JP2007034207A5 - - Google Patents

Claims (4)

1. パターンを基板に露光するために使用されるマスクの作成方法であって、
   前記マスクの設計パターンデータを取得する取得ステップと、
   前記設計パターンデータを補正する補正ステップと、を有し、
   前記補正ステップは、
   前記設計パターンデータの第１のコンタクトホールパターン及び第２のコンタクトホールパターンを前記基板に露光する場合のプロセス裕度を算出するステップと、
   前記プロセス裕度が基準値を満たすか否かを判断するステップと、
   前記基準値を満たさない場合に、前記基準値を満たすように前記第１及び第２のコンタクトホールパターンの少なくとも一方の位置を移動させて前記第１及び第２のコンタクトホールパターンの中心からの距離を変更するステップと、
   前記第１及び第２のコンタクトホールパターンの周囲であってその第１及び第２のコンタクトホールパターンから離れた位置に、前記第１及び第２のコンタクトホールパターンよりも小さい補助パターンを挿入するステップと、を含む
   ことを特徴とするマスク作成方法。
2. 前記補正ステップは、
   前記補助パターンを挿入した後に、前記第１及び第２のコンタクトホールパターンに対して近接効果補正を施すステップを更に含む
   ことを特徴とする請求項１記載のマスク作成方法。
3. 請求項１または２記載のマスク作成方法により作成されたマスクを用いて基板にマスクパターンを露光する露光方法であって、
   前記マスクがバイナリマスクもしくはハーフトーンマスクである場合、中心部が輪郭部よりも暗い光で前記マスクを照明して前記基板を露光する
   ことを特徴とする露光方法。
4. 請求項１または２記載のマスク作成方法により作成されたマスクを用いて基板にマスクパターンを露光する露光方法であって、
   前記マスクが位相シフトマスクである場合、中心部が輪郭部よりも明るい光で前記マスクを照明して前記基板を露光する
   ことを特徴とする露光方法。