JP2006523044A - アナログのフロントエンドを直接ＲＦサンプリングによりデジタル化する混合された技術のＭＥＭＳ／ＳｉＧｅＢｉＣＭＯＳ - Google Patents

Abstract

単一の基板上で混合技術を使用するデジタル化アナログフロントエンド（ＤＡＦＥ）50を説明する。ＳｉＧｅ ＢｉＣＭＯＳ技術は半導体コンポーネントで実現され、これは低雑音増幅器64と、アナログデジタル変換器68を含んでいる。マイクロ電子機械システム（ＭＥＭＳ）スイッチはエイリアス防止フィルタ66と事前選択妨害防止フィルタ62を含む幾つかのフィルタの濾波特性を変更することに使用される。

Description

本発明は、大きな干渉および妨害信号が存在する場合の無線受信機のアナログフロントエンドにおける、アナログデジタル変換器（ＡＤＣ）の保護と、電力消費の減少と、高信号品質の維持に関する。特に、本発明は全地球測位システム（ＧＰＳ）受信機のように、低分解能ＡＤＣによって妨害環境における広域または拡散スペクトル信号を受信するために、マイクロ電気機械システム（ＭＥＭＳ）技術を使用する単一チップ受信機に関する。

本発明は全ての通信システムに応用可能である。使用および有効性を示すために拡散スペクトルシステムを使用する。拡散スペクトル通信システムは高速度の疑似ランダム２進シーケンスで変調されている搬送波上でデジタル的に情報を送信する。結果的な信号のスペクトルは大きい帯域幅を占有し、雑音のように見える。信号は意図的または意図的ではない妨害を受ける。妨害は無線スペクトルに近いまたはそれに一致する大きな無線周波数信号の送信により生じる。所望の信号の帯域外に位置する妨害信号は通常、プリセレクタフィルタを使用して除去される。したがって、送信された信号の正確な受信に対してより大きな障害を与えるものは帯域内信号である。

これらの干渉の抑制はＲＦノッチフィルタの使用により達成することができる。ＭＥＭＳ技術により実現されるとき、これは干渉抑制にとって廉価で、低い電力解決策で、低歪みである。ノッチフィルタは特に連続波（ＣＷ）または狭い帯域の干渉物を抑制するのに有効である。これらの干渉物の除去後、受信機は小さい損失で除去された帯域幅に比例して、干渉が存在しないかのように拡散スペクトル信号を処理できる。干渉のない拡散スペクトル信号では、受信された信号は非常に低い分解能のＡＤＣで処理することができる。例えば１ビットのＡＤＣは付加的な白色ガウス雑音（ＡＷＧＮ）に対して、ベースバンドＩおよびＱサンプリングで１．０５９ｄＢまたは中間周波数（ＩＦ）サンプリングで１．９６ｄＢの劣化を有する。２ビットＡＤＣはベースバンドＩおよびＱサンプリングで０．５５ｄＢまたはＩＦサンプリングで０．９６ｄＢの劣化を有する。それ故、低いＡＤＣの複雑性と低い電力消費を有する良好な性能を維持するため、受信信号からジャマーを除去する方法を使用すべきである。

妨害環境におけるシステム設計およびシステム性能の別の効果は電力消費および信号歪みである。妨害環境では、妨害信号がアンテナ近くで除去されないとき、非常に高い電力消費を犠牲にして高い線形性でアナログフロントエンドのコンポーネント設計しなければならない。また、大きい信号の存在はシステムの位相雑音要求をより大きくする。高い線形性と位相雑音要求の両者を減少するため、これらのコンポーネントより前のジャマーを除去する必要がある。

