JP2007033827A - 反射型表示装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】コーナーキューブアレイを用いた反射型液晶表示装置において、再帰反射特性を高めて表示のコントラストを向上させる。
【解決手段】光変調層６４と、光変調層６４を間に保持する一対の基板６０および６２と、画素単位で光変調層６４の光学的特性を変化させる電極構造とを備えた反射型表示装置であって、一対の基板の一方６２は、複数のコーナーキューブが配列されたコーナーキューブアレイ６６を備え、コーナーキューブアレイ６６は、再帰性反射面を規定する表面６６ｕ、底面６６ｂ、および表面６６ｕと底面６６ｂとの間に配列された複数の導電部材８０を有しており、各導電部材８０の上面の一部８０ｓは、コーナーキューブアレイ６６の表面のうち、コーナーキューブの底点を含む底点部に位置する部分を構成している。
【選択図】図９

Description

本発明は、反射型表示装置およびその製造方法に関する。

周囲光を光源として利用することによって表示を行う反射型液晶表示装置が知られている。反射型液晶表示装置は、透過型液晶表示装置とは異なりバックライトを必要としないため、光源用電力の削減が可能であり、より小型のバッテリーを用いることが可能になる。また、バックライトのスペースや重量を節約できるという利点もある。このようなことから、反射型液晶表示装置は、軽量薄型を目的とする機器において好適に用いられ得る。また、反射型液晶表示装置を用いた機器では、バックライト用のスペースが不要となるため、透過型液晶表示装置を用いた機器に比べて大型のバッテリーを用いることが可能となり、動作時間の飛躍的な拡大が期待できる。

さらに、反射型液晶表示装置は、日中の屋外などでの使用に際して、表示画像のコントラスト特性が他のタイプの表示装置に比べて良好である。例えば、発光型表示装置であるＣＲＴ等では、日中の屋外で表示のコントラスト比が大幅に低下する。また、低反射処理の施された透過型液晶表示装置においても、直射日光下などの、周囲光が表示光に比べて非常に強い環境下で、コントラスト比の大幅な低下が避けられない。これに対し、反射型液晶表示装置では、周囲光が非常に強い環境下でもコントラスト比が大幅に低下せず、周囲光量に比例した表示光が得られるため、携帯情報端末機器、デジタルカメラ、または携帯ビデオカメラなどの、屋外で使用される機会の多い機器において好適に用いられる。

しかし、このように非常に有望な応用分野を有していながら、特に暗所において十分なコントラスト比が得られないことや、フルカラー化、高精細表示、または動画表示などへの対応が不十分であったことから、現在まで、十分な実用性を有する反射型カラー液晶表示装置は得られていない。

反射型カラー液晶表示装置の表示性能を向上させることを目的として、再帰性反射板を用いる反射型液晶表示装置（再帰性反射型液晶表示装置）が、例えば本出願人による特許文献１および特許文献２に提案されている。「再帰性反射板」は、入射された光を複数の反射面で反射することによって入射方向にかかわらず光を元の方向に反射させる素子であり、例えば、微小球アレイ、マイクロレンズアレイおよびコーナーキューブアレイなどの微細な単位構造を２次元的に配列した構造を有している。

次に、図１（ａ）および（ｂ）を参照しながら、再帰性反射型液晶表示装置の動作原理を説明する。図１（ａ）および（ｂ）は、それぞれ、表示装置の黒表示状態および白表示状態を説明するための図である。

図１（ａ）に示すように、液晶層１が透過状態に制御されている場合、表示装置外部の光源５からの入射光３は、液晶層１を通過した後、再帰性反射板２により光が入射した方向に反射される（反射光４ｂ）。このため、光源５からの光は観察者６には届かない。この時、表示装置から観察者６に届く像は観察者自身の目であるので、「黒」表示状態が得られる。

他方、図１（ｂ）に示すように、液晶層１が散乱状態に制御されている場合、光源５からの入射光３は液晶層１において散乱される。液晶層１が前方散乱型液晶層の場合、散乱された光は再帰性反射板２で反射し、さらに散乱状態の液晶層１を経て観察方向に出射する（反射光４ｗ）。液晶層１による散乱によって再帰性反射板２の再帰性が崩されるため、入射した光３は入射方向には戻らない。従って、「白」表示状態が得られる。

このような動作原理を用いて表示を行うことにより、偏光素子を使用せずに白黒表示が可能となる。従って、偏光素子を用いることによる光利用効率低下の影響を受けないので、高明度の反射型液晶表示装置が実現可能となる。

図２は、上記の動作原理を利用した従来の再帰性反射型液晶表示装置の構成を示す断面図である。

表示装置１００は、複数のカラーフィルタ１９、透明対向電極１８および液晶配向膜（不図示）が設けられた前面基板１０と、前面基板１０に対向するように配置された背面基板１２と、これらの基板１０、１２の間に設けられた液晶層１とを備えている。背面基板１２は、複数のスイッチング素子（例えばＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）１４を有するＴＦＴ基板に形成された、層間絶縁層２０、反射層２、および配向層（不図示）を有している。層間絶縁層２０は、再帰反射性を示す表面形状を有している。表示装置１００では、反射層２は、層間絶縁層２０の上に形成されており、層間絶縁層２０の表面形状を反映した凹凸を有するため、再帰性反射板として機能する。反射層２は、また、画像表示の一単位となる画素毎に互いに離間して配置された複数の画素電極８から構成されている。反射層２における各画素電極８は、層間絶縁層２０に形成されたコンタクト部１６を介して、対応するスイッチング素子１４のドレイン電極１５と接続されている。液晶層１は、例えば、対向電極１８と各画素電極との間に印加する電圧を変化させることによって、光を透過する透過状態と光を散乱（前方散乱）する散乱状態との間でスイッチングできる散乱型液晶である。

図２に示すような従来の再帰性反射型液晶表示装置において、表示のコントラスト比をより向上させるためには、反射層２の再帰反射率を高めて、黒表示状態のときに観察者へ届く不要な光の量を低減することが重要である。そこで、最も高い再帰反射率を実現し得る再帰性反射板の１つであるコーナーキューブアレイを用いた表示装置の構成が提案されている（例えば特許文献１）。具体的には、層間絶縁層２０としてコーナーキューブアレイを用い、その上にコーナーキューブアレイ形状を有する反射層２が形成された構成を有している。なお、「コーナーキューブアレイ」は、互いに直交する３面から構成されるコーナーキューブを２次元的に配列させたアレイである。コーナーキューブに入射した光は、理想的には、そのコーナーキューブを構成する３面で反射し、入射方向と同じ方向に戻される。

図３（ａ）および（ｂ）は、それぞれ、コーナーキューブアレイの構成を例示する平面図および斜視図である。図示するコーナーキューブアレイは、互いに直交する正方形の3面から構成されるコーナーキューブが配列されたコーナーキューブアレイ（キュービックコーナーキューブアレイ）である。なお、本明細書では、コーナーキューブの頂点間の最短距離Ｐ_ccを「コーナーキューブの配列ピッチ」とする。

また、本出願人による特許文献３には、結晶構造を有する基板表面に対して異方性エッチングを行うことにより、微細なサイズのコーナーキューブを配列させたコーナーキューブアレイ（マイクロコーナーキューブアレイ：Micro Corner Cube Array、以下、「ＭＣＣＡ」と略する）を作製する方法が提案されている。ＭＣＣＡの配列ピッチＰｃｃは、例えば、可視光の波長以上であり、反射型液晶表示装置の画素の最大幅以下である。

図２に示すような表示装置１００において、層間絶縁層２０としてＭＣＣＡを用いる場合、以下のような問題点がある。

表示装置１００では、各画素電極８と対応するスイッチング素子１４のドレイン電極１５とは、層間絶縁層２０に設けられたコンタクト部１６を介して電気的に接続されている。コンタクト部１６は、層間絶縁層２０に形成されたコンタクトホール内に形成されるが、コンタクトホールを形成すると、層間絶縁層２０の表面形状が部分的に崩れるため、その上に形成される反射層２の再帰性反射特性が低下してしまう。

上記問題点について、図面を参照しながら、より具体的に説明する。

図４（ａ）および（ｂ）は、反射層２の一般的な形成プロセスを説明するための断面模式図である。まず、図４（ａ）に示すように、ＭＣＣＡ形状を有する層間絶縁層２０に、スイッチング素子１４のドレイン電極１５の上面に達するコンタクトホール１７を形成する。この後、図４（ｂ）に示すように、コンタクトホール１７の内表面および層間絶縁層２０上に導電膜を形成し、パターニングする。これによって、同一の導電膜から反射層２およびコンタクト部１６が形成される。図４（ｂ）からわかるように、得られた反射層２のうちコンタクト部１６の上に位置する領域２２では、所定の表面形状が形成されず、反射層２の他の領域と比べて再帰性反射特性が大幅に低下する。なお、本明細書では、反射層２における上記領域２２を「非再帰性反射領域」と呼ぶ。このように非再帰性反射領域２２が形成される結果、反射層２の再帰性反射率が低くなり、表示のコントラストを低下させる要因となる。

また、本発明者らが検討したところ、図４に示すプロセスを用いて反射層２を形成すると、各画素の非再帰性反射領域２２の面積にバラツキが生じ、均一な表示特性が得られないという問題もある。図５（ａ）〜（ｄ）を参照しながら、以下に詳しく説明する。

図５（ａ）は、層間絶縁層２０におけるコーナーキューブの底点付近、頂点付近、および底点と頂点との中間付近にそれぞれ形成されたコンタクトホール１７ａ、１７ｂおよび１７ｃの断面図である。図示するように、コーナーキューブにおけるコンタクトホールの形成位置によって、必要なコンタクトホールの深さが異なっている。「コンタクトホールの深さ」とは、層間絶縁層２０の表面からコンタクトホールによって表出されるドレイン電極の表面までの距離をいうものとする。

