JP2007004581A - Regulator circuit - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a regulator circuit for quickly making a reply to load fluctuation or the like. <P>SOLUTION: The regulator circuit is provided with a differential amplifier circuit 10 for amplifying an error between a reference voltage and a feedback voltage, an output circuit 30 including a final stage for supplying current to an output terminal and a drive stage for driving the final stage for supplying current to an output terminal according to the output voltage of the differential amplifier circuit, feedback circuits R1 and R2 for generating a feedback voltage based on a voltage to be generated in the output terminal, and for inputting the feedback voltage to the differential amplifier circuit and a bias control circuit 20 for making the voltage of an output terminal close to a set value by changing bias current in the drive stage of the output circuit when the voltage of the output terminal is changed from a set value. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、外部から供給される電源電圧を安定化し、安定化された電源電圧を負荷となる他の回路に供給するレギュレータ回路(シリーズレギュレータ)に関する。   The present invention relates to a regulator circuit (series regulator) that stabilizes a power supply voltage supplied from the outside and supplies the stabilized power supply voltage to another circuit serving as a load.

レギュレータ回路は、入力される電源電圧や負荷が変動しても、一定の電源電圧を出力する回路であり、様々な家電製品等において使用されている。図3に、従来のレギュレータ回路の構成例を示す。このレギュレータ回路は、差動アンプ10と、差動アンプ10の出力電圧に従ってドレイン電流を生成するNチャネルMOSトランジスタQN31と、定電流源として機能するPチャネルMOSトランジスタQP31と、トランジスタQN31及びトランジスタQP31のドレイン電位に従って出力端子に電流を供給するPチャネルMOSトランジスタQP32とを有している。トランジスタQP32としては、大きな出力電流を得るために、サイズの大きいパワートランジスタが用いられる。   The regulator circuit is a circuit that outputs a constant power supply voltage even when the input power supply voltage or load varies, and is used in various home appliances. FIG. 3 shows a configuration example of a conventional regulator circuit. This regulator circuit includes a differential amplifier 10, an N-channel MOS transistor QN31 that generates a drain current according to the output voltage of the differential amplifier 10, a P-channel MOS transistor QP31 that functions as a constant current source, a transistor QN31, and a transistor QP31. P channel MOS transistor QP32 for supplying current to the output terminal according to the drain potential. A large size power transistor is used as the transistor QP32 in order to obtain a large output current.

差動アンプ10の非反転入力端子には、参照電圧VREFが印加され、差動アンプ10の反転入力端子には、出力端子の電圧VREGが帰還用の抵抗R1及びR2によって分圧されて印加される。これによって、レギュレータ回路はフィードバック動作を行い、参照電圧VREFに基づいて、出力端子の電圧VREGを安定化する。 A reference voltage V REF is applied to the non-inverting input terminal of the differential amplifier 10, and the voltage V REG of the output terminal is divided by the feedback resistors R1 and R2 to the inverting input terminal of the differential amplifier 10. Applied. Thus, the regulator circuit performs a feedback operation, and stabilizes the voltage V REG at the output terminal based on the reference voltage V REF .

ここで、出力端子には様々な負荷が接続されるが、レギュレータ回路は、負荷や電源電圧が変動しても、一定の出力電圧を負荷に供給し続けなければならない。負荷変動等によりレギュレータ回路の出力電圧が一旦下降したときに、レギュレータ回路の出力電圧を上昇させるためには、パワートランジスタQP32を駆動するNチャネルMOSトランジスタQN31のドレイン電流を増加させればよい。   Here, various loads are connected to the output terminal, but the regulator circuit must continue to supply a constant output voltage to the load even if the load or the power supply voltage fluctuates. In order to increase the output voltage of the regulator circuit when the output voltage of the regulator circuit once decreases due to load fluctuation or the like, the drain current of the N-channel MOS transistor QN31 that drives the power transistor QP32 may be increased.

一方、負荷変動等によりレギュレータ回路の出力電圧が一旦上昇したときに、レギュレータ回路の出力電圧を下降させるためには、パワートランジスタQP32を駆動するPチャネルMOSトランジスタQP31のドレイン電流を増加させる必要があるが、トランジスタQP31は定電流源として動作しており、レギュレータ回路の出力電圧が下降するまでに時間を要する。ここで、定電流値を大きくすれば、ある程度の改善は可能であるが、消費電流の増加を招くので得策ではない。   On the other hand, in order to decrease the output voltage of the regulator circuit once the output voltage of the regulator circuit increases due to load fluctuation or the like, it is necessary to increase the drain current of the P-channel MOS transistor QP31 that drives the power transistor QP32. However, the transistor QP31 operates as a constant current source, and it takes time for the output voltage of the regulator circuit to drop. Here, if the constant current value is increased, a certain degree of improvement is possible, but this is not a good idea because it causes an increase in current consumption.