アナログ除去方法は狭帯域と広帯域の両者の妨害信号を受動コンポーネントを使用して除去することができる。しかしながら、妨害信号が通過帯域内のどこにでも位置することがあるので、除去回路を操縦し、信号路に挿入し、信号路から除去する幾つかの方法を使用しなければならない。通常、現在の受信機で実行される濾波技術はフィルタ特性を変更するため半導体切換え、例えば半導体トランジスタを使用する。フィルタ特性は異なるコンポーネント（例えばキャパシタのバンク）または異なるフィルタを全体的に切換えることにより変更することができる。半導体の限定された絶縁特性のために、半導体切換えにより、選択されていないフィルタおよび／またはコンポーネントからの寄生容量が、選択されたフィルタの性能に影響を与えることにより、これは濾波された信号に歪みを生じさせる。

前述の説明から、多数の応用で使用するため受信機のフロントエンドを保護するための低電力、低歪み機構が技術的に必要とされていることが明白である。

前述の説明を考慮して、本発明は受信機の集積回路デジタル化アナログフロントエンドに関し、これは基板、基板上の低雑音増幅器（ＬＮＡ）、基板上のアナログデジタル変換器（ＡＤＣ）、基板上の複数のマイクロ電気機械システム（ＭＥＭＳ）スイッチ、基板上の少なくとも１つのエイリアス防止フィルタ、基板上の少なくとも１つの妨害防止フィルタとを含み、少なくとも１つの妨害防止フィルタと少なくとも１つのエイリアス防止フィルタのフィルタ特性は複数のＭＥＭＳスイッチのうち少なくとも１つを使用して変更される。

前述の目的と関連する目的を実現するため、本発明は以後で十分に説明し、特に特許請求の範囲で指摘されている特徴を具備する。以下の説明および添付図面は本発明のある例示的な実施形態を詳細に説明する。しかしながら、これらの実施形態は本発明の原理を使用することのできる幾つかの種々の方法のうち２、３のものを示しているにすぎない。本発明の他の目的、特徴、新規な特徴は添付図面を伴って考察するとき、本発明の以下の詳細な説明から明白になるであろう。

添付図面を参照して本発明の詳細な説明を以下説明し、同一の参照符号は全体を通して同一のエレメントを指している。
図１を参照すると、本発明の１実施形態にしたがったデジタル化アナログフロントエンド（ＤＡＦＥ）50が示されている。複合無線信号を受信するアンテナまたはアンテナアレイ57がＤＡＦＥ50の入力ポート58に接続されている。ＤＡＦＥ50に入るとき、複合信号は所望の周波数帯域の事前選択を行い、狭帯域のジャマーを除去するためにプリセレクタおよび妨害防止フィルタ（ＰＳ／ＡＪ）62に入る。ＰＳ／ＡＪフィルタ62の出力は電気的に低雑音増幅器（ＬＮＡ）64の入力に接続されている。ＰＳ／ＡＪフィルタ62の事前選択部分は帯域外の妨害、コサイトまたは周囲信号によるＬＮＡ64の飽和を減少するため粗い濾波を行う。

ＬＮＡの出力はエイリアス防止整合フィルタ66の入力に電気的に接続される。エイリアス防止整合フィルタ66の出力は例えばダイレクトサンプリング／アンダーサンプリングＡＤＣのようなアナログデジタル変換器（ＡＤＣ）68の入力に電気的に接続される。エイリアス防止整合フィルタ66はカットオフ周波数を有し、このカットオフ周波数は、ＡＤＣ入力からの不所望の信号をこれらが回路に悪影響しない点まで減衰させる。サポーティング位相ロックループ（ＰＬＬ）70と温度補償された水晶発振器（ＴＣＸＯ）72はＡＤＣ68に対するタイミング信号を提供する。ＡＤＣ68はＤＡＦＥ50の出力74を提供し、ＤＡＦＥ50は例えばＧＰＳ受信機のような受信機75に接続することができる。

ダイレクト／アンダーサンプリングＡＤＣ68の構成は全体的なＤＡＦＥ50の複雑性を減少できる。帯域通過サンプリングの実行により、受信機設計は１段以上のミキサを除去することにより簡単にされ、したがって回路の寸法と電力要求を減少させる。さらに信号品質は、直角位相復調に固有の振幅および位相オフセットを防止することにより、直接的な同位相および直角位相投射を通して向上する。