各コンタクトホールの深さについて具体例を挙げて説明する。層間絶縁層２０が、配列ピッチを１０μｍとするキュービックマイクロコーナーキューブアレイの場合、各コーナーキューブの高さ（複数の底点を含む平面と頂点との距離）は配列ピッチの約８０％、すなわち約８μｍとなる。また、厚さが約１μｍのスイッチング素子（ＴＦＴ）を保護するためには、スイッチング素子の表面を、厚さが少なくとも２μｍ以上である絶縁層で覆うことが好ましいことから、層間絶縁層２０の底面からコーナーキューブの底点までの距離を例えば２μｍとする。このような例では、コーナーキューブの底点付近に形成されたコンタクトホール１７ａの深さは２μｍ、コーナーキューブの頂点付近に形成されたコンタクトホール１７ｂの深さは１０μｍとなり、コンタクトホールの深さは２〜１０μｍの間で変化することになる。

ここで、一般的に、層間絶縁層２０のコンタクトホール１７を設けて層間絶縁層２０の上下に位置する電極同士を確実に電気的に接続するためには、図５（ｂ）に示すように、コンタクトホール１７の底面のサイズ（すなわち、コンタクトホール１７によって露出されるドレイン電極表面の面積）Ｓｂが一定以上であり、かつ、コンタクトホール１７における基板に垂直な断面が所定のテーパ角（以下、単に「テーパ角」とする）Ｔａを有することが重要である。従って、層間絶縁層２０に形成されるそれぞれのコンタクトホール１７は、略等しい底面のサイズＳｂおよびテーパ角Ｔａを有するように制御されることが好ましい。

しかしながら、コンタクトホール１７ａ、１７ｂおよび１７ｃにおける底面のサイズＳｂおよびテーパ角Ｔａを等しくしようとすると、コーナーキューブの深さに応じて、コンタクトホールのサイズＳｕが異なってしまう。すなわち、図５（ｃ）に示すように、コーナーキューブの底点付近にはサイズＳｕの小さいコンタクトホール１７ａが形成され、コーナーキューブの頂点付近には、コンタクトホール１７ａよりも大きいサイズＳｕを有するコンタクトホール１７ｂが形成される。なお、本明細書において「コンタクトホールのサイズＳｕ」とは、コンタクトホールの最上部における基板に平行な断面のサイズ（面積）を意味する。

サイズＳｕの異なる複数のコンタクトホール１７が形成された層間絶縁層２０の上に反射層２を形成すると、図５（ｄ）に示すように、コンタクトホール１７のサイズＳｕによって反射層２に形成される非再帰性反射領域２２の面積にバラツキが生じる。例えば、コンタクトホール１７ａの上に形成された反射層２では、非再帰性反射領域２２ａによって、コーナーキューブ１つ分の再帰性反射形状が影響を受け、コンタクトホール１７ｂの上に形成された反射層２では、非再帰性反射領域２２ｂによって、コーナーキューブ２つ分の再帰性反射形状が影響を受ける。その結果、表示領域内で均一な再帰性反射特性が得られず、表示の明るさにバラツキが生じるという問題がある。さらに、表示色（Ｒ、Ｇ、Ｂ）ごとに明るさが異なってしまうので、白表示時に着色するという問題が生じ得る。

これに対し、特許文献１では、ＴＦＴ基板１６におけるスイッチング素子（ＴＦＴ）１４の配列パターンと層間絶縁層２０におけるコーナーキューブの配列パターンとを整合させることにより、コーナーキューブにおけるコンタクトホール１７の形成位置を底点付近に特定する構成を開示している。この構成によれば、各画素に形成されるコンタクトホール１７の深さを略等しくすることができるので、表示領域に亘って均一な表示特性が得られる。また、コンタクトホール１７がコーナーキューブの底点部に形成されているため、反射層２における非再帰性反射領域２２の面積を小さく抑えることができるので、非再帰性反射領域２２に起因する再帰性反射特性の低下を抑制できる。

しかしながら、特許文献１に開示された反射型表示装置を製造しようとすると、特に配列ピッチの小さいコーナーキューブアレイを用いる場合には、コーナーキューブの配列パターンとスイッチング素子の配列パターンとを高精度に整合させることが難しいという問題がある。さらに、特許文献１には転写型を用いて層間絶縁層２０を形成する方法が提案されているが、この方法によると、表示装置に使用しようとするＴＦＴ基板に応じて異なる転写型を作製する必要があり、製造コストの増大を引き起こしてしまう。

そこで、本出願人は、特許文献２に、非再帰性反射領域による再帰性反射特性の低下を抑えた反射型表示装置の構成を提案した。この構成によると、以下に詳しく説明するように、反射層はコンタクト部の上においても所定のＭＣＣＡ形状を有することができるので、コンタクト部による非再帰性反射領域の形成を大幅に抑制できる。

図６は、特許文献２に提案された反射型表示装置の構成を説明するための断面模式図である。簡単のため、図２に示す反射型表示装置と同様の構成要素には同様の参照符号を付し、説明を省略する。

表示装置２００の背面基板１２には、表面にＭＣＣＡ形状を有する層間絶縁層４０、および層間絶縁層４０の表面形状を反映した形状を有する反射層４６が形成されている。反射層４６は複数の画素電極４８から構成されている。層間絶縁層４０には、画素電極４８を対応するスイッチング素子１５と電気的に接続するためのコンタクト部４４が形成されている。コンタクト部４４の表面は層間絶縁層４０におけるＭＣＣＡ形状の一部を構成している。従って、反射層４６はコンタクト部４４の上でも所定の再帰性反射形状を有する。

特許文献２には、また、上述したような層間絶縁層４０および反射層４６を転写によって形成する方法が開示されている。以下、図７（ａ）〜（ｄ）を参照しながら、特許文献２に開示された層間絶縁層４０および４６の形成方法を説明する。

まず、図７（ａ）に示すように、複数のスイッチング素子（ＴＦＴ）（不図示）を備えた基板３５に被転写層３０を形成する。被転写層３０は、絶縁性樹脂からなる樹脂層３２と、樹脂層３２の中に形成され、スイッチング素子のドレイン電極と接する複数の導電部３４とを有している。樹脂層３２は、例えば感光性のアクリル系樹脂を塗布することによって形成できる。導電部３４は、樹脂層３２にドレイン電極表面に達する開口部を設けた後、導電性樹脂などの導電感光性を有する樹脂材料（例えばアクリル系樹脂）を開口部に充填することによって形成できる。

この後、図７（ｂ）に示すように、表面に凹凸形状を有する型（例えば金型）３６を用い、型押し法などによって被転写層３０に型３６の凹凸形状を転写する。型３６の凹凸形状は、例えば図３に示すキュービックコーナーキューブアレイを規定する形状である。転写は、被転写層３０の表面に型３６を貼付し、次いで、基板３５および型３６の間に圧力をかけながら、被転写層３０を紫外線で照射して硬化させることによって行うことができる。

その後、基板３５から型３６を剥離すると、図７（ｃ）に示すような層間絶縁層４０が得られる。層間絶縁層４０は、被転写層３０における導電部３４から形成されたコンタクト部４４と被転写層３０における樹脂層３２から形成された絶縁層４２とから構成されている。コンタクト部４４の表面および絶縁層４２の表面は、型３６の凹凸形状を反転させた形状（ＭＣＣＡ形状）を構成している。

この後、図７（ｄ）に示すように、スパッタ法や蒸着法等を用いて、層間絶縁層４０の表面にＡｇなどの金属からなる反射層４６を形成し、必要に応じてパターニングする。

この方法では、基板３５の上に形成された樹脂層３２のみでなく導電部３４も転写によって変形させることによって、層間絶縁層４０を形成している。そのため、層間絶縁層４０の上に形成された反射層４６は、図示するように、コンタクト部４４の上においても所定のＭＣＣＡ形状を有しており、部分的に再帰反射特性の低い領域（図４（ｂ）に示すような非再帰性反射領域２２）が形成されない。よって、非再帰性反射領域に起因する再帰反射特性の低下やバラツキを抑えることができ、表示領域に亘って均一に高い再帰反射特性を有する反射層４６が得られる。
特開２００３−１９５７８８号公報 特開２００３−２５５３７３号公報 特開２００３−０６６２１１号公報

本発明者らが検討したところ、図７を参照しながら上述した方法を用いて再帰性反射型表示装置を製造しようとすると、以下に説明するような問題点があることを見出した。

上記方法では、転写工程において、被転写層３０を構成する樹脂層３２および導電部３４に含まれる樹脂はそれぞれ硬化収縮を起こす。このとき、樹脂層３２を形成する樹脂材料および導電部３４を構成する樹脂材料の特性が極端に異なっていると、樹脂層３２と導電部３４との境界（すなわち絶縁層４２とコンタクト部４４との境界）で表面形状が崩れて所望の再帰反射特性が得られない場合がある。これを防止しようとすると、材料の選択の幅が制約されてしまう。

また、上記方法における転写工程では、上述したように、被転写層３０に型３６を貼付した後、型３６と基板３５との間に圧力（プレス圧）をかける。このプレス圧によって、樹脂層３２のみでなく導電部３４も転写によって変形させる必要があるが、金属などの導電材料からなる導電部３４は、樹脂層３２よりも高い剛性を有しており、圧力や温度によって変形しにくい。従って、導電部３４および樹脂層３２をプレス圧によって同時に変形させようとすると、樹脂層３２のみを変形させる場合よりも高いプレス圧が必要となる。しかしながら、転写時におけるプレス圧が大きくなると、背面基板の破損などの不具合を引き起こすおそれがある。なお、本明細書における「プレス圧」とは、転写型と基板との間に加える基板一枚あたりの圧力をいう。

