JP2006510878A - 光コヒーレンストモグラフィに関する方法及び装置 - Google Patents

光コヒーレンストモグラフィに関する方法及び装置 Download PDF

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Abstract

本発明は、光コヒーレンストモグラフィに関する方法であって、参照光ビーム及び測定光ビームを供給するステップと、合成された光ビームを供給するために、参照光ビーム及び測定光ビームを合成するステップと、参照光ビームを変調させるステップと、各サンプリング位置ごとに強度バリエーションの振幅を測定するために、合成された光ビームをサンプリングするステップと、1つの画素に関する強度信号を供給するために振幅を足し合わせるステップと、電子ドメイン又は光ドメインにおいて歪み及び収差を補正するステップと、を含む方法に関する。

Description

本発明は、医用イメージングの分野に関し、特に光コヒーレンストモグラフィ(optical coherence tomography、OCT)に関する。
OCTは、生物学的システムの非侵襲的な断面イメージングのための既知の技法である。OCTは、超音波パルスエコーイメージングに似たやり方で、内部組織の微細構造からの光学散乱による2次元画像を生成するためにコヒーレンスインターフェロメトリを使用する。
コヒーレンスリフレクトメトリにおいて、サンプルから反射される光のコヒーレンス特性は、サンプルの反射境界及び後方散乱サイトからの飛行時間の遅延に関する情報を与える。遅延情報は、反射サイトの縦方向の位置を決定するために使用される。OCTシステムは、サンプルの反射サイトの2次元マップを提供するために、一連の横方向位置において複数の縦方向走査を実施する。対応するOCTシステムは、米国特許第5,847,827号及び同第6,057,920号明細書並びにJ.Biomedによる文献(Opt. 4(1), 157-173 (1996))から知られている。
従来技術のOCTシステムの共通の不利益は、高い横方向解像度が、必然的に、利用可能な走査深さの大きな低減に関連することである。従って、本発明の目的は、光コヒーレンストモグラフィに関する改善された方法及び対応するコンピュータプログラム製品並びに光コヒーレンストモグラフィ装置を提供することである。
本発明は、参照光ビーム及び測定光ビームの合成から生じる合成された光ビームがサンプリングされる、光コヒーレンストモグラフィに関する方法を提供する。参照光ビームが変調されるとき、サンプリング位置の各々について、干渉による強度バリエーションの振幅が決定される。振幅は、変調深さとも呼ばれる。
個別のサンプリング位置の振幅が足し合わせられ、それによって、1つの画素に関する強度信号を提供する。強度信号は、改善された品質を有する。これは、位相情報を無視しながら振幅を足し合わせることが、より高い開口数をもつ従来のOCTシステムにおいて生じる深さレンジの低減なく、より高い収集角度(又は開口数)を使用することができることによる。特に、スペックルの影響が低減されることができる(J. M. Schmitt他による「Speckle in Optical Coherence Tomography」(Journal of Biomedical Optics 4(1),
95-105 (January 1999))を参照)。
本発明の好ましい実施例によれば、サンプリング位置における強度バリエーションの位相情報が、個々の位相オフセットを補償するために使用される。これは、サンプリング位置の各々に対して調整可能な光学素子を有する調整可能な光学フィルタを制御することによって行われる。
このように、高い開口数をもつ光学システムが、高い開口数による解像度ゲインを十分に利用しながら、走査深さを光学システムの焦点領域に制限することなく、使用されることができる。
以下において、本発明の好ましい実施例は、図面を参照することによって、より詳しく説明される。
図1は、OCTシステム100を示す。OCTシステム100は、光源102を有する。光源102によって供給される低コヒーレンス光ビーム104は、参照光ビーム108及び測定光ビーム110を供給するために、ビームスプリッタ106に向けられる。動作時、光源102は、低コヒーレンス光を出力する。
参照光ビーム108は、参照ミラー112の縦方向の移動及び/又は変調器114によって、変調されることができる。参照ミラー112及び/又は変調器114による参照光ビーム108の変調は、それ自体、従来技術から知られている。
代替例として、変調は、変調器114によって、参照光ビーム108の周波数を変調させることによって実施されることができる。この例において、音響光学変調器が、1kHzから最高1MHzまで範囲の周波数変調をもたらすために使用されることができる。