関連する技術として、下記の特許文献1には、定電圧回路が駆動する負荷が軽い場合に、定電圧回路の出力電圧を制御する制御用トランジスタのバイアス回路に流れる電流が大きくなることを防止するために、バイアス電流の経路に、定電圧回路が駆動する負荷の状態に応じてバイアス電流を変化させる回路を設けた電源回路が開示されている。この電源回路によれば、負荷が軽い場合に消費電流を低減することはできたとしても、負荷変動等に対する応答を高速化することはできない。
特開平9−319442号公報(第1頁、図1)
As a related technique, Japanese Patent Application Laid-Open Publication No. 2004-228561 prevents a current flowing in a bias circuit of a control transistor that controls an output voltage of a constant voltage circuit from increasing when a load driven by the constant voltage circuit is light. Therefore, a power supply circuit is disclosed in which a circuit for changing the bias current according to the state of the load driven by the constant voltage circuit is provided in the path of the bias current. According to this power supply circuit, even if the current consumption can be reduced when the load is light, the response to the load fluctuation or the like cannot be accelerated.
JP-A-9-319442 (first page, FIG. 1)

そこで、上記の点に鑑み、本発明は、負荷変動等に対して高速に応答することができるレギュレータ回路を提供することを目的とする。   Accordingly, in view of the above points, an object of the present invention is to provide a regulator circuit that can respond to load fluctuations and the like at high speed.

以上の課題を解決するため、本発明に係るレギュレータ回路は、外部から供給される電源電圧を参照電圧に基づいて安定化し、安定化された電源電圧を出力端子から負荷に供給するレギュレータ回路であって、参照電圧と帰還電圧との間の誤差を増幅する差動増幅回路と、出力端子に電流を供給する最終段と該最終段を駆動するドライブ段とを含み、差動増幅回路の出力電圧に従って出力端子に電流を供給する出力回路と、出力端子に発生する電圧に基づいて帰還電圧を生成し、該帰還電圧を差動増幅回路に入力する帰還回路と、出力端子の電圧が設定値から変化した場合に、出力回路のドライブ段におけるバイアス電流を変化させることにより出力端子の電圧を設定値に近付けるバイアス制御回路とを具備する。   In order to solve the above problems, a regulator circuit according to the present invention is a regulator circuit that stabilizes a power supply voltage supplied from the outside based on a reference voltage and supplies the stabilized power supply voltage to a load from an output terminal. A differential amplifier circuit that amplifies an error between the reference voltage and the feedback voltage, a final stage that supplies current to the output terminal, and a drive stage that drives the final stage, and the output voltage of the differential amplifier circuit An output circuit for supplying current to the output terminal, a feedback voltage is generated based on the voltage generated at the output terminal, and the feedback voltage is input to the differential amplifier circuit. And a bias control circuit that brings the voltage of the output terminal close to a set value by changing the bias current in the drive stage of the output circuit when it changes.

ここで、出力回路が、Pチャネル又はNチャネルMOSトランジスタを有する最終段と、最終段のトランジスタのゲートに正の電流を供給するPチャネルMOSトランジスタ及び最終段のトランジスタのゲートに負の電流を供給するNチャネルMOSトランジスタとを有するドライブ段とを含んでも良い。   Here, the output circuit supplies a negative current to the final stage having a P-channel or N-channel MOS transistor, a P-channel MOS transistor that supplies a positive current to the gate of the final-stage transistor, and a gate of the final-stage transistor. And a drive stage having an N-channel MOS transistor.

また、バイアス制御回路が、出力端子の電圧が設定値よりも小さいときに、ドライブ段のNチャネルMOSトランジスタのバイアス電流を増加させ、出力端子の電圧が設定値よりも大きいときに、ドライブ段のPチャネルMOSトランジスタのバイアス電流を増加させるようにしても良い。   The bias control circuit increases the bias current of the N-channel MOS transistor in the drive stage when the output terminal voltage is lower than the set value, and when the output terminal voltage is higher than the set value, The bias current of the P channel MOS transistor may be increased.

さらに、バイアス制御回路が、出力端子の電圧が設定値よりも小さいときに、ドライブ段のPチャネルMOSトランジスタのバイアス電流を減少させ、出力端子の電圧が設定値よりも大きいときに、ドライブ段のNチャネルMOSトランジスタのバイアス電流を減少させるようにしても良い。   Further, the bias control circuit reduces the bias current of the P-channel MOS transistor of the drive stage when the output terminal voltage is smaller than the set value, and when the output terminal voltage is larger than the set value, The bias current of the N channel MOS transistor may be reduced.

