JP2010103117A - 画像増強装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】画像増強装置およびこの画像増強装置を製造するための方法を開示する。
【解決手段】この画像増強装置は、その一面に貼付された薄膜を有するマイクロチャンネルプレート(MCP)を含む。ヘッダーにマウントされた画像センサを含む陽極アッセンブリが、MCPに近接して位置する。マウント面を定義するスペーサを、陽極アッセンブリのヘッダーのマウント面に向けて位置させて、MCPを陽極アッセンブリから分離する。ヘッダーとスペーサとの間の界面において、ヘッダーまたはスペーサのいずれかにに窪みを定義する。この窪みは、前記スペーサと前記ヘッダーとの間に定義され、有機ガスを排出するための通路を形成する。
【選択図】図1
【解決手段】この画像増強装置は、その一面に貼付された薄膜を有するマイクロチャンネルプレート(MCP)を含む。ヘッダーにマウントされた画像センサを含む陽極アッセンブリが、MCPに近接して位置する。マウント面を定義するスペーサを、陽極アッセンブリのヘッダーのマウント面に向けて位置させて、MCPを陽極アッセンブリから分離する。ヘッダーとスペーサとの間の界面において、ヘッダーまたはスペーサのいずれかにに窪みを定義する。この窪みは、前記スペーサと前記ヘッダーとの間に定義され、有機ガスを排出するための通路を形成する。
【選択図】図1
Description
画像増強装置は、暗環境をビューワー(視聴者)が知覚できる明環境に変換するために、暗視システムにおいて使用される。暗視システムは、工業的、商業的かつ軍事的有用性を有している。画像増強装置は、暗環境において微量の光を収集する。この光には、環境には存在するが人間の目には知覚することができない、赤外光スペクトルのより低い部分が含まれる。この装置は、人間の目が画像を知覚できるように、光を増幅する。画像増幅装置の光出力は、カメラ、外部モニタあるいは視聴者の目に直接供給することが出来る。
画像増強装置は、通常、排気された容器内にマウントされた3個の基本部品、即ち、光電陰極(一般に、陰極と呼ぶ)、マイクロチャネルプレート(MCP)および陽極を含んでいる。光電陰極は、光の照射を受けた場合、電子を放出する光電性のプレートである。MCPは、ガラスプレートの一面(入力)と他面(出力)間に延びるチャネルアレイを有する、薄いガラスプレートである。MCPは、光電陰極と陽極間に位置されている。
MCPの外面は鉄のバリアフィルムによって被覆されている。MCPの外面を薄膜で被覆することによって、フィルムレスのMCPの場合に比べて、画像増強管の性能および寿命が相当改善される。画像増強管にフィルムを有するMCPを組み込むことによって、新たなチャレンジが形成される。このようなチャレンジにかなうソルーションについて記載する。
動作時において、光電陰極から来る電子はMCPの入力面に入り、チャネル壁に衝突する。MCPを横切って電圧を印加すると、入射電子、即ち一次電子が増幅されて二次電子を発生する。この二次電子はMCPの出力面においてチャネルを出る。MCPチャネルを出た二次電子は負に帯電されており、従って正に帯電された陽極に引き付けられる。陽極は、蛍光スクリーンあるいは、例えば相補型金属酸化物半導体(CMOS)または電荷結合素子(CCD)のようなシリコン撮像装置であっても良い。
画像増強装置の3個の基本部品は、排気された容器即ち真空容器内に位置する。真空によって、光電陰極からMCPを通って陽極に向かう電子の流れが促進される。排気された容器内には、ガス分子を収集することによって真空状態を維持するために、非蒸発性のゲッターが配置されている。排出された電子管から望ましくないガスを排気するために、この分野では周知の非蒸発性ゲッターが使用される。ゲッター材料の使用は、この分野で周知のように、ある種の固体の、吸着、吸収あるいは閉塞によって遊離ガスを収集する能力に基づいている。画像増強装置容器内の真空を促進し維持することは、画像増強装置製造業者の目標である。この目標を胸に、本明細書に記載する画像増強装置は、ゲッター材料の使用を極限まで高め、且つ、容器内の真空状態を維持するために、封止構造を組み入れている。
性能、信頼性、製造可能性、コストおよび組み立ての容易性のために、画像増強装置の部品および画像増強装置の組み立て方法をさらに開発し、改良する、継続した必要性が存在する。
以下の米国特許がその全体において参照により本出願に組み込まれる。即ち、Wheeler等へのUS特許第5,493,111号、Suyama等へのUS特許第6,586,877号、Vrescak等へのUS特許第6,040,657号、Benz等へのUS特許第6,747,258号、IosueへのUS特許第6,331,753号、WimmerへのUS特許第4,039,877号、Wodecki等へのUS特許第5,510,673号、IosueへのUS特許第6,483,231号、ThomasへのUS特許第5,994,824号、IosueへのUS特許第6,847,027号、およびThomasへのUS特許第5,994,824号。以下の米国特許出願がその全体において参照により本出願に組み込まれる。即ち、Costelloの出願番号第11/193,065、Thomasの出願番号第11/194,865、Yamauchiの出願番号第10/482,767およびShimoi等の出願番号第10/482,767号。
本発明の一観点によれば、画像増強装置が開示される。本画像増強装置は、その表面に薄膜が貼付されたマイクロチャネルプレート(MCP)を含む。MCPに隣接して、ヘッダーにマウントされた画像センサを含む陽極アッセンブリが配置されている。マウント面を定義するスペーサが、MCPを陽極アッセンブリから分離するために、陽極アッセンブリのヘッダーのマウント面に向かって位置する。ヘッダーとスペーサ間の界面において、ヘッダーまたはスペーサ中に窪みが定義される。この窪みは、スペーサとヘッダー間に定義された通路を形成し、この通路を介して有機ガスを通過させる。
