JP2007047695A - 回折格子 - Google Patents
回折格子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007047695A JP2007047695A JP2005234667A JP2005234667A JP2007047695A JP 2007047695 A JP2007047695 A JP 2007047695A JP 2005234667 A JP2005234667 A JP 2005234667A JP 2005234667 A JP2005234667 A JP 2005234667A JP 2007047695 A JP2007047695 A JP 2007047695A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diffraction grating
- diffraction
- substrate
- region
- efficiency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
Abstract
【課題】 1枚で広い波長域に渡って回折効率特性がフラットな回折格子を安価に提供し、分光器の設計や調整を容易にする。
【解決手段】 基板1の表面に、フォトレジスト層2を形成した基板11に、2光束干渉によるホログラフィック露光法で、フォトレジスト回折格子パターン21を作製した。基板31上に全体面積の60%(領域A)の窓の開いた金属マスクを密着させイオンビームを照射することによりエッチングを行った。できたガラス回折格子パターンはフレーズ角7.6度であった。再び、基板31の上に、回折格子表面の面積の40%(領域B)の窓の開いた金属マスク6を密着させ、先ほどと別の角度でイオンビームを照射し、エッチングを行った。できたガラス回折格子パターンは、ブレーズ角が21度であった。このようにして作製した回折格子は、200nmから800nmの回折効率を測定した結果、全域でフラットな特性を示した。
【選択図】図1
【解決手段】 基板1の表面に、フォトレジスト層2を形成した基板11に、2光束干渉によるホログラフィック露光法で、フォトレジスト回折格子パターン21を作製した。基板31上に全体面積の60%(領域A)の窓の開いた金属マスクを密着させイオンビームを照射することによりエッチングを行った。できたガラス回折格子パターンはフレーズ角7.6度であった。再び、基板31の上に、回折格子表面の面積の40%(領域B)の窓の開いた金属マスク6を密着させ、先ほどと別の角度でイオンビームを照射し、エッチングを行った。できたガラス回折格子パターンは、ブレーズ角が21度であった。このようにして作製した回折格子は、200nmから800nmの回折効率を測定した結果、全域でフラットな特性を示した。
【選択図】図1
Description
本発明は、分光器に用いられる回折格子に関する。
回折格子は、光を単一の波長にするための分散素子として分光器には欠かせない存在であり、該回折格子は、平面基板上にサブミクロンの微細な格子をルーリングエンジンと呼ばれる刻線装置やレーザ干渉によるホログラフィック法などにより形成されている。
回折格子用の基板には、一般的には光学ガラスや合成石英が使われており、基板には規定の精度が要求される。基板表面の形状精度がλ/10までは機械的に仕上げることができるが、λ/20〜λ/100の高精度になると手研磨の手法がとられている。また、形状精度の他に表面の平滑性が真空紫外域では要求される。通常の光学研磨面は2nmRMS程度の平滑性であるが、真空紫外用には0.1〜0.5nmRMSが必要となるため、ボールフィード法やフロートポリシング法等特殊な研磨法が用いられる。また、光源の高出力化に伴い、回折格子用基板として熱伝導性の良いシリコンや炭化ケイ素が要求されている。
ここで、回折格子の性能を規定する大きな要素は、結像特性と回折効率特性であり、通常は、平面、球面、楕円面、トロイダル面などの特定面形状の基板上に結像特性が良好になるように溝形状を最適化設計し、次に、回折効率特性が良好になるように個別の溝の断面形状を最適化設計する。
従来は、回折格子のブレーズ波長(またはブレーズ角)を決定する場合、光源の出力特性と検出器の感度特性を考慮して、使用波長範囲の短波長寄りにブレーズ波長を選定していた。例えば、波長200nmから800nmを使用する分光器を製作する場合、ブレーズドタイプで、ブレーズ波長が250nmのものを使用する場合が多く、図3に示すような回折効率特性を持つ、短波長の比較的回折効率の高い回折格子を使用してきた。しかし、波長範囲が広い場合などは、長波長の回折効率が低くなってしまう。このように、波長範囲が広い場合は、回折格子の回折効率が短波長を重視するので、長波長側のエネルギーを犠牲にする場合が多い。
一方、分光器を設計する場合、取り出すエネルギーはフラットな特性が望ましい場合が多くあり、図4に示すような回折効率特性を持つノンブレーズドタイプの回折格子を使用してきたが、波長域全体でよりフラットな特性になるが、全体に回折効率は低くなる。図4の横軸は波長、縦軸は回折効率を示す。
また2枚の回折格子を使用する場合は、広い波長域で全体に効率を高くできるが、2枚の面精度などの特性のバランスが繊細になるほか、調整機構も複雑となり、高価である。
この特性を改善するため、波長範囲が広い場合など、しばしば、ノンブレーズタイプ(ホログラフィック)の回折格子が使用される。
