JP2007019157A - 配線基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 ＣＦＲＰをコアとした低熱膨張率の配線基板を用いて、−６５℃〜１２５℃の温度サイクル試験を行った場合、特に、低温時において、炭素繊維材料とそれに含浸させたマトリクス樹脂との間に剥離が生じることがある
【解決手段】 本発明では、炭素繊維材料とマトリクス樹脂との間に、それぞれと接着の度合の高いめっき膜、密着層を含む中間層が形成されている。これにより、炭素繊維材料は、これと接着の度合の高いめっき膜と接し、マトリクス樹脂は、これと接着の度合の高い密着層と接する。従って、炭素繊維材料とマトリクス樹脂とが中間層を介してそれぞれと強く接着されることになり、環境温度が低下したとしても、マトリクス樹脂の剥離を防止することが可能となる。
【選択図】 図１

Description

本発明は、半導体チップ実装基板、マザーボード、プローブカード用基板に適用することのできる配線基板及びその製造方法に関し、特に、炭素繊維強化プラスチックからなる配線基板及びその製造方法に関する。

近年、電子機器の高性能化、小型軽量化などの要求に伴い、電子機器に組み込まれる半導体チップについては、ベアチップをバンプ接続で配線基板に搭載するフリップチップ接続が実現されてきた。フリップチップ接続によって、実装面積を小さく、かつ、配線長を短くすることが可能となった。ここで、半導体チップを搭載するための配線基板については、半導体チップの多ピン化に伴って、配線の高密度化を達成するうえで好適な多層配線基板が採用される傾向にある。このような、半導体チップと多層配線基板による実装構造を有する半導体パッケージは、所定の電子回路の一部を構成すべく、更にマザーボードに実装される。マザーボードについても、配線の高密度化を達成するうえで好適な多層配線基板が採用される場合がある。一方、複数の半導体素子が形成された半導体ウェハや半導体チップを検査する際に利用されるプローブカードの基板においても、半導体素子や半導体チップの多ピン化に応じて多層配線基板が採用される場合がある。

ところで、配線基板と半導体チップとの熱膨張率の差に起因して、配線基板と半導体チップとの間の電気的接続の信頼性が低くなることがある。一般的な半導体材料による半導体チップにおける熱膨張率は約３．５ｐｐｍ／℃であって、コア基板としてガラスエポキシ基板を採用する一般的な配線基板における熱膨張率は、１２〜２０ｐｐｍ／℃であり、両者の熱膨張率の差は比較的大きい。そのため、環境温度の変化により、配線基板と半導体チップとの間における電気的接続部には応力が発生しやすい。電気的接続部にて所定以上の応力が発生すると、当該接続部における半導体チップのバンプと配線基板の電極パッドとの間で、クラックや剥がれが生じやすくなる。特に、半導体チップと配線基板との熱膨張の絶対量は、チップが大型であるほど大きくなり、熱膨張率の差が大きいほど、電気的接続部にて発生する応力も大きくなるため、大型の半導体チップを配線基板に実装する場合には、電気的接続の信頼性がより低下する。このような不具合は、半導体ウェハや半導体チップの所定機能を検査するために、半導体ウェハや半導体チップをプローブカードに配置した状態においても生じ得る。

このような半導体チップと配線基板との熱膨張率の差を低減する手法として、特許文献１乃至特許文献３に開示されているように、炭素繊維材料にマトリクス樹脂を含浸させてなる炭素繊維強化プラスチック（Ｃａｒｂｏｎ Ｆｉｂｅｒ Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ：ＣＦＲＰ）をコア基板に用いた配線基板が知られている。炭素繊維材料の熱膨張率は、一般に、−５〜３ｐｐｍ／℃程度であり、ＣＦＲＰは、コア基板の面内方向に０〜１７ｐｐｍ／℃、厚み方向に２０〜１２０ｐｐｍ／℃という熱膨張率を有しており、一般に、低熱膨張材料であることが知られている。
特開昭６０−１４０８９８号公報 特開平１１−４０９０２号公報 特開２００１−３３２８２８号公報