本発明の他の観点によれば、画像増強器は排気された容器を含み、有機ガスを吸収して排気された容器内の真空状態を維持するために、ゲッター材料が窪み上に位置する。
本発明のさらに他の観点によれば、画像増強装置の製造方法が開示される。この方法は、陽極アッセンブリのヘッダー上に画像増強器をマウントするステップを含む。スペーサのマウント面は、陽極アッセンブリのヘッダーのマウント面上に、スペーサとヘッダー間の界面において通路が定義されるように、マウントされる。スペーサがフィルム貼付のMCPと画像センサ間に配置され、空間がフィルム貼付のMCPと画像センサ間に定義されるように、フィルム貼付のMCPが、スペーサの他の面上にマウントされる。フィルム貼付のMCPと画像センサ間の空間から、スペーサとヘッダー間の界面に定義された通路を介して有機ガスを取り出すために、真空化が行われる。
本発明は、以下の詳細な説明を、添付の図面を参照して読むことによって、よく理解される。
以下の記載を、添付の図面を参照して読むことによって、本発明を最もよく理解することが出来る。これらの図面は、説明の目的だけに選択された、本発明の一実施形態を示す。これらの図面は、限定のためではなく寧ろ説明のためであって、本発明の説明を容易にするためにここに含まれている。本発明は、図示の詳細に限定されることを意図するものではない。特定の実施形態を参照してここに本発明を説明し且つ記載しているが、特許請求の範囲内およびその等価の範囲内で、且つ本発明を離れることなく、種々の変更がその詳細部分において可能である。
図1は、本発明の一実施形態にかかる画像増強管10(以降、チューブ10)の断面図を示す。チューブ10は、裏面カバー13に嵌め込まれた前面カバー11を含む、排気された容器12を含む。容器12内に、光電陰極14、マイクロチャネルプレート(MCP)16および陽極20(あるいは、画像センサ20として言及される)が配置されている。
光電陰極14は、フェースプレート15に取り付けられている。この表面プレート15は、傾斜部分15Aと、真空容器12の一端の導電性サポートリング22上にある平坦部分24とを有している。一般にクロムで構成される金属化層25が平坦部分24上に堆積されて、サポートリング22と導電的に係合する。金属化層25は、光電陰極14とフェースプレート15の両者に導電的に係合するように、傾斜部分15Aに沿って連続して延びている。サポートリング22に対する光電陰極フェースプレート15の取付け部は、真空容器12の一端を閉鎖するためのシールを形成する。サポートリング22は、光電陰極14のフェースプレート上で金属化層25に接触する。金属化層25は、光応答層26と接続されている。そのため、真空容器12の外部でサポートリング22に対して電気バイアスを印加することによって、排気された環境内で光電陰極14の光応答層26に電気バイアスを印加することが出来る。
サポートリング22の下側に、第1の環状セラミックスペーサ28が配置されている。第1の銅ロウ付けリング(図示せず)によって、第1のセラミックスペーサ28がサポートリング22に結合されている。この銅ロウ付けリングは、ロウ付け作業によって、第1のセラミックスペーサ28とサポートリング22の両者に結合される。銅ロウ付け作業は、サポートリング22と第1のセラミックスペーサ28間に空気不浸透性のシールを形成する。金属の接触リングの形状で提供される上部MCP端子32が、サポートリング22の反対側で第1のセラミックスペーサ28と結合される。上部MCP端子32と第1のセラミックスペーサ28間に、第2のロウ付けリング(図示せず)を介在させる。上部MCP端子32はロウ付け作業によって第1のセラミックスペーサ28に結合される。上部MCP端子32は真空容器12内に延びており、そこで金属スナップリング38に導電的に係合する。金属スナップリング38はMCP16の導電性上部表面42に係合する。金属スナップリング38とMCP16間の係合は、図5Aを参照してより詳細に記載されている。真空容器12の外部で上部MCP端子32に電気バイアスを印加することによって、MCP16の導電性上部表面42に電気バイアスが印加される。
上部MCP端子32の下側に第2のセラミックスペーサ46が配置され、上部MCP端子32を下部MCP端子48から絶縁する。第2のセラミックスペーサ46は上部MCP端子32及び下部MCP端子48の両者にロウ付けされ、それによって上部MCP端子32と第2のセラミックスペーサ46の間に第3のロウ付けリング(図示せず)が介在し、第2のセラミックスペーサ46と下部MCP端子48との間に第4のロウ付けリング(図示せず)が介在するようになる。下部MCP端子48は真空容器12中に延び、さらにMCP16の下部導電性表面44に係合する。その結果、下部MCP端子48を真空容器12の外部で接地電位に接続することによって、MCP16の下部導電性表面44は接地される。
第3のセラミックスペーサ56は、下部MCP端子48をゲッターサポート58から分離する。第3のセラミックスペーサ56は、下部MCP端子48とゲッターサポート58の両者にロウ付けされる。そのため、第5のロウ付けリング(図示せず)が、下部MCP端子48と第3のセラミックスペーサ56間に介在するようになる。同様に、第6のロウ付けリング(図示せず)が、第3のセラミックスペーサ56とゲッターサポート58間に介在する。外部シール部材64がゲッターシールド58の下側に位置する。外部シール部材64はゲッターシード58にロウ付けされる。そのため、第7のロウ付けリング(図示せず)が、外部シール部材64の上部に位置するようになる。