上記問題点について、図面を参照しながらさらに詳しく説明する。図８（ａ）および（ｂ）は、図７（ｂ）に示す転写工程をより詳しく説明するための断面模式図である。

図８（ａ）に示すように、型３６と基板３５との間に高いプレス圧をかけても、被転写層３０のうち樹脂層３２では、導電部３４よりも初期の段階で降伏点に達するため、プレス圧の大部分は樹脂層３２の塑性変形に使われ、基板３５まで伝達しない。これに対し、被転写層３０のうち導電部３４では、降伏点に達するまでの間、導電部３４にかかる圧力が基板３５に伝達されてしまう（矢印３９）。この結果、図８（ｂ）に示すように、基板３５に局所的に高い圧力がかかるために、基板３５が破損されるおそれがある。例えば、基板３５として、ガラス基板上にＴＦＴ素子が形成されたＴＦＴ基板を用いる場合には、転写時のプレス圧によってガラス基板に割れ４１が生じてしまう。

また、プレス圧が高くなると、型３６における凹凸形状の頂点が基板３５上のＴＦＴや薄膜配線に接触するおそれもある。例えば、型３６における頂点がＴＦＴのチャネル部に接触すると、転写によって形成される層間絶縁層２０からチャネル部が露出してしまい、ＴＦＴのソース電極とドレイン電極との間にリークが発生するなどの不具合が生じ得る。

さらに、導電部３４の材料として、絶縁性樹脂に微細な導電粒子（金属ナノ粒子など）を分散させた導電性材料分散樹脂を用いる場合、導電部３４の導電特性を確保するために導電粒子量を増やすと、導電性材料分散樹脂の弾性が低くなり「脆性」が高くなる。脆性の高い材料は、型押しされると、型に沿って変形されずに破壊されてダストとなるおそれがある。このダスト（導電性の異物）が層間絶縁層４０の絶縁層４２中に飛散すると、ドレイン電極と反射層４６との間の電気的な接続が確保できなくなったり、隣接するドレイン電極間にリークが発生するなどの問題を引き起こす。そのため、絶縁層４２の絶縁特性を維持しつつコンタクト部４４の導電特性を向上させることは難しい。

このように、図７を参照しながら説明した方法を用いると、被転写層３０の中に形成された樹脂層３２のみでなく導電部３４も転写によって変形させる必要があり、所望の再帰性反射特性が得られなかったり、製造プロセス上様々な問題を引き起こすおそれがあった。

本発明は上記諸点に鑑みてなされたものであり、その主な目的は、再帰性反射型表示装置において、反射層の再帰性反射特性を高めて表示特性を向上させることにある。また、そのような反射型表示装置を簡便に製造できる、生産性に優れた方法を提供することにある。

本発明の反射型表示装置は、光変調層と、前記光変調層を間に保持する一対の基板と、画素単位で前記光変調層の光学的特性を変化させる電極構造とを備えた反射型表示装置であって、前記一対の基板の一方は、複数のコーナーキューブが配列されたコーナーキューブアレイを備え、前記コーナーキューブアレイは、再帰性反射面を規定する表面、底面、および前記表面と前記底面との間に配列された複数の導電部材を有しており、各導電部材の上面の一部は、前記コーナーキューブアレイの表面のうち、前記コーナーキューブの底点を含む底点部に位置する部分を構成している。

前記導電部材の上面は、コーナーキューブの複数の底点と対向していることが好ましい。

前記導電部材の上面の一部は、コーナーキューブアレイの表面のうち複数の底点を含む平面からの高さが頂点の高さの１／２よりも小さい部分を構成していることが好ましい。

ある好ましい実施形態において、前記一方の基板は、前記コーナーキューブアレイの底面側に複数のスイッチング素子を備え、前記導電部材は対応するスイッチング素子と電気的に接続されている。

前記導電部材は導電性樹脂を含んでいてもよい。

前記導電部材は異方性導電粒子を含んでいてもよい。

前記導電部材は、樹脂層と、前記樹脂層を覆う導電膜とを有していてもよい。

ある好ましい実施形態において、前記コーナーキューブアレイにおける各コーナーキューブは、互いに直交する略正方形の３面から構成されている。あるいは、前記コーナーキューブアレイにおける各コーナーキューブは、互いに直交する略直角三角形の３面から構成されていてもよい。

ある好ましい実施形態において、前記コーナーキューブアレイと前記光変調層との間に、前記コーナーキューブアレイの表面形状を反映した形状を有する画素電極を備える。

前記コーナーキューブアレイと前記光変調層との間に、前記コーナーキューブアレイの表面形状を平坦化するための平坦化層を備えていてもよい。

本発明の反射型表示装置の製造方法は、光変調層と、前記光変調層を間に保持する一対の基板と、画素単位で前記光変調層の光学的特性を変化させる電極構造とを備えた反射型表示装置の製造方法であって、複数のスイッチング素子を有する基板を用意する工程と、前記基板の上に、それぞれが対応するスイッチング素子と電気的に接続された複数の導電部材と、前記複数の導電部材を覆う絶縁層とを含む被転写層を形成する工程と、表面に凹凸形状を有する型を用意する工程と、前記被転写層に前記型の凹凸形状を転写して、前記導電部材の上面の一部のみを露出させる工程とを包含する。

ある好ましい実施形態において、前記型の凹凸形状はコーナーキューブアレイの形状を規定する。

本発明によれば、コーナーキューブアレイと、コーナーキューブアレイ上に形成された反射層とを備えた再帰性反射型表示装置において、反射層とスイッチング素子との電気的な接続を確保しつつ、反射層の再帰反射特性を向上できるので、表示のコントラストを高めることができる。

また、本発明によれば、上記のような反射型表示装置を、従来よりも生産性に優れた方法で簡便に製造できる。

再帰性反射型液晶表示装置において、反射層の再帰性反射特性を高めて表示特性を向上させようとすると、反射層の形状精度をより高くすることが重要となる。本発明者らが検討したところ、ＭＣＣＡ形状を有する反射層を用いる場合、コントラストの高い表示を行うためには、反射層の表面形状（ＭＣＣＡ形状）を構成する隣接する面の角度は０．２°未満の精度で制御されていることが好ましい。すなわち、隣接する面の角度はそれぞれ９０±０．２°の範囲内であることが好ましい。

図７を参照しながら説明した方法では、ＭＣＣＡを規定する表面凹凸を有する型（マスター）３６を使用する。型３６として、例えば本出願人による特許文献３に記載されているように、結晶基板に対して異方性エッチングを行う方法によって作製された高精度なＭＣＣＡを用いることができる。しかし、そのような形状精度の高い型３６を用いても、転写によって得られる層間絶縁層４０の形状精度が低くなるおそれがある。前述したように、被転写層３０の表面における樹脂層３２と導電部３４との境界部分における硬化収縮などの特性差によって形状精度が低下するためである。その結果、層間絶縁層４０の上に、上述したような高い形状精度（隣接する面の角度９０±０．２°以内）の反射層４６を形成することは困難となる。

従って、転写によって得られるＭＣＣＡ形状の精度を高めようとすると、転写される層（被転写層）は、被転写層のうち型によって変形させる領域（形状転写領域）に亘って流動性や剛性、硬化収縮などの特性が略等しくなるような構造を有していることが好ましく、例えば形状転写領域に亘って同一の材料で形成されていると有利である。

一方、被転写層全体を絶縁樹脂材料などで構成すると、転写によって得られた絶縁層にスイッチング素子と画素電極とを接続するためのコンタクトホールを形成する必要があり、図４（ａ）および（ｂ）を参照して説明したように、転写によって形成されたＭＣＣＡ形状がコンタクトホールによって崩れてしまう。

本発明者らは、上記知見に基づき、被転写層の構造に着目して検討を行った。その結果、導電部材と導電部材を覆うように形成された絶縁層とを有する被転写層を用い、転写によって導電部材の上面の一部のみを露出させることによって、スイッチング素子と画素電極との電気的な接続を確保しつつ、形状精度の高いＭＣＣＡおよび反射層を形成できることを見出し、本発明に至った。

以下、図面を参照しながら、本発明による反射型表示装置の実施形態を説明する。

（実施形態１）
図９（ａ）は、本発明による反射型表示装置の第１の実施形態を示す断面模式図である。

反射型表示装置は、前面基板６０、前面基板６０に対向する背面基板６２、および前面基板６０と背面基板６２との間に保持された液晶層６４を備えている。前面基板６０の液晶層側の表面には、複数のカラーフィルタ７４と、透明対向電極７８とが順に形成されている。背面基板６２の液晶層側の表面には、画素毎にスイッチング素子６８が形成されている。ここでは、スイッチング素子６８としてＴＦＴを用いる。スイッチング素子６８と液晶層６４との間には、コーナーキューブアレイ６６と、コーナーキューブアレイ６６の上に形成され、コーナーキューブアレイの表面形状を反映した形状を有する反射層７０が設けられている。コーナーキューブアレイ６６の配列ピッチは、カラーフィルタ７４のピッチ以下である。コーナーキューブアレイ６６は、各スイッチング素子６８のドレイン電極６９と電気的に接続するように配置された複数の導電部材８０を有している。コーナーキューブアレイ６６のうち導電部材８０が配置されていない領域は、例えば絶縁樹脂材料などから形成された絶縁層８６である。反射層７０は、画素毎に互いに離間された複数の画素電極７２から構成されており、再帰性反射板としてだけでなく、画素電極としても機能する。それぞれの画素電極７２は、後述するように、対応する導電部材８０の上面と接しており、導電部材８０を介して、対応するスイッチング素子６８におけるドレイン電極６９と電気的に接続されている。

