的に接続されたＳｉ層１７を形成する際は、フレーム３は、フレーム３ａとフレーム３ｂの２部材を備えることが好ましい。また、フレーム３が、フレーム３ａとフレーム３ｂの２部材を備える場合において、突起は接合材料が流れる側の一部材にのみ設けても良いが、接合材料の真空容器５内部への流れ込みを防止の点からは、突起２５ａと突起２５ｂとを両方備えることが好ましい。

また、フレーム３ｂのフレーム３ａとの接合面には下側基板４に向けて窪み部が形成されていてもよい。図３は、窪み部を形成した場合のフレーム３ｂを示し、（ａ）は、フレーム３ｂの平面図、（ｂ）は、（ａ）のフレーム３ｂのIII−III線に沿った断面図である。同図に示すように、フレーム３ｂには、接合面における下側基板４の外縁に平行な方向（図３（ａ）のＸ方向）、及び下側基板４の外縁に垂直な方向（図３（ａ）のＹ方向）に沿って、四角柱状の窪み部２９が２次元的にほぼ等間隔で配列されて形成されている。この窪み部２９は、フレーム３ｂの接合層１４の表面からフレーム本体９ｂにかけて窪んで形成され、フレーム本体９ｂにおいて底部が形成されている。従って、フレーム３ｂの接合面においては、接合層１４がメッシュ状に露出された状態とされる。なお、フレーム３ａのフレーム３ｂとの接合面においても、窪み部２９が形成されていてもよい。

図２に戻って、真空容器５の内部構成について説明する。

真空容器５における上側基板２の内面２ｒには、外部から入射した光に応じて光電子を真空容器５内部に向けて放出するアルカリ金属を含有する透過型の光電面６が形成されている。この場合、上側基板２は、外部から入射した光を光電面６に向けて透過させる透過窓として機能する。この光電面６は、上側基板２の内面２ｒの長手方向（図２の左右方向）の端部寄りにおいて内面２ｒに沿って形成されている。上側基板２には、表面２ｓから内面２ｒにかけて貫通する孔１６が設けられており、孔１６の内面２ｒ側には光電面６に電気的に接続されたＳｉ層１７が形成されている。孔１６には、光電面端子１８が配置され、該光電面端子１８はＳｉ層１７に電気的に接触することにより光電面６に電気的に接続されている。

下側基板４の内面４ｒには、内面４ｒに沿って電子増倍部７とアノード８が形成されている。電子増倍部７は、下側基板４の長手方向に向けて互いに沿うように立設された複数の壁部を有し、これらの壁部の間には溝部が形成されている。この壁部の側壁及び底部には二次電子放出材料からなる二次電子放出面が形成されている。電子増倍部７は、真空容器５内において光電面６に対向する位置に配置されている。この電子増倍部７から離間した位置にアノード８が設けられる。さらに、下側基板４には、表面４ｓから内面４ｒに向けて貫通する孔１９，２０，２１がそれぞれ設けられている。孔１９には光電面側端子２２が、孔２０には陽極側端子２３が、孔２１には陽極端子２４が、それぞれ挿入されている。光電面側端子２２及び陽極側端子２３は、それぞれ、電子増倍部７の両端部に電気的に接触しているので、光電面側端子２２及び陽極側端子２３に所定の電圧を印加することで下側基板４の長手方向に電位差を生じさせることができる。また、陽極端子２４は、電気的にアノード８に接触しているので、アノード８に到達した電子を信号として外部に取り出すことができる。

以上説明した光電子増倍管１の動作について説明する。上側基板２を透過して光電面６に光が入射すると、光電面６から下側基板４に向けて光電子が放出される。この放出された光電子は、光電面６に対向する電子増倍部７に到達する。電子増倍部７の長手方向には光電面側端子２２及び陽極側端子２３への電圧の印加によって電位差が生じているので、電子増倍部７に到達した光電子はアノード８側に向かう。その後、光電面６から電子増倍部７に到達した光電子は、電子増倍部７の側壁及び底部に衝突しながらカスケード増倍されて、二次電子を発生させながらアノード８に到達する。発生した二次電子はアノード８から陽極端子２４を介して外部に取り出される。

