JP2006351974A - 半導体機能素子 - Google Patents
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Abstract
InN結晶及びInNを主成分とする混晶を含む活性層を備え、より高性能な光電変換機能素子を提供すること。
【解決手段】
p型のGaNクラッド層、InN活性層、n型のInNを主成分とする混晶を含むクラッド層の順に積層されてなる光電変換機能素子とする。また、InN活性層と、p型のGaNクラッド層との間に、InNを主成分とする混晶を含む中間層を有してなることを特徴とする光電変換機能素子とする。
【選択図】図1
Description
なおここで、本実施形態の本光電変換機能素子の構造に対し、ドープされたGaN層がp型のクラッド層として機能することについての確認を行った。以下説明する。
また次に、InN活性層を、InN結晶/GaN結晶の単一量子井戸層とし、その厚さをさまざまに変化させ、13KPLスペクトルを測定することでInN井戸幅依存性を調べた。この結果を図7に示す。
本実施例では、上記実施形態に係る光電変換機能素子を実際に作成した。以下工程について説明する。まず、c面サファイア単結晶基板を有機洗浄した後、分子線エピタキシー装置へ導入した。次いで1000℃で1時間の熱処理を施して基板表面を洗浄し、500℃でサファイア表面を窒化処理しGaN表面を形成した。このような処理によりN極性面成長を実現することができた。
Claims (5)
- p型のGaNクラッド層、InN活性層、n型のInNを主成分とする混晶を含むクラッド層の順に積層されてなる光電変換機能素子。
- 前記InN活性層と、前記p型のGaNクラッド層との間に、InNを主成分とする混晶を含む中間層を有してなることを特徴とする請求項1記載の光電変換機能素子。
- 前記InN活性層は、InN結晶層とInNを主成分とする混晶層を多数積層してなる多重量子井戸活性層であることを特徴とする請求項1記載の光電変換機能素子。
- 前記InN活性層は、InN層又はInNを主成分とする混晶層の単一量子井戸活性層であることを特徴とする請求項1記載の光電変換機能素子。
- 前記InN活性層の厚さは、4.3nm以下であることを特徴とする請求項1記載の光電変換機能素子。
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