図９（ｂ）および（ｃ）は、本実施形態におけるコーナーキューブアレイ６６の構造を説明するための拡大断面図および平面図である。各導電部材８０は、コーナーキューブアレイ６６における底面６６ｂと表面６６ｕとの間に配置され、対応するスイッチング素子のドレイン電極６９と電気的に接続されている。本実施形態では、導電部材８０は、絶縁樹脂材料からなる樹脂層８２と、樹脂層８２を覆う導電層８４とから構成されている。

また、図９（ｂ）および（ｃ）からわかるように、各導電部材８０の上面の一部８０ｓはコーナーキューブの底点部の表面を構成し、反射層７０と接している。すなわち、導電部材８０の上面の一部８０ｓのみがコーナーキューブの底点部で露出して所定のコーナーキューブアレイ形状を形成し、導電部材８０の表面における他の部分は絶縁層８６で覆われている。

なお、本明細書において、「コーナーキューブの底点部の表面を構成する」とは、各導電部材８０の表面の一部（以下、「露出部分」と呼ぶ）８０ｓによって構成されるコーナーキューブの表面が、所定のコーナーキューブアレイ形状を有していることを意味する。好ましくは、コーナーキューブアレイ６６の表面のうち導電部材８０の露出部分８０ｓによって構成される領域と他の領域（ここでは絶縁層８６によって構成される領域）とは、実質的に同じ形状精度を有している。そのようなコーナーキューブアレイ６６は、後述するように、転写を利用して形成され得る。また、導電部材８０の露出部分８０ｓは、コーナーキューブの底点部の表面全体を構成していてもよいし、底点部の表面のうち底点を含む少なくとも一部を構成していてもよい。

また、「コーナーキューブの底点部」とは、コーナーキューブアレイにおいて、複数のコーナーキューブの底点を含む平面からの高さがコーナーキューブの高さＨの１／２以下の部分をいう。ここで、コーナーキューブの「底点」とは、コーナーキューブにおける凹形状を有する（最も深い）点を指す。また、「コーナーキューブの高さＨ」とは、コーナーキューブを構成する３面における最も高い点と、複数のコーナーキューブの底点を含む平面との距離をいう。なお、上述したコーナーキューブの底点部や底点の定義は、コーナーキューブアレイ６６のみでなく、ＭＣＣＡ形状を有する反射層７０、さらにはコーナーキューブアレイ６６を形成するために用いる転写型に対しても適用する。

図１０を参照しながらキュービックコーナーキューブアレイを例に説明する。キュービックコーナーキューブアレイでは、コーナーキューブの高さＨは、コーナーキューブにおける凸形状を有する（最も高い）点（以下、「頂点」とする）９４と、複数のコーナーキューブの底点９２を含む平面９０との距離Ｈとなる。従って、コーナーキューブアレイの底点部は、複数のコーナーキューブの底点９２を含む平面９０からの高さがコーナーキューブの高さ（すなわち頂点９４の高さ）Ｈの１／２以下の部分９６となる。言い換えると、底点９２を頂点とし、高さがＨ／２である三角錐領域である。従って、コーナーキューブアレイ６６としてキュービックコーナーキューブアレイを用いる場合、導電部材８０の露出部分８０ｓは、上記三角錐領域９６における３つの側面の少なくとも一部を構成する。

本実施形態における液晶層６４は、高分子または低分散乱型液晶材料、例えば高分子分散型液晶（ＰＤＬＣ；Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）から形成された光散乱型の液晶層であり、好ましくは、高分子構造に液晶骨格（メソゲン基）を有するリバース型ＰＬＤＣから形成される。本実施形態では、透明対向電極および画素電極７２によって画素単位で液晶層６４に電圧が印加され、これにより、液晶層６４の光学的特性が透明状態（電圧無印加時）と散乱状態（電圧印加時）との間でスイッチングされる。その結果、電圧印加時には「白」、電圧無印加時には液晶層が透明となるので、再帰性反射にて「黒」が表示される。

なお、本実施形態における液晶層６４は、印加される電圧によって光学的特性が変化する層であればよく、上述した散乱型液晶層に限定されない。さらに、液晶層６４の代わりに、電圧によって光学的特性が変化する他の変調層を用いてもよい。

本実施形態の反射型表示装置では、反射層７０のコーナーキューブアレイ形状を崩すことなく、スイッチング素子６８と画素電極７２との電気的な接続を確保できるので、再帰性反射特性を向上でき、高品位の表示を実現できる。具体的には、コーナーキューブアレイ６６にコンタクトホールが形成されていないため、反射層７０には図４（ｂ）に示すような非再帰性反射領域２２が形成されておらず、表示領域に亘って均一な再帰反射特性が得られる。

また、後述するような転写工程を用いてコーナーキューブアレイ６６を形成することにより、反射層７０におけるコーナーキューブアレイの形状精度を、例えば図７を参照しながら上述した方法によって形成された反射層の形状精度よりも高くできるので、再帰反射特性を従来よりも向上でき、高品位な表示が得られる。

本実施形態における導電部材８０の形状は、導電部材８０の表面の少なくとも一部がスイッチング素子６８と接し、かつ導電部材８０の上面の一部が画素電極７２と接する形状であればよく、例えば柱状（円柱や角柱）であってもよい。また、導電部材８０における樹脂層８２および導電層８４の材料は、図９（ｂ）を参照しながら説明したそれぞれの材料に限定されない。さらに、本実施形態では、導電部材８０の少なくとも一部が導電性を有し、コンタクト部として機能すればよく、導電部材８０の構成も図９（ｂ）に示す構成に限定されない。なお、導電部材８０の全体が導電性を有する構成であってもよく、例えば導電部材８０は導電性樹脂材料から形成された導電性樹脂層であってもよい。

本実施形態において、画素電極７２とスイッチング素子６８とを電気的に接続するためには、導電部材８０の上面はコーナーキューブの少なくとも１つの底点と対向し、底点部の表面の一部を構成する必要がある。画素電極７２とスイッチング素子６８との接続をより確実に確保するためには、図９（ｃ）に示すように、導電部材８０の上面はコーナーキューブの複数の底点と対向し、複数の底点部の表面を構成することが好ましい。なお、導電部材８０がコーナーキューブアレイ６６のどの位置に配置されても、導電部材８０の上面がコーナーキューブの底点に対向するように、導電部材８０の形状およびサイズが設定されていると、ＴＦＴ基板におけるスイッチング素子６８の配列パターンとコーナーキューブアレイ６６の配列パターンとの位置合わせを行うことなく、画素電極７２とスイッチング素子６９との電気的な接続を確保できるメリットがある。例えば、図９に示す反射型表示装置において、コーナーキューブアレイ６６の配列ピッチを１０μｍとし、導電部材８０の上面を正方形とすると、正方形の１辺の長さが（２／√３）×１０μｍより大きいことが好ましい。より好ましくは１２μｍ以上である。

一方、導電部材８０が隣接する画素に跨って配置されてしまうと、それらの画素間でリークが生じるおそれがあるため、導電部材８０の上面の最大幅は画素の配列ピッチよりも小さいことが好ましい。「導電部材８０の上面の最大幅」とは、例えば上面が円であればその直径、上面が長方形であればその長辺をいうものとする。

次に、図１１（ａ）〜（ｅ）および図１２（ａ）〜（ｆ）を参照しながら、図９に示す反射型表示装置を製造する方法の一例を説明する。

まず、図１１（ａ）に示すように、表面にスイッチング素子（ＴＦＴ）６８が形成された基板６７の上に樹脂層８２ａを形成する。樹脂層８２ａは、例えばスピンコーター、ダイコーター、キャップコーター等の塗工装置を用いて、基板６７の上に感光性を有する樹脂材料を塗布することによって形成できる。感光性を有する樹脂材料は、液晶表示装置における層間絶縁膜の材料として一般的に用いられるアクリル系樹脂材料であってもよい。樹脂層８２ａの形成方法は塗布による方法に限定されず、ドライフィルム等の樹脂材料を含む層を基板６７の上に貼り付ける方法を採用してもよい。また、樹脂層８２ａの材料として、感光性を有する樹脂材料の代わりに、形状を保持できる他の樹脂材料（例えば熱硬化性を有する樹脂材料）を用いてもよい。

次いで、図１１（ｂ）に示すように、フォトマスク１０２を用いて、フォトリソグラフィーにより樹脂層８２ａのパターニングを行う。これにより、図１１（ｃ）に示すように、基板上の各スイッチング素子６８におけるドレイン電極６９と対応する位置に樹脂層（厚さ：例えば２μｍ）８２が形成される。本実施形態では、樹脂層８２の上面は、４０μｍ×４０μｍの略正方形とする。また、図示する例では、樹脂層８２はドレイン電極６９の表面上に形成されるが、樹脂層８２が形成される位置はこの例に限定されず、後述する工程で樹脂層８２の上に形成される導電層がドレイン電極６９と接することができる位置であればよい。

この後、図１１（ｄ）に示すように、樹脂層８２を覆う導電性薄膜８４ａを形成する。導電性薄膜８４ａの材料として、例えば被覆性（ステップカバレッジ）に優れたＩＴＯ膜を用いることができる。

次いで、図１１（ｅ）に示すように、導電性薄膜８４ａをパターニングすることにより導電層８４を形成する。導電層８４は、樹脂層８２の上面および側面を覆い、かつ対応するスイッチング素子６８のドレイン電極６９と接続されている。このようにして、樹脂層８２および導電層８４からなる導電部材８０が得られる。