本発明によれば、出力端子の電圧が設定値から変化した場合に出力回路のドライブ段におけるバイアス電流を変化させることにより出力端子の電圧を設定値に近付けるバイアス制御回路を設けたことにより、負荷変動等に対して高速に応答することができる。   According to the present invention, by providing a bias control circuit that brings the voltage of the output terminal closer to the set value by changing the bias current in the drive stage of the output circuit when the voltage of the output terminal changes from the set value, It can respond to fluctuations at high speed.

以下、本発明を実施するための最良の形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。
図1は、本発明の第1の実施形態に係るレギュレータ回路の構成を示す回路図である。本発明の第1の実施形態に係るレギュレータ回路は、外部から供給される正の電源電圧VDDを参照電圧VREFに基づいて安定化し、安定化された電源電圧VREGを出力端子から負荷に供給する。図1に示すように、このレギュレータ回路は、差動アンプ10と、バイアス制御回路20と、出力回路30と、帰還用の抵抗R1及びR2とを有している。
Hereinafter, the best mode for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of a regulator circuit according to the first embodiment of the present invention. The regulator circuit according to the first embodiment of the present invention stabilizes the positive power supply voltage V DD supplied from the outside based on the reference voltage V REF, and supplies the stabilized power supply voltage V REG from the output terminal to the load. Supply. As shown in FIG. 1, the regulator circuit includes a differential amplifier 10, a bias control circuit 20, an output circuit 30, and feedback resistors R1 and R2.

差動アンプ10は、PチャネルMOSトランジスタQP1〜QP4と、NチャネルMOSトランジスタQN1〜QN4とによって構成され、トランジスタQP4及びQN4のドレインに発生するシングルエンド増幅信号を、出力回路30のトランジスタQP11に供給する。   The differential amplifier 10 includes P-channel MOS transistors QP1 to QP4 and N-channel MOS transistors QN1 to QN4, and supplies a single-end amplified signal generated at the drains of the transistors QP4 and QN4 to the transistor QP11 of the output circuit 30. To do.

差動アンプ10の非反転入力端子には、参照電圧VREFが印加され、差動アンプ10の反転入力端子には、出力端子の電圧VREGが、抵抗R1及びR2によって分圧されて印加される。これによって、レギュレータ回路はフィードバック動作を行い、参照電圧VREFに基づいて、出力端子の電圧VREGを安定化する。レギュレータ回路から出力される電圧VREGは、近似的に次式で表される。
REG=VREF・(R1+R2)/R2
The reference voltage V REF is applied to the non-inverting input terminal of the differential amplifier 10, and the voltage V REG of the output terminal is divided and applied to the inverting input terminal of the differential amplifier 10 by the resistors R1 and R2. The Thus, the regulator circuit performs a feedback operation, and stabilizes the voltage V REG at the output terminal based on the reference voltage V REF . The voltage V REG output from the regulator circuit is approximately expressed by the following equation.
V REG = V REF · (R1 + R2) / R2

バイアス制御回路20は、PチャネルMOSトランジスタQP5〜QP9と、NチャネルMOSトランジスタQN5〜QN11とによって構成され、差動アンプ10における差動信号の大小関係に基づいて、出力回路30のトランジスタQP10及びQN12にそれぞれのバイアス電圧を供給する。   The bias control circuit 20 includes P-channel MOS transistors QP5 to QP9 and N-channel MOS transistors QN5 to QN11. Based on the magnitude relationship of the differential signals in the differential amplifier 10, the transistors QP10 and QN12 of the output circuit 30 Are supplied with respective bias voltages.

定常状態においては、ネガティブフィードバック動作による仮想接地の原理に従って、差動アンプ10のトランジスタQP1及びQP2のゲート電圧は等しく、その結果、トランジスタQN5のドレイン電流IN5とトランジスタQN6のドレイン電流IN6とが等しい。また、抵抗R3及びR4の抵抗値が等しいので、抵抗R3及びR4における電圧降下をVR3及びVR4とすると、次式が成立する。
R3=VR4 ・・・(1)
In the steady state, according to the principle of virtual ground by negative feedback operation, equal gate voltages of the transistors QP1 and QP2 of the differential amplifier 10, as a result, the drain current I N6 of the drain current I N5 and transistor QN6 transistor QN5 equal. Further, since the resistance values of the resistors R3 and R4 are equal, the voltage drop across the resistor R3 and R4 When V R3 and V R4, the following equation is established.
V R3 = V R4 (1)

