JP2006339638A - 単一のヒートシンク上にポンプレーザと共に結合された面発光レーザ - Google Patents

Abstract

【課題】単一のヒートシンク上にポンプレーザと共に一体化された面発光レーザを提供する。
【解決手段】ヒートシンク(30)と、ヒートシンクの一方の面上に配置され、ヒートシンクの一方の面に対して所定の角度を持って所定の波長の光を放出するレーザチップ(31)と、レーザチップから光の照射方向に所定の距離離れて位置され、レーザチップで発生した光の一部を透過させて外部に出力すると共に、残りの一部をレーザチップに向けて反射させる外部ミラー(36)と、ヒートシンクの一方の面上のレーザチップの横側に配置されたものであって、レーザチップを発振させるための光ポンピング用の光をヒートシンクの一方の面に対して平行に放出するポンプレーザ(33)と、ヒートシンクの一方の面上にレーザチップを挟んでポンプレーザと対向するようにレーザチップの横側に配置されたものであって、ポンプレーザから放出された光ポンピング用の光をレーザチップに向けて反射する反射ミラー(35)と、を備えることを特徴とする面発光レーザである。
【選択図】図２

Description

本発明は、光ポンピング方式の垂直外部共振器型の面発光レーザ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ｅｘｔｅｒｎａｌ Ｃａｖｉｔｙ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｌａｓｅｒ：ＶＥＣＳＥＬ）に係り、さらに詳細には、単一のヒートシンク上にポンプレーザと共に一体に結合された垂直外部共振器型の面発光レーザに関する。

一般的に、半導体レーザには、発振されるビームが基板に水平な方向に放出される側面発光レーザと発振されるビームが基板に垂直な方向に放出される面発光レーザ（または、垂直共振器型の面発光レーザ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ｃａｖｉｔｙ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｌａｓｅｒ：ＶＣＳＥＬ））とがある。これらのうちＶＣＳＥＬは、非常に狭いスペクトルの単一縦モードで発振するだけでなく、ビームの放射角が小さくて接続効率が高く、面発光の構造上、他の装置の集積が容易であるという長所がある。しかし、ＶＣＳＥＬは、単一横モードの発振が側面発光レーザに比べて非常に難しく、単一横モードの動作のためには、発振領域の面積が狭くなければならず、したがって、出力が弱いという問題がある。

前述したＶＣＳＥＬの長所を生かすと同時に、高出力動作を具現するために提案されたレーザ素子として、ＶＥＣＳＥＬがある。前記ＶＥＣＳＥＬは、ＶＣＳＥＬの上部ミラーを外部のミラーに代替して利得領域を増大させることによって、数〜数十Ｗ以上の高出力を得るようにしたものである。

図１は、従来の光ポンピング方式のＶＥＣＳＥＬの概略的な断面図である。図１を参照して従来の光ポンピング方式のＶＥＣＳＥＬの構造を説明すれば、レーザ発振のためのレーザチップ１０がヒートシンク２０上に接合層２１を通じて付着されており、前記レーザチップ１０と所定間隔をおいて外部ミラー２２が配置されている。そして、前記レーザチップ１０に光ポンピング用のレーザビームを提供するための二つのポンプレーザ２５，２６が両側に傾いて配置されている。前記レーザチップ１０は、基板１４上に分散ブラッグ反射器（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｂｒａｇｇ Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ：ＤＢＲ）１６、活性層１８及び反射防止層１２が順次に積層された構造を有する。公知のように、前記活性層１８は、例えば、ＲＰＧ（Ｒｅｓｏｎａｎｔ Ｐｅｒｉｏｄｉｃ Ｇａｉｎ）構造を有する多重量子ウェル構造であり、光ポンピング用のレーザビームによって励起されて所定の波長を有する光を放出する。ヒートシンク２０は、前記レーザチップ１０で発生する熱を放出して、前記レーザチップ１０を冷却させる役割を行う。また、ポンプレーザ２５，２６は、前記レーザチップ１０から放出される光の波長よりも短い波長の光をレンズ２７，２８を通じてレーザチップ１０に入射させて、前記レーザチップ１０内の活性層１８を励起させる役割を行う。