続いて、図１２（ａ）に示すように、導電部材８０が形成された基板６７の上に、導電部材８０を覆うように転写用の樹脂膜８６ａを形成する。これにより、樹脂膜８６ａおよび導電部材８０からなる被転写層６６ａが得られる。樹脂膜８６ａは、アクリル樹脂（例えば三菱レイヨン社製：ＭＰ−１０７）など紫外線硬化樹脂を基板表面に塗布することによって形成できる。なお、樹脂膜８６ａの材料は紫外線硬化樹脂に限定されず、熱硬化性樹脂であってもよい。本実施形態では、樹脂膜８６ａは表示領域に亘って形成される。

この後、図１２（ｂ）に示すように、表面にコーナーキューブアレイを規定する凹凸形状を有する型（例えば金型）１０４を被転写層６６ａの表面に貼付し、型押し法などによって被転写層６６ａに型１０４の凹凸形状を転写する。ここでは、型１０４として、図３に示すようなキュービックコーナーキューブアレイ（配列ピッチ：１０μｍ）を規定する凹凸形状を有するＮｉ型を用いる。転写方法は特に限定されないが、例えば本出願人による特開２００５−１２８４２１号公報に記載された方法を用いることができる。

転写の際には、Ｎｉ型１０４と基板６７との間に所定の圧力（プレス圧）をかけて被転写層６６ａを変形させ、導電部材８０の上面を部分的に樹脂膜８６ａから露出させる。続いて、Ｎｉ型１０４と基板６７との間に圧力をかけた状態のまま、被転写層６６ａを紫外線で照射する。これによって、被転写層６６における樹脂膜８６ａは硬化して絶縁層８６となる。その後、型１０４を基板６７から剥離する。なお、樹脂膜８６ａの材料として熱硬化樹脂を用いる場合には、樹脂膜８６ａを加熱することによって硬化させることができる。

ここで、上記転写工程をさらに詳しく説明する。被転写層６６ａにＮｉ型１０４を貼付した後、加圧していくと、被転写層６６ａにおける樹脂膜８６ａはＮｉ型の凹凸形状に応じて変形していき、ある時点で、Ｎｉ型１０４における凸部の先端（Ｎｉ型におけるコーナーキューブの頂点）が、導電部材８０を覆う樹脂膜８６aを押し退けて導電部材８０の上面に接触する。この時、Ｎｉ型１０４における先端のみが導電部材８０の上面に接触するため、この接点にプレス圧が集中的にかかり、導電部材８０がＮｉ型１０４の形状に応じて塑性変形する。これに伴って、Ｎｉ型１０４の凸部は先端から導電部材８０に埋没する。

このように、Ｎｉ型１０４の押付によって、樹脂膜８６ａのみでなく導電部材８０における導電層８４および樹脂層８２もＮｉ型１０４の形状に応じて塑性変形させることができるので、樹脂膜８６ａおよび樹脂膜８６ａから露出した導電部材８０の上面を所定の形状に変形させることができる。

Ｎｉ型１０４を押付して導電部材８０に埋没させた状態の拡大断面図を図１３（ａ）に示す。このとき、Ｎｉ型１０４における頂点部のみ、あるいは頂点部の一部のみを導電部材８０に埋没させることが好ましい。言い換えると、導電部材８０に埋没したＮｉ型の深さＤを、Ｎｉ型におけるコーナーキューブの高さＨの１／２以下に制御することが好ましい。なお、「Ｎｉ型１０４における頂点部」とは、Ｎｉ型１０４において、複数の頂点を含む平面からの距離がコーナーキューブの高さＨの１／２以下の部分をいう。また、「導電部材に埋没したＮｉ型の深さＤ」とは、Ｎｉ型１０４の頂点１０５から導電部材８０の上面（導電部材８０のうちＮｉ型１０４が埋没していない領域の上面）までの距離をいう。深さＤ（以下「埋没深さ」とする）をＨ／２以下に制御することが好ましい理由を次に説明する。

上記深さＤがコーナーキューブの高さＨの１／２を超えると、すなわち、Ｎｉ型１０４におけるコーナーキューブの頂点１０５から鞍点を越えて導電部材８０に埋没させようとすると、樹脂膜８６ａの絶縁樹脂材料、あるいはＮｉ型１０４と被転写層６６ａとを対向させて貼付する際にかみこんだ気泡がＮｉ型１０４の底点付近に溜まり抜けなくなる。気泡が入った場合、その部分はボイドと呼ばれる欠陥となる。また、絶縁樹脂材料が抜けなくなった場合には、導電部材８０の上面のうち変形させようとする領域とＮｉ型１０４との間に絶縁樹脂材料が封じ込められるので、転写時にＮｉ型１０４と基板６７との間に印加するプレス圧は、導電部材８０の変形のみでなく封じ込められた絶縁樹脂材料の圧縮にも使用されてしまい、プレス圧のうち導電部材８０にかかる圧力の割合が低下する。

なお、上記深さＤは、導電部材８０や被転写層６６ａの材料や厚さ、型１０４の形状（コーナーキューブの配列ピッチ）、プレス圧などを調整することによって制御することができ、好ましくは１／２未満、より好ましくは１／３以下になるように制御される。

また、図１３（ａ）に示す状態において、導電部材８０に埋没したＮｉ型１０４の頂点１０５が、基板（例えばＴＦＴ基板）６７に予め配置された凹凸構成要素（例えばＴＦＴや配線など）よりも高くなるように、導電部材８０の厚さを設定することが好ましい。これにより、上記転写工程において、導電部材８０がスペーサの役割を果たすことができ、その結果、基板６７におけるスイッチング素子６８や配線などの凹凸構成要素とＮｉ型１０４とが接触することを防止できる。

従って、導電部材８０の厚さｄは、基板６７における凹凸構成要素の高さおよびＮｉ型１０４の埋没深さＤを考慮すると、基板６７における凹凸構成要素の最大高さｈよりも大きく、かつ、基板６７における凹凸構成要素の最大高さｈとコーナーキューブの高さＨの１／２とを加えた値よりも小さい（ｈ＜ｄ＜（ｈ＋Ｈ／２））ことが好ましい。なお、上記方法では、導電部材８０の厚さｄは、樹脂膜８２ａおよび導電膜８４ａの厚さによって規定される。

上記の転写工程により、図１２（ｃ）に示すようなコーナーキューブアレイ６６が得られる。図１３（ｂ）は、図１２（ｃ）に示すコーナーキューブアレイ６６を説明するための拡大断面図である。図１３（ｂ）に示すように、コーナーキューブアレイ６６では、コーナーキューブの底点部で導電部材８０の上面の一部が絶縁層８６から露出している。また、コーナーキューブアレイ６６の表面は、絶縁層８６および絶縁層８６から露出した導電部材８０の上面によって構成されている。

転写によって形成されるコーナーキューブアレイ６６の厚さ、すなわちコーナーキューブアレイ６６における底面６６ｂからコーナーキューブの頂点までの距離Ｔは、導電部材８０の厚さｄとコーナーキューブの高さＨとを加えたものよりも埋没深さＤだけ小さくなる（Ｔ＝ｄ＋Ｈ−Ｄ）。つまり、導電部材８０が厚くなると、それに応じてコーナーキューブアレイ６６が厚くなる。従って、導電部材８０が厚すぎると（例えばｄ＞１０μｍ）、コーナーキューブアレイ６６の厚さＴは、セル厚に対して部分的に極めて大きくなる。このようなコーナーキューブアレイ６６が形成された背面基板６２を前面基板６０と貼合せようとすると、セル厚不良が生じやすくなり、生産上好ましくない。さらに、樹脂層８２を導電層８４でコートすることによって導電部材８０を形成する場合には、導電部材８０の厚さｄが大きすぎると、導電層８４の導通不良が生じるおそれもある。

従って、プロセス上および特性上の観点から、導電部材８０の厚さｄは１０μｍ以下であることが好ましい。より好ましくは５μｍ以下であり、例えば２μｍである。これにより、導電部材８０を転写時のスペーサとして機能させるとともに、上述したようなセル厚不良や導通不良をより確実に防止できる。

なお、前述した転写工程において、導電部材８０に埋没したＮｉ型１０４の頂点１０５が基板６７の凹凸構成要素よりも高くなるように導電部材８０の厚さｄが設定されていれば、コーナーキューブアレイ６６における底点は基板６７の凹凸構成要素よりも高い位置に形成される。

続いて、図１２（ｄ）に示すように、コーナーキューブアレイ６６の表面に、Ａｇなどの反射性金属からなる金属膜７０ａを真空蒸着法によって形成する。反射膜７０ａの材料は、Ａｇに限定されず、Ａｌなどの高反射金属や、Ａｌ、Ａｇなどを主とする合金などを用いてもよい。また、金属膜の形成方法も真空蒸着法に限定されず、スパッタ法や、メッキなどの湿式成膜法であってもよい。あるいは、溶液状態の金属材料をコーナーキューブアレイの表面に塗布することによって金属膜７０ａを形成してもよい。

図１２（ｅ）に示すように、得られた金属膜７０ａをパターニングして画素毎に分離することにより、複数の画素電極７２からなる反射層７０を形成する。金属膜７０ａのパターニングは、例えば本出願人による特願２００４−２４６４９５号に記載された方法を用いて行うことができる。反射層７０における各画素電極７２は、転写によって露出した導電部材８０の上面と接している。この構成により、各画素電極７２は、導電部材８０における導電層８４を介して、対応するスイッチング素子６８のドレイン電極６９と電気的に接続される。このようにして、表示装置の背面基板６２が得られる。