トランジスタQN7及びQN8のゲート・ソース間電圧VGSN7及びVGSN8に関しては、次式が成立する。
GSN7=VGSN8=VGSN ・・・(2)
また、トランジスタQP5及びQP6のゲート・ソース間電圧VGSP5及びVGSP6に関しては、次式が成立する。
GSP5=VGSP6=VGSP ・・・(3)
Regarding the gate-source voltages V GSN7 and V GSN8 of the transistors QN7 and QN8, the following equation is established.
V GSN7 = V GSN8 = V GSN (2)
Further, with respect to the gate-source voltages V GSP5 and V GSP6 of the transistors QP5 and QP6 , the following equation is established.
V GSP5 = V GSP6 = V GSP (3)

従って、トランジスタQN9のゲート電圧はトランジスタQN10のゲート電圧と等しく、トランジスタQP7のゲート電圧はトランジスタQP8のゲート電圧と等しい。これにより、トランジスタQN9のゲートとトランジスタQP8のゲートとの間は、電圧(VGSN+VGSP)でバイアスされ、トランジスタQN10のゲートとトランジスタQP7のゲートとの間も、電圧(VGSN+VGSP)でバイアスされる。 Therefore, the gate voltage of the transistor QN9 is equal to the gate voltage of the transistor QN10, and the gate voltage of the transistor QP7 is equal to the gate voltage of the transistor QP8. Thus, between the gates of the transistor QP8 transistor QN9 it is biased by a voltage (V GSN + V GSP), also between the gates of the transistor QP7 transistor QN10, with the voltage (V GSN + V GSP) Biased.

これは、トランジスタQN7のドレイン電流IN7及びトランジスタQN8のドレイン電流IN8がそのまま、あるいはトランジスタのゲート幅Wとゲート長Lとの比W/Lに対応する値が乗算されて、トランジスタQN9及びQN10に移されたことを意味する。これらの電流は、カレントミラーを構成するトランジスタQP9及びQP10と、カレントミラーを構成するトランジスタQN11及びQN12とを介して、出力回路30にバイアス電流として供給される。 This is because the drain current I N7 of the transistor QN7 and the drain current I N8 of the transistor QN8 are multiplied by a value corresponding to the ratio W / L of the gate width W to the gate length L of the transistor QN9 and QN10. Means moved. These currents are supplied as bias currents to the output circuit 30 via the transistors QP9 and QP10 constituting the current mirror and the transistors QN11 and QN12 constituting the current mirror.

出力回路30は、PチャネルMOSトランジスタQP10〜QP12と、NチャネルMOSトランジスタQN12及びQN13とによって構成され、安定化された電源電圧VREGを、出力端子を介して負荷に供給する。最終段のトランジスタQP12としては、大きな出力電流を得るために、パワートランジスタが用いられる。 The output circuit 30 includes P-channel MOS transistors QP10 to QP12 and N-channel MOS transistors QN12 and QN13, and supplies a stabilized power supply voltage V REG to a load via an output terminal. A power transistor is used as the final stage transistor QP12 in order to obtain a large output current.

ここで、PチャネルMOSトランジスタQP11及びNチャネルMOSトランジスタQN13は、カスコード増幅回路を構成している。トランジスタQP11は、差動アンプ10からゲートに印加される電圧に従って、ドレイン電流を生成する。トランジスタQN13のゲートには一定の電圧が印加されており、トランジスタQN13のドレイン電流は、トランジスタQP11のドレイン電流に従って変化する。トランジスタQP10及びQN13のドレイン電圧は、パワートランジスタQP12のゲートに印加される。   Here, the P-channel MOS transistor QP11 and the N-channel MOS transistor QN13 constitute a cascode amplifier circuit. The transistor QP11 generates a drain current according to the voltage applied from the differential amplifier 10 to the gate. A constant voltage is applied to the gate of the transistor QN13, and the drain current of the transistor QN13 changes according to the drain current of the transistor QP11. The drain voltages of the transistors QP10 and QN13 are applied to the gate of the power transistor QP12.

また、トランジスタQN13のドレインには、カレントミラーを構成するトランジスタQP9及びQP10を介してバイアス電流が供給され、トランジスタQN13のソース及びトランジスタQP11のドレインには、カレントミラーを構成するトランジスタQN11及びQN12を介してバイアス電流が供給される。   Further, a bias current is supplied to the drain of the transistor QN13 via the transistors QP9 and QP10 forming the current mirror, and the source of the transistor QN13 and the drain of the transistor QP11 are connected via the transistors QN11 and QN12 forming the current mirror. Bias current is supplied.