このような構造において、ポンプレーザ２５，２６から放出された比較的短い波長の光がレンズ２７，２８を通じてレーザチップ１０に入射すれば、前記レーザチップ１０内の活性層１８が励起されつつ、特定波長の光を放出する。このように発生した光は、レーザチップ１０内のＤＢＲ層１６と外部ミラー２２との間で反射を繰り返しつつ、活性層１８を往復する。したがって、前記ＶＥＣＳＥＬの共振キャビティは、レーザチップ１０内のＤＢＲ層１６と凹状の外部ミラー２２との間に形成される。このような過程を通じて前記レーザチップ１０内で増幅された光の一部は、前記外部ミラー２２を通じてレーザビームとして外部に出力され、残りは、再び前記レーザチップ１０に反射されて光ポンピングに使われる。

しかし、前述した構造を有する従来のＶＥＣＳＥＬの場合、前記レーザチップ１０を冷却させるためのヒートシンク２０以外に、ポンプレーザ２５，２６を冷却させるための別途のヒートシンクが必要である。したがって、ポンプレーザ２５，２６とレーザチップ１０とを一つのモジュール内に統合させられないので、ＶＥＣＳＥＬの全体的なサイズを小型化するのに限界がある。さらに、ポンプレーザ２５，２６とレーザチップ１０とを整列するための別途の工程が必要であり、これらを正確に整列することも非常に難しい。その結果、全体的なＶＥＣＳＥＬの製造工程が複雑になり、かつ製造時間が延長して量産が困難であるだけでなく、製造コストが上昇するという問題がある。

本発明は、前記従来の問題点を改善するためのものであって、本発明の目的は、単一のヒートシンク上にポンプレーザとレーザチップとを一体に結合させることによって、ポンプレーザの整列のための別途の工程を必要とせず、低コストで量産の可能な小型のＶＥＣＳＥＬを提供することである。

前記本発明の目的を達成するために、本発明の望ましい実施形態による面発光レーザは、ヒートシンクと、前記ヒートシンクの一方の面上に配置され、前記ヒートシンクの一方の面に対して所定の角度を持って所定の波長の光を放出するレーザチップと、前記レーザチップから前記光の照射方向に所定の距離離れて位置され、前記レーザチップで発生した光の一部を透過させて外部に出力すると共に、残りの一部をレーザチップに向けて反射させる外部ミラーと、前記ヒートシンクの前記一方の面上の前記レーザチップの横側に配置されたものであって、前記レーザチップを発振させるための光ポンピング用の光を前記ヒートシンクの一方の面に対して平行に放出するポンプレーザと、前記ヒートシンクの一方の面上に前記レーザチップを挟んで前記ポンプレーザと対向するように前記レーザチップの横側に配置されたものであって、前記ポンプレーザから放出された光ポンピング用の光を前記レーザチップに向けて反射する反射ミラーと、を備えることを特徴とする。

本発明の望ましい実施形態によれば、前記反射ミラーは、凹状の球面ミラーでありうる。このとき、前記レーザチップと球面ミラーとの距離は、球面ミラーの曲率半径の１／２よりも小さいことが適当であり、前記球面ミラーの曲率半径は、１０ｍｍないし１００ｍｍの範囲内にあることが適当である。

本発明によれば、前記ポンプレーザから放出された光ポンピング用光を平行光にするためのコリメーティングレンズを前記ポンプレーザと反射ミラーとの間にさらに備えうる。前記コリメーティングレンズは、前記ポンプレーザの光出射面に付着されていることが好適である。

また、本発明によれば、前記レーザチップから放出された光の周波数を２倍にする２次調和波発生（Ｓｅｃｏｎｄ Ｈａｒｍｏｎｉｃ Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ：ＳＨＧ）結晶を前記レーザチップと外部ミラーとの間にさらに備えうる。

また、本発明によれば、前記ポンプレーザとヒートシンクとの間または前記レーザチップとヒートシンクとの間に熱電冷却器（Ｔｈｅｒｍｏ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｃｏｏｌｅｒ：ＴＥＣ）をさらに配置することによって、前記ポンプレーザまたはレーザチップの温度を調節できる。