一方、画素電極７２のパターンに応じて配色されたカラーフィルタ７４と透明対向電極（ＩＴＯ）7８とが形成された前面基板６０を作製する。この前面基板６０および上記方法で得られた背面基板６２の表面に、必要に応じて液晶配向膜（図示せず）を塗布する。

この後、画素電極７２と透明対向電極７８とが対向するように、スペーサ（図示せず）を介して、前面基板６０と背面基板６２とを接着剤で貼り合わせ、次いで、これらの基板６０、６２の間に高分子分散型の液晶材料を注入、封止することよって液晶層６４を形成する。このようにして、図１２（ｆ）に示すような反射型液晶表示装置が得られる。

本実施形態の反射型表示装置は、上記方法によって製造されるので、図７を参照しながら説明した特許文献２の方法と比べると、以下のようなメリットがある。

上述したように、特許文献２に開示された方法では、転写によって形成されるコーナーキューブアレイの形状精度が低下する場合があった。また、転写工程において、ガラス基板の破損などの問題が生じたり、導電性異物が絶縁層に混入するなどの問題が生じるおそれがあった。

これに対し、図１１および図１２を参照しながら説明したような方法によると、転写を利用して形状精度の高いコーナーキューブアレイを簡便に作製できる。具体的には、転写工程において、被転写層６６ａのうち変形させようとする領域（転写形成領域）の大部分が樹脂膜８６ａから形成されているので、被転写層６６ａにおける樹脂膜８６ａを構成する材料と導電部材８０を構成する材料との硬化収縮などの特性が異なることによる形状精度の低下を大幅に抑えることができる。そのため、被転写層６６ａを略均一に変形させることができるので、コーナーキューブアレイ６６の形状精度を従来よりも高くできる。その結果、コーナーキューブアレイ６６の上に形状精度の高い反射層７０を形成でき、再帰反射特性を向上させることができる。

また、図１１および図１２を参照しながら説明した方法によると、転写によって導電部材８０を大きく変形させる必要がないので、転写時のプレス圧を小さく抑えることができる。例えば、図１２（ｂ）および図１３（ａ）に示す転写工程において、型１０４の頂点部全体（型１０４の頂点から鞍点を含む平面までの三角錘領域）を導電部材８０に埋没させるように加圧する場合を考える。このとき、型１０４のうち導電部材８０に埋没させた部分の深さ（埋没深さ）Ｄは、型１０４のコーナーキューブの高さＨの１／２となる。図１３（ｃ）は、単一のコーナーキューブにおいて、導電部材８０の上面のうち型１０４によって変形する領域８０ｓを示す平面図である。これに対し、例えば図７に示す方法のように、型１０４の底点までを埋没させる（すなわち、上記深さＤがコーナーキューブの高さＨと等しくなる）ように加圧すると、導電部材８０の上面が変形してコーナーキューブ全体を構成する。この場合における、導電部材８０の上面のうち型１０４によって変形する領域８１ｓを図１３（ｄ）に示す。図１３（ｃ）および（ｄ）からわかるように、埋没深さＤがＨ／２の場合には、埋没深さＤがＨの場合と比べて、変形する導電部材８０の上面の面積は１／２となり、導電部材８０の変形に必要なプレス圧は１／２以下となる。なお、上記深さＤがコーナーキューブの高さＨの１／２未満、より好ましくは１／３以下になるように加圧すると、プレス圧をさらに低減させることが可能になる。

このように、転写時のプレス圧を低減できるので、プレス圧による基板６７へのダメージを低減でき、基板６７の破損などの問題を防止できる。さらに、転写工程に使用するプレス装置を簡素化できる。

さらに、上記の転写工程では、加圧による導電部材８０の変形量が小さくてすむので、導電部材８０に含まれる導電粒子がプレス圧によって破壊されてダスト（導電性の異物）が発生する可能性が極めて小さい。そのため、導電性の異物がプレス装置内部で飛散したり、コーナーキューブアレイ６６における絶縁層８６に混入するなどの問題を防止できる。

その上、転写の際には、導電部材８０がスペーサの役割を果たすため、プレス圧によって型１０４が基板６７のスイッチング素子６８と接触してしまうことを防止できるというメリットもある。

また、導電部材８０の配置されるパターンとコーナーキューブアレイ６６の配列パターンとを整合させることなく、コーナーキューブの底点部、すなわち反射層７０のうちスイッチング素子６８のドレイン電極６９との距離が最も短い部分で画素電極７２とスイッチング素子６８とを電気的に接続できる。従って、コーナーキューブの頂点部でこれらを接続する場合よりもコンタクト抵抗を低減できるので有利である。特に、導電部材８０の材料として、樹脂バインダ中に導電性粒子を混入した導電性樹脂材料を用いる場合には、導電部材８０の抵抗率は樹脂の存在により高くなる。このような場合、コーナーキューブの底点部で画素電極７２と導電部材８０とを接触させると、電流が導電部材８０の中を流れる距離を小さく抑えることができるので、コンタクト抵抗を効果的に低減できる。

本実施形態における製造方法は、図１１および図１２を参照しながら上述した方法に限定されない。例えば、型１０４を用いた転写工程では、未硬化の樹脂材料（モノマー、オリゴマー）を用いて被転写層６６ａを形成し、型１０４を押付した状態で上記樹脂材料を硬化させる方法を用いているが、樹脂材料の種類や硬化方法、硬化条件などは適宜選択され得る。あるいは、塑性変形、熱可塑性といった圧力や温度に対する樹脂材料の変形を利用して転写を行ってもよい。また、本出願人による特開２００１−７５０９０号公報に開示されているように、フィルム状の感光性樹脂を用いて転写を行うこともできる。

本実施形態におけるコーナーキューブアレイ６６の形成に用いられる型１０４は、例えば本出願人による特許文献３や特開２００１−７５０９０号公報に開示された方法を用いて作製できる。具体的には、結晶基板に対して異方性エッチングを行うことによって作製できる。または、その方法によって作製された型を転写することによって作製してもよい。

液晶層６４の材料は特に限定されないが、高分子分散型液晶であることが望ましい。高分子分散型液晶は、例えば低分子液晶組成物および未重合プレポリマーの混合物を相溶させて透明基板間に配置した後、プレポリマーを重合することによって得られる。プレポリマーの種類は特に限定されないが、好ましくは紫外線硬化性プレポリマーを用いる。紫外線硬化性プレポリマーを用いると、重合を行う際に上記混合物を加熱する必要がないので、他の部材への熱による悪影響を防止できる。

本実施形態では、液晶性を示す紫外線硬化性プレポリマーと液晶組成物との混合物（プレポリマー液晶混合物）を、紫外線等の活性光線の照射により光硬化させることによって高分子分散型液晶を形成する。プレポリマー液晶混合物としては、例えば、紫外線硬化材料と液晶とを２０：８０の重量比で混合し、少量の重合開始剤（チバ・ガイギー社製）を添加することによって得られた、常温でネマティック液晶相を示すプレポリマー液晶混合物を用いることができる。

本実施形態の反射型表示装置の構成は、図９（ａ）〜（ｃ）に示す構成に限定されない。例えば、反射層７０の上に、反射層７０の凹凸形状を平坦化するための平坦化層を設け、平坦化層上に透明な上層画素電極を形成してもよい。

本実施形態におけるコーナーキューブアレイ６６は、互いに直交する略正方形の３面からなるコーナーキューブから構成されたキュービックコーナーキューブアレイであるが、他のコーナーキューブアレイであってもよい。例えば、図１４に示すように、互いに直交する直角二等辺三角形の３面からなるコーナーキューブから構成されたコーナーキューブアレイであってもよい。なお、図１４に示すコーナーキューブアレイを用いる場合であっても、「コーナーキューブの底点部」は、前述したように、複数のコーナーキューブの底点を含む平面からの高さがコーナーキューブの高さＨの１／２以下の部分をいう。この場合の「コーナーキューブの高さＨ」は、コーナーキューブを構成する上記直角二等辺三角形の底辺を含む平面と複数のコーナーキューブの底点を含む平面との距離を指す。

コーナーキューブアレイ６６における配列ピッチは特に限定しないが、例えば可視光の波長以上で、画素の最大幅以下である。これによって混色などの表示特性上の問題を抑制できる。なお、図１１および図１２を参照しながら説明した転写によるコーナーキューブアレイ６６を形成する方法によると、コーナーキューブの配列ピッチが小さい場合でも高精度のコーナーキューブアレイ６６を形成することが可能であり、上記方法を微細なサイズのコーナーキューブアレイ（ピッチ：例えば２．５μｍ以下）の形成に適用すると特に有利である。

（実施形態２）
以下、本発明による反射型表示装置の第２の実施形態を説明する。

本実施形態の反射型表示装置は、図９（ａ）および（ｂ）を参照しながら説明した実施形態１の反射型表示装置と同様の構成を有している。ただし、コーナーキューブアレイ６６における導電部材８０の材料や構造が異なっている。具体的には、実施形態１では導電部材８０の一部（導電層８４）のみが導電材料から形成されているが、本実施形態では導電部材８０の全体が導電性を有する材料から形成されている。

図１５（ａ）および（ｂ）は、それぞれ、本実施形態の反射型表示装置を示す断面模式図および本実施形態におけるコーナーキューブアレイの構造を説明するための拡大断面図である。簡単のため、図９（ａ）および（ｂ）に示す反射型表示装置における構成要素と同様の構成要素には同じ参照符号を付し、説明を省略する。