出力端子には様々な負荷が接続されるが、レギュレータ回路は、負荷や電源電圧が変動しても、一定の出力電圧を負荷に供給し続けなければならない。次に、負荷変動等によりレギュレータ回路の出力電圧が設定値から変化した場合の動作について説明する。図1に示すレギュレータ回路において、出力電圧の変化は、帰還用の抵抗R1及びR2を介して、差動アンプ10の反転入力端子にフィードバックされる。これにより、トランジスタQP1及びQP2のゲート電圧に差が生じる。   Although various loads are connected to the output terminal, the regulator circuit must continue to supply a constant output voltage to the load even if the load or the power supply voltage fluctuates. Next, the operation when the output voltage of the regulator circuit changes from the set value due to load fluctuation or the like will be described. In the regulator circuit shown in FIG. 1, the change in the output voltage is fed back to the inverting input terminal of the differential amplifier 10 via the feedback resistors R1 and R2. This causes a difference between the gate voltages of the transistors QP1 and QP2.

例えば、レギュレータ回路の出力電圧が設定値よりも低くなった場合には、トランジスタQP1のゲート電圧が下がり、トランジスタQP1のドレイン電流が増加するので、トランジスタQN6のドレイン電流も増加する。このドレイン電流の増加と抵抗R4における電圧降下の増加とにより、トランジスタQN10及びQP8のゲート電圧が低下する。一方、トランジスタQP2のドレイン電流は減少するので、トランジスタQN5のドレイン電流も減少する。このドレイン電流の減少と抵抗R3における電圧降下の減少とにより、トランジスタQN9及びQP7のゲート電圧が上昇する。   For example, when the output voltage of the regulator circuit becomes lower than the set value, the gate voltage of the transistor QP1 decreases and the drain current of the transistor QP1 increases, so that the drain current of the transistor QN6 also increases. The gate voltage of the transistors QN10 and QP8 decreases due to the increase in the drain current and the increase in the voltage drop in the resistor R4. On the other hand, since the drain current of the transistor QP2 decreases, the drain current of the transistor QN5 also decreases. Due to the decrease in the drain current and the decrease in the voltage drop in the resistor R3, the gate voltages of the transistors QN9 and QP7 increase.

即ち、トランジスタQN9のゲート電圧とトランジスタQP8のゲート電圧との差が広がり、トランジスタQN10のゲート電圧とトランジスタQP7のゲート電圧との差が狭まる。これにより、トランジスタQN9及びQP8のドレイン電流が増加し、これが、カレントミラーを構成するトランジスタQN11及びQN12によって折り返されて、トランジスタQN13を介してパワートランジスタQP12のゲート電圧を低下させる。同時に、トランジスタQN10及びQP7のドレイン電流は減少し、これが、カレントミラーを構成するトランジスタQP9及びQP10によって折り返されて、パワートランジスタQP12のゲート電圧を低下させる。その結果、パワートランジスタQP12のドレイン電圧、即ち、レギュレータ回路の出力電圧を上昇させて元に戻そうとする。   That is, the difference between the gate voltage of the transistor QN9 and the gate voltage of the transistor QP8 widens, and the difference between the gate voltage of the transistor QN10 and the gate voltage of the transistor QP7 narrows. As a result, the drain currents of the transistors QN9 and QP8 increase, and this is folded back by the transistors QN11 and QN12 forming the current mirror, thereby reducing the gate voltage of the power transistor QP12 via the transistor QN13. At the same time, the drain currents of the transistors QN10 and QP7 decrease, and this is folded back by the transistors QP9 and QP10 constituting the current mirror, thereby reducing the gate voltage of the power transistor QP12. As a result, the drain voltage of the power transistor QP12, that is, the output voltage of the regulator circuit is increased to return to the original value.

反対に、レギュレータ回路の出力電圧が設定値よりも高くなった場合には、上記と逆の動作を行い、トランジスタQP10のドレイン電流を増加させると共にトランジスタQN13のドレイン電流を減少させることにより、パワートランジスタQP12のゲート電圧を上昇させて、レギュレータ回路の出力電圧を下降させて元に戻そうとする。いずれにしても、レギュレータ回路の出力電圧が設定値から変化した場合に、パワートランジスタQP12を駆動するドライブ段の2つのトランジスタQP10及びQN13のバイアス電流(動作電流)を必要に応じて変化させることにより、負荷変動等に対する応答を高速化している。それ以外の通常状態においては、ドライブ段に微小な一定電流を供給することにより、消費電流を低減している。   On the other hand, when the output voltage of the regulator circuit becomes higher than the set value, the operation reverse to the above is performed to increase the drain current of the transistor QP10 and decrease the drain current of the transistor QN13. An attempt is made to raise the gate voltage of QP12 and lower the output voltage of the regulator circuit to restore it. In any case, when the output voltage of the regulator circuit changes from the set value, the bias currents (operating currents) of the two transistors QP10 and QN13 in the drive stage that drives the power transistor QP12 are changed as necessary. , Speeding up response to load fluctuations. In other normal states, the current consumption is reduced by supplying a small constant current to the drive stage.