一方、本発明の他の実施形態による面発光レーザは、垂直に貫通する開口が形成されたヒートシンクと、前記ヒートシンクの開口を通過して所定の波長の光を放出するように前記ヒートシンクに配置されレーザチップと、前記ヒートシンクの一方の面から前記光の照射方向に所定の距離離れて位置され、前記レーザチップで発生した光の一部を透過させて外部に出力すると共に、残りの一部をレーザチップに向けて反射する外部ミラーと、前記ヒートシンクの他方の面上の前記レーザチップの横側に配置されたものであって、前記レーザチップを発振させるための光ポンピング用の光を前記ヒートシンクの他方の面に対して平行に放出するポンプレーザと、前記ヒートシンクの他方の面上に前記レーザチップを挟んで前記ポンプレーザと対向するように配置されたものであって、前記ポンプレーザから放出された光ポンピング用の光を前記レーザチップに向けて反射する反射ミラーと、を備えることを特徴とする。

本発明による面発光レーザの場合、単一のヒートシンク上にポンプレーザとレーザチップとが共に装着されている。したがって、従来のレーザ装置とは違って、ポンプレーザとレーザチップとにそれぞれ別途のヒートシンクを設ける必要がなくなり、ヒートシンクを節約でき、全体的な面発光レーザのサイズを小型化できる。また、一つのヒートシンク上にポンプレーザとレーザチップとを同時に装着するため、ポンプレーザとレーザチップとを正確に整列させるための別途の工程が必要なく、比較的簡単かつ容易にポンプレーザとレーザチップとを整列させることが可能である。その結果、製造工程及び時間が短縮されて低コストで量産が可能になる。特に、本発明によれば、レンズアレイの代わりに、凹状の球面ミラーを利用して光ポンピング用光をレーザチップ上にフォーカシングするため、複数のレンズを光が通過することで発生する光損失及び収差を最小化でき、光ポンピング用光のビームブラーを最小化できる。

以下、添付された図面を参照して本発明をさらに詳細に説明する。

図２は、本発明の第１実施形態によるＶＥＣＳＥＬの構造を概略的に示す側断面図である。

図２を参照して、本発明の第１実施形態による面発光レーザの構造を説明すれば、ヒートシンク３０の上面の中心部には、レーザチップ３１が配置されており、前記ヒートシンク３０の上面の一側には、前記レーザチップ３１を発振させるためのポンプレーザ３３が配置されている。また、前記ヒートシンク３０の上面の他側には、前記ポンプレーザ３３から放出された光ポンピング用光を前記レーザチップ３１に向かって反射するための反射ミラー３５が配置されている。したがって、前記ポンプレーザ３３と反射ミラー３５とは、ヒートシンク３０の上面で相互対向している。また、前記レーザチップ３１から所定の距離ほど離隔された位置には、前記レーザチップ３１で発生した光の一部を透過させてレーザビームとして外部に出力し、残りの一部をレーザチップ３１に向かって再び反射する外部ミラー３６が配置される。一方、前記レーザチップ３１が、例えば、赤外線領域の光を放出する場合、可視光線領域のレーザビームを出力させるために、レーザチップ３１から放出される光の周波数を２倍にする（すなわち、光の波長を１／２にする）ＳＨＧ結晶３８を前記レーザチップ３１と外部ミラー３６との間にさらに配置してもよい。

このような構造を有する本発明の面発光レーザは、次のように動作する。

まず、前記反射ミラー３５と対向しているポンプレーザ３３の側面から所定の波長を有する光ポンピング用レーザ光が水平に放出される。公知のように、レーザチップ３１を発振させるためには、ポンプレーザ３３から放出される光ポンピング用光の波長がレーザチップ３１から放出される光の波長よりも短くなければならない。例えば、前記レーザチップ３１が赤外線領域の光を放出する場合、約８０８ｎｍの発振波長を有するポンプレーザを使用できる。一方、本発明の望ましい実施形態によれば、前記ポンプレーザ３３から放出される光ポンピング用レーザ光を平行した光にするために、コリメーティングレンズ３４が前記ポンプレーザ３３と反射ミラー３５との間に配置されうる。望ましくは、前記コリメーティングレンズ３４は、前記ポンプレーザ３３の光出射面に付着されていることが良い。