ＤＡＦＥ50は単一の基板92上でマイクロ電気機械システム（ＭＥＭＳ）技術と、例えばＢｉＣＭＯＳ技術とを含んだ混合技術を使用することが好ましい。特に、ＰＳ／ＡＪフィルタ62とエイリアス防止整合フィルタ66はＭＥＭＳ技術を使用して構成する一方、ＬＮＡ64、ＡＤＣ68、ＰＬＬ70は例えばＳｉＧｅ ＢｉＣＭＯＳ技術を使用して構成することができる。混合技術方法の利点はＤＡＦＥ50の寸法と電力消費の減少を含んでいる。寸法の減少は単一チップへ多数の異なる機能を統合した結果である。電力の節約は電力効率の良いＳｉＧｅ ＢｉＣＭＯＳプロセスの使用と、アンダーサンプリングＡＤＣおよびＭＥＭＳ技術の使用とから生じる。

アンダーサンプリングＡＤＣ68の使用はミキサおよびＰＬＬを含む少なくとも１つのダウンコンバート段の除去を可能にする。本発明者はダウンコンバート段の除去によりさらに４０％の電力節約を推測する。さらに電力の節約はＭＥＭＳ技術を使用する受動的な高いＱのフィルタリングエレメントの使用により実現することができる。特にＭＥＭＳ技術は小さく、低電力で、低歪みの妨害耐性フィルタの生成を可能にする。

ＰＳ／ＡＪフィルタ62の構造は狭帯域妨害の除去を実現するために選択された方法に依存する。ＰＳ／ＡＪフィルタの例示的な設計は信号の妨害されていない部分だけを通過させるサブバンド帯域通過方法と、ジャマーを除去するノッチフィルタ方法とを含んでいる。ＰＳ／ＡＪフィルタの寸法と複雑性に応じて、切換え可能なフィルタバンクを使用し、ＤＡＦＥ50が幾つかの異なる周波数帯域を検出できるようにしてもよい。未使用のフィルタの存在から誘発される寄生容量の影響を減少するために、高絶縁ＭＥＭＳスイッチを使用して、回路から未使用のフィルタを切り離す。さらにサブバンド方法はこの機能がサブバンド構造の自然な副産物であるので付加的なエイリアス防止フィルタの必要性をなくす利点をさらに有する。

図２Ａを参照すると、ＰＳ／ＡＪフィルタのサブバンド帯域通過構成を使用する実施形態が示されている。ＰＳ／ＡＪフィルタ62’はフィルタ62’の濾波特性を選択するためのＭＥＭＳスイッチ80a−80dを組込んでいる。ＭＥＭＳスイッチは半導体スイッチ（例えば半導体トランジスタ、ピンダイオード）よりも優れた幾つかの利点を提供する。特に、ＭＥＭＳスイッチは非常に低い挿入損失（例えば４５ＧＨｚで０．２ｄＢよりも小さい）と、開いているときに、高い絶縁（例えば３０ｄＢよりも大きい）を有する。さらにスイッチは半導体トランジスタやピンダイオードと比較して、高い周波数応答と広い帯域幅を有する。これらの利点は同調可能なフィルタ設計で使用するとき向上した性能および制御をもたらす。ＭＥＭＳスイッチに関する付加的な詳細は米国特許第6,046,659号に見られ、この開示はその全体がここで参考により組込まれている。

ＰＳ／ＡＪフィルタ62’で使用されるＭＥＭＳスイッチは二極単投（ＤＰＳＴ）スイッチである（例えば共に開閉する２つの絶縁スイッチ接点）。しかしながら、ＭＥＭＳスイッチの他の構造を使用してもよく、ＤＰＳＴスイッチの使用は単なる例示であることを認識すべきである。さらに、図２Ａは４つのＭＥＭＳスイッチと４つのサブバンドフィルタバンクを使用するサブバンド帯域通過構成を示している。しかしながら、より多くのまたはより少ないＭＥＭＳスイッチおよび／またはサブバンドフィルタバンクを利用するサブバンド帯域通過フィルタの構成を使用してもよいことを認識すべきであり、このような構成は本発明の範囲であることが意図されている。