次に、本発明の第2の実施形態について説明する。
図2は、本発明の第2の実施形態に係るレギュレータ回路の構成を示す回路図である。本実施形態に係るレギュレータ回路は、外部から供給される負の電源電圧VSSを参照電圧VREFに基づいて安定化し、安定化された電源電圧VREGを出力端子から負荷に供給する。
Next, a second embodiment of the present invention will be described.
FIG. 2 is a circuit diagram showing a configuration of a regulator circuit according to the second embodiment of the present invention. Regulator circuit according to the present embodiment, stabilized on the basis of the reference voltage V REF to negative supply voltage V SS supplied from the outside, supplied from the output terminal to a load a regulated supply voltage V REG.

差動アンプ10の非反転入力端子には、参照電圧VREFが印加され、差動アンプ10の反転入力端子には、出力端子の電圧VREGが、抵抗R1及びR2によって分圧されて印加される。これによって、レギュレータ回路はフィードバック動作を行い、参照電圧VREFに基づいて、出力端子の電圧VREGを安定化する。レギュレータ回路から出力される電圧VREGは、近似的に次式で表される。
REG=−VREF・(R1+R2)/R2
The reference voltage V REF is applied to the non-inverting input terminal of the differential amplifier 10, and the voltage V REG of the output terminal is divided and applied to the inverting input terminal of the differential amplifier 10 by the resistors R1 and R2. The Thus, the regulator circuit performs a feedback operation, and stabilizes the voltage V REG at the output terminal based on the reference voltage V REF . The voltage V REG output from the regulator circuit is approximately expressed by the following equation.
V REG = −V REF · (R1 + R2) / R2

図2に示す第2の実施形態においては、差動アンプ10及びバイアス制御回路20の構成は、図1に示す第1の実施形態と同様であるが、出力回路40の構成が、第1の実施形態と異なっている。この出力回路40は、PチャネルMOSトランジスタQP10及びQP21と、NチャネルMOSトランジスタQN12、QN21及びQN22とによって構成され、安定化された電源電圧VREGを、出力端子を介して負荷に供給する。最終段のトランジスタQN22としては、大きな出力電流を得るために、パワートランジスタが用いられる。 In the second embodiment shown in FIG. 2, the configurations of the differential amplifier 10 and the bias control circuit 20 are the same as those of the first embodiment shown in FIG. 1, but the configuration of the output circuit 40 is the same as that of the first embodiment. It is different from the embodiment. The output circuit 40 includes a P-channel MOS transistors QP10 and QP21, is constituted by an N-channel MOS transistors QN12, QN21 and QN22, a stabilized power supply voltage V REG, supplied to the load via the output terminal. A power transistor is used as the final stage transistor QN22 in order to obtain a large output current.

ここで、NチャネルMOSトランジスタQN21及びPチャネルMOSトランジスタQP21は、カスコード増幅回路を構成している。トランジスタQN21は、差動アンプ10からゲートに印加される電圧に従って、ドレイン電流を生成する。トランジスタQP21のゲートには一定の電圧が印加されており、トランジスタQP21のドレイン電流は、トランジスタQN21のドレイン電流に従って変化する。トランジスタQP21及びQN12のドレイン電圧は、パワートランジスタQN22のゲートに印加される。   Here, the N channel MOS transistor QN21 and the P channel MOS transistor QP21 constitute a cascode amplifier circuit. The transistor QN21 generates a drain current according to the voltage applied from the differential amplifier 10 to the gate. A constant voltage is applied to the gate of the transistor QP21, and the drain current of the transistor QP21 changes according to the drain current of the transistor QN21. The drain voltages of the transistors QP21 and QN12 are applied to the gate of the power transistor QN22.

また、トランジスタQP21のソース及びトランジスタQN21のドレインには、カレントミラーを構成するトランジスタQP9及びQP10を介してバイアス電流が供給され、トランジスタQP21のドレインには、カレントミラーを構成するトランジスタQN11及びQN12を介してバイアス電流が供給される。   Further, a bias current is supplied to the source of the transistor QP21 and the drain of the transistor QN21 via the transistors QP9 and QP10 forming the current mirror, and the drain of the transistor QP21 is connected to the transistors QN11 and QN12 forming the current mirror. Bias current is supplied.