下部MCP端子48のセグメント69が、MCP16とセラミックヘッダー68との間に存在する。CMOS撮像ダイ43の形状をした陽極20が、ヘッダー68の一表面にマウントされている。CMOS撮像素子の動作は当業者にとって理解しうるものである。あるいは、陽極20は蛍光スクリーンであり、あるいは、例えば電荷結合素子(CCD)のようなシリコン撮像素子であっても良い。セラミックヘッダー68上へのCMOSダイ43のマウントは、図2Aおよび2Bを参照して詳細に記載されている。下部MCP端子48のセグメント69は、MCP16の下部導電性表面44を、予め決定した精細な距離だけ、CMSダイ43の表面から分離する。
内部封止部材66はセラミックヘッダー68の下方に配置されている。内部封止部材66はセラミックヘッダー68にロウ付けされている。それによって、セラミックヘッダー68と内部封止部材66間にロウ付けリング(図示せず)が介在するようになる。真空容器12の下端は、外部封止部材64と内部封止部材66の存在によって、真空封止されている。封止部材64および66の両者は、封止カップ70に対して封止する。封止部材64、66および封止カップ70間の封止係合は、図5を参照して詳細に記載されている。前述したロウ付けによる界面、埋め込み用材料63および封止の組み合わせによって、真空容器12によって定義される気密エンベロープが形成される。
CMOSダイ43から延びる電気リード(図示せず)と導電性接続を取るために、セラミックヘッダー68の本体全体にわたって、複数の電気ピン45が配置されている。ピン45を通して、電力、接地および/または信号が分配される。裏面カバー13はピン45を収容する開口47を含み、それによって、嵌め合せコネクタ(図示せず)がピン45に接続し、CMOSダイ43に電力を供給しおよび/またはCMOSダイ43から信号を受信する。
チューブ10の組立てプロセスに関して、画像増強管の組立てにおける重要なステップは、チューブを真空封止するに先立ってチューブの内部領域から有害な有機ガスを取り除くことである。この有機ガスは、チューブの陽極および/またはその他の部品から放出される。チューブを真空封止するに先立って有機ガスを取り除くことにより、画像増強管の性能と製品寿命が改善される。フィルムレスMCPを有する画像増強管に対して、フィルムレスMCP内に定義される微小なチャンネルを通して、この有機ガスが真空に引かれ、部分的に組み立てられたチューブの上端を介して排気される。その後、光電陰極がマウントされチューブの上端に真空封止される。
従来の画像増強管とは異なって、チューブ10のMCP16の表面は、イオンバリアフィルムによって被覆されている。このイオンバリアフィルムは画像増強管10の性能と製品寿命を、フィルムレスMCPを組み込んだ従来の画像増強管に比べて、より向上させるために使用される。フィルムが被覆されたMCPは多くの性能上の利点を提供するが、以降に記載するように、フィルムが被覆されたMCPは画像増強装置を組み立てる上で種々の課題を提供する。CMOSダイ(あるいはチューブのその他の部品)から放出される有機ガスは、MCPに貼付されたイオンバリアフィルムの結果として、フィルムが被覆されたMCPを通過することを制限される。この有機ガスは、MCPとCMOSダイ間の空間内にトラップされるようになる。MCPとCMOSダイ間の空間内にトラップされた有機ガスは、潜在的にチューブの性能および製品寿命を低下させるので、これらのガスを排気する(即ち、取り除く)ことが望まれる。
図2は、図1の部分的に組み立てられたチューブ10の側断面図である。図2は、チューブ10を組み立てる途上の、ある特定の組立てステップを図示することを意図している。図2に示された組立てステップは、サブ−アッセンブリ77の組立ての直後で、かつ光電陰極14と管状封止カップ70のサブ−アッセンブリ77上への組立ての直前に、存在する。
本発明の一実施形態によれば、チューブ10は、図2に矢印で示すように、CMOSダイ43(および/またはチューブ10のその他の部品)からチューブ10の下端を通って放出される有機ガスの除去手段を含んでいる。図2に示す組立てプロセスにおいて、光電陰極14はサブ−アッセンブリ77の上端から分離され、管状封止カップ70はサブ−アッセンブリ77の下端から分離されている。
図2に矢印で示すように、真空源(図示せず)は、光電陰極14とサブ−アッセンブリ77間に設けられたギャップ“H”を通して真空引きし、MCP16上にトラップされた有機ガスを排出する。その後、光電陰極14は、サブ−アッセンブリ77の上端にロウ付けされ、あるいはマウントされて、チューブ10の上端を封止する。真空源(図示せず)はさらに、管状封止カップ70とサブ−アッセンブリ77の下端間に提供されたギャップ“G”を介して真空引きする。CMOSダイ43から放出される有機ガスは、ヘッダー68とMCPスペーサ16間に定義される通路80を通って引かれ、その結果MCP16とCMOSダイ43間の空間内にトラップされた有機ガスを除去する。その後、チューブ10の下端を封止するために管状封止カップ70をサブ−アッセンブリ77の下端に取付ける。ヘッダー68とMCPスペーサ16間に定義される通路80を通して有機ガスを除去することは、フィルム被覆されたMCP(例えばMCP16)を有する画像増強管(例えばチューブ10)に対して独特である。フィルムレスMCPにおいて定義される小さなチャンネルを通って有機ガスが逃げるので、フィルムレスMCPを使用する画像増強管では、シリコン画像装置ヘッダーとMCPスペーサ間に定義される通路を必ずしも必要としない。