本実施形態におけるコーナーキューブアレイ６６は、実施形態１と同様に、複数の導電部材１１０を有している。各導電部材１１０は基板上の対応するスイッチング素子６８のドレイン電極６９と接するように配置されている。また、導電部材１１０の上面の一部１１０ｓはコーナーキューブアレイ６６の底点部の表面を構成し、反射層７０と電気的に接続されている。本実施形態では、各導電部材１１０は導電性を有する材料を用いて形成された導電体層であり、導電部材１１０の全体が導電性を有している。導電部材１１０の材料としては、例えば導電性樹脂を用いることができる。ここでいう導電性樹脂とは、絶縁性樹脂（例えばアクリル樹脂）に導電性材料（例えばＡｇ）の微粒子を分散させた導電性材料分散樹脂や、高分子そのものが導電性を有する有機導電性化合物であってもよい。

以下、図１６（ａ）〜（ｃ）および図１７（ａ）〜（ｆ）を参照しながら、図１５（ａ）および（ｂ）に示す反射型表示装置を作製する方法の一例を説明する。

まず、図１６（ａ）に示すように、表面にスイッチング素子（ＴＦＴ）６８が形成された基板６７の上に導電性樹脂層１１０ａを形成する。導電性樹脂層１１０ａは、例えば感光性を有する樹脂にＡｇ微粒子を分散させた導電性材料分散樹脂（ノリタケカンパニーリミテッド社製）をスクリーン印刷法で基板６７の上に塗布することによって形成できる。なお、導電性樹脂層１１０ａの材料や形成方法は上記材料や方法に限定されない。

次いで、図１６（ｂ）に示すように、フォトマスク１１２を用いて、フォトリソグラフィーにより導電性樹脂層１１０ａのパターニングを行う。これにより、図１６（ｃ）に示すように、基板上の各スイッチング素子６８におけるドレイン電極６９と接する導電性樹脂層（導電部材）１１０を形成する。ここでは、導電部材１１０の厚さを２μｍ、導電部材１１０の上面を４０μｍ×４０μｍの略正方形とする。

この後、図１７（ａ）に示すように、導電部材１１０が形成された基板６７の上に、導電部材１１０を覆うように転写用の樹脂膜８６ａを形成する。樹脂膜８６ａの材料は、例えば図１２（ａ）を参照しながら前述した材料と同じであってもよい。これにより、樹脂膜８６ａおよび導電部材１１０からなる被転写層６６ａが得られる。

この後、図１７（ｂ）に示すように、型（例えばＮｉ型）１０４を被転写層６６ａの表面に貼付し、型押し法により、被転写層６６ａに型１０４の凹凸形状を転写する。転写は、図１２（ｂ）および図１３（ａ）を参照しながら説明した方法と同様の方法を用いて行う。これにより、導電部材１１０の上面が部分的に樹脂膜８６ａから露出し、樹脂膜８６ａおよび樹脂膜８６ａから露出した導電部材１１０の上面を型１０４の凹凸形状に応じた形状に変形させることができる。なお、型１０４の形状や作製方法も、図１２（ｂ）を参照しながら説明した形状や作製方法と同じであってもよい。

上記の転写工程により、図１７（ｃ）に示すようなコーナーキューブアレイ６６が得られる。コーナーキューブアレイ６６では、コーナーキューブの底点部で導電部材１１０の上面の一部が露出して所定のコーナーキューブアレイ形状を構成している。

続いて、図１７（ｄ）に示すように、コーナーキューブアレイ６６の表面に金属膜７０ａを形成し、パターニングする。これにより、図１７（ｅ）に示すように、複数の画素電極７２を有する反射層７０を形成する。金属膜７０ａの材料や形成方法、金属膜７０ａのパターニング方法などは、図１２（ｄ）および（ｅ）を参照しながら前述した材料や方法と同様であってもよい。このようにして、表示装置の背面基板６２が得られる。

上記方法で得られた背面基板６２を用いて、図１２（ｆ）を参照しながら前述した方法と同様の方法により、図１７（ｆ）に示すような反射型液晶表示装置を作製できる。

前述の実施形態では、図１１を参照しながら説明したように、導電部材８０を形成するためには、樹脂膜８２ａおよび導電膜８４ａをそれぞれ形成してパターニングする必要があった。これに対し、上記方法では、導電性樹脂膜１１０ａを形成してパターニングすることによって導電部材１１０を形成できる。従って、成膜およびパターニング（具体的にはフォトリソおよびエッチング）のための工程数を低減でき、製造プロセスを簡略化できる。

なお、図１６および図１７を参照しながら上述した方法では、導電部材１１０の材料として導電性樹脂を用いたが、代わりに金属材料を用いてもよい。前述したように、金属の剛性率は一般的に樹脂材料に比べて高く、金属を変形させるためには高い圧力（プレス圧）が必要となるが、本実施形態では導電部材１１０の変形量が小さくすむので、プレス圧を増大させることなく、所定のコーナーキューブアレイ形状に塑性変形させることが可能である。従って、コーナーキューブアレイ６６の形状精度を確保しつつ、コンタクト抵抗を低減できる。

以下、図１８（ａ）〜（ｅ）を参照しながら、金属材料を用いて導電部材を形成する方法の一例を説明する。

まず、図１８（ａ）に示すように、スイッチング素子６８が形成された基板６７の上に、感光性を有する樹脂を用いてフォトレジスト膜（厚さ：例えば５μｍ）１２２を形成する。ここでは、感光性を有する樹脂として、フォトレジスト（ＴＧＭＲ−９５０ＢＥ：東京応化社製）を用いる。

次いで、図１８（ｂ）に示すように、フォトマスク１２４を用いてフォトレジスト膜１２２を露光した後、フォトレジスト膜１２２を現像する。これにより、図１８（ｃ）に示すように、フォトレジスト膜１２２に複数の開口部１２２ａが形成される。各開口部１２２ａは、基板６７における対応するスイッチング素子６８のドレイン電極６９の表面を露出するように配置される。

続いて、図１８（ｄ）に示すように、フォトレジスト膜１２２の開口部１２２ａにメッキ法などにより金属（例えばＮｉ）を電析させる。このようにして、ドレイン電極６９と電気的に接続された導電部材１３０が得られる。この後、図１８（ｅ）に示すように、フォトレジスト膜１２２を剥離する。

上記方法で導電部材１３０を形成した後、図１７（ａ）〜（ｆ）を参照しながら上述した方法と同様の方法で図１５（ａ）および（ｂ）に示すような表示装置を製造できる。

なお、上記方法ではメッキ法を用いて導電部材１３０を形成しているが、形成方法はこれに限定されない。また、導電部材１３０に用いる金属材料も上記材料に限定されない。

（実施形態３）
以下、本発明による反射型表示装置の第３の実施形態を説明する。本実施形態の反射型表示装置は、反射層の表面凹凸を平坦化するための平坦化層をさらに備え、平坦化層上に画素電極として機能する上層電極が形成されている点で、図１５（ａ）および（ｂ）に示す実施形態２の反射型表示装置と異なっている。

図１９は、本実施形態の反射型表示装置を示す断面模式図である。簡単のため、図１５（ａ）および（ｂ）に示す反射型表示装置における構成要素と同様の構成要素には同じ参照符号を付し、説明を省略する。

本実施形態の反射型表示装置における背面基板６２には、コーナーキューブアレイ６６、反射層７０、反射層７０の凹凸形状を平坦化するための平坦化層１４０、および複数の上層画素電極１４４がこの順で形成されている。コーナーキューブアレイ６６および反射層７０は、図１５（ａ）および（ｂ）を参照しながら説明した構成と同様の構成を有し、同様の材料を用いて形成されている。平坦化層１４０は、例えば絶縁樹脂材料から形成されている。平坦化層１４０には、反射層７０の表面に達する複数のコンタクトホール１４２が形成されている。各上層画素電極（例えばＩＴＯ電極）１４４は平坦化層１４０の上に形成されており、平坦化層１４０のコンタクトホール１４２を介して、反射層７０における対応する画素電極７２と電気的に接続されている。従って、本実施形態では、各画素における上層画素電極１４４および画素電極（下層画素電極）７２が、対応するスイッチング素子６８のドレイン電極６９と電気的に接続され、画素電極として機能する。

本実施形態によると、反射層７０と液晶層６４との間に平坦化層１４０が形成されているため、反射層７０の表面凹凸が液晶層６４に与える影響を低減できる。

なお、本実施形態における導電部材１１０は、図１５（ａ）および（ｂ）を参照しながら説明したように、導電性樹脂や金属材料などの導電性を有する材料から形成されているが、導電部材１１０の少なくとも一部が導電性を有し、コンタクト部としての機能できればよい。例えば、図９（ａ）および（ｂ）を参照しながら説明したように、絶縁材料から形成された樹脂層を導電層で覆う構造を有していてもよい。

次に、図２０（ａ）〜（ｆ）を参照しながら、図１９に示す反射型表示装置の製造方法の一例を説明する。

まず、図２０（ａ）に示すように、ＴＦＴ基板６７の上にコーナーキューブアレイ６６および反射層７０を形成する。反射層７０は、画素ごとに分離された画素電極７２から構成されている。このようなコーナーキューブアレイ６６および反射層７０は、図１６および図１７を参照しながら前述した方法と同様の方法で、同様の材料を用いて形成できる。

次いで、図２０（ｂ）に示すように、反射層７０の上に感光性樹脂膜１４０ａを形成する。感光性樹脂膜１４０ａは、感光性を有する樹脂（感光性樹脂）を反射層７０の上に塗布することによって形成できる。ここでは、感光性樹脂としてネガ型のアクリル系感光性樹脂（ＣＲ−７００；日立化成工業製）を用いる。

その後、フォトマスク（図示せず）を用いて感光性樹脂膜１４０ａを露光した後、現像し、さらに最終硬化させることによって、図２０（ｃ）に示すように、コンタクトホール１４２を有する平坦化層１４０を形成する。各コンタクトホール１４２は、対応する画素電極７２の表面を露出するように配置される。