次に、負荷変動等によりレギュレータ回路の出力電圧が設定値から変化した場合の動作について説明する。図2に示すレギュレータ回路において、出力電圧の変化は、帰還用の抵抗R1及びR2を介して、差動アンプ10の反転入力端子にフィードバックされる。これにより、トランジスタQP1及びQP2のゲート電圧に差が生じる。   Next, the operation when the output voltage of the regulator circuit changes from the set value due to load fluctuation or the like will be described. In the regulator circuit shown in FIG. 2, the change in the output voltage is fed back to the inverting input terminal of the differential amplifier 10 via feedback resistors R1 and R2. This causes a difference between the gate voltages of the transistors QP1 and QP2.

例えば、レギュレータ回路の出力電圧が設定値よりも低くなった場合には、トランジスタQP1のゲート電圧が下がり、トランジスタQP1のドレイン電流が増加するので、トランジスタQN6のドレイン電流も増加する。このドレイン電流の増加と抵抗R4における電圧降下の増加とにより、トランジスタQN10及びQP8のゲート電圧が低下する。一方、トランジスタQP2のドレイン電流は減少するので、トランジスタQN5のドレイン電流も減少する。このドレイン電流の減少と抵抗R3における電圧降下の減少とにより、トランジスタQN9及びQP7のゲート電圧が上昇する。   For example, when the output voltage of the regulator circuit becomes lower than the set value, the gate voltage of the transistor QP1 decreases and the drain current of the transistor QP1 increases, so that the drain current of the transistor QN6 also increases. The gate voltage of the transistors QN10 and QP8 decreases due to the increase in the drain current and the increase in the voltage drop in the resistor R4. On the other hand, since the drain current of the transistor QP2 decreases, the drain current of the transistor QN5 also decreases. Due to the decrease in the drain current and the decrease in the voltage drop in the resistor R3, the gate voltages of the transistors QN9 and QP7 increase.

即ち、トランジスタQN9のゲート電圧とトランジスタQP8のゲート電圧との差が広がり、トランジスタQN10のゲート電圧とトランジスタQP7のゲート電圧との差が狭まる。これにより、トランジスタQN9及びトランジスタQP8のドレイン電流が増加し、これが、カレントミラーを構成するトランジスタQN11及びQN12によって折り返されて、パワートランジスタQN22のゲート電圧を低下させる。同時に、トランジスタQN10及びトランジスタQP7のドレイン電流は減少し、これが、カレントミラーを構成するトランジスタQP9及びQP10によって折り返されて、トランジスタQP21を介してパワートランジスタQN22のゲート電圧を低下させる。その結果、パワートランジスタQN22のドレイン電圧、即ち、レギュレータ回路の出力電圧を上昇させて元に戻そうとする。   That is, the difference between the gate voltage of the transistor QN9 and the gate voltage of the transistor QP8 widens, and the difference between the gate voltage of the transistor QN10 and the gate voltage of the transistor QP7 narrows. As a result, the drain currents of the transistors QN9 and QP8 increase, and this is folded back by the transistors QN11 and QN12 constituting the current mirror, thereby reducing the gate voltage of the power transistor QN22. At the same time, the drain currents of the transistors QN10 and QP7 decrease and are turned back by the transistors QP9 and QP10 constituting the current mirror, thereby reducing the gate voltage of the power transistor QN22 via the transistor QP21. As a result, the drain voltage of the power transistor QN22, that is, the output voltage of the regulator circuit is raised to return to the original value.

反対に、レギュレータ回路の出力電圧が設定値よりも高くなった場合には、上記と逆の動作を行い、トランジスタQP21のドレイン電流を増加させると共にトランジスタQN12のドレイン電流を減少させることにより、パワートランジスタQN22のゲート電圧を上昇させて、レギュレータ回路の出力電圧を下降させて元に戻そうとする。いずれにしても、レギュレータ回路の出力電圧が設定値から変化した場合に、パワートランジスタQN22を駆動するドライブ段の2つのトランジスタQP21及びQN12のバイアス電流(動作電流)を必要に応じて変化させることにより、負荷変動等に対する応答を高速化している。それ以外の通常状態においては、ドライブ段に微小な一定電流を供給することにより、消費電流を低減している。   On the other hand, when the output voltage of the regulator circuit becomes higher than the set value, the operation reverse to the above is performed to increase the drain current of the transistor QP21 and decrease the drain current of the transistor QN12. The gate voltage of QN22 is raised, and the output voltage of the regulator circuit is lowered to return to the original state. In any case, when the output voltage of the regulator circuit changes from the set value, the bias currents (operating currents) of the two transistors QP21 and QN12 in the drive stage that drives the power transistor QN22 are changed as necessary. , Speeding up response to load fluctuations. In other normal states, the current consumption is reduced by supplying a small constant current to the drive stage.