図3Aは図1の画像増強管の上面図を示す。この上面図では、CMOS画像装置を明らかにするために光電陰極を省略し、マイクロチャンネルプレート(MCP)の一部を切り取ってある。図3Bは、図3Aの画像増強管の一部分のライン3B−3Bに沿った側断面図である。図3Aと3Bは、ヘッダー68とMCPスペーサ48間に定義される通路80を示している。通路80は、ヘッダー68とMCPスペーサ48の管状の交点において、ヘッダー68とMCPスペーサ48の一方あるいは両者に形成される窪みによって定義される。
図3A−3Bに示される一実施形態によれば、MCPスペーサ48の下側表面73は、ヘッダー68の表面75に面するように配置されている。ロウ付けリング(図示せず)が、MCPスペーサ48をヘッダー68にマウントするために、MCPスペーサ48とヘッダー68間に挟まれている。ヘッダー68に形成され、ヘッダー68の周囲に沿って配置された階段状の一連の表面82によって定義された窪みによって、通路80が形成されている。階段状の表面82は、ヘッダー68の上部表面75からヘッダー68の下部表面84まで延びている。図4Bに尤も良く示されているように、ヘッダー68は8個の階段状表面82を含んでおり、これらの表面はヘッダー68の周囲に沿って互いに間隔を置いて離れている。階段状の各表面82のサイズ、形状および数は、図示し説明したものとは異なる場合がある。
ヘッダー68の階段状表面82上にゲッター材料が位置する。背景技術の項で記載したように、ゲッター材料は、チューブ10の操作および組立ての間に生成された有害な有機ガスを吸収する。チューブ10の容器内の真空状態を維持するためには、チューブ10内のゲッター材料の量を最大にすることが有益である。この理由のために、交互に直交した表面はゲッター材料を配置するために利用可能な表面領域を最大にするので、階段は他の幾何学的形状よりも好ましい。従って、一連の階段状表面82は、その上にゲッター材料を配置するための通路80の表面領域を最大にするために、好ましい。
図示されてはいないが、別の実施形態では、スペーサ48内に形成された一連の階段状表面によって定義される窪みによって、通路80が形成される。さらに他の代替的実施形態では、ヘッダー68とスペーサ48の両者に階段を形成してその間に通路80を形成する。さらに、階段形状の交互に直交する表面が望ましいために、表面82は図示するものとは異なる場合がある。本発明の一形態では、表面82は、ヘッダー68の取り付け表面75に対して予め決められた全ての角度で、延びていても良い。
本発明の一形態によれば、例えばチューブ10である、画像増強装置の製造方法が提供される。この製造方法は、例えばCMOSダイ43である画像センサを陽極構造体のヘッダー68上にマウントするステップを含んでいる。MCPスペーサ48の表面73は、陽極構造体のヘッダー68の表面上に、通路80がMCPスペーサ48とヘッダー68間に定義されるように位置する。スペーサ48がフィルム被覆されたMCP16とCMOSダイ43間に配置され、スペース“S”が、フィルム被覆されたMCP16とCMOSダイ43間に定義されるように、フィルム被覆されたMCP16がMCPスペーサ48の上表面上に位置する。フィルム被覆されたMCP16とCMOSダイ43間のスペース“S”からスペーサ48とヘッダー68との間の界面において定義される通路80を介して有機ガスを引くために、真空が印加される。有機ガスを吸収するために、通路80の表面上にゲッター材料が位置する。
図4Aおよび4Bはそれぞれ、図1の画像増強管10のサブ−アッセンブリの外観図および上面図である。ここで、画像増強管10はCMOSヘッダー68、MCPスペーサ48および内部封止部材66を備える。これらの部品の更なる詳細を以下に記載する。MCPスペーサ48の下側表面73(図3B参照)は、ヘッダー68の表面75上に面するように位置する。MCPスペーサ48とヘッダー68間に、これらの部品を一体に封止するためにロウ付けリング(図示せず)が挟み込まれている。CMOSヘッダー68と内部封止部材66間に、これらの部品を一体に封止するために別のロウ付けリングが挟み込まれている。
上述したように、CMOSダイ43(図1−3B参照)はヘッダー68の表面にマウントされる。ヘッダー68は、CMOSダイ43の長方形の本体を収容するための、長方形の形状をした窪み面90を含んでいる。CMOSダイ43および窪み面90の形状が図示のものと変わりうることを、当業者は容易に理解することができる。CMOSダイ43は、例えばエポキシのような接着剤によって窪み面90内にマウントされる。一連のチャンネル94が、CMOSダイ43の下側表面に貼付された過剰な接着剤を集めるために、窪み面90の縁に設けられている。MCPスペーサ48は各チャンネル94に対応する窪み95を含んでいる。各チャンネル94は、窪み面90の高さよりも低い高さまで延びており、それによってチャンネル94が窪み面90よりも深くなるようにされている。言い換えると、表面75とチャンネル94を分離する距離は、表面75と窪み面90を分離する距離よりも大きい。組立てにおいて、CMOSダイ43の下側に貼付された過剰な接着剤は、チャンネル94中に流れ込む。
CMOSダイ43(図示せず)から延びるリードを接続するために、一連の表面マウントパッド98がヘッダーの表面75上に設けられる。各表面マウントパッド98は、ヘッダー68の本体を通るように経由された内部トレース(図示せず)によって、シリコン画像装置構造体のピン45(図1参照)に接続されている。
図1、4Aおよび4Bを参照すると、画像増強管の他の部品、例えば、MCP、光電陰極またはチューブ容器、に対するシリコン画像素子の位置合わせは、チューブの適切な機能を確保するものであることが望ましい。シリコン画像素子の位置合わせは、困難で時間の係るプロセスである。標準の画像増強チューブ組立て方法では、シリコン画像素子はセラミックヘッダーの表面にマウントされている。例えば、MCP、光電陰極あるいはチューブ容器などのその他のチューブ部品は、シリコン画像素子に対して位置合わせされる。画像増強チューブの適切な機能を確保するように、シリコン画像素子の位置に対してチューブのその他の部品を空間的に整列させるために、組立て作業員は特別の注意を払う必要がある。速やかにかつ正確な組立てを促進するために、画像増強装置に、整列機能を組み込むことが望ましい。