各ＭＥＭＳスイッチを“開く”および“閉じる”ように命令する制御ラインは図面では示されていないことに注意する。しかしながら、これらの制御ラインは当業者に明白である。各ＭＥＭＳスイッチの開閉動作はＭＥＭＳスイッチの１以上の端子へバイアス電圧を供給することにより実現される。例えば、単極ＭＥＭＳスイッチは４つの端子、即ち絶縁スイッチの接点用の２つの端子と、“制御”接続用、例えばスイッチの開閉を命令するための２つの端子を有していてもよい。電圧がＭＥＭＳスイッチの制御端子に与えられるとき、静電力は接極子を基板方向に引っ張る。スイッチが通常開いた（Ｎ．Ｏ．）構造であるならば、絶縁スイッチ接点は電圧の印加時に閉じる。反対に、スイッチが通常閉じた（Ｎ．Ｃ．）スイッチであるならば、絶縁スイッチ接点は電圧の印加時に開く。多極ＭＥＭＳスイッチはそれぞれ各付加的な極用に付加的な端子対を有する結果となる。

第１のＭＥＭＳスイッチ80aの第１の極80a1の第１の端子は入力ノード100に接続されている。第１のＭＥＭＳスイッチ80aの第１の極80a1の第２の端子は第１のサブバンドフィルタバンク102aの入力端子に接続されている。第１のサブバンドフィルタバンク102aの出力端子は第１のＭＥＭＳスイッチ80aの第２の極80a2の第１の端子に接続されている。第１のＭＥＭＳスイッチ80aの第２の極80a2の第２の端子は加算接合104に接続されている。

第２のＭＥＭＳスイッチ80bの第１の極80b1の第１の端子は入力ノード100に接続されている。第２のＭＥＭＳスイッチ80bの第１の極80b1の第２の端子は第２のサブバンドフィルタバンク102bの入力端子に接続されている。第２のサブバンドフィルタバンク102bの出力端子は第２のＭＥＭＳスイッチ80bの第２の極80b2の第１の端子に接続されている。第２のＭＥＭＳスイッチ80bの第２の極80b2の第２の端子は加算接合104に接続されている。

第３のＭＥＭＳスイッチ80cの第１の極80c1の第１の端子は入力ノード100に接続されている。第３のＭＥＭＳスイッチ80cの第１の極80c1の第２の端子は第３のサブバンドフィルタバンク102cの入力端子に接続されている。第３のサブバンドフィルタバンク102cの出力端子は第３のＭＥＭＳスイッチ80cの第２の極80c2の第１の端子に接続されている。第３のＭＥＭＳスイッチ80cの第２の極80c2の第２の端子は加算接合104に接続されている。

第４のＭＥＭＳスイッチ80dの第１の極80d1の第１の端子は入力ノード100に接続されている。第４のＭＥＭＳスイッチ80dの第１の極80d1の第２の端子は第４のサブバンドフィルタバンク102dの入力端子に接続されている。第４のサブバンドフィルタバンク102dの出力端子は第４のＭＥＭＳスイッチ80dの第２の極80d2の第１の端子に接続されている。第４のＭＥＭＳスイッチ80dの第２の極80d2の第２の端子は加算接合104に接続されている。加算接合104の出力106はフィルタ62’の出力である。