前記コリメーティングレンズ３４によって平行になった光ポンピング用光は、前記ポンプレーザ３３と対向している反射ミラー３５によって反射されてレーザチップ３１上にフォーカシングされる。このために、前記反射ミラー３５は、凹状の反射面を有する球面ミラーであることが望ましい。この場合、最適の発振条件を維持するために、前記レーザチップ３１は、球面を有する反射ミラー３５の焦点距離以内に位置することが望ましい。すなわち、前記レーザチップ３１と反射ミラー３５との水平方向距離は、前記反射ミラー３５の曲率半径の１／２よりも小さい方が良い。前記反射ミラー３５の曲率半径は、製造しようとする面発光レーザのサイズ及び出力によって決定されるが、一般的に、１０ｍｍないし１００ｍｍの範囲内にあることが適当である。また、前記ポンプレーザ３３から放出された光ポンピング用光がほとんど反射されてレーザチップ３１に入射できるように、前記反射ミラー３５の反射面は、反射率の高い金属または誘電体によってコーティングされていることが良い。

一方、一つの球面ミラー全体を前記反射ミラー３５として使用してもよいが、一つの球面ミラーを数個に等分して使用してもよい。例えば、図４の正面図に示されているように、４等分した球面ミラーをヒートシンク３０上に支持台３７で固定して反射ミラー３５として使用してもよい。光ポンピング用光ビームのビーム径が十分に小さく、球面ミラーのサイズが十分に大きい場合には、一つの球面ミラーをさらに多く分割して使用してもよい。この場合、一つの球面ミラーを分割して複数の面発光レーザを製造できる。

球面を有する前記反射ミラー３５によって反射された光ポンピング用光がレーザチップ３１上にフォーカシングされると、前記レーザチップ３１内の活性層（図示せず）が励起されて、所定の波長を有する光を放出し始める。ここで、前記レーザチップ３１の構造は、従来のＶＥＣＳＥＬで使用しているものと同一である。すなわち、前述したように、前記レーザチップ３１は、基板（図示せず）上にＤＢＲ層（図示せず）、活性層（図示せず）及び反射防止層（図示せず）が連続して積層されている構造である。また、活性層は、例えば、ＲＰＧ（Ｒｅｓｏｎａｎｔ Ｐｅｒｉｏｄｉｃ Ｇａｉｎ）構造のような多重量子ウェル構造の利得構造を有する。このように発生した光は、レーザチップ３１内のＤＢＲ層と外部ミラー３６との間で反射を繰り返しつつ増幅される。このような過程を通じて前記レーザチップ３１内で増幅された光の一部は、前記外部ミラー３６を通じてレーザビームとして外部に出力され、残りは、再び前記レーザチップ３１に反射される。このとき、前記レーザチップ３１と外部ミラー３６との間にＳＨＧ結晶３８が配置されている場合、外部ミラー３６を通じて出力されるレーザビームの波長は、レーザチップ３１から放出される光の波長の１／２となる。したがって、前記レーザチップ３１が赤外線領域の光を放出する場合、可視光線領域のレーザビームが外部ミラー３６を通じて出力されうる。

このように動作する間、ポンプレーザ３３とレーザチップ３１とでは、多くの熱が発生する。本発明による面発光レーザの場合、図２に示したように、前記ポンプレーザ３３とレーザチップ３１とで発生する熱を単に一つのヒートシンク３０のみを通じて外部に放出される。このとき、前記ポンプレーザ３３及びレーザチップ３１の冷却効率を高めるために、ＴＥＣを使用できる。すなわち、図２に示したように、ポンプレーザ３３とヒートシンク３０との間にＴＥＣ３２をさらに設置できる。たとえ、図２でポンプレーザ３３の下側にのみＴＥＣが設置されたことが示されていたとしても、レーザチップ３１の下部にもＴＥＣを設置できる。ＴＥＣは、電流の印加時に両側表面が一定の温度差を維持する素子である。図２に示したように、ＴＥＣ３２の一側面にポンプレーザ３３を付着し、他の面にヒートシンク３０を付着した後、例えば、水冷式で前記ヒートシンク３０の温度を一定に維持すれば、前記ポンプレーザ３３の温度を一定に調節することが可能である。

前述したように、本発明による面発光レーザの場合、一つの単一のヒートシンク上にポンプレーザとレーザチップとが共に装着されている。したがって、従来の技術とは違って、ポンプレーザとレーザチップとにそれぞれ別途のヒートシンクを設ける必要がないので、ヒートシンクを節約でき、全体的な面発光レーザのサイズを小型化できる。また、一つのヒートシンク上にポンプレーザとレーザチップとを同時に装着するため、ポンプレーザとレーザチップとを正確に整列させるための別途の工程が必要ではなく、比較的簡単かつ容易にポンプレーザとレーザチップとを整列させることが可能である。その結果、製造工程及び時間が短縮されて低コストで量産が可能になる。特に、本発明によれば、レンズアレイの代わりに、凹状の球面ミラーを利用して光ポンピング用光をレーザチップ上にフォーカシングするため、複数のレンズを光が通過しつつ発生する光損失及び収差を最小化でき、光ポンピング用光のビームボケ（不鮮明な状態）を最小化できる。