本願発明者らは、特許文献１乃至特許文献３に開示されているような、ＣＦＲＰをコアとした低熱膨張率の配線基板を用いて、−６５℃〜１２５℃の温度サイクル試験を行った場合、特に、低温時において、炭素繊維材料とそれに含浸させたマトリクス樹脂との間に剥離が生じることがあることに着目した。

そして、その原因として、本願発明者らは、炭素繊維材料とそれに含浸されたマトリクス樹脂との間に３０〜６０ｐｐｍ／℃もの大きな熱膨張差があり、環境温度が、マトリクス樹脂のガラス転移点以下になると、マトリクス樹脂の弾性率が増加し、それに伴い、配線基板の内部応力が増大するためであると考察した。

本発明は、このような課題に鑑みなされたものであって、配線基板に含まれる炭素繊維材料とそれに含浸されるマトリクス樹脂との間における剥離の発生を防ぐ配線基板及びその製造方法を提供する事を目的とする。

上記目的は、炭素繊維材料及び樹脂組成物を含む配線基板において、前記炭素繊維材料と前記樹脂組成物との間に中間層を備えることを特徴とする配線基板により達成される。これにより、炭素繊維材料は、これと強く接着する中間層と接し、樹脂組成物は、これと強く接着する中間層と接する。従って、炭素繊維材料と樹脂組成物とが中間層を介してそれぞれと強く接着されることになり、環境温度が変化したとしても、樹脂組成物の剥離を防止することが可能となる。

本発明によれば、炭素繊維材料とマトリクス樹脂との間に、それぞれと強く接着することのできる中間層が形成されている。これにより、炭素繊維材料は、これと強く接着する中間層と接し、マトリクス樹脂は、これと強く接着する中間層と接する。特に、中間層をめっき膜と密着層で形成した場合には、炭素繊維材料は、これと強く接着するめっき膜と接し、マトリクス樹脂は、これと強く接着する密着層と接する。従って、炭素繊維材料とマトリクス樹脂は、中間層を介してそれぞれと強く接着されることになり、環境温度が変化したとしても、マトリクス樹脂の剥離を防止することが可能となる。

本願発明者らは、ＣＦＲＰを含む低熱膨張率の配線基板を用いて、−６５℃〜１２５℃の温度サイクル試験を行った場合、特に、低温時において、炭素繊維材料とそれに含浸させたマトリクス樹脂との間に剥離が生じる理由について検討したところ、炭素繊維材料とマトリックス樹脂との間に３０〜６０ｐｐｍ／℃もの大きな熱膨張差があり、環境温度が、マトリクス樹脂のガラス転移点以下になると、マトリクス樹脂の弾性率が増加し、それに伴い、配線基板の内部応力が増大するためであることを見いだした。

従って、炭素繊維材料とそれに含浸されるマトリクス樹脂とを、より強く接着させることができれば、環境温度が低い場合であっても、炭素繊維材料とマトリクス樹脂との剥離の発生を防ぐことができると考えられる。

本発明は上記のような検討に基づいてなされたものであって、炭素繊維材料とマトリクス樹脂との間に、夫々の材料と接着の度合の高い中間層を設けたことに主な特徴があるものである。

本発明の実施例による配線基板及びその製造方法について図１乃至図５を用いて説明する。

まず、本実施例による配線基板Ｘの構造について説明をする。

図１は、本実施例による配線基板Ｘの部分断面図である。配線基板Ｘは、コア層１０と、一対のビルドアップ部２０と、コア層１０を厚み方向に貫通するスルーホールビア３０とを備える。

コア層１０は、プリプレグ１１を厚み方向に５層分積層したものからなり、プリプレグ１１のそれぞれは、炭素繊維束１２、めっき膜１３、密着層１４、及びマトリクス樹脂層１５からなる。尚、本実施例では、コア層１０を、プリプレグ１１を５層分積層した例で説明しているが、これに限定するものではなく、少なくとも１つのプリプレグ１１からなるものである。

