JP2006501656A - 放射放出する半導体構成素子および該半導体構成素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
であることを考慮することにより、ここでは並行して使用される両角度αおよびθを常に、相互に換算することができる。
1.基板1の断面全体が通電されること。すなわち、基板1の深度Tにおいて断面積の各面積部分が、少なくとも電流拡大円錐13の中にあること。
2.深度Tにおいて初めて、隣接する電流拡大円錐13が相互に重なること。
bQ1=220μm
bQ2=440μm
bQ3=660μm
正方形11を等間隔に配置することによって、基板1の上面を均質に通電することができる。
Claims (25)
- 放射放出する半導体構成素子であって、
放射透過性の基板(1)が設けられており、
該基板(1)の下面には、放射生成層(2)が配置されており、
該基板(1)は、傾斜された側面(3)を有しており、
該基板の屈折率(n1)は、該放射生成層(2)の屈折率(n2)より大きい形式のものにおいて、
前記屈折率の差から、該放射生成層(2)からフォトンが直接入力結合されない、入射されない基板領域(4)が得られ、
該基板(1)は前記入射されない領域(4)において、実質的に垂直な側面(5)を有することを特徴とする半導体構成素子。 - 該放射生成層(2)の該基板(1)と反対側が、該構成素子を取り付けるために設けられている、請求項1記載の半導体構成素子。
- 該放射生成層(2)の該基板(1)と反対側に、取り付け面が形成されている、請求項2記載の半導体構成素子。
- 前記垂直な側面(5)は、該基板の下面にベース(6)を形成し、上面で前記傾斜された側面(3)を区切っている、請求項1から3までのいずれか1項記載の半導体構成素子。
- 前記入射されない領域(4)の上方の境界は、前記ベース(6)の上方の境界と一緒になっている、請求項4記載の半導体構成素子。
- 該ベース(6)の高さ(h)は、15〜30μmの間である、請求項4または5記載の半導体構成素子。
- 前記傾斜された側面(3)と基板下面との間に、15〜40°の角度(α)が形成されている、請求項1から6までのいずれか1項記載の半導体構成素子。
- 該基板(1)の下面は、300〜2000μmの間の幅(B)を有する、請求項1から7までのいずれか1項記載の半導体構成素子。
- 該基板(1)は、200〜300μmの間の厚さ(D)を有する、請求項1から8までのいずれか1項記載の半導体構成素子。
- 該放射生成層(2)は基板下面を、外側の自由縁部(7)まで被覆し、
前記外側の自由縁部(7)は、10〜50μmの間の幅(bF)を有する、請求項1から9までのいずれか1項記載の半導体構成素子。 - 該放射生成層(2)は、傾斜された側縁部(8)を有し、
前記傾斜された側縁部(8)は、該基板(1)に対して横方向に放射された光を、該基板(1)の方向に反射させる、請求項1から10までのいずれか1項記載の半導体構成素子。 - 前記傾斜された側縁部(8)と基板下面との間に、20〜70°の間の角度(β)が設けられている、請求項11記載の半導体構成素子。
- 該放射生成層(2)の傾斜された側縁部(8)と基板(1)との間の角度(β)は、放射が側縁部(12)で全反射するのに適した角度である、請求項11または12記載の半導体構成素子。
- 該放射生成層(2)の側縁部(12)は、光反射性の材料(9)によって被覆されている、請求項11から13までのいずれか1項記載の半導体構成素子。
- 前記光反射性の材料(9)は、アルミニウムまたは銀である、請求項14記載の半導体構成素子。
- ・該基板(1)の上面にコンタクトエレメント(10,10a)が配置されており、
・該基板(1)の横方向導電性によって、コンタクトエレメント(10)から該基板(1)に入力結合される電流が円錐状に拡大され、
・前記コンタクトエレメント(10)は、該基板(1)の横断面全体が通電される深度(T)で電流拡大円錐(13)が接するように相互に離隔されている、請求項1から15までのいずれか1項記載の半導体構成素子。 - 前記コンタクトエレメントは、相互に組み入れられた正方形(11)に沿って延在する導体路(10)であり、
前記正方形(11)は、相互に平行な等間隔の側縁部(12)を有する、請求項16記載の半導体構成素子。 - 前記導体路(10)は、該基板(1)の通電すべき表面に相応して相互に異なる幅(bL1,bL2,bL3)を有する、請求項17記載の半導体構成素子。
- 該基板(1)は炭化珪素を含む、請求項1から18までのいずれか1項記載の半導体構成素子。
- 該基板(1)は、六方晶の6H炭化珪素を含む、請求項1から19までのいずれか1項記載の半導体構成素子。
- 該放射生成層(2)は窒化ガリウムを含む、請求項1から20までのいずれか1項記載の半導体構成素子。
- 基板下面は、少なくとも300μmの幅(B)を有する、請求項1から21までのいずれか1項記載の半導体構成素子。
- 放射放出する半導体構成素子の製造方法において、
a)V字形の溝(14)を放射透過性の基板(1)に、適切に成形された鋸によって切り込み、該基板(1)の残留厚さ(dr)を一貫して残すステップと、
b)該基板(1)を前記溝(14)に沿って、複数の個別基板(15)に分離するステップとを有することを特徴とする、請求項1から22までのいずれか1項記載の半導体構成素子の製造方法。 - 該基板(1)の分離を、まっすぐな鋸刃を有する鋸によって行う、請求項23記載の製造方法。
- 該基板(1)の分離を、割ることによって行う、請求項24記載の製造方法。
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