図５Ａ及び図５Ｂは、前記ポンプレーザ３３から放出されてレーザチップ３１に入射する光ポンピング用レーザビームのビームプロファイルを示すグラフであって、図５Ａは、ｘ軸についての断面を表す図面であり、図５Ｂは、ｙ軸についての断面を表す図面である。図５Ａ及び図５Ｂを通じて分かるように、凹状の球面ミラー形態の反射ミラー３５で反射された光ポンピング用レーザビームの半値幅は、ｘ軸に約１１１.４μｍであり、ｙ軸に約１３６.６μｍである。図２に示したように、光ポンピング用レーザビームがレーザチップ３１に傾いて入射するため、前記レーザチップ３１に入射する光ポンピング用レーザビームは、ｘ軸及びｙ軸方向にビーム径が若干異なる楕円形になる。しかし、図５Ａ及び図５Ｂに示したように、それぞれの軸方向には、ほとんど対称的な光分布をしていることが分かる。また、一般的にＶＥＣＳＥＬで要求される光ポンピング用レーザビームのビーム径が５０〜５００μｍであるので、このような条件を十分に満足させうる。

一方、図３は、本発明の第２実施形態によるＶＥＣＳＥＬの構造を概略的に示す断面図である。図２に示した面発光レーザの場合、前端ポンピング構造であった。しかし、図３に示したように、さらに効率的なレーザ発振のために後端ポンピング構造を使用してもよい。図３を参照すれば、本発明の第２実施形態による面発光レーザの場合、ヒートシンク４０の下面にポンプレーザ４３と反射ミラー４５とが相互対向するように設置されている。前記ヒートシンク４０の中心部には、上下を貫通する開口４９が形成されており、前記開口４９内にレーザチップ４１が配置される。図３では、レーザチップ４１がヒートシンク４０の下面の付近に設置されたものとして示されているが、設計によって前記開口４９内でレーザチップ４１を適切な位置に配置させうる。また、第１実施形態のように、前記ポンプレーザ４３とヒートシンク４０との間には、ＴＥＣ ４２を配置できる。たとえ図示されていないとしても、前記ＴＥＣは、レーザチップ４１とヒートシンク４０との間にも配置されうる。

このような構造で、前記レーザチップ４１から放出される光は、前記開口４９を通過して外部ミラー４６に入射した後、前記外部ミラー４６とレーザチップ４１との間で反復的に反射される。このような過程を通じて増幅された光は、外部ミラー４６を通じてレーザビームとして出力される。このとき、光波長を１／２に変えるＳＨＧ結晶４８の波長変換効率は、一般的に入射する光度に比例するので、ＳＨＧ結晶４８をレーザチップ４１に可能な限り近く配置することが望ましい。図３に示した後端ポンピング構造の面発光レーザは、図２に示した前端ポンピング構造の面発光レーザよりＳＨＧ結晶をレーザチップにさらに近く配置できるので、さらに優秀な効率を有しうる。

本発明は、図面に示された実施形態を参考として説明されたが、これは、例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるということが分かる。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決定されねばならない。

本発明は、ＶＣＳＥＬの製造に利用されうる。

従来の光ポンピング方式のＶＥＣＳＥＬの構造を概略的に示す断面図である。 本発明の第１実施形態による光ポンピング方式のＶＥＣＳＥＬの構造を概略的に示す断面図である。 本発明の第２実施形態による光ポンピング方式のＶＥＣＳＥＬの構造を概略的に示す断面図である。 本発明で使用する球面ミラーの形態を例示的に示す図面である。 ポンプレーザから放出されてレーザチップに入射する光ポンピング用レーザビームのビームプロファイルを示すグラフである。 ポンプレーザから放出されてレーザチップに入射する光ポンピング用レーザビームのビームプロファイルを示すグラフである。