炭素繊維束１２は、カーボンファイバを束ねたカーボンファイバ糸により織られたカーボンファイバクロスであり、プリプレグ１１の面内方向に展延するように配向している。一般的に、カーボンファイバは、−５〜３ｐｐｍ／℃程度の低い熱膨張率を示すものである。尚、炭素繊維束１２は、カーボンファイバクロスに限るものでなく、カーボンファイバメッシュやカーボンファイバ不織布の形態をしていても構わない。本実施例では、炭素繊維束１２として、ピッチ系で炭素繊維目付３００ｇ／ｍ²、引張り弾性率６００ＧＰａの平織りのカーボンファイバクロスや、ＰＡＮ系で炭素繊維目付４５０ｇ／ｍ²、引張り弾性率６００ＧＰａのものを用意した。

炭素繊維束１２を包容するめっき膜１３は、炭素繊維束１２にＮｉ、Ｃｕなどの金属をそれぞれ無電解めっき法で成膜したものであり、Ｎｉ膜１３１、Ｃｕ膜１３２からなる。ここで、Ｎｉは、カーボンファイバと高い密着力を有しており、Ｎｉ膜１３１は、炭素繊維束１２と強力に接着する。そして、Ｃｕは、マトリクス樹脂と高い密着力を有しており、Ｃｕ膜１３２は、マトリクス樹脂層１５と強力に接着することになる。尚、本実施例のめっき膜１３は、Ｎｉ膜１３１、Ｃｕ膜１３２の２層からなる構造として説明しているが、これに限定することなく、例えば、Ｎｉ膜、Ｃｕ膜、Ｃｒ膜、Ｆｅ膜の少なくとも１つ以上の金属膜で層を形成することで、めっき膜１３としても良い。

めっき膜１３を包容する密着層１４は、めっき膜１３の形成された炭素繊維束１２を、チオール化合物やカップリング剤に浸漬して形成されたものであり、チオール化合物やカップリング剤を少なくとも１つ含む化合物からなるものである。チオール化合物としては、例えば、トリアジンチオール、エタンチオール、ベンゼンチオール、ブタン−２，３−ジチオール、ヘキサ−５−エン−３−チオール、５−ヘキセン−３−チオールなどを用いる。また、シランカップリング剤としては、有機官能基が、例えば、ビニル基、エポキシ基、ニトロ基、メタクリル基、アミノ基、メルカプト基、イソシアナト基、カルボキシル基、水酸基のうち少なくとも一つを含み、また、加水分解性基が、例えば、クロル基、アルコキシ基、アセトキシ基、イソプロペノキシ基、アミノ基のうち少なくとも１つを含む化合物を用いる。つまり、シランカップリング剤としては、例えば、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリクロルシラン、ビニルメトキシシラン、ビニルトリス（２メトキシエトキシ）シラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、３−（メタクリロキシプロピル）トリメトキシシラン、２−（３，４エポキシシクロヘキシル）３−グリシドキシプロピル３メチルジエトキシシラン、Ｎ−２（アミノエチル）３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２（アミノエチル）３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシランなどを用いる。また、上掲した材料を複数組み合わせて用いても構わない。

密着層１４を包容するマトリクス樹脂層１５は、めっき膜１３と密着層１４が形成された炭素繊維束１２を包容して硬化するものであり、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリエーテルイミド系樹脂、ポリエーテルサルフォン系樹脂、フェノール系樹脂、アラミド系樹脂、ゴム−エポキシ系樹脂などを少なくとも１つ含む樹脂組成物であり、例えば、ポリサルホン、ポリエーテルサルホン、ポリフェニルサルホン、ポリフタルアミド、ポリアミドイミド、ポリケトン、ポリアセタール、ポリイミド、ポリカーボネート、変性ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンオキサイド、ポリブチレンテレフタレート、ポリアクリレート、ポリスルホン、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルエーテルケトン、テトラフルオロエチレン、エポキシ、シアネートエステル、ビスマレイミドなどが用いられる。また、マトリクス樹脂層１５は、上述したような樹脂分だけでなく、無機フィラーを含有するようにしてもよく、例えば、シリカ粉末、アルミナ粉末、窒化アルミニウム粉末、水酸化マグネシウム粉末、水酸化アルミニウム粉末などを含有させるようにしても良い。また、本実施例では、マトリクス樹脂層１５は、密着層１４を包容するように形成されるように説明したが、これに限るものでもなく、例えば、密着層１４を形成せずに、めっき膜１３にマトリクス樹脂を含浸させ、マトリクス樹脂層１５を形成するようにしても良い。つまり、炭素繊維束１２とマトリクス樹脂層１５との間にそれぞれと密着性の高い中間層となるものであれば良い。