本発明の第1の実施形態に係るレギュレータ回路の構成を示す回路図。1 is a circuit diagram showing a configuration of a regulator circuit according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第2の実施形態に係るレギュレータ回路の構成を示す回路図。The circuit diagram which shows the structure of the regulator circuit which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 従来のレギュレータ回路の構成例を示す回路図。The circuit diagram which shows the structural example of the conventional regulator circuit.

符号の説明Explanation of symbols

10 差動アンプ、 20 バイアス制御回路、 30 出力回路、 QP1〜QP21 PチャネルMOSトランジスタ、 QN1〜QN22 NチャネルMOSトランジスタ、 R1、R2 抵抗   10 differential amplifier, 20 bias control circuit, 30 output circuit, QP1-QP21 P-channel MOS transistor, QN1-QN22 N-channel MOS transistor, R1, R2 resistance

Claims (4)

外部から供給される電源電圧を参照電圧に基づいて安定化し、安定化された電源電圧を出力端子から負荷に供給するレギュレータ回路であって、
参照電圧と帰還電圧との間の誤差を増幅する差動増幅回路と、
前記出力端子に電流を供給する最終段と該最終段を駆動するドライブ段とを含み、前記差動増幅回路の出力電圧に従って前記出力端子に電流を供給する出力回路と、
前記出力端子に発生する電圧に基づいて帰還電圧を生成し、該帰還電圧を前記差動増幅回路に入力する帰還回路と、
前記出力端子の電圧が設定値から変化した場合に、前記出力回路のドライブ段におけるバイアス電流を変化させることにより前記出力端子の電圧を設定値に近付けるバイアス制御回路と、
を具備するレギュレータ回路。
A regulator circuit that stabilizes a power supply voltage supplied from the outside based on a reference voltage, and supplies the stabilized power supply voltage from an output terminal to a load.
A differential amplifier circuit for amplifying an error between the reference voltage and the feedback voltage;
An output circuit for supplying a current to the output terminal according to an output voltage of the differential amplifier circuit, including a final stage for supplying current to the output terminal and a drive stage for driving the final stage;
A feedback circuit that generates a feedback voltage based on a voltage generated at the output terminal, and inputs the feedback voltage to the differential amplifier circuit;
A bias control circuit that brings the voltage of the output terminal closer to a set value by changing a bias current in a drive stage of the output circuit when the voltage of the output terminal changes from a set value;
A regulator circuit comprising:
前記出力回路が、
Pチャネル又はNチャネルMOSトランジスタを有する最終段と、
前記最終段のトランジスタのゲートに正の電流を供給するPチャネルMOSトランジスタと、前記最終段のトランジスタのゲートに負の電流を供給するNチャネルMOSトランジスタとを有するドライブ段と、
を含む、請求項1記載のレギュレータ回路。
The output circuit is
A final stage having P-channel or N-channel MOS transistors;
A drive stage having a P-channel MOS transistor for supplying a positive current to the gate of the final-stage transistor and an N-channel MOS transistor for supplying a negative current to the gate of the final-stage transistor;
The regulator circuit according to claim 1, comprising:
前記バイアス制御回路が、前記出力端子の電圧が設定値よりも小さいときに、前記ドライブ段のNチャネルMOSトランジスタのバイアス電流を増加させ、前記出力端子の電圧が設定値よりも大きいときに、前記ドライブ段のPチャネルMOSトランジスタのバイアス電流を増加させる、請求項2記載のレギュレータ回路。   The bias control circuit increases the bias current of the N-channel MOS transistor of the drive stage when the voltage of the output terminal is smaller than a set value, and when the voltage of the output terminal is larger than the set value, 3. The regulator circuit according to claim 2, wherein the bias current of the P-channel MOS transistor in the drive stage is increased. 前記バイアス制御回路が、前記出力端子の電圧が設定値よりも小さいときに、前記ドライブ段のPチャネルMOSトランジスタのバイアス電流を減少させ、前記出力端子の電圧が設定値よりも大きいときに、前記ドライブ段のNチャネルMOSトランジスタのバイアス電流を減少させる、請求項3記載のレギュレータ回路。   The bias control circuit reduces the bias current of the P-channel MOS transistor of the drive stage when the voltage of the output terminal is smaller than a set value, and when the voltage of the output terminal is larger than the set value, 4. The regulator circuit according to claim 3, wherein the bias current of the N-channel MOS transistor in the drive stage is reduced.
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