測定光ビーム110は、走査ユニット120及び対物レンズ122によって対象物(オブジェクト)118のポイント116にフォーカスされる。反射された測定光ビーム110及び反射された参照光ビーム108は、合成された光ビーム124を供給するために重ね合わせられる。参照ビームの変調は、イメージングされる対象物118内部に反射サイトがある場合のみ生じる干渉によって、合成されたビームに強度変調をもたらす。反射サイトに進み、ビームスプリッタ106に戻ってきた光と、参照ミラー112に進み、ビームスプリッタ106に戻ってきた光との間の光路長の差は、光源102のコヒーレンス長より短い。こうして、参照ミラーは、光源のコヒーレンス長に等しい幅を有する対象物内部のウィンドウを選択する。
合成された光ビーム124は、合成された光ビーム124に対し垂直な平面においてサンプリングされる。光検出器素子のアレイ126が、合成された光ビーム124をサンプリングするために設けられる。アレイ126の光検出器素子の各々は、対応する検出器素子の表面に当たる光の強度について、電気的な測定信号を送り出す。電気的な測定信号の各々は、別個のライン128によって、信号処理ユニット130に伝送される。信号処理ユニットは、アナログ又はデジタル装置として実現されることができる。
信号処理ユニット130は、対応するライン132を介して、画像処理ユニット134に、光検出器素子の各々に対する振幅信号を供給する。
測定光ビーム110の対応する波面は、ポイント116にフォーカスされ、対象物118から反射される。この反射が生じるとき、波面プロファイルが変えられる。この影響は、収差とも呼ばれる。収差の大きさ及び形状は、測定光ビーム110の対象物118を通したさまざまな光路に依存する。結果として、反射された測定光ビーム110の反射された参照光ビーム108との干渉は、反射された測定光ビームの変更された波面プロファイルにより、一様でない。
それゆえ、強め合う干渉が、アレイ126の或る光検出器素子のサンプリング位置にあり、同時に、弱め合う干渉が、別のサンプリング位置にある。参照光ビーム108が変調されると、これは、アレイ126によって与えられるさまざまなサンプリング位置における対応する一様でない強度バリエーションをもたらす。
サンプリング位置の各々について、参照光ビーム108の変調中の強度バリエーションの振幅が、測定される。測定された振幅のすべてが、強度バリエーションの位相に関係なく足し合わせられることにより、単一の強度信号を供給する。この強度信号は、ポイント116に関する、結果的に得られた画像情報である。
検出器素子からの信号が(従来技術のシステムにおいて用いられる単一の広域検出器の場合にそうであるように)直接に足し合わせられる場合、ある位置の強度バリエーションは、別の位置の逆の位相をもつ強度バリエーションを打ち消し、それによって信号損失及び情報損失をもたらす。
対象物118は、画像処理ユニット134によってトモグラフィ画像を供給するために、走査ユニット120によって走査されることができる。
更に、信号処理ユニット130は、個別の光検出器素子の強度バリエーションについて位相情報を供給することができる。このために、任意の参照位相が規定されることができる。参照光ビーム108の変調による、アレイ126の光検出器素子の各強度バリエーションの位相オフセットは、信号処理ユニット130から制御ユニット136に供給される。制御ユニット136は、適応的な光学フィルタ138に結合される。
適応的な光学フィルタ138は、調整可能な光学素子のアレイを有する。調整可能な光学素子の各々は、アレイ126によって与えられるサンプリング位置の1つに割り当てられる。例えば、調整可能な光学素子は、制御可能なLCD素子によって実現されることができる。
制御ユニット136は、アレイ126によって決定される位相オフセットを補償するために、適応的な光学フィルタ138を制御する。
例えば、反射される測定光ビーム110は、適応的な光学フィルタ138の光学素子142を通る光路140を含む。光路140は、ビームスプリッタ106におよび、ビームスプリッタ106から、アレイ126の光検出器素子144に達する。言い換えると、光路140は、光学素子142と光検出器素子144との間に1対1の関係を規定する。光路140を介して光検出器素子144に当たる光は、干渉パターンの局所的の振幅を決定するために、光検出器素子144によって測定される。