ビルドアップ部２０は、いわゆるビルドアップ法により配線が多層化された部位であり、絶縁層２１及び配線パターン２２による積層構造を有する。絶縁層２１は、例えばマトリクス樹脂層１５として説明した上掲の樹脂により構成することができる。配線パターン２２は、例えば銅により構成されており、それぞれ、絶縁層２１上に形成され、所望のパターン形状を有している。図１の配線基板Ｘでは、ビルドアップ部２０をコア層１０の両面に形成し、絶縁層２１と配線パターン２２とからなる配線構造を両面にそれぞれ１層ずつ形成した例を図示している。しかしながら、このような構造に限るものでなく、コア層１０の両面に、絶縁層２１と配線パターン２２とからなる配線構造をそれぞれ複数積層させた構造としても良い。

スルーホールビア３０は、コア層１０の両側に設けられている２つのビルドアップ部２０に形成されている配線パターン２２を、相互に電気的に接続するためのものである。スルーホールビア３０は、コア層１０を貫通するスルーホール３１内に、例えば銅めっきにより形成される。

次に、本実施例による配線基板Ｘの製造方法について以下説明をする。

図２乃至図５は、配線基板Ｘの製造方法を示すものである。

まず、炭素繊維束１２として、ピッチ系で炭素繊維目付３００ｇ／ｍ²、引張り弾性率６００GＰａであるカーボンファイバクロスを用意する。このカーボンファイバクロスは、断面直径１０μｍ以下のカーボンファイバを平均本数２００以上で束ねたカーボンファイバ糸を平織りしたものである。ここで、カーボンファイバクロスは、複数のカーボンファイバ糸を一方向、または任意の方向に揃えて平織りしたもの、弾性率の同一または弾性率の異なるものを用いても良く、炭素繊維束１２は、複数のカーボンファイバクロスを積層したものを用いても構わない。また、予めプラズマ処理、コロナ放電処理、サンドブラスト処理などによる表面改質処理を行っていても良く、更に、炭素繊維を繊維束にしやすくするために、サイジング処理されているものを用いる場合には、サイジング剤を除去する開繊処理をしておいても良い。尚、炭素繊維束１２として、ピッチ系だけでなく、ＰＡＮ系のもの（炭素繊維目付４５０ｇ／ｍ²、引張り弾性率６００ＧＰａ）を用いても構わない。

図２（ａ）に示すように、用意した炭素繊維束１２の表面に、無電解めっき法で、Ｎｉを３μｍ成膜してＮｉ膜１３１を形成し、次いで、Ｎｉ膜１３１の表面に、Ｃｕを５μｍ成膜してＣｕ膜１３２を形成した。ここで、本実施例では、炭素繊維束１２を、パラジウムヒドロゾル中に浸漬することで、炭素繊維束１２の表面にパラジウムコロイド微粒子を吸着させた上で、金属イオン及び還元剤などを含む無電解めっき溶液に浸漬する。つまり、本実施例における無電解めっき法は、炭素繊維束１２の表面のパラジウムが存在する箇所で、金属イオンが還元されて析出することを利用している。尚、本実施例では、金属膜を形成する方法として、無電解めっき法を説明したが、金属膜を形成できるものであればこれに限定するものではなく、例えば、電解めっき法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、蒸着法などを用いても構わない。また、形成したＮｉ膜１３１、Ｃｕ膜１３２の厚さも適宜変更することが可能である。更に、めっき膜１３としてＮｉ膜１３１、Ｃｕ膜１３２を形成する例を説明したが、これに限るものでなく、上述したように、Ｃｒ層、Ｆｅ層を形成しても構わない。