以上説明した光電子増倍管１においては、平板状の下側基板４に立設されたフレーム３ｂの開口部と、フレーム３ａが設けられた上側基板２とが接合層１４を挟んで封止されており、封止によりフレーム３ｂの開口部からはみ出した低融点金属を含む接合層１４がフレーム３ｂに沿って流入するために、接合層１４とフレーム３ｂとの接触面積が増大するとともに、基板２，４の中心部、つまり光電面６、電子増倍部７及び陽極８に向けて流入することなくフレーム３ａ，３ｂとフレーム３ａ，３ｂに並設された突起２５ａ，２５ｂとの間の溝部２８ａ，２８ｂに閉じ込められる。このように枠状のフレーム３ａ，３ｂの間に接合材を積層させる構成により基板２，４間の接合面がより広くされる。さらには、溝部２８ａ，２８ｂの存在により、接合工程において接合層１４の上層部が真空容器５側に流入しても動作部への影響が防止できるとともに、その流入により結果的に接合層１４における低融点金属の高純度の面が露出され易くなり、確実な接合を行うことが可能となる。また、Ｓｉ製のフレーム本体９ａ，９ｂをフレーム３の本体としているために、接合時の熱等によってフレーム本体９ａ，９ｂ自体の変形は生じ難い。そのため、フレーム本体の変形を原因とした接合層１４の不均一性は生じ難く、接合が確実に行われる。このように、真空容器５が小型化された場合であっても真空容器５の気密性が確保される。

また、突起２５ａ，２５ｂは、それぞれ、フレーム本体９ａ，９ｂと一体的に形成されていることで、上側基板２および下側基板４とフレーム本体９ａ，９ｂとの接合面積が大きくなり、確実な気密性の確保が可能になるとともに、突起２５ａ，２５ｂの形成が容易となり、真空デバイスを効率的に製造することができる。

フレーム３ｂにおけるフレーム３ａとの接合面、又はフレーム３ａにおけるフレーム３ｂとの接合面には、複数の窪み部２９が形成されているので、接合時に低融点金属が窪み部２９に流れ込みやすくなり基板２，４の中心部への流出がより少なくされるとともに、接合面積が増加し、フレーム３ａ，３ｂの接合面の微小範囲ごとに低融点金属の高純度面の露出効果が発揮される。また、窪み部２９は、接合面に沿ったＸ方向、及び接合面に沿ったＸ方向と直交するＹ方向に２次元的に配列されている。これにより、窪み部２９を除いた接合面がメッシュ状を成すことになるので、接合面においては接合材がＸ方向及びＹ方向に均一かつ連続的に配置され、フレーム３ａとフレーム３ｂとの封止がより確実に行われる。

なお、本発明は、前述した実施形態に限定されるものではない。例えば、上側基板２又は下側基板４に形成された枠状の突起の数は特定の数に限定されない。図４において、（ａ）は、本発明の変形例である光電子増倍管４１の分解断面図、（ｂ）は、（ａ）の下側基板４の平面図である。なお、光電面等の動作部の記載は省略する。同図に示す光電子増倍管４１は、フレーム３ｂと突起２５ｂとの間にフレーム３ｂとほぼ同一の厚さ（高さ）及び積層構造を有する突起４２ｂを有し、突起４２ｂと突起２５ｂとの間、及び突起４２ｂとフレーム３ｂとの間には、それぞれ、溝部４３ｂ、及び溝部４４ｂが形成されている。すなわち、突起２５ｂよりも内側にある突起４２ｂには、接合層１４が形成されている。また、フレーム３ａと突起２５ａとの間にフレーム３ａとほぼ同一の厚さ（高さ）及び積層構造を有する突起４２ａを有し、突起４２ａと突起２５ａとの間、及び突起４２ａとフレーム３ａとの間には、それぞれ、溝部４３ａ、及び溝部４４ａが形成されている。このような光電子増倍管４１においては、フレーム３ａとフレーム３ｂとが接合される際に、突起４２ａと突起４２ｂとが低融点金属を挟んで気密に接合される結果、接合が多重化されてより確実な気密接合が実現される。その際、接合材が溝部４３ｂ，４４ｂ及び溝部４３ａ，４４ａに流れ込むので、真空容器内への接合材の浸入を防止することができる。