光検出器素子144によって与えられる測定信号の強度バリエーションの位相オフセットは、制御ユニット136に供給される。制御ユニット136は、補償位相を与えるために、比例積分(PI)又は比例積分微分(PID)フィルタのような適切な制御フィルタを有する。光学素子142が、この補償位相を、光路140上の光学素子142を通る測定光ビーム110の光に適用するように制御されるように、対応する制御信号が、制御ユニット136によって出力される。このように、制御ループが、対象物118における測定光ビーム110の反射によって引き起こされる波面プロファイルの変化を補償するために形成される。
波面プロファイルの変更を補償するために制御ループを使用することの特定の利点は、それによって収差が補正され、焦点ずれも補償されることである。これは、改善された解像度のために大きな開口数をもつ対物レンズ122を使用することを可能にする。この場合、幾何学的なフォーカスが、参照ミラー112によって提供される深さ走査に自動的に追従する。
歪み及び収差が、電子ドメイン又は光ドメインのいずれにおいても補正されることができる点に留意すべきである。
図2は、別の実施例を示している。ファイバ束200が、対物レンズの瞳孔202の像内に位置する。ファイバ束200は、ファイバ束200の個別のファイバに選択的にストレス(応力)を与えることによって、適応的な光学フィルタとして使用されることができる。ファイバ束200の個別のファイバにストレスを与えることによって、当該ファイバを通る光の位相シフトが引き起こされる。それゆえ、ファイバ束200は、図1の光学素子142と同様の機能を有する。説明を簡潔にするために、光源、参照光ビーム、合成された光ビーム及び関連する光学素子は、図2の実施例に示されていない。
図3は、逐次サンプリングのセットアップを示している。
図1及び図2の実施例とは対照的に、サンプリングは、複数の光検出器素子を使用することによって並行に実施されるのではなく、合成された光ビーム(図1の合成された光ビーム124を参照)のレシーバとして単一の光ファイバ300を逐次的に使用することによって実施される。ここで考えられる実施例において、サンプリングは、走査ミラー302のピボット回転によって実施される。このように、走査ミラーは、対物レンズ304のより高い開口数にわたってOCTセットアップの制限された開口数を動かす。移動する対象物(生体内測定)の場合、動き補償アルゴリズムを使用することによって、対象物が走査中に合成されたビームにわたって移動されるときに生じるアーチファクトを補正することが可能である。
図4は、対物レンズの焦点面402から深さdだけずれた像平面40に像を生成するための原理を示している。
像平面400上の画素x’に関する強度値を得るために、横方向の走査が、焦点面402において実施される。特に、横方向の走査は、画素x、x、...に関する強度信号を得るために実施される。画素xの各々は、像平面400上の画素x’を含む割り当てられた光円錐を有する。例えば、焦点面402上の画素xは、画素x’を含む光円錐404を有する。同様に、焦点面402上の画素xは、同じく画素x’を含む光円錐406を有する。
画素xに関する強度信号を取得するために合成された光ビームのサンプリングが実施されるとき、光円錐404は、位置yにおいて検出される反射光を含む。同様に、画素xに関する強度信号を与えるためにデータ取得が実施されるとき、yは、光円錐406を測定するための別のサンプリング位置を示す。一般に、焦点面402上の画素xの各々は、画素x’を含む光円錐を測定するための対応するサンプリング位置yを有する。
図1及び図2の実施例のような検出器素子のアレイが使用される場合、yは、アレイの光検出器素子の1つを示す(図1のアレイ126及び光検出器素子144を参照)。
画素x’に関する強度信号は、焦点面402内の逐次の横方向走査の間、光円錐404、406..について得られた振幅を足し合わせることによって得られる。像平面400上のすべての画素についてこれを行うことによって、像が、図1及び図2の適応的な光学フィルタ(図1の適応的な光学フィルタ138及び図2のファイバ束200)を使用せずに、焦点面402からずれた像平面400について計算されることができる。
数学的タームにおいて表現される場合、画素x’に関する強度信号Iは、次のように得られる:
I(x’,d)=Sumj[Sj(x’−(d/f)yj,d)] (1)
ここで、
I(x’,d):画素x’に関する強度信号
j:サンプリング位置に関する添字
yj:j番目のサンプリング位置のロケーション
Sj(xi,d):j番目の位置からのデータだけが使用される場合の強度信号
f:対物レンズの焦点距離
x’:x’=xi+(d/f)yj
図5は、本発明による光コヒーレンストモグラフィのための電子デバイス500を示している。電子デバイス500は、複数の別個の物理ユニットによって実現されることができ、又は「システムオンチップ」としても実現されることができる。