チューブ10は、シリコン画像素子20と、例えば容器10、MCP16および光電陰極14のようなチューブ10のその他の部品間との速やかで正確な空間整列を促進するために、独特の整列機能を組み込んでいる。さらに詳しくは、本発明の一形態に従い、かつ図1に尤も良く示すように、チューブ10は、ヘッダー68に対して画像センサ20を整列させるための手段100を含んでいる。この一実施形態によれば、画像センサ整列手段100は、ヘッダー68の窪み面90の形状で提供される。この窪み面90は、画像センサ20が少なくとも部分的に窪み面90内に保持されるように、画像センサ20のフレームを収容する大きさとされている。ヘッダー68の位置に対する画像センサ20の位置が正確にわかるように、画像センサ20と窪み面90との界面の間の僅かなギャップは比較的小さな許容度に維持される。これによって、画像センサ20のヘッダー68に対する位置が予め決定される、即ち、既知となる。画像センサ20は窪み面90内での横方向の移動および回転が限定されている。
さらに図1を参照すると、チューブ10はさらに、チューブ10の容器12に対してヘッダー68を整列させる手段102を備えている。この一実施形態では、ヘッダー整列手段102はヘッダー68の表面上に形成された窪み49の形状で提供される。この窪み49は容器12の裏面カバー13から延びる突出部51を収容する大きさとされている。突出部51は、例えば、表面、ピンまたは留め具、あるいは当業者に既知のその他の整列機構の形状で提供される。突出部51の界面と窪み49の界面間の僅かなギャップは、比較的小さな許容度に維持され、それによって容器12の位置に対するヘッダー68の位置が正確に分かるようにされる。従って、容器12に対するヘッダー68の位置が予め決定される、即ち、予め分かる。ヘッダー68の窪み49と容器12の突出部51間の係合によって、ヘッダー68が容器12に対して横方向に移動し回転することが制限される。
窪み面90と窪み49間の距離が予め決定されているので、シリコン画像素子20と容器12間の距離もまた予め決定される。従って、チューブ10の設計中に手段100と102を組み込むことによって、チューブ100の組立ての複雑さが実質的に減少する。これは、容器12に対するシリコン画像素子20の位置が予め決定され、その結果、例えばMCP16および光電陰極14のようなチューブ10の他の部品に対するシリコン画像素子20の速やかで正確な配置が可能になるためである。
MCP16と光電陰極14は、間接的にあるいは直接的に容器12にマウントされている。容器12に対するMCP16および光電陰極14の位置も同様に、予め決定することができる。従って、容器12に対する画像センサ20の位置が予め決定され、かつ容器12に対するMCP16と光電陰極14の位置が予め決定されているので、画像センサ20に対するMCP16と光電陰極14の相対位置もまた予め決定される。
図4Aに最も良く示されるように、窪み49と窪み面90の両者は、ヘッダー68の表面75から延びている。ヘッダー68の同じ面の上に窪み49と窪み面90の両者を形成することによって、窪み49と窪み面90間の相対距離をより精密に維持することができ、その結果、ヘッダー68の異なる面の上に窪み49と窪み面90を形成する場合よりも低い寸法公差を達成することができる。あるいは、図1に示すように、窪み49と窪み面90を、ヘッダー68の反対の面の上に定義することもできる。
画像センサ整列手段100は、本発明の範囲および精神を離れることなく、図示し説明するものとは異なっている場合もある。非限定的な例として、画像センサ整列手段100は、ヘッダー68上に形成された突出部を含んでいても良く、その突出部に対して画像センサ20の一表面が位置決めされる。さらに、ヘッダー整列手段102もまた、本発明の範囲および精神を離れることなく、図示し説明するものとは異なっていてもよい。非限定的な例として、ヘッダー整列手段102は、ヘッダー68から延びる突出部を有していてもよく、この突出部は容器12上に形成された窪み内に位置するべき大きさを有している。
整列手段100および102は、画像増強装置に組み込むものとして限定されることはない。これは、例えば長波長あるいは短波長赤外センサ装置のようなセンサを組み込む、全ての電子装置に組み込むことが可能であるためである。さらに、このセンサは、相補型金属酸化物半導体(CMOS)または電荷結合素子(CCD)のような画像センサあるいは、当業者に周知の全てのタイプのセンサであって良い。
本発明の一つの観点によれば、チューブ10の容器12に対して画像センサ20を整列させる方法が提供される。この方法は、ヘッダー68の窪み面90上に画像センサ20を位置決めステップを含む。ヘッダー68は容器12内に位置される。第2の整列要素、例えばヘッダー68の窪み49は、容器12の表面によって定義されあるいは表面上に位置される突出部51のような整列素子に、整列する。
図5は、図1のチューブ10の管状封止部材64および66の詳細図である。真空容器12の下端は、外部封止部材64と内部封止部材66の存在によって真空に封止されている。内部封止部材66は、ロウ付けリング(図示せず)によってセラミックヘッダー68の下側の表面に対してロウ付けされ、そこから下方に延びている。外部封止部材64は、ロウ付けリング110によってゲッターシールド58にロウ付けされ、そこから下方に延びている。外部封止部材64は、内部封止部材66に近接してかつ実質的に平行に延びるように配置され、それによって、封止部材64と66間にギャップEが定義される。