特開平5−150110号公報
特開2004−227009号公報
ブレーズドタイプの回折格子を使用する場合、通常短波長側にブレーズ波長を設定するため、分光器の長波長側のエネルギーが犠牲になる。さらに、ブレーズ波長と、両端の波長では回折効率差が大きく、分光器の出力差が大きくなるため、きめ細かなアンプのゲインの調整が必要となり、回折格子の効率のばらつきに影響を受けやすい。
また、ノンブレーズドタイプの回折格子は、その広い波長域に対してフラットな特性を生かして広い波長域を1枚の回折格子でカバーする場合が多いが、ブレーズドタイプに比べ、全体に回折効率が低い場合が多い。
また、使用波長域でなるべくフラットな効率特性を得る別の解決方法として、2枚以上の回折格子を使用する場合があるが、回折格子が高価になり、分光器の機構部分や調整方法及び回折格子の仕様が複雑となる。
本発明の目的は、1枚で回折効率特性がフラットな回折格子を安価に提供し、分光器の設計や調整を容易にすることにある。
回折格子の1つの表面領域を刻線方向に対し垂直に複数分割し、それぞれの領域を交互に、互いに異なる2つのブレーズ角を製作する。このブレーズ角は、分光器の光源出力特性、検出器感度特性を考慮し、片方は使用波長の短波長寄りにブレーズがくるように、もう片方は使用波長の長波長寄りにブレーズがくるようにし、さらにそれぞれの領域の割合を決める。ここで、「複数」とは、好ましくは2〜5つの領域をいう。
ホログラフィック露光法とイオンビームエッチング法で回折格子を製造し、使用波長域でフラットな特性を持たせる。
本発明によれば、広い波長範囲に使用できる回折格子であり、ブレーズドタイプの回折格子のような、一部の波長だけが高回折効率なために生じる、分光器検出器出力アンプの細かな調整を不要にし、回折格子間のばらつきの影響も少ない。また、ノンブレーズドタイプの回折格子に比べて、全域で高効率な性能を持つ。
さらに、広い波長域を1枚でカバーすることができるため、多数の回折格子を使用しなくてもよく、光学部品コスト、機構部品コスト、調整コストなどが大幅に削減できるため、品質に優れた、安価な分光器の製作が可能である。
例えば、波長200nmから800nmを使用する分光器を製作する場合、ブレーズドタイプで、ブレーズ波長が250nmのものを使用する場合が多く、短波長の比較的回折効率の高い回折格子を使用する。回折効率特性は図3のようになる。しかし、250nm付近と800nm付近の回折効率の差が大きく、アンプ出力の調整が困難である。ノンブレーズドタイプを使用する場合は、図4のような回折効率になり、波長域全体でよりフラットな特性になるが、全体に回折効率は低くなる。
2枚の回折格子を使用する場合は、図5のように広い波長域で全体に効率は高くできるが、2枚の面精度などの特性のバランスが繊細になるほか、調整機構も複雑となり、高価である。
本発明によれば、1枚の回折格子の表面を図1(a)に示すように2領域A、Bに分割し、Aの領域には図6の1の効率を持つブレーズ角を製作し、Bの領域には、図6の2の効率を持つブレーズ角を製作する。Aの領域は、波長200〜400nm、回折効率25〜55%、Bの領域は、波長350〜800nm、回折効率30〜55%である。
それぞれの領域の面積比を、(Aの領域):(Bの領域)=6:4にすると、図7のように、全体にフラットな効率カーブになる。
ブレーズドタイプの効率(図3)と、ノンブレーズドタイプの効率(図4)と、本発明の回折効率(図7)を比較したのが図8である。本発明品が全体にフラットな特性であることがわかる。
以下、本発明の第1の実施例の形態を、図1、図2を参照しながら詳細に説明する。図2(a)において、符号1はBK7光学ガラスの基板(約60mm×60mm×11.3mm)である。基板1は石英や耐熱強化ガラスでもよく、色ガラスフィルターでもよい。
まず、基板1を光学研磨して、超音波洗浄により表面を清浄する。
次に基板1の表面に、フォトレジスト層2を形成する。フォトレジストとしては、ホログラフィック露光が可能なものであれば何でもよく、例えばMP1800シリーズ(シプレイ製)やOFPR5000(東京応化社製)等が使用できる。本実施例ではMP1805を3000rpmで40秒スピンコートした後、コンベクション・オーブンで90℃、30分間ベーキングし、厚さ0.3μmのフォトレジスト層2とした(基板11)。
まず、基板1を光学研磨して、超音波洗浄により表面を清浄する。
次に基板1の表面に、フォトレジスト層2を形成する。フォトレジストとしては、ホログラフィック露光が可能なものであれば何でもよく、例えばMP1800シリーズ(シプレイ製)やOFPR5000(東京応化社製)等が使用できる。本実施例ではMP1805を3000rpmで40秒スピンコートした後、コンベクション・オーブンで90℃、30分間ベーキングし、厚さ0.3μmのフォトレジスト層2とした(基板11)。
このようにして準備した図2(a)の基板11を、ホログラフィック露光装置にセットし、He−Cdレーザ(λ=441.6nm)の2光束干渉によるホログラフィック露光法で、フォトレジストに1200本/mmの干渉縞を露光した後、専用現像液MP303Aで現像後、純粋リンスを順次行い、フォトレジスト回折格子パターン(正弦波状)を作製する。この時、2光束干渉の干渉縞の強度分布は正弦波であるため、フォトレジストの回折格子溝パターンは正弦波状のパターンとなり、その溝深さは露光時間と現像時間により制御する。露光時間と現像時間を適切に制御すれば、図2(b)に示すような基板面上に正弦半波状のフォトレジスト回折格子パターン21を作製することができる。本実施例では溝深さ0.1μmの正弦半波状のフォトレジスト回折格子パターン21を作製した(基板31)。