電子デバイス500は、光検出器素子502のアレイを有する(図1のアレイ126を参照)。アレイ素子yの各々は、対応する光路j上の合成された光ビームの一部を受け取る。
参照光ビームが変調されると、強度バリエーションの振幅が、サンプリング位置yの各々について測定される。すべてのサンプリング位置の振幅情報が、積分器504によって加算される。結果として得られる強度データは、実際の画素に関する画像データとして出力され、ストレージ506に記憶される。
更に、サンプリング位置yにおける各強度バリエーションの位相オフセットが、位相制御部508に入力される。適応的な光学フィルタが、測定光ビームの光路において利用可能である場合、位相制御部508は、収差及び焦点ずれを補償するために、図1に関して説明された原理に従って適応的な光学フィルタを有する制御ループを形成することができる。
適応的なこのような光学フィルタ(図1の適応的な光学フィルタ138を参照)が利用可能でない場合、図4に関して説明される方法が、焦点面の外側にある像平面に関して像データを計算するための代替方法として使用される。このために、サンプル位置yにおいて測定される強度バリエーションの振幅のすべてが、キーとしての対応する画素xに関して、ストレージ510に記憶される。このデータに基づいて、積分器504は、焦点面の外側の像平面上にある画素x’に関する強度データを計算するために、上述の式1の数値を求める。この画像データも、ストレージ506に記憶される。
図6は、本発明の有利な効果を示す。
図6の画像a)は、OCTによって混成(compounding)無く取得された。画像b)は、混成無く異なる画像を平均化することによって取得された。画像c)は、適応的な光学フィルタを使用せずに、図3の実施例に従って混成を伴って異なる領域にわたって平均化を行うことにより得られた。画像c)のスペックルノイズは、画像a)及びb)と比較して、明らかに抑制されている。特に、画像b)は、画像の平均化のみではスペックルを抑制するのに十分でないことを示している。
本発明の実施例のブロック図。 光ファイバ束を使用するOCTシステムを示す図。 合成された光ビームを受け取るために単一の光ファイバを使用して、合成されたビームを逐次にサンプリングするOCTシステムを示す図。 焦点面の外側のピクセルのための像取得を示す回路図。 信号処理システムのブロック図。 従来技術の画像取得と比較して、本発明の原理に従って取得された画像を示す図。
符号の説明
100 OCTシステム
102 光源
104 低コヒーレンス光ビーム
106 ビームスプリッタ
108 参照光ビーム
110 測定光ビーム
112 参照ミラー
114 変調器
116 ポイント
118 対象物
120 走査ユニット
122 対物レンズ
124 合成された光ビーム
126 光検出器素子のアレイ
128 ライン
130 信号処理ユニット
132 ライン
134 画像処理ユニット
136 制御ユニット
138 適応的な光学フィルタ
140 光路
142 光学素子
144 光検出器素子
200 ファイバ束
202 対物レンズ瞳孔
300 光ファイバ
302 走査ミラー
304 対物レンズ
400 像平面
402 焦点面
404 光円錐
406 光円錐
500 電子デバイス
502 アレイ
504 積分器
506 ストレージ
508 位相制御部
510 ストレージ

Claims (16)

  1. 光コヒーレンストモグラフィに関する方法であって、
    参照光ビーム及び測定光ビームを供給するステップと、
    前記参照光ビーム及び前記測定光ビームを合成して、合成された光ビームを供給するステップと、
    前記参照光ビームを変調するステップと、
    各サンプリング位置ごとに強度バリエーションの振幅を測定するために、前記合成された光ビームをサンプリングするステップと、
    1つの画素に関する強度信号を供給するために、前記振幅を足し合わせるステップと、
    を含む方法。
  2. 位相参照に対する、各サンプリング位置の前記強度バリエーションの位相オフセットを決定するステップと、
    前記測定光ビーム用の調整可能な光学フィルタを用意するステップと、
    前記位相オフセットを補償するために、前記調整可能な光学フィルタを制御するステップと、
    を更に含む、請求項1に記載の方法。
  3. 前記調整可能な光学フィルタが、前記サンプリング位置の各々について調整可能な光学素子を有し、前記方法が、各々の個別の前記位相オフセットを補償するために、前記調整可能な光学素子の各々を個別に制御するステップを更に含む、請求項2に記載の方法。
  4. 前記調整可能な光学素子がLCD素子である、請求項3に記載の方法。
  5. 前記参照光ビーム及び前記測定光ビームがファイバ束によって供給される、請求項1乃至4のいずれか1項に記載の方法。