外部封止部材64と内部封止部材66は、管状封止カップ70と密閉的に接触し、容器12内で真空状態を維持する。封止部材64と66は、例えばKovar(トレードマーク)によって形成してもよく、あるいは当業者に周知の他の適当な材料で形成しても良い。第1の封止74は、外部封止部材64と封止カップ70との間の界面に発生する。この第1の封止74は、外部封止部材64と封止カップ70の側面112および/または中間にある表面114との間に形成される。第2の封止76は、内部封止部材66と封止カップ70との間の界面に発生する。この第2の封止76は、内部封止部材66と、封止カップ70の中間表面116および/または中間表面114との間に形成される。外部封止部材64と内部封止部材66との組み合わせは、二重ダガー封止部材として言及される場合もある。これは、各封止部材64および66がダガー様の形状に合体しているからである。
陶製材料63が、容器12とチューブ10の内部の部品との間に定義される管状空間内に位置している。容器12の前部カバー11と背面カバー13は、実質的に陶製材料63を封入するように位置する。陶製材料63がその中に配置されている外部封止部材64の外部回転面に沿って、溝118が形成されている。この溝118は、チューブ10を最適化する努力の一環として、光電陰極14の内部空間を設定するための助けをする。陶製材料63、封止74、封止76および図1を参照して説明したロウ付けされた界面の組み合わせは、真空容器12として定義される気密エンベロープを形成する。
図5に示す部品の配列はここに示しかつ説明したものに限定されるものではない。封止部材74と76は、チューブ10の如何なる部品から延びていても良い。例えば、外部封止部材64は、光電陰極14から直接あるいは間接的に延びていても良い。さらに、封止部材74と76は、互いに異なる高さに延びていても、あるいは異なる角度で配置されていても良い。封止部材74および76の全体の形状は、真っ直ぐでも、(図示するように)管状でも、あるいはチューブ10の形状に合致するその他の如何なる形状でも良い。
図6は、図1のMCP16の詳細図である。金属接触リングの形状で提供される上部MCP端子32は、ロウ付けリングによって第1のセラミックスペーサ28に結合されている。上部MCP端子32は真空容器12内に延びており、そこで金属スナップリング38と導電的に係合する。金属スナップリング38は、MCP16の導電性上部表面42に係合する。電気バイアスを真空容器12の外部上で上部MCP端子32に印加することによって、電気バイアスをMCP16の上部導電性表面42に印加することができる。
上部MCP端子32の下方にスペーサ46が位置し、上部MCP端子32を下部MCP端子48から分離している。スペーサ46は、例えばセラミックのような絶縁材料から形成される。スペーサ46は上部MCP端子32および下部MCP端子48の両方にロウ付けされている。下部MCP端子48は真空容器12内に延び、MCP16の下部導電性表面44に係合している。その結果、下部MCP端子48を真空容器12の外部の接地電位に接続することにより、MCP16の下部導電性表面44は接地電位に接続される。明示されてはいないが、MCP16の下部導電性表面44を接地電位に接続するために、下部MCP端子48は導電性領域を含む。下部MCP端子48は、以降、MCPスペーサとして言及されることもある。
スペーサ46は、下部MCP端子48の上面に面する位置にある底面117を含んでいる。スペーサ46の上面119は、上部MCP端子32の底面に面するように位置する。スペーサ46の傾斜面120は、少なくとも部分的に、スペーサ46の上面119に対して予め決められた角度で、スペーサ46の上面119と底面117との間に延びている。表面120の角度は、スペーサ46の構造上の完全性に影響を与える。上面119に対する表面120の角度は、例えば、約30度と約60度との間であっても良い。あるいは、上面119に対する表面120の角度は、約45度であっても良い。
傾斜面120はスペーサ46の上面119から延び、中間面122を横切っている。この中間面は、スペーサ46の上面119と底面117との間の高さに定義されている。スペーサ46の中間面122、上面119および底面117は実質的に平坦であり、かつ、互いに平行である。スペーサ46の中間面122と底面117との間で測定されるスペーサ46の厚み寸法は、図6Aに最もよく示すように、MCP16の厚み寸法に実質的に等しい。言い換えると、MCP16の中間面122と上部導電性表面42は実質的に同じ高さに配置されている。MCP16の中間面122と上部導電性表面42とを同じ高さに保つことによって、金属スナップリング38の下部表面は、一個の面に沿って、MCP16とスペーサ46の両方の上面に係合するように位置する。
ここに記載した説明は、本発明を実施するための最も良い形態を述べており、請求の範囲に記載された要素の例を提示することによって、当業者が本発明を構成し利用できることが可能なように本発明を記載している。本発明の特許を受けうる範囲は請求の範囲に定義されており、当業者に対して発生するその他の例を含んでいる。
ここでは、本発明の典型的な実施例を記載し説明しているが、このような例は単なる例示として提供されていることを理解することができる。当業者は、本発明の精神を離れることなく多くの修正、変更および置換を行うことが可能である。例えば、本発明の観点は、これらの観点をその他の光学あるいは電子装置に適用することが可能であるため、画像増強装置に限定されることはない。従って、添付の特許請求の範囲が、本発明の精神および範囲に入るこのような全ての変更をカバーしているものと意図される。
Claims (18)