サブバンド帯域通過設計62’は各サブバンドフィルタ102a−102dを介して信号スペクトルを多数のサブバンドに分割する。図２Ａに示されているように、各フィルタバンク102a−102dは複合信号から特定周波数を濾波するために異なる伝達関数を含んでいる。各サブバンドは最小の除去可能な妨害帯域幅を実現するために必要なとき、さらに分割することができる。固定周波数サブバンドフィルタ102a−102dの出力は例えばデジタル的に制御されるアナログ電力検出回路（図示せず）の使用によりジャマーの存在が検査される。ジャマー信号の検出は当業者によりよく知られており、ここでは説明しない。ジャマーが特定の周波数帯域に存在しないならば、固定周波数サブバンドフィルタの出力は他のサブバンドフィルタと合計される。しかしながらジャマーが検出されたならば、特定のサブバンドフィルタ102a−102dのそれぞれのＭＥＭＳスイッチは開かれ、これによりジャマーがスペクトルから除去される。前述したように、ＭＥＭＳスイッチは半導体スイッチよりも優れた幾つかの利点を提供し、これは低い挿入損失とスイッチが開いているときの高い絶縁を含んでいる。さらに、混合技術の構成、例えば同一基板上のＭＥＭＳスイッチとＳｉＧｅ ＢｉＣＭＯＳは伝統的な構成よりも低消費電力のコンパクトなパッケージを提供する。

例えば、ジャマー信号が第４のサブバンドフィルタ102dの出力で検出され、ジャマー信号が残りのサブバンドフィルタ102a−102cの出力では検出されないならば、最初の３つのＭＥＭＳスイッチ80a−80cは閉じられ、“クリーン信号”の通過を可能にし、第４のＭＥＭＳスイッチ80dは開かれ、これによりジャマー信号が遮断される。同様に、ジャマー信号が第１のサブバンドフィルタ102aの出力で検出され、ジャマー信号が残りのサブバンドフィルタ102b−102dの出力では検出されないならば、第１のＭＥＭＳスイッチ80aは開かれ、これによりジャマー信号が遮断され、残りのＭＥＭＳスイッチ80b−80dは閉じられ、クリーン信号の通過を可能にする。

多数のサブバンドフィルタ出力の重ね合わせを使用するときの固有の問題は位相エラーの誘発である。図２Ｂを参照すると、サブバンドフィルタの位相オフセットからの損失を示すグラフ107が示されている。特にグラフ107は各フィルタにより誘発される位相エラーが小さい範囲内でランダムに分布しているならば、構成損失が小さいことを示している。例えば±５０度108に対するエラー分布は１ｄＢの性能損失しか生じない。

図３を参照すると、ノッチフィルタ設計を使用するＰＳ／ＡＪフィルタ62”の代わりの実施形態が示されている。ノッチフィルタ方法は２度の自由度、即ち中心周波数の可変性と阻止帯帯域幅を有する高いＱのＭＥＭＳフィルタの設計および製造を必要とする。ＧＰＳの場合、中心周波数は２０ＭＨｚのＧＰＳ帯域幅にわたって操縦可能でなければならない。理想的には、ノッチ幅は使用されている信号にしたがって、０Ｈｚからクリア捕捉（Ｃ／Ａ）または精度（Ｐ）のコード信号幅の１０％即ち２００ｋＨｚ乃至２ＭＨｚまで調節可能でなければならない。

ＰＳ／ＡＪフィルタ62”は４つのフィルタセクション、即ち事前選択フィルタ110とその後の３つのフィルタセクション112、114、116を含んでおり、これらは全て操縦可能であり帯域幅が調節可能である。さらに多くのまたはさらに少ない操縦可能フィルタを使用することができる。ＰＳ／ＡＪフィルタ62”は２つの通常開いている（Ｎ．Ｏ．）接点と１つの通常閉じている（Ｎ．Ｃ．）接点を有する３極ＭＥＭＳスイッチを組込んでいる。３極のＭＥＭＳスイッチの使用は単なる例示であり、ＭＥＭＳスイッチの他の構成を使用してもよいことを認識すべきである。