  6. 応力が、対応する前記位相オフセットを補償するために、前記ファイバ束のファイバの個別のものに選択的に与えられる、請求項5に記載の方法。
  7. 単一のファイバが、前記合成された光ビームを受け取るために使用され、前記サンプリングが、回動可能なミラーによって実施される、請求項1乃至6のいずれか1項に記載の方法。
  8. 動き補償アルゴリズムが、対象物の動きから生じるアーチファクトを補正するために使用される、請求項1乃至7のいずれか1項に記載の方法。
  9. 像平面と焦点面との間の距離である深さDと、前記焦点面の横方向の位置である走査位置xiと、の関数として、前記強度信号を取得するステップと、
    式、
    I(x’,d)=Sumj[Sj(x’−(d/f)yj,d)]
    ここで、
    I(x’,d):画素x’に関する強度信号
    j:サンプリング位置に関する添字
    yj:j番目のサンプリング位置のロケーション
    Sj(xi,d):j番目の位置からのデータのみが使用される場合の強度信号f:対物レンズの焦点距離
    x’:x’=xi+(d/f)yj
    に従って、以前のステップにおいて取得されたデータから画像を再構成するステップと、
    を更に含む、請求項1乃至8のいずれか1項に記載の方法。
  10. デジタル記憶媒体のようなコンピュータプログラムであって、
    光コヒーレンストモグラフィに関して、各サンプリング位置ごとに強度バリエーションの振幅を測定するために、参照光ビーム及び測定光ビームを合成することによって得られる合成された光ビームをサンプリングするステップと、
    1つの画素に関する強度信号を供給するために、前記振幅を足し合わせるステップと、
    を実施するコンピュータプログラム方法を含む、コンピュータプログラム。
  11. 前記コンピュータプログラム方法が、
    位相参照に対する、各サンプリング位置の前記強度バリエーションの位相オフセットを決定するステップと、
    前記位相オフセットを補償するために、前記測定光ビーム用の調整可能な光学フィルタを制御するステップと、
    を実施するように構成される、請求項10に記載のコンピュータプログラム。
  12. 前記コンピュータプログラム方法が、
    焦点面における画素xiの強度信号を取得するステップと、
    式、
    I(x’,d)=Sumj[Sj(x’−(d/f)yj,d)]
    ここで、
    I(x’,d):画素x’に関する強度信号
    j:サンプリング位置に関する添字
    yj:j番目のサンプリング位置のロケーション
    Sj(xi,d):j番目の位置からのデータのみが使用される場合の強度信号
    f:対物レンズの焦点距離
    x’:x’=xi+(d/f)yj
    を計算することによって、前記焦点面から深さdの距離にある像平面における画素x’の強度信号を決定するステップと、
    を実施するように構成される、請求項10又は11に記載のコンピュータプログラム。
  13. 光コヒーレンストモグラフィ装置であって、
    各サンプリング位置ごとに強度バリエーションの振幅を測定するために、合成された光ビームをサンプリングする手段と、
    1つの画素に関する強度信号を供給するために、前記振幅を足し合わせる手段と、
    を有する装置。
  14. 位相参照に対する、各サンプリング位置の前記強度バリエーションの位相オフセットを決定する手段と、
    前記測定光ビーム用の調整可能な光学フィルタと、
    前記位相オフセットに補償するために、前記調整可能な光学フィルタを制御する手段と、
    を有する、請求項13に記載の装置。
  15. 前記調整可能な光学フィルタが、各サンプリング位置ごとに、調整可能な光学素子を有する、請求項14に記載の装置。
  16. 焦点面における画素xiの強度信号を取得し、
    式、
    I(x’,d)=Sumj[Sj(x’−(d/f)yj,d)]
    ここで、
    I(x’,d):画素x’に関する強度信号
    j:サンプリング位置に関する添字
    yj:j番目のサンプリング位置のロケーション
    Sj(xi,d):j番目の位置からのデータのみが使用される場合の強度信号
    f:対物レンズの焦点距離
    x’:x’=xi+(d/f)yj
    を計算することによって、前記焦点面から深さdの距離にある像平面における画素x’の強度信号を決定する、請求項13、14又は15に記載の装置。
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