次に、反応性イオンビームエッチングを行う。
基板31の上に、いくつかの同面積の窓の開いた金属マスク5を密着させる。金属マスク5の窓の面積は全体の60%になるようにした(領域A)(図2(c))。
領域Aを、基板1の斜め方向、フォトレジスト回折格子パターン21の垂直方向からイオンビームを照射し、エッチングを行う(図2(d))。エッチングガスはCF4とArガスを混合比Ar/(CF4+Ar)=60%、ガス圧2×10-2Paである。
基板31の上に、いくつかの同面積の窓の開いた金属マスク5を密着させる。金属マスク5の窓の面積は全体の60%になるようにした(領域A)(図2(c))。
領域Aを、基板1の斜め方向、フォトレジスト回折格子パターン21の垂直方向からイオンビームを照射し、エッチングを行う(図2(d))。エッチングガスはCF4とArガスを混合比Ar/(CF4+Ar)=60%、ガス圧2×10-2Paである。
フォトレジスト回折格子パターン21が消滅していきBK7ガラス基板1にパターンが斜め方向に削れていき、フォトレジスト回折格子パターン21が完全にガラス回折格子パターンに転写刻線されるまで、エッチングを行った。エッチング時間は約20分である。できたガラス回折格子パターンはブレーズ角7.6度である(図1(b)、図2(d))。
再び、基板31の上に、回折格子表面の面積の40%(領域B)の窓の開いた金属マスク6を密着させる(図2(e))。
同様にして、基板斜め方向、かつフォトレジスト回折格子パターン21の垂直方向から先ほどと別の角度でイオンビームを照射し、フォトレジスト回折格子パターン21が完全に消滅し、ガラス回折格子パターンに完全に転写されるまで、エッチングを行う(図2(f))。エッチング時間は約18分であった。できたガラス回折格子パターンは、ブレーズ角が21度である(図1(c))。
基板1から金属マスク6を取り除き、回折格子表面にアルミニウムを約0.2μmの膜厚で蒸着した。
同様にして、基板斜め方向、かつフォトレジスト回折格子パターン21の垂直方向から先ほどと別の角度でイオンビームを照射し、フォトレジスト回折格子パターン21が完全に消滅し、ガラス回折格子パターンに完全に転写されるまで、エッチングを行う(図2(f))。エッチング時間は約18分であった。できたガラス回折格子パターンは、ブレーズ角が21度である(図1(c))。
基板1から金属マスク6を取り除き、回折格子表面にアルミニウムを約0.2μmの膜厚で蒸着した。
このようにして作製した回折格子(図1(a))は、200nmから800nmの回折効率を測定した結果、全域でフラットな特性を示した。図1(b)は領域Aのパターン断面、図1(c)は領域Bのパターン断面である。
以下、本発明の第2の実施例の形態を説明する。上述の第1の実施例と同様に作製した基板31の上に、領域Cの窓の開いた金属マスク7を密着させる。金属マスク7の窓の面積は全体の55%になるようにした(領域C、図9(a))。
領域Cを、基板1の斜め方向、フォトレジスト回折格子パターン21の垂直方向からイオンビームを照射し、エッチングを行う(図2(d))。エッチングガスはCF4とArガスを混合比Ar/(CF4+Ar)=60%、ガス圧2×10-2Paである。
領域Cを、基板1の斜め方向、フォトレジスト回折格子パターン21の垂直方向からイオンビームを照射し、エッチングを行う(図2(d))。エッチングガスはCF4とArガスを混合比Ar/(CF4+Ar)=60%、ガス圧2×10-2Paである。
フォトレジスト回折格子パターン21が消滅していきBK7ガラス基板1にパターンが斜め方向に削れていき、フォトレジスト回折格子パターン21が完全にガラス回折格子パターンに転写刻線されるまで、エッチングを行った。エッチング時間は約20分である。できたガラス回折格子パターンはブレーズ角7.6度である(図9(d))。この回折格子を用いた場合の回折効率は図10(1)のようになる。
再び、基板31の上に、回折格子表面の面積の20%(領域D)の窓の開いた金属マスク8を密着させる(図9(b))。
同様にして、基板斜め方向、かつフォトレジスト回折格子パターン21の垂直方向から先ほどと別の角度でイオンビームを照射し、フォトレジスト回折格子パターン21が完全に消滅し、ガラス回折格子パターンに完全に転写されるまで、エッチングを行う(図2(f))。エッチング時間は約18分であった。できたガラス回折格子パターンは、ブレーズ角が15.7度である(図9(e))。この回折格子を用いた場合の回折効率は図10(2)である。
同様にして、基板斜め方向、かつフォトレジスト回折格子パターン21の垂直方向から先ほどと別の角度でイオンビームを照射し、フォトレジスト回折格子パターン21が完全に消滅し、ガラス回折格子パターンに完全に転写されるまで、エッチングを行う(図2(f))。エッチング時間は約18分であった。できたガラス回折格子パターンは、ブレーズ角が15.7度である(図9(e))。この回折格子を用いた場合の回折効率は図10(2)である。
再度、基板31の上に、回折格子表面の面積の25%(領域E)の窓の開いた金属マスク9を密着させる(図9(c))。