- 表面に貼付された薄膜を有するマイクロチャンネルプレート(MCP)と、
ヘッダーにマウントされかつ前記MCPに隣接して位置する画像センサを含む陽極アッセンブリと、
前記MCPを前記陽極アッセンブリから分離するために、前記陽極アッセンブリの前記ヘッダーのマウント面に向かって位置するマウント面を定義するスペーサと、さらに
前記ヘッダーと前記スペーサとの間の界面において、前記ヘッダーまたはスペーサのいずれかの中に定義された窪みであって、前記スペーサと前記ヘッダーとの間に定義され、有機ガスを通過させるための通路を形成する窪みと、を備える、画像増強装置。 - 請求項1に記載の装置であって、前記画像センサは相補型金属酸化物半導体(CMOS)あるいは電荷結合素子(CCD)のいずれかである、画像増強装置。
- 請求項1に記載の装置であって、さらに、前記窪みの表面上に堆積したゲッター材料を含む、画像増強装置。
- 請求項1に記載の装置であって、前記窪みは前記ヘッダーの表面に沿って定義され、さらに前記窪みは前記ヘッダーの前記マウント面に対して予め決定された角度を持って延びている、画像増強装置。
- 請求項4に記載の装置であって、さらに、前記窪みの表面上に堆積されたゲッター材料を備える、画像増強装置。
- 請求項4に記載の装置であって、前記窪みは、前記ヘッダーの前記マウント面に対して実質的に直交する平面に沿って延びている、画像増強装置。
- 請求項4に記載の装置であって、前記窪みは、前記ヘッダー上に形成された少なくとも1個の階段を備える、画像増強装置。
- 請求項1に記載の装置であって、前記窪みは、前記スペーサに沿って定義され、かつ、前記スペーサの前記マウント面に対して予め決定された角度を持って延びている、画像増強装置。
- 請求項8に記載の装置であって、さらに、前記窪みの表面上に堆積されたゲッター材料を備える、画像増強装置。
- 請求項8に記載の装置であって、前記窪みは、前記スペーサの前記マウント面に対して実質的に直交する平面に沿って延びている、画像増強装置。
- 請求項8に記載の装置であって、前記窪みは、前記スペーサ上に形成された1個の階段を備える、画像増強装置。
- 排気された容器と、
前記容器内に位置し、その一表面に貼付された薄膜を有する、マイクロチャンネルプレート(MCP)と、
ヘッダーにマウントされ前記MCPに隣接して位置する画像センサを備える陽極アッセンブリと、
前記MCPを前記陽極アッセンブリから分離するために、前記陽極アッセンブリの前記ヘッダーのマウント面に向かって位置するマウント面を定義するスペーサと、
前記陽極アッセンブリの前記ヘッダー内に定義された少なくとも1個の窪みであって、前記窪みは前記ヘッダーの前記マウント面に対して予め決定された角度を持って延びており、前記窪みは、前記スペーサと前記陽極アッセンブリとの間に延び、かつ、有機ガスを通過させるための開放された通路を形成する、前記窪みと、さらに
前記窪みの表面上に堆積され、有機ガスを吸収して前記排気された容器内の真空条件を維持するための、ゲッター材料と、を備える、画像増強装置。 - 請求項12に記載の装置であって、前記画像センサは、相補型金属酸化物半導体(CMOS)あるいは電荷結合素子(CCD)のいずれかである、画像増強装置。
- 請求項12に記載の装置であって、前記窪みは、前記ヘッダーの前記マウント面に対して実質的に直交する平面に沿って延びている、画像増強装置。
- 請求項12に記載の装置であって、前記窪みは、前記ヘッダー上に形成された少なくとも1個の階段を備える、画像増強装置。
- 請求項15に記載の装置であって、前記窪みは、前記ヘッダー上に形成された複数の階段を備える、画像増強装置。
- 陽極アッセンブリのヘッダー上に画像センサをマウントし、
スペーサと前記ヘッダーとの間の界面に通路が形成されるように、前記スペーサのマウント面を前記陽極アッセンブリの前記ヘッダーのマウント面に向けて位置し、
前記スペーサがフィルム貼付のMCPと前記画像センサとの間に位置しかつ前記フィルム貼付のMCPと前記画像センサとの間に空間が定義されるように、前記スペーサの別の表面上に前記フィルム貼付のMCPを配置し、かつ
前記フィルム貼付のMCPと前記画像センサとの間の空間から、かつ、前記スペーサと前記ヘッダーとの間の界面に定義される通路を介して有機ガスを引くために、真空を適用する、各ステップを備える、画像増強装置を製造するための方法。 - 請求項17に記載の方法であって、さらに、有機ガスを吸収させるために、前記開放された通路の表面上にゲッター材料を堆積するステップを備える、画像増強装置を製造するための方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7999216B2 (en) * | 2009-03-09 | 2011-08-16 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. | Selective channel charging for microchannel plate |
US7973272B2 (en) | 2009-03-09 | 2011-07-05 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration, Inc. | Interface techniques for coupling a microchannel plate to a readout circuit |
US8507839B2 (en) * | 2010-09-22 | 2013-08-13 | Exelis, Inc. | Image intensifier tube with a mounting surface |