次に、図２（ｂ）に示すように、めっき膜１３が形成された炭素繊維束１２を、チオール化合物、例えば、トリアジンチオールに浸漬して、密着層１４を形成した。尚、チオール化合物としては、トリアジンチオールに限るものではなく、上掲したものを用いても構わない。また、チオール化合物の代わりに、シランカップリング剤、例えば、３−メルカプトプロピルトリメトキシシランに浸漬して、密着層１４を形成しても良い。尚、シランカップリング剤としては、３−メルカプトプロピルトリメトキシシランに限るものではなく、上掲したものを用いても構わない。また、上掲したチオール化合物とシランカップリング剤とを組み合わせて用いても構わない。

次に、図２（ｃ）に示すように、密着層１４を形成した後、マトリクス樹脂、例えば、エポキシ系樹脂組成物を含浸させて、マトリクス樹脂層１５を形成し、厚さが０．２ｍｍのプリプレグ１１を作製した。尚、含浸させるマトリクス樹脂は、エポキシ系樹脂に限るものでもなく、上掲したものを用いても構わない。また、上述のように、マトリクス樹脂に無機フィラーを混合するようにしても良く、例えば、マトリクス樹脂としてポリイミド系樹脂を用いた場合には、アルミナ粉末（重量平均粒径７μｍ以下）およびシリカ粉末（重量平均粒径３μｍ以下）をそれぞれ１０ｗｔ％ずつ含有させるようにしても良い。ここで、アルミナ粉末の熱膨張率は、７ｐｐｍ／℃であり、シリカ粉末の熱膨張率は、３ｐｐｍ／℃である。このように、無機フィラーをマトリクス樹脂に混合することで、プリプレグ１１の厚み方向における熱膨張率を低減することが可能となる。

次に、図３（ａ）に示すように、上述の手順で用意したプリプレグ１１を５枚積層し、真空プレスにより、２００℃で１時間、積層方向に加圧した。このようにして、厚さ１．０ｍｍのコア層１０を作製した（３４０ｍｍ×５１０ｍｍ）。ここで、作製したコア層１０の２５〜２００℃の温度範囲における面内方向の平均熱膨張率は、２ｐｐｍ／℃であり、厚み方向の平均熱膨張率は、８０ｐｐｍ／℃であった。

次に、図３（ｂ）に示すように、コア層１０の所定の箇所に対して、ドリルで開口径０．５ｍｍの貫通孔を所定数分形成した。本実施例では、約１０００個の開口部を形成した。

次に、図４に示すように、コア層１０に対して脱脂処理およびその後の洗浄処理を行い、その後、コア層１０の両面に対して、熱可塑性ポリイミドシートをラミネートすることで、コア層１０の表面を覆うように、絶縁層２１を形成した。具体的には、真空プレスにより、２００℃および３０分の条件で、厚さ０．０５ｍｍとなるように、熱可塑性ポリイミドシートをラミネートした。このとき、ポリイミド樹脂の一部により貫通孔を填塞した。

次に、図５に示すように、ポリイミド樹脂により填塞された貫通孔の略中央を通るように、ＵＶ−ＹＡＧレーザにより、開口径０．２ｍｍのスルーホール３１を形成した。このスルーホール３１は、ＵＶ−ＹＡＧレーザでの形成に限るものでもなく、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザ、プラズマによるドライエッチング、機械的ドリルなどを用いて形成しても構わない。次に、セミアディティブ法により、絶縁層２１上に配線パターン２２を形成すると共に、スルーホール３１壁面にスルーホールビア３０を形成した。具体的には、必要に応じてデスミア処理を行った後、無電解めっき法により絶縁層２１およびスルーホール３１の表面に無電解銅めっき膜を形成した。次に、無電解銅めっき膜上にフォトレジストを成膜した後、これを露光および現像することによって、レジストパターンを形成した。このレジストパターンは、形成を目的とする配線パターンに対応する非マスク領域を有する。次に、電気めっき法により、非マスク領域に対して、無電解銅めっき膜をシード層として利用して電気銅めっきを堆積させた。次に、レジストパターンをエッチング除去した後、それまでレジストパターンで被覆されていた無電解銅めっき膜をエッチング除去した。エッチング液としては、過酸化水素水および硫酸の混合液を使用した。このようなセミアディティブ法により、ビルドアップ部２０における配線パターン２２と、コア層１０を貫通して配線パターン２２間を電気的に接続するスルーホールビア３０とを形成した。図５では、コア層１０を含めて３層構造を例示しているが、絶縁層２１の積層形成から配線パターン２２およびスルーホールビア３０の形成までの一連の工程を、複数回繰り返すことで、コア層１０の両面に複数の配線構造を有するビルドアップ部２０を形成するようにしてもよい。本実施例では、図示はしないが、コア層１０の両面にそれぞれ２層の配線構造を有するビルトアップ部２０を形成し、コア層１０を含めて５層構造の配線基板Ｘを作製した。更に、図示はしないが、スクリーン印刷およびフォトリソグラフィにより、ビルドアップ部２０の表面にオーバーコート層を形成した。また、オーバーコート層の所定箇所には、ビルドアップ部２０における最上位の配線パターンの一部が電極パッドとして臨むように開口部を設けた。このようにして、本実施例の配線基板Ｘを製造した。