また、以下に説明するように、基板２，４上の枠状の突起には接合層を形成しても良いし、複数の突起の接合層の厚さに変化をもたせてもよい。

図５において、（ａ）は、本発明の他の変形例である光電子増倍管５１の分解断面図、（ｂ）は、（ａ）の下側基板４の平面図である。図４と同様、光電面等の動作部の記載は省略する。光電子増倍管５１においては、光電子増倍管４１に対して、突起４２ｂの内側にフレーム３ｂと同一の積層構造を有する枠状の突起５２ｂが形成されている。突起５２ｂには、フレーム３ｂの接合層１４よりも大きい膜厚を有する接合層５４ｂが形成されており、突起５２ｂの下側基板４の内面４ｒに沿った方向における幅は、フレーム３ｂ及び突起５２ｂの外側にある突起４２ｂに比較して小さくされている。

このような光電子増倍管５１においては、上側基板２と下側基板４との接合の際に、上側基板２と下側基板４とを互いに圧着させて接合すると、まず、突起５２ａと突起５２ｂとが接触することで接合される。さらに加圧していくと、突起５２ｂ上の接合層５４ｂが変形することで、突起４２ａと突起４２ｂ、及びフレーム３ａとフレーム３ｂが接触することで接合される。このとき、接合層５４ｂはその幅が小さく接合の際のガス発生量が少ないので真空容器５へのガスの流入を低減することができるとともに、突起４２ｂ及びフレーム３ｂはその幅が比較的大きいので真空容器５の気密性を十分に保つことができる。一方、突起４２ｂ及びフレーム３ｂを接合する際に発生するガスは、突起５２ｂの接合により真空容器５の内部に流入することはないので、真空容器５内の真空度の向上と気密性の維持とを両立することができる。

図６において、（ａ）は、本発明の他の変形例である光電子増倍管６１の分解断面図、（ｂ）は、（ａ）の下側基板４の平面図である。図４と同様、光電面等の動作部の記載は省略する。光電子増倍管６１においては、光電子増倍管５１に対して、フレーム３ｂ上に成膜された接合層６２の膜厚が突起４２ｂよりも小さくされ、下側基板４上における接合材の膜厚が縁部に向けて順に小さくなるようにされている。また、突起４２ｂ及び突起５２ｂには、それぞれ、下側基板４の内面４ｒ上の突起４２ｂ，５２ｂで囲まれた内側の空間と突起４２ｂ，５２ｂの外側の空間とを連通するガス排気用の溝部６３及び溝部６４が形成されている。

図７は、光電子増倍管６１における真空容器５の接合手順を説明する図である。ここでは、便宜上、上側基板２に直接多層金属膜が形成されている場合の接合手順を示している。同図に示すように、上側基板２と下側基板４とを、溝部６４における通気性を確保したまま互いに圧着させて接合すると、まず、突起５２ｂと上側基板２上の多層金属膜６５とが接触することによって接合される（図７（ａ））。このとき、接合により発生したガスは、溝部６４を通じて外部に排気される。上側基板２と下側基板４とを溝部６３における通気性を確保したまま更に加圧してゆくと、突起４２ｂと上側基板２との接合が開始されると同時に、溝部６４が突起５２ｂ上の接合材の侵入によって塞がれることにより、真空容器５内が高真空に保たれる（図７（ｂ））。このとき、接合により発生したガスは、溝部６３を通じて外部に排気される。さらに、上側基板２と下側基板４とを加圧すると、フレーム３ｂと上側基板２とが接合されると同時に、接合材によって溝部６３が塞がれることによって、突起４２ｂ，５２ｂ及びフレーム３ｂの全面による接合が完了する（図７（ｃ））。このような光電子増倍管６１の構成により、真空容器５の内側から順に接合及びガスの排気が確実に行われる結果、製造工程の効率化及び真空容器５内の真空度の向上を実現する事ができる。