図３のＰＳ／ＡＪフィルタ62”を参照すると、エイリアス防止／事前選択フィルタ110は入力ノード120に接続する第１の端子と、ノード121に接続する第２の端子を有する。第１のＭＥＭＳスイッチ80a’の第１のＮ．Ｏ．極80a1’の第１の端子はノード121に接続されている。第１のＭＥＭＳスイッチ80a’の第１の極80a1’の第２の端子は第１のフィルタバンク122aの入力端子に接続されている。第１のフィルタバンク122aの出力端子は第１のＭＥＭＳスイッチ80a’の第２のＮ．Ｏ．極80a2’の第１の端子に接続されている。第１のＭＥＭＳスイッチ80a’の第２の極80a2’の第２の端子はノード124に接続されている。第１のＭＥＭＳスイッチ80a’の第３のＮ．Ｃ．極80a3’の第１の端子はノード121に接続されている。第１のＭＥＭスイッチ80a’の第３の極80a3’の第２の端子はノード124に接続されている。

第２のＭＥＭＳスイッチ80b’の第１のＮ．Ｏ．極80b1’の第１の端子はノード124に接続されている。第２のＭＥＭＳスイッチ80b’の第１の極80b1’の第２の端子は第２のフィルタバンク122bの入力端子に接続されている。第２のフィルタバンク122bの出力端子は第２のＭＥＭＳスイッチ80b’の第２のＮ．Ｏ．極80b2’の第１の端子に接続されている。第２のＭＥＭＳスイッチ80b’の第２の極80b2’の第２の端子はノード126に接続されている。第２のＭＥＭＳスイッチ80b’の第３のＮ．Ｃ．極80b3’の第１の端子はノード124に接続されている。第２のＭＥＭＳスイッチ80b’の第３の極80b3’の第２の端子はノード126に接続されている。

第３のＭＥＭＳスイッチ80c’の第１のＮ．Ｏ．極80c1’の第１の端子はノード126に接続されている。第３のＭＥＭＳスイッチ80c’の第１の極80c1’の第２の端子は第３のフィルタバンク122cの入力端子に接続されている。第３のフィルタバンク122cの出力端子は第３のＭＥＭＳスイッチ80c’の第２のＮ．Ｏ．極80c2’の第１の端子に接続されている。第３のＭＥＭＳスイッチ80c’の第２の極80c2’の第２の端子はノード128に接続されている。第３のＭＥＭＳスイッチ80c’の第３のＮ．Ｃ．極80c3’の第１の端子はノード126に接続されている。第３のＭＥＭＳスイッチ80c’の第３の極80c3’の第２の端子はノード128に接続されている。

ＰＳ／ＡＪフィルタ62”は可変中心周波数および阻止帯域幅の操作によりジャマー信号を除去することができる。各フィルタバンク122a−122cは複合信号から特定のジャマー周波数を濾波するために異なる伝達関数を含んでいる。さらに、フィルタセグメントはバイパスＭＥＭＳスイッチ80a3’−80c3’を閉じ、選択ＭＥＭＳスイッチ80a1’−80c1’、80a2’−80c2’を開くことによりフィルタから除去することができる。例えば、単一のジャマーが存在するならば、フィルタ122a−122cのうちの１つは適切な方法により同調され、ジャマーの位置に存在するノッチを有するか、所望の信号を包囲する通過帯域を生成する。このフィルタの同調はＭＥＭＳスイッチまたは他の方法を使用して実現され、これはここでは説明しないが、文献で知られている。制御信号は第１のＭＥＭＳスイッチ80a’に送信され、第３のＮ．Ｃ．極80a3’を開かせ、第１のＮ．Ｏ．極80a1’と第２のＮ．Ｏ．極80a2’を閉じさせ、これにより信号およびジャマーを第１のフィルタ122aに入らせる。第１のフィルタ122aは幾らかまたは全てのジャマーを除去し、信号と何らかの残留ジャマーだけをノード124に入らせる。他に妨害信号が存在せず、第１のジャマーが十分に除去されたならば、第２のフィルタ122bと第３のフィルタ122cは必要とされず、第２のＭＥＭＳスイッチ80b’と第３のＭＥＭＳスイッチ80c’には制御信号は送信されず、第２のＭＥＭＳスイッチ80b’の第３のＮ．Ｃ．極80b3’と第３のＭＥＭＳスイッチ80c’の第３のＮ．Ｃ．極80c3’は閉じたままであり、第２のＭＥＭＳスイッチ80b’の第１および第２のＮ．Ｏ．極80b1’、80b2’と第３のＭＥＭＳスイッチ80c’の第１および第２のＮ．Ｏ．極80c1’、80c2’は開いたままである。ノード124の信号はノード128を通過する。（図３の例示的な回路でさらに２までの）他のジャマーが存在し、除去しなければならないか、第１のジャマーの付加的な減衰が望まれるならば、またはその両者の場合、第２および第３のフィルタ122b、122cはジャマーを除去するように同調され、制御信号が第２のＭＥＭＳスイッチ80b’と第３のＭＥＭＳスイッチ80c’へ送信される。最後に、妨害信号が存在しないならば、所望の信号のみの通過を可能にするためエイリアス防止フィルタ110が信号路に置かれる。