次に、本実施例の配線基板Ｘを用いた温度サイクル試験について説明をする。

上述の手順によって製造した、炭素繊維束１２（ピッチ系炭素繊維目付３００ｇ／ｍ²、引張り弾性率６００ＧＰａ、平織り）に無電解めっき法で、Ｎｉ膜１３１（３μｍ）、Ｃｕ膜１３２（５μｍ）を順次成膜し、トリアジンチオールに浸漬した上で、エポキシ系樹脂組成物を含浸させて作製したプリプレグ１１を含む第１の配線基板Ｘと、炭素繊維束１２（ＰＡＮ系炭素繊維目付４５０ｇ／ｍ²、引張り弾性率６００ＧＰａ、平織り）に無電解めっき法でＮｉ膜１３１（１μｍ）、Ｃｕ膜１３２（３μｍ）を順次成膜し、３−メルカプトプロピルトリメトキシシランに浸漬した上で、エポキシ系樹脂組成物を含浸させて作製したプリプレグ１１を含む第２の配線基板Ｘとを用意した。また、従来と同様に、炭素繊維束１２に、直接、エポキシ系樹脂組成物を含浸させたプリプレグ１１からなる従来の配線基板も比較例として用意した。そして、第１、第２の配線基板Ｘ、及び従来の配線基板に対して、−６５℃での３０分間冷却、および１２５℃での３０分間加熱を１サイクルとし、それを１０００サイクル実行する温度サイクル試験を行った。

その結果、第１、第２の配線基板Ｘのコア層１０内におけるマトリクス樹脂１５の剥離は観察されなかった。一方、従来の配線基板では、マトリクス樹脂１５の剥離が観察された。特に、配線基板の端部における剥離が顕著であった。また、温度サイクル試験後における第１、第２の配線基板Ｘの各接続抵抗変化率は＋５％以内であり、良好な接続部が維持されることが確認された。

このように、本実施例における配線基板Ｘのコア層１０には、炭素繊維束１２とマトリクス樹脂層１５との間に、めっき膜１３、密着層１４といった、それぞれと強く接着する中間層が形成されている。これにより、炭素繊維束１２は、これと強く接着するめっき膜１３と接し、マトリクス樹脂層１５は、これと強く接着する密着層１４と接する。従って、炭素繊維束１２とマトリクス樹脂層１５とが中間層を介してそれぞれと強く接着されることになり、環境温度が低下したとしても、マトリクス樹脂層１５の剥離を防止することが可能となる。

また、中間層、例えば、めっき膜１３の熱膨張率は、Ｎｉ膜１３１、Ｃｕ膜１３２の場合で、１４〜１７ｐｐｍ／℃であり、炭素繊維束１２、中間層、マトリクス樹脂層１５間で、その熱膨張率を傾斜構造とすることができる。従って、コア層１０内部における応力を緩和することが可能となる。