符号の説明

３０ ヒートシンク、
３１ レーザチップ、
３２ ＴＥＣ、
３３ ポンプレーザ、
３４ コリメーティングレンズ、
３５ 反射ミラー、
３６ 外部ミラー、
３８ ＳＨＧ結晶。

Claims (14)

1. ヒートシンクと、
   前記ヒートシンクの一方の面上に配置され、前記ヒートシンクの一方の面に対して所定の角度を持って所定の波長の光を放出するレーザチップと、
   前記レーザチップから前記光の照射方向に所定の距離離れて位置され、前記レーザチップで発生した光の一部を透過させて外部に出力すると共に、残りの一部をレーザチップに向けて反射させる外部ミラーと、
   前記ヒートシンクの前記一方の面上の前記レーザチップの横側に配置されたものであって、前記レーザチップを発振させるための光ポンピング用の光を前記ヒートシンクの一方の面に対して平行に放出するポンプレーザと、
   前記ヒートシンクの一方の面上に前記レーザチップを挟んで前記ポンプレーザと対向するように前記レーザチップの横側に配置されたものであって、前記ポンプレーザから放出された光ポンピング用の光を前記レーザチップに向けて反射する反射ミラーと、を備えることを特徴とする面発光レーザ。
2. 前記反射ミラーは、凹状の球面ミラーであることを特徴とする請求項１に記載の面発光レーザ。
3. 前記レーザチップと球面ミラーとの距離は、球面ミラーの曲率半径の１／２よりも小さいことを特徴とする請求項２に記載の面発光レーザ。
4. 前記球面ミラーの曲率半径は、１０ｍｍないし１００ｍｍの範囲内にあることを特徴とする請求項２または３に記載の面発光レーザ。
5. 前記ポンプレーザから放出された光ポンピング用の光を平行光にするためのコリメーティングレンズを、前記ポンプレーザと反射ミラーとの間にさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の面発光レーザ。
6. 前記コリメーティングレンズは、前記ポンプレーザの光出射面に付着されていることを特徴とする請求項５に記載の面発光レーザ。
7. 前記レーザチップから放出された光の周波数を２倍にする２次調和波発生の結晶を、前記レーザチップと外部ミラーとの間にさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の面発光レーザ。
8. 前記ポンプレーザとヒートシンクとの間または前記レーザチップとヒートシンクとの間に熱電冷却器をさらに配置して、前記ポンプレーザまたはレーザチップの温度を調節することを特徴とする請求項１に記載の面発光レーザ。
9. 垂直に貫通する開口が形成されたヒートシンクと、
   前記ヒートシンクの開口を通過して所定の波長の光を放出するように前記ヒートシンクに配置されレーザチップと、
   前記ヒートシンクの一方の面から前記光の照射方向に所定の距離離れて位置され、前記レーザチップで発生した光の一部を透過させて外部に出力すると共に、残りの一部をレーザチップに向けて反射する外部ミラーと、
   前記ヒートシンクの他方の面上の前記レーザチップの横側に配置されたものであって、前記レーザチップを発振させるための光ポンピング用の光を前記ヒートシンクの他方の面に対して平行に放出するポンプレーザと、
   前記ヒートシンクの他方の面上に前記レーザチップを挟んで前記ポンプレーザと対向するように配置されたものであって、前記ポンプレーザから放出された光ポンピング用の光を前記レーザチップに向けて反射する反射ミラーと、を備えることを特徴とする面発光レーザ。
10. 前記反射ミラーは、凹状の球面ミラーであることを特徴とする請求項１に記載の面発光レーザ。
11. 前記レーザチップと球面ミラーとの距離は、球面ミラーの曲率半径の１／２もより小さいことを特徴とする請求項１０に記載の面発光レーザ。
12. 前記ポンプレーザから放出された光ポンピング用の光を平行光にするためのコリメーティングレンズが前記ポンプレーザの光出射面に付着されていることを特徴とする請求項９に記載の面発光レーザ。
13. 前記レーザチップから放出された光の周波数を２倍にする２次調和波発生の結晶を、前記レーザチップと外部ミラーとの間にさらに備えることを特徴とする請求項９に記載の面発光レーザ。
14. 前記ポンプレーザとヒートシンクとの間または前記ポンプレーザとレーザチップとの間に熱電冷却器をさらに配置して、前記ポンプレーザまたはレーザチップの温度を調節することを特徴とする請求項９に記載の面発光レーザ。

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