本発明の特定の実施形態を詳細に説明したが、本発明は範囲において対応して限定されないが、特許請求の範囲の精神および用語に入る全ての変更、変形、均等物を含むことが理解されよう。例えば、ＭＥＭＳフィルタの構成をＰＳ／ＡＪフィルタ62を参照してここで説明した。しかしながら、同一の原理はエイリアス防止フィルタ66にも適用されることが認識されよう。

本発明の１実施形態にしたがったデジタル化アナログフロントエンド（ＤＡＦＥ）のブロック図。 本発明の１実施形態にしたがったサブバンド帯域通過方法を使用して構成される妨害防止フィルタの図。 −ΦとΦ度との間で均一に分布したエラーを有する多数のサブバンドフィルタの出力をエラーと合計することにより受ける損失を示す図。 本発明の別の実施形態にしたがったノッチフィルタ方法を使用して構成される妨害防止フィルタの図。

Claims (9)

1. 受信機の集積回路デジタル化アナログフロントエンド（ＤＡＦＥ）（50）において、
   基板（92）と、
   基板上の低雑音増幅器（ＬＮＡ）（64）と、
   基板上のアナログデジタル変換器（ＡＤＣ）（68）と、
   基板上の複数のマイクロ電気機械システム（ＭＥＭＳ）スイッチと、
   基板上の少なくとも１つのエイリアス防止フィルタ（66）と、
   基板上の少なくとも１つの妨害防止フィルタ（62）とを具備し、
   少なくとも１つの妨害防止フィルタと少なくとも１つのエイリアス防止フィルタとのフィルタ特性は、複数のＭＥＭＳスイッチのうち少なくとも１つを使用して変更されるＤＡＦＥ。
2. ＡＤＣはダイレクトサンプリング／アンダーサンプリングＡＤＣである請求項１記載のＤＡＦＥ。
3. 妨害防止フィルタとエイリアス防止フィルタ（66）はフィルタの切換え可能なバンクを含み、各バンクは少なくとも１つのＭＥＭＳスイッチを使用して選択される請求項１または２記載のＤＡＦＥ。
4. 妨害防止フィルタはノッチフィルタである請求項１、２または３のいずれか１項記載のＤＡＦＥ。
5. ノッチフィルタは操縦可能な中心周波数を有する請求項４記載のＤＡＦＥ。
6. ノッチ帯域幅は０Ｈｚと２ＭＨｚとの間で調節可能である請求項５記載のＤＡＦＥ。
7. 妨害防止フィルタはサブ帯域通過フィルタである請求項１乃至６のいずれか１項記載のＤＡＦＥ。
8. さらに、基板上の位相ロックループ（ＰＬＬ）（70）と、
   基板上の水晶発振器（72）とを具備している請求項１乃至７のいずれか１項記載のＤＡＦＥ。
9. 水晶発振器は温度補償される請求項８記載のＤＡＦＥ。

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