US8313608B2 (en) | 2010-09-22 | 2012-11-20 | Exelis, Inc. | Method of aligning an imaging device in an optical system |
US9734977B2 (en) | 2015-07-16 | 2017-08-15 | Intevac, Inc. | Image intensifier with indexed compliant anode assembly |
RU2622397C2 (ru) * | 2015-08-10 | 2017-06-15 | Открытое акционерное общество "Центральный научно-исследовательский институт "Электрон" | Высоковольтный гибридный фоточувствительный прибор для регистрации излучения малой интенсивности |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4039877A (en) | 1975-07-09 | 1977-08-02 | International Telephone And Telegraph Corporation | Image intensifier with fiber optic faceplates sealed with indium-bismuth alloy |
WO1995009432A1 (en) * | 1993-05-28 | 1995-04-06 | International Standard Electric Corp. | Unistructural housing for an image intensifier tube |
US5493111A (en) | 1993-07-30 | 1996-02-20 | Litton Systems, Inc. | Photomultiplier having cascaded microchannel plates, and method for fabrication |
US5510673A (en) | 1994-07-29 | 1996-04-23 | Litton Systems, Inc. | Shock resistant cascaded microchannel plate assemblies and methods of use |
US5994824A (en) | 1997-07-24 | 1999-11-30 | Itt Manufacturing Enterprises | Light weight/small image intensifier tube |
US6040657A (en) | 1997-08-15 | 2000-03-21 | Itt Manufacturing Enterprises | Thin faceplate image intensifier tube having an improved vacuum housing |
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US6331753B1 (en) | 1999-03-18 | 2001-12-18 | Litton Systems, Inc. | Image intensifier tube |
US6483231B1 (en) | 1999-05-07 | 2002-11-19 | Litton Systems, Inc. | Night vision device and method |
US20040245925A1 (en) | 2001-07-05 | 2004-12-09 | Kuniyoshi Yamauchi | Electron tube and method of manufacturing the electron tube |
US6747258B2 (en) * | 2001-10-09 | 2004-06-08 | Itt Manufacturing Enterprises, Inc. | Intensified hybrid solid-state sensor with an insulating layer |
US7607560B2 (en) | 2004-05-14 | 2009-10-27 | Intevac, Inc. | Semiconductor die attachment for high vacuum tubes |
US7482571B2 (en) * | 2005-08-01 | 2009-01-27 | Itt Manufacturing Enterprises, Inc. | Low cost planar image intensifier tube structure |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012168749A1 (fr) | 2011-06-06 | 2012-12-13 | Sarr Souleymane | Dispositif amovible de guidage pour infiltration sous radiofluoscopie avec amplificateur de brillance |
JP2018054496A (ja) * | 2016-09-29 | 2018-04-05 | セイコーインスツル株式会社 | パッケージおよび赤外線センサ |
Also Published As
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