同様にして、基板斜め方向、かつフォトレジスト回折格子パターン21の垂直方向から先ほどと別の角度でイオンビームを照射し、フォトレジスト回折格子パターン21が完全に消滅し、ガラス回折格子パターンに完全に転写されるまで、エッチングを行う(図2(f))。エッチング時間は約18分であった。できたガラス回折格子パターンは、ブレーズ角が15.7度である(図9(e))。この回折格子を用いた場合の回折効率は図10(3)である。
基板31から金属マスク9を取り除き、回折格子表面にアルミニウムを約0.2μmの膜厚で蒸着した。
同様にして、基板斜め方向、かつフォトレジスト回折格子パターン21の垂直方向から先ほどと別の角度でイオンビームを照射し、フォトレジスト回折格子パターン21が完全に消滅し、ガラス回折格子パターンに完全に転写されるまで、エッチングを行う(図2(f))。エッチング時間は約18分であった。できたガラス回折格子パターンは、ブレーズ角が15.7度である(図9(e))。この回折格子を用いた場合の回折効率は図10(3)である。
基板31から金属マスク9を取り除き、回折格子表面にアルミニウムを約0.2μmの膜厚で蒸着した。
このようにして作製した回折格子(図9(g))は、1つの面に3つのブレーズ角を持った構造をしている。
通常のブレーズドタイプの効率(図11(4))と、通常のノンブレーズドタイプの効率(図11(5))であり、本発明の1つの面に3つのブレーズ角を持った構造をしている回折格子を用いて200nmから800nmの回折効率を測定した結果、図全領域でさらにフラットな効率値の特性を示した(図11(6))。
回折格子を用いる、分析装置、計測装置、通信機器等に利用可能である。
1 基板
2 フォトレジスト層
5 金属マスク
6 金属マスク
7 金属マスク
8 金属マスク
9 金属マスク
11 基板
21 フォトレジスト回折格子パターン
31 基板
A 領域
B 領域
C 領域
D 領域
E 領域
2 フォトレジスト層
5 金属マスク
6 金属マスク
7 金属マスク
8 金属マスク
9 金属マスク
11 基板
21 フォトレジスト回折格子パターン
31 基板
A 領域
B 領域
C 領域
D 領域
E 領域
Claims (3)
- 一つの回折格子表面が、刻線方向に対し垂直に分割した複数の領域に分かれ、交互に互いに異なる複数のブレーズ角を有した回折格子で構成したことを特徴とする回折格子。
- 一つの回折格子表面が、刻線方向に対し垂直に分割した複数の領域に分かれ、交互に互いに異なる複数のブレーズ角を有した回折格子で、複数のブレーズ波長の領域の面積が異なることを特徴とする回折格子。
- 請求項1の回折格子において、ホログラフィック露光法とイオンビームエッチング法で製造することを特徴とする請求項1記載の回折格子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005234667A JP2007047695A (ja) | 2005-08-12 | 2005-08-12 | 回折格子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005234667A JP2007047695A (ja) | 2005-08-12 | 2005-08-12 | 回折格子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007047695A true JP2007047695A (ja) | 2007-02-22 |
Family
ID=37850546
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005234667A Pending JP2007047695A (ja) | 2005-08-12 | 2005-08-12 | 回折格子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007047695A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114185122A (zh) * | 2022-01-21 | 2022-03-15 | 北京至格科技有限公司 | 一种闪耀光栅的制备方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5414254A (en) * | 1977-07-02 | 1979-02-02 | Nippon Bunko Kogyo Kk | Wide range spectrometer |
JPS60186806A (ja) * | 1984-03-06 | 1985-09-24 | Agency Of Ind Science & Technol | ブレ−ズド格子の製作方法 |
JPH05150110A (ja) * | 1991-11-28 | 1993-06-18 | Shimadzu Corp | SiC基板の回折格子製作方法 |
JP2003004924A (ja) * | 2001-06-22 | 2003-01-08 | Minolta Co Ltd | 回折光学素子および光学装置 |
-
2005
- 2005-08-12 JP JP2005234667A patent/JP2007047695A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5414254A (en) * | 1977-07-02 | 1979-02-02 | Nippon Bunko Kogyo Kk | Wide range spectrometer |