続いて、図２０（ｄ）に示すように、平坦化層１４０およびコンタクトホール１４２の内表面を覆うように透明導電膜（ＩＴＯ膜など）１４４ａを形成する。透明導電膜１４４ａは例えばスパッタ法によって形成できる。この透明導電膜１４４ａに対してパターニングを行うことにより、図２０（ｅ）に示すように、画素ごとに離間された上層画素電極１４４を形成する。このようにして、背面基板６２が得られる。

この後、図１２（ｆ）を参照しながら前述した方法と同様の方法で、上記方法で得られた背面基板６２をカラーフィルタ７４および透明対向電極７８が形成された前面基板６０と貼り合わせ、基板６０、６２の間に液晶層６４を形成する。これにより、図２０（ｆ）に示すような反射型液晶表示装置が得られる。

上記方法において、感光性樹脂膜１４０ａの材料としてネガ型の感光性樹脂を用いることが好ましい。この理由を、図面を参照しながら以下に説明する。

図２１（ａ）および（ｂ）は、ネガ型の感光性樹脂膜１４０ａに対する露光工程を説明するための平面図およびＩ−Ｉ’断面図であり、図２１（ｃ）は現像工程を説明するための断面図である。

感光性樹脂膜１４０ａを露光する際には、図２１（ａ）および（ｂ）に示すように、遮光領域１４６ｓおよび光透過領域１４６ｔを有するフォトマスク１４６を用いる。このとき、フォトマスク１４６の透過領域１４６ｔを通過して感光性樹脂膜１４０ａに入射した光の一部１５０は、感光性樹脂膜１４０ａを透過し、反射層７０で反射する。反射層７０はコーナーキューブアレイ形状を有しているので、上記光１５０は、反射層７０におけるコーナーキューブの底点部に向かって反射する。この反射光の一部（「迷光」）１５２は、感光性樹脂膜１４０ａのうちフォトマスク１４６の遮光領域１４６ｓによって遮光された領域の底点付近を露光する。

露光後、感光性樹脂膜１４０ａの現像を行うと、図２１（ｃ）に示すように、感光性樹脂膜１４０ａのうち光で照射された領域以外の領域が除去されて平坦化層１４０が得られる。このとき、感光性樹脂膜１４０ａのうちフォトマスク１４６によって遮光された領域では、迷光によって露光された部分１４８が除去されずに残る。

このように、ネガ型の感光性樹脂を用いると、迷光１５２の影響によって、フォトマスク１４６によって規定される形状と異なる形状のコンタクトホール１４２が形成される。具体的には、コンタクトホール１４２は、反射層７０におけるコーナーキューブアレイ形状の頂点付近に形成されるため、コンタクトホール１４２の深さ（平坦化層１４０の最表面から反射層７０までの最大深さ）を小さくできる。また、コンタクトホール１４２の断面形状は、コーナーキューブを構成する平面と迷光によって露光された部分１４８の表面によって規定され、典型的にはなだらかな（テーパ角の大きい）テーパ形状となる。従って、平坦化層１４０の上にスパッタ法などにより透明導電膜１４４ａを形成する際に、透明導電膜１４４ａと反射層７０とをより確実に接続できるので有利である。

本発明によれば、コーナーキューブアレイを用いた再帰性反射型表示装置において、再帰性反射特性を高めて表示特性を向上できる。また、そのような反射型表示装置を簡便な方法で製造できる。

（ａ）および（ｂ）は再帰性反射型液晶表示装置の動作原理を説明するための断面模式図である。 従来の再帰性反射型液晶表示装置の構成を説明するための断面模式図である。 （ａ）および（ｂ）は、それぞれ、キュービックコーナーキューブアレイの平面図および斜視図である （ａ）および（ｂ）は、コーナーキューブアレイ上に反射層を形成するための一般的なプロセスを説明するための断面模式図である。 （ａ）〜（ｄ）は、図４（ａ）および（ｂ）に示す反射層の形成プロセスにおける問題点を説明するための図である。 特許文献２に開示された反射型表示装置の構成を説明するための断面模式図である。 （ａ）〜（ｄ）は、図６に示す反射型表示装置における層間絶縁層および反射層の形成方法を説明するための工程断面図である。 （ａ）および（ｂ）は、図７（ｂ）に示す転写工程をより詳しく説明するための断面模式図である。 （ａ）は、本発明による第１の実施形態の反射型表示装置を示す断面模式図であり、（ｂ）および（ｃ）は、第１の実施形態におけるコーナーキューブアレイの構成を形成するための拡大断面図および平面図である。 キュービックコーナーキューブアレイにおけるコーナーキューブの底点部 の定義を説明するための断面模式図である。 （ａ）〜（ｅ）は、第１の実施形態の反射型表示装置の製造方法を説明す るための工程断面図である。 （ａ）〜（ｆ）は、第１の実施形態の反射型表示装置の製造方法を説明するための工程断面図である。 （ａ）および（ｂ）は、図１２（ｂ）および（ｃ）に示す工程を説明するための拡大断面図であり、（ｃ）および（ｄ）は、それぞれ、埋没深さＤがＨ／２の場合および埋没深さＤがＨの場合における、導電部材の上面のうち型によって変形する領域を示す平面図である。 第１の実施形態における他のコーナーキューブアレイを例示する平面図である。 （ａ）は、本発明による第２の実施形態の反射型表示装置を示す断面模式図であり、（ｂ）は、第２の実施形態におけるコーナーキューブアレイの構成を形成するための拡大断面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、第２の実施形態の反射型表示装置の製造方法を説明するための工程断面図である。 （ａ）〜（ｆ）は、第２の実施形態の反射型表示装置の製造方法を説明するための工程断面図である。 （ａ）〜（ｅ）は、第２の実施形態における導電部材の他の形成方法を説明するための工程断面図である。 本発明による第３の実施形態の反射型表示装置を示す断面模式図である。 （ａ）〜（ｆ）は、第３の実施形態の反射型表示装置の製造方法を説明するための工程断面図である。 （ａ）および（ｂ）は、ネガ型の感光性樹脂膜に対する露光工程を説明するための平面図および断面図であり、（ｃ）は、ネガ型の感光性樹脂膜に対する現像工程を説明するための断面図である。

符号の説明

６０ 前面基板
６２ 背面基板
６４ 液晶層
６６ コーナーキューブアレイ
７０ 反射層
７４ カラーフィルタ
８０ 導電部材
８２ 樹脂層
８４ 導電層
８６ 絶縁層
６８ スイッチング素子
６９ ドレイン電極

Claims (13)

1. 光変調層と、
   前記光変調層を間に保持する一対の基板と、
   画素単位で前記光変調層の光学的特性を変化させる電極構造と
   を備えた反射型表示装置であって、
   前記一対の基板の一方は、複数のコーナーキューブが配列されたコーナーキューブアレイを備え、
   前記コーナーキューブアレイは、再帰性反射面を規定する表面、底面、および前記表面と前記底面との間に配列された複数の導電部材を有しており、
   各導電部材の上面の一部は、前記コーナーキューブアレイの表面のうち、前記コーナーキューブの底点を含む底点部に位置する部分を構成している反射型表示装置。
2. 前記導電部材の上面は、コーナーキューブの複数の底点と対向している請求項１に記載の反射型表示装置。
3. 前記導電部材の上面の一部は、コーナーキューブアレイの表面のうち複数の底点を含む平面からの高さが頂点の高さの１／２よりも小さい部分を構成している請求項１または２に記載の反射型表示装置。
4. 前記一方の基板は、前記コーナーキューブアレイの底面側に複数のスイッチング素子を備え、前記導電部材は対応するスイッチング素子と電気的に接続されている請求項１から３のいずれかに記載の反射型表示装置。
5. 前記導電部材は導電性樹脂を含む請求項１から４のいずれかに記載の反射型表示装置。
6. 前記導電部材は異方性導電粒子を含む請求項１から４のいずれかに記載の反射型表示装置。
7. 前記導電部材は、樹脂層と、前記樹脂層を覆う導電膜とを有する請求項１から４のいずれかに記載の反射型表示装置。
8. 前記コーナーキューブアレイにおける各コーナーキューブは、互いに直交する略正方形の３面から構成されている請求項１から７のいずれかに記載の反射型表示装置。
9. 前記コーナーキューブアレイにおける各コーナーキューブは、互いに直交する略直角三角形の３面から構成されている請求項１から８のいずれかに記載の反射型表示装置。
10. 前記コーナーキューブアレイと前記光変調層との間に、前記コーナーキューブアレイの表面形状を反映した形状を有する画素電極を備えた請求項１から９のいずれかに記載の反射型表示装置。
11. 前記コーナーキューブアレイと前記光変調層との間に、前記コーナーキューブアレイの表面形状を平坦化するための平坦化層を備えた請求項１から９のいずれかに記載の反射型表示装置。
12. 光変調層と、
    前記光変調層を間に保持する一対の基板と、
    画素単位で前記光変調層の光学的特性を変化させる電極構造と
    を備えた反射型表示装置の製造方法であって、
    複数のスイッチング素子を有する基板を用意する工程と、
    前記基板の上に、それぞれが対応するスイッチング素子と電気的に接続された複数の導電部材と、前記複数の導電部材を覆う絶縁層とを含む被転写層を形成する工程と、
    表面に凹凸形状を有する型を用意する工程と、
    前記被転写層に前記型の凹凸形状を転写して、前記導電部材の上面の一部のみを露出させる工程と
    を包含する反射型表示装置の製造方法。
13. 前記型の凹凸形状はコーナーキューブアレイの形状を規定する請求項１２に記載の反射型表示装置の製造方法。

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