また、基板２，４上の枠状の突起又はフレームに形成する接合層の膜厚を、基板２，４の縁部に沿って徐々に、或いは段階的に変化させて形成しても良い。図８は、このような場合の光電子増倍管７１の分解断面図、（ｂ）は、（ａ）の下側基板４の平面図、（ｃ）は、（ｂ）のVIII−VIII線に沿った断面図である。図４と同様、光電面等の動作部の記載は省略する。同図に示すように、フレーム３ｂの接合面には、下側基板４の縁部に沿ってほぼ直線状に膜厚が変化する接合層７２が形成されている。この接合層７２は、下側基板４の縁部を周回する方向に沿って、膜厚が直線的に変化するように形成されている。このようにすれば、フレーム３ａとフレーム３ｂとの接合の際に、下側基板４の縁部を周回する方向において接合のタイミングをずらすことができるので、接合により発生したガスを効率的に排気させながら真空容器５内を高真空に維持することができる。

上記実施形態の真空デバイスは光電子増倍管であるが、本発明は、様々な真空デバイスに適用可能である。例えば、電子増倍部を有しない光電管等の電子管、内部に特定のガスを封入した放電管、電子銃を内蔵する真空デバイス、イオン化装置、及び表示管、LED、PD、CCD、有機EL等の半導体プロセスで製造される発光／光検出デバイス、ＰＤＰ（Plasma Display Panel）、MEMS (Micro Electro Mechanical Systems)型圧力センサ、MEMS 型衝撃センサ、MEMS 型ミラーデバイス、MEMS 型光チョッパー等の内部を真空にすること、或いは内部に特定のガスを封入することで機能が向上する半導体デバイス等に適用可能である。

本発明の真空デバイスの一実施形態である光電子増倍管の構成を示す斜視図である。 図１の光電子増倍管１のII−II線に沿った分解断面図である。 （ａ）は、図２のフレームの平面図、（ｂ）は、（ａ）のフレームのIII−III線に沿った断面図である。 （ａ）は、本発明の変形例である光電子増倍管の分解断面図、（ｂ）は、（ａ）の下側基板側の平面図である。 （ａ）は、本発明の別の変形例である光電子増倍管の分解断面図、（ｂ）は、（ａ）の下側基板側の平面図である。 （ａ）は、本発明の別の変形例である光電子増倍管の分解断面図、（ｂ）は、（ａ）の下側基板側の平面図である。 図６の光電子増倍管における真空容器の接合手順を説明する図である。 本発明の別の変形例である光電子増倍管の分解断面図、（ｂ）は、（ａ）の下側基板側の平面図、（ｃ）は、（ｂ）のフレームを含む下側基板のVIII−VIII線に沿った断面図である。

符号の説明

１，４１，５１，６１，７１…光電子増倍管、２…上側基板、３，３ａ，３ｂ…フレーム（側壁）、４…下側基板、１４，５４ｂ，６２，７２…接合層、２５ａ，２５ｂ，４２ａ，４２ｂ，５２ａ，５２ｂ…突起、２９…窪み部、６３，６４…溝部。

Claims (8)

1. 平板状の基板と、
   前記基板上に立設された枠状の側壁と、
   前記側壁の開口部に低融点金属を挟んで気密に接合された蓋部材と、
   前記基板上の前記側壁の内側において前記側壁に並設された枠状の突起と、
   を備えることを特徴とする真空デバイス。
2. 前記突起は、前記側壁と一体的に形成されていることを特徴とする請求項１記載の真空デバイス。
3. 前記側壁における前記蓋部材との接合面、及び前記蓋部材における前記側壁との接合面の少なくともいずれか一方には、複数の窪み部が形成されていることを特徴とする請求項１又は２記載の真空デバイス。
4. 前記複数の窪み部は、前記接合面に沿った第１の方向、及び前記接合面に沿った前記第１の方向と直交する第２の方向に２次元的に配列されている、
   ことを特徴とする請求項３記載の真空デバイス。
5. 前記突起を複数有していることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の真空デバイス。
6. 前記複数の突起のうち、最も内側に形成されたものを除く突起は、低融点金属を挟んで、前記蓋部材と気密に接合されている、
   ことを特徴とする請求項５に記載の真空デバイス。
7. 前記複数の突起は、低融点金属を挟んで前記蓋部材と気密に接合されており、内側に形成された突起の前記基板の内面に沿った方向における幅が、外側に形成された突起の前記内面に沿った方向における幅よりも小さい、
   ことを特徴とする請求項５に記載の真空デバイス。
8. 前記突起は、前記突起で囲まれた空間と前記突起の外側の空間とを連通する溝部を有する、
   ことを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の真空デバイス。

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