JPS60186806A (ja) * | 1984-03-06 | 1985-09-24 | Agency Of Ind Science & Technol | ブレ−ズド格子の製作方法 |
JPH05150110A (ja) * | 1991-11-28 | 1993-06-18 | Shimadzu Corp | SiC基板の回折格子製作方法 |
JP2003004924A (ja) * | 2001-06-22 | 2003-01-08 | Minolta Co Ltd | 回折光学素子および光学装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114185122A (zh) * | 2022-01-21 | 2022-03-15 | 北京至格科技有限公司 | 一种闪耀光栅的制备方法 |
CN114185122B (zh) * | 2022-01-21 | 2024-04-19 | 北京至格科技有限公司 | 一种闪耀光栅的制备方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4873015B2 (ja) | ブレーズ型回折格子の製造方法 | |
TW538450B (en) | Method and apparatus for the determination of mask rules using scatterometry | |
JP4349104B2 (ja) | ブレーズド・ホログラフィック・グレーティング、その製造方法、及びレプリカグレーティング | |
WO2012157697A1 (ja) | 回折格子製造方法、分光光度計、および半導体装置の製造方法 | |
TWI465861B (zh) | 光學波長分光裝置及其製造方法 | |
US20090170038A1 (en) | Method for producing fine structure | |
JP5391670B2 (ja) | 微細構造体の製造方法 | |
JP2000098116A (ja) | 素子又は素子作製用モールド型の作製方法 | |
JP4112579B2 (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
US8092701B2 (en) | Grating, negative and replica gratings of the grating, and method of manufacturing the same | |
TWI489142B (zh) | 光學波長分光裝置及其製造方法 | |
JP3675314B2 (ja) | 回折格子 | |
JP2689851B2 (ja) | ホログラフィック・グレーティングの製造方法 | |
US20070087272A1 (en) | Method for preparing a phase-shifting mask and method for preparing a semiconductor device using the phase-shifting mask | |
JP2007047695A (ja) | 回折格子 | |
WO2012054837A1 (en) | Systems and methods related to generating electromagnetic radiation interference patterns | |
JPH1172606A (ja) | SiCのパターンエッチング方法 | |
US20220299685A1 (en) | Fabrication of blazed diffractive optics by through-mask oxidation | |
JP2992596B2 (ja) | SiCのパターンエッチング方法及びそれを用いたラミナー型SiC回折格子の製造方法 | |
JP4389643B2 (ja) | 回折格子 | |
WO2021038919A1 (ja) | 回折格子、回折格子の製造方法およびフォトマスク | |
WO2023157475A1 (ja) | 回折格子の製造方法および回折格子 | |
Lee et al. | Fabrication and evaluation of reactive ion-plasma etched astronomical diffraction grating with anti-reflective surface nanostructures | |
Srinivasan | Design and fabrication of space variant micro optical elements | |
JP2663824B2 (ja) | SiCのパターンエッチング方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071126 |
|
A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20100107 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100112 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100511 |