以上の実施例に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１） 炭素繊維材料及び樹脂組成物を含む配線基板において、前記炭素繊維材料と前記樹脂組成物との間に中間層を備えることを特徴とする配線基板。（１）
（付記２） 前記炭素繊維材料の熱膨張率は、前記樹脂組成物の熱膨張率より小さいことを特徴とする付記１記載の配線基板。
（付記３） 前記樹脂組成物は、無機フィラーを含有することを特徴とする付記１及び付記２記載の配線基板。
（付記４） 前記中間層は、金属層を含むことを特徴とする付記１乃至付記３記載の配線基板。（２）
（付記５） 前記金属層は、前記炭素繊維材料を被覆してなることを特徴とする付記４記載の配線基板。
（付記６） 前記金属層は、Ｎｉ、及びＣｕからなることを特徴とする付記４又は５記載の配線基板。
（付記７） 前記金属層は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｒ、及びＦｅの少なくとも１つを含むことを特徴とする付記４又は付記５記載の配線基板。（３）
（付記８） 前記金属層は、複数の金属膜からなる多層構造であることを特徴とする付記７記載の配線基板。
（付記９） 前記中間層は、密着層を含むことを特徴とする付記４記載の配線基板。（４）
（付記１０） 前記密着層は、前記金属層を被覆してなることを特徴とする付記９記載の配線基板。
（付記１１） 前記密着層は、チオール化合物、及びカップリング剤の少なくとも１つを含む事を特徴とする付記９又は１０記載の配線基板。
（付記１２） 前記カップリング剤は、シランカップリング剤であることを特徴とする付記１１記載の配線基板。
（付記１３） 前記炭素繊維材料、前記中間層、前記樹脂組成物の順位で熱膨張率が小さいことを特徴とする付記１乃至付記１２記載の配線基板。
（付記１４） 炭素繊維材料を中間層で被覆するステップと、前記中間層に樹脂組成物を含浸するステップとを行うことを特徴とする配線基板の製造方法。（５）
（付記１５） 前記炭素繊維材料を中間層で被覆するステップは、
金属膜を形成するステップと、を含むことを特徴とする付記１４記載の配線基板の製造方法。
（付記１６） 前記金属膜を形成するステップは、Ｎｉ膜、Ｃｕ膜、Ｃｒ膜、Ｆｅ膜の少なくとも１つ以上の金属膜を順次形成することを特徴とする付記１５記載の配線基板の製造方法。
（付記１７） 前記炭素繊維材料を中間層で被覆するステップは、
密着層を形成するステップと、を含むことを特徴とする付記１５記載の配線基板の製造方法。
（付記１８） 前記密着層を形成するステップは、チオール化合物、カップリング剤の少なくとも１つに浸漬することを特徴とする付記１７記載の配線基板の製造方法。
（付記１９） 炭素繊維材料及び樹脂組成物からなるコア層と、前記コア層上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線パターンと、前記コア層を厚み方向に貫通すると共に、前記配線パターンと電気的に接続された導電部と、を有する配線基板と、当該配線基板に接続される半導体チップとからなる半導体装置において、
前記コア層は、前記炭素繊維材料と前記樹脂組成物との間に中間層を備えることを特徴とする半導体装置。

本発明の配線基板の部分断面を示す図である。 本発明の配線基板の製造工程の一部を示す図である。 図２に続く工程を示す図である。 図３に続く工程を示す図である。 図４に続く工程を示す図である。

符号の説明

Ｘ 配線基板
１０ コア層
１１ プリプレグ
１２ 炭素繊維束
１３ めっき膜
１３１ Ｎi膜
１３２ Ｃｕ膜
１４ 密着層
１５ マトリクス樹脂層
２０ ビルドアップ部
２１ 絶縁層
２２ 配線パターン
３０ スルーホールビア
３１ スルーホール

Claims (5)

1. 炭素繊維材料及び樹脂組成物を含む配線基板において、前記炭素繊維材料と前記樹脂組成物との間に中間層を備えることを特徴とする配線基板。
2. 前記中間層は、金属層を含むことを特徴とする請求項１記載の配線基板。
3. 前記金属層は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｒ、及びＦｅの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項２記載の配線基板。
4. 前記中間層は、密着層を含むことを特徴とする請求項２記載の配線基板。
5. 炭素繊維材料を中間層で被覆するステップと、前記中間層に樹脂組成物を含浸するステップとを行うことを特徴とする配線基板